JP4606610B2 - 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 239000000945 filler Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 23
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光や電子等のエネルギー線を裏面から入射し二次元で検出する裏面照射型半導体装置、及び当該裏面照射型半導体装置における充填材充填方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
裏面照射型半導体装置、例えば、裏面照射型CCDは、シリコンを材料としたCCD素子(半導体検出素子)と、セラミック等を材料とした保護枠とを接着剤によって接着した後、電気的に接続することにより構成される。かかるCCD素子は、通常の半導体プロセスにてポリシリコン電極よりなる電荷結合型の転送部分と、電荷読み出し部分のFETとを半導体基板の表面に形成して構成されるが、光や電子等のエネルギー線を表面側から照射すると、上記の電極等により入射が妨げられ、極微弱光に対する十分な感度が得られない。このため、エネルギー線を裏面から照射する方式が採用されている。
【0003】
このような裏面照射型CCDにおいてCCD素子の光検出部分は数10μmに薄板化されているため、その面積が大きくなるほど当該光検出部分の撓みが発生し易くなる。撓みは、CCD素子をセラミック製の保護枠に固着する際に使用する熱硬化樹脂接着剤を加熱する際に、CCD素子の薄板部、即ち、光検出部分で発生する。
【0004】
これを防止するために、図6に示す従来例では、接着剤より硬化温度が高いエポキシ樹脂(ステイキャスト)30を光検出面10Aの表面側(図6において上側)に充填しエポキシ樹脂30を高温での硬化の際に光検出面10Aの撓みを伸ばすよう作用させることで、光検出面10Aでの撓みを防止していた(例えば、特開平9−82852号公報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、エポキシ樹脂30は図9の熱膨張係数一覧表に示すように、熱膨張係数が非常に大きく、特に摂氏0度以下の低温では、収縮し易いため、樹脂の収縮による応力の影響で光検出面10Aが割れてしまうといった不都合が生じるおそれがある。通常、裏面照射型CCDは常温で用いられるため、上記問題は発生しないが、裏面照射型CCDを空輸等で輸送する際には、摂氏0度以下に晒される状況も発生しうる。
【0006】
このため、かかる状況を想定して、樹脂の収縮によるCCD素子の光検出面の損傷を防止するための対策が望まれる。
【0007】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであり、低温時でのCCD素子の光検出面の損傷を防止することができる裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る裏面照射型半導体装置は、裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子と、前記半導体検出素子の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠と、前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、前記半導体検出素子の表面側に充填され前記半導体検出素子の表面及び前記接続部材を被覆する第1の充填材と、前記第1の充填材の上面に密着して設置された保護用の蓋と、を備えた裏面照射型半導体装置であって、前記周縁部の外側の隙間については、前記第1の充填材に代わり、硬化後の弾力性が前記第1の充填材よりも高い第2の充填材が充填されたことを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る充填材充填方法は、裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子と、前記半導体検出素子の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠と、前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、前記半導体検出素子の表面及び前記接続部材を被覆する、硬化後の弾力性が異なる2種類の充填材と、を備えた裏面照射型半導体装置における充填材充填方法であって、前記2種類の充填材のうち硬化後の弾力性が高い充填材を前記周縁部の外側の隙間に充填する第1の工程と、前記2種類の充填材のうち硬化後の弾力性が低い充填材を前記半導体検出素子の表面側に充填する第2の工程と、前記弾力性が低い充填材の上面に密着させて保護用の蓋を設置する第3の工程とを有することを特徴とする。
【0010】
上記の本発明の裏面照射型半導体装置と充填材充填方法では、半導体検出素子の周縁部の外側の隙間については、硬化後の弾力性が第1の充填材よりも高い第2の充填材(弾力性が高い充填材)が充填され、半導体検出素子の表面側に第1の充填材(弾力性が低い充填材)が充填される。この場合、低温時での第1の充填材の収縮による応力は、硬化後の弾力性が高く且つ半導体検出素子の周縁部の外側に充填された第2の充填材により吸収されるので、半導体検出素子の表面の損傷を防止することができる。
【0011】
また、第1の充填材の上面に密着して、保護用の蓋を設置することにより、外部からの物理的衝撃から半導体検出素子を保護し、密着させたことで半導体検出素子が発する熱の放熱効果が向上する。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。前述の従来例と同一または同等のものについては簡略化若しくは省略するものとする。
【0018】
図1は、本発明の裏面照射型半導体装置の実施形態、すなわち本発明の製造方法の実施形態により実際に製作される裏面照射型CCDの斜視図を一部断面にて示したものである。この図1は、後述する図3の構成で蓋40を除いた構成を示している。
【0019】
この図1に示す裏面照射型CCDは、半導体基板をベースとする矩形で板状のCCD素子(半導体検出素子)10と、半導体基板の熱膨張率(3×10-6/℃)より大きい熱膨張率(7×10-6/℃)を有するアルミナセラミックを矩形で環状に成型した保護枠20と、CCD素子10を表面から機械的に補強する機能と共にCCD素子10を冷却するためのヒートシンクとしての機能とを具備したエポキシ樹脂30と、保護枠20の外側で対向した二面において固定されている外部入出力ピン60とからなる。そして、図1において矢印に示すように、CCD素子10の裏面から光や軟X線、紫外線(hν)あるいは電子線(e-)等の検出すべきエネルギー線が入射される。
【0020】
図2は、図1で示した裏面照射型CCDにおいて、エポキシ樹脂30を取り除いたときの上面から見た図である。CCD素子10の周縁部において対向する二辺には、その表面上にボンディングパッド11が設けられている。保護枠20は3段の階段形状を有し、最下段のダイアタッチ面21から順に、メタライズ配線22の形成された中段の面、最上段面23が配置されている。CCD素子10の周縁部の裏面はダイアタッチ面21で所定の接着剤により接着されている。ボンディングパッド11とメタライズ配線22はワイヤー50(接続部材)により電気的に接続され、また、外部入出力ピン60はメタライズ配線22と電気的に接続されている。
【0021】
まず、本願発明者は、開発過程において、図3に示すようにエポキシ樹脂30の量を減らすことを試みた。この場合、エポキシ樹脂30の量が減少したので、低温時でのエポキシ樹脂30の収縮による応力を小さくすることができる。
【0022】
但し、チップ保護のために設けられた蓋40とエポキシ樹脂30との間に空気層70が形成されるため、CCD素子の駆動時の発熱に対する放熱特性が悪いという問題点がある。
【0023】
そこで、以下に述べる第1、第2の実施形態では、かかる放熱特性を良好に維持しつつ、低温時でのエポキシ樹脂30の収縮による応力を小さくすることができる発明の実施形態を説明する。
【0024】
[第1実施形態]
図4に示すように、スペーサ24と保護枠20との間、及びCCD素子10と保護枠20との間に、エポキシ樹脂30よりも硬化後の弾性が高いシリコーン樹脂32が充填され、その上からエポキシ樹脂30が充填されている。さらに、蓋40がエポキシ樹脂30の上面に密着して設置されている。
【0025】
その充填処理は、図7のようになる。即ち、まず、CCD素子10の外側の隙間にシリコーン樹脂32を充填し(S1)、その上からCCD素子10表面にエポキシ樹脂30を充填する(S2)。そして、蓋40をエポキシ樹脂30の上面に密着して設置する(S3)。
【0026】
かかる充填処理で形成された裏面照射型CCDでは、低温時でのエポキシ樹脂30の収縮による応力は、CCD素子10の周縁部の外側に充填された弾性の高いシリコーン樹脂32により吸収されるので、CCD素子10の表面の損傷を防止することができる。
【0027】
具体的には、撓みの高低差±30μm以内を保持しつつ、−15℃〜50℃の温度サイクル試験でチップの割れが発生しなかった。なお、従来構造では、−10℃〜50℃の温度サイクル試験でチップの割れが発生していた。
【0028】
また、エポキシ樹脂30の上面に密着して、蓋40を設置することにより、外部からの物理的衝撃からCCD素子10を保護し、密着させたことでCCD素子10が発する熱の放熱効果が向上する。
【0029】
[第2実施形態]
図5に示すように、CCD素子10表面及びCCD素子10の外側の隙間にエポキシ樹脂30が充填され、その上から、エポキシ樹脂30よりも硬化後の弾性が高いシリコーン樹脂32が充填されている。さらに、蓋40がシリコーン樹脂32の上面に密着して設置されている。
【0030】
その充填処理は、図8のようになる。即ち、まず、CCD素子10表面及びCCD素子10の外側の隙間にエポキシ樹脂30を充填し(K1)、その上からシリコーン樹脂32を充填する(K2)。そして、蓋40をシリコーン樹脂32の上面に密着して設置する(K3)。
【0031】
かかる充填処理で形成された裏面照射型CCDでは、低温時でのエポキシ樹脂30の収縮による応力は、CCD素子10の周縁部の外側に充填された弾性の高いシリコーン樹脂32により吸収されるので、CCD素子10の表面の損傷を防止することができる。
【0032】
具体的には、第1実施形態と同様に、撓みの高低差±30μm以内を保持しつつ、−15℃〜50℃の温度サイクル試験でチップの割れが発生しなかった。
【0033】
また、第1実施形態と同様に、エポキシ樹脂30の上面に密着して、蓋40を設置することにより、外部からの物理的衝撃からCCD素子10を保護し、密着させたことでCCD素子10が発する熱の放熱効果が向上する。
【0034】
また、シリコーン樹脂32は、蓋40と保護枠20とを接着する接着剤としても機能するので、裏面照射型CCDの強度が向上するという利点もある。
【0035】
なお、上記各実施形態では、充填樹脂としてエポキシ樹脂30を用いた例を示したが、このような熱硬化樹脂に限定されるものではなく、紫外線硬化樹脂を用いることも可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体検出素子の周縁部の外側の隙間に、硬化後の弾力性が高い第2の充填材を充填したことにより、低温時での第1の充填材の収縮による応力は第2の充填材により吸収されるので、半導体検出素子の表面の損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る裏面照射型CCDの斜視図を一部断面にて示したものである。
【図2】図1の裏面照射型CCDにおいてエポキシ樹脂30を取り除いたときの上面から見た図である。
【図3】本発明に至る開発過程で試作したCCD素子10の図2のA−A線断面図である。
【図4】第1実施形態のCCD素子10の図2のA−A線断面図である。
【図5】第2実施形態のCCD素子10の図2のA−A線断面図である。
【図6】従来例のCCD素子10の図2のA−A線断面図である。
【図7】第1実施形態の充填処理を示す流れ図である。
【図8】第2実施形態の充填処理を示す流れ図である。
【図9】裏面照射型CCDを構成する各種部材の熱膨張係数の一覧表である。
【符号の説明】
10…CCD素子(半導体検出素子)、10A…光検出面、11…ボンディングパッド、20…保護枠、21…ダイアタッチ面、22…メタライズ配線、23…最上段面、24…スペーサ、30…エポキシ樹脂(第1の充填材)、32…シリコーン樹脂(第2の充填材)、40…蓋、50…ワイヤー、60…外部入出力ピン
Claims (2)
- 裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子と、
前記半導体検出素子の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠と、
前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、
前記半導体検出素子の表面側に充填され前記半導体検出素子の表面及び前記接続部材を被覆する第1の充填材と、
前記第1の充填材の上面に密着して設置された保護用の蓋と、
を備えた裏面照射型半導体装置であって、
前記周縁部の外側の隙間については、前記第1の充填材に代わり、硬化後の弾力性が前記第1の充填材よりも高い第2の充填材が充填されたことを特徴とする裏面照射型半導体装置。 - 裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子と、前記半導体検出素子の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠と、前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、前記半導体検出素子の表面及び前記接続部材を被覆する、硬化後の弾力性が異なる2種類の充填材と、を備えた裏面照射型半導体装置における充填材充填方法であって、
前記2種類の充填材のうち硬化後の弾力性が高い充填材を前記周縁部の外側の隙間に充填する第1の工程と、
前記2種類の充填材のうち硬化後の弾力性が低い充填材を前記半導体検出素子の表面側に充填する第2の工程と、
前記弾力性が低い充填材の上面に密着させて保護用の蓋を設置する第3の工程と、
を有する充填材充填方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001018976A JP4606610B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001018976A JP4606610B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002222936A JP2002222936A (ja) | 2002-08-09 |
JP4606610B2 true JP4606610B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=18884927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001018976A Expired - Fee Related JP4606610B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4606610B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278726A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sharp Corp | 半導体装置モジュール及び半導体装置モジュールの製造方法 |
JP4463793B2 (ja) | 2006-10-10 | 2010-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP4490406B2 (ja) | 2006-10-11 | 2010-06-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2018218597A1 (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | 苏州佳亿达电器有限公司 | 具有耐高温与耐老化性能的led封装材料 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155671A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-07-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH06334158A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型半導体素子およびその製造方法 |
JPH0982852A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型半導体装置とその製造方法 |
JPH09254575A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Denso Corp | 電子製品の製造方法 |
JPH10223873A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001018976A patent/JP4606610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155671A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-07-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH06334158A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型半導体素子およびその製造方法 |
JPH0982852A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型半導体装置とその製造方法 |
JPH09254575A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Denso Corp | 電子製品の製造方法 |
JPH10223873A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002222936A (ja) | 2002-08-09 |
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