JP4463793B2 - 光検出装置 - Google Patents

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Description

本発明は、いわゆる裏面入射型の光検出素子を備えた光検出装置に関する。
従来、いわゆる裏面入射型の光検出素子が知られている。この種の光検出素子は、半導体基板の裏面側に光入射面を備え、この光入射面から入射した光を表面側の光検出部で検出する。このような光検出素子を備えた光検出装置として、例えば特許文献1に記載された半導体エネルギー検出器がある。この従来の半導体エネルギー検出器は、光検出部と反対側で半導体基板の一部が薄型化され、紫外線、軟X線、電子線といった各種のエネルギー線を高感度に検出できるBT−CCD(裏面入射薄板型CCD)と、このBT−CCDとワイヤボンディングによって電気的に接続されたパッケージとを備え、例えば天体観測用の望遠鏡の受光部として用いられる。
特開平6−196680号公報
上述したような望遠鏡等の用途においては、受光部の大面積化を図るため、コールドプレートなどの被設置体に複数の光検出装置をマトリクス状に並べて配置する、いわゆるバタブル配置構造を採ることが有効である。このような配置構造では、各光検出装置間の間隔を例えば100μm以下に抑えることで、光検出装置を高密度に配置することが可能となる。しかしながら、上述した従来の半導体エネルギー検出器では、光検出素子の外側の領域にワイヤボンディングのためのスペースが存在しており、光検出素子に比べてサイズの大きい配線基板が必要となる。そのため、光検出装置に対して光検出素子が占める面積が小さく、光検出装置を被設置体にバタブル配置した際に、光検出を行うことができない領域(不感領域)が拡大してしまうという問題がある。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、光検出素子が占める面積を確保することにより、被設置体に配置した際の不感領域を縮小化できる光検出装置を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明に係る光検出装置は、一方の面側から入射した光を他方の面側の光検出部で検出する光検出素子と、光検出素子の他方の面の所定の領域が露出するように、光検出素子の他方の側に設けられた配線基板とを備え、所定の領域には、光検出部と電気的に接続された第1のボンディングパッドが形成され、配線基板において、所定の領域よりも内側の領域には、第1のボンディングパッドとボンディングワイヤによって電気的に接続された第2のボンディングパッドが形成されていることを特徴としている。
この光検出装置では、光検出素子の他方の面に形成された第1のボンディングパッドが露出するように光検出素子の他方の面側に配線基板が設けられ、この配線基板において、第1のボンディングパッドよりも内側の領域に第2のボンディングパッドが形成されている。このような構成より、この光検出装置では、ワイヤボンディングの形成スペースを光検出素子の内側に位置させることができ、配線基板と光検出素子とをほぼ同じサイズにすることが可能となる。この結果、この光検出装置では、当該光検出装置に対して光検出素子が占める面積を十分に確保でき、被設置体に光検出装置を配置した際に、隣り合う光検出装置における光検出素子間の間隔を十分に小さくできるので、不感領域の縮小化を実現できる。
また、配線基板は、第1のボンディングパッドを露出させるスリット部を有していることが好ましい。こうすると、ワイヤボンディング部分をスリット部内に収容することが可能となるので、光検出装置を被設置体に配置する際に、ワイヤボンディング部分を断線等から保護できる。
また、配線基板において、第1のボンディングパッドよりも内側の領域には、所定の領域に沿って、配線基板の他方の面よりも一方の側に位置する設置面が形成され、第2のボンディングパッドは、設置面に設けられていることが好ましい。かかる設置面に設けることにより、ワイヤボンディング部分が配線基板の他方の面側に突出することを防ぐことができる。これにより、光検出装置を被設置体に配置する際に、ワイヤボンディング部分を断線等から保護できる。また、第2のボンディングパッドの形成部分に厚みを残しているので、ワイヤボンディングを行う際のボンディングパッドの強度も確保できる。
また、配線基板は、スリット部を他方の面側から塞ぐ蓋部を有していることが好ましい。この場合、蓋部によってワイヤボンディング部分をスリット部内に隠蔽できるので、ワイヤボンディング部分を断線等から一層確実に保護できる。
また、スリット部及び蓋部の少なくとも一方には、スリット部の内部を外部と連通させる通気孔を形成する溝部が設けられていることが好ましい。これにより、スリット部に蓋部を取り付けた後でもスリット部の内部を外部と等圧に保つことができるので、外部環境の変化によってスリット部内の気体の収縮・膨張が生じても、光検出装置の変形や破損を抑止できる。
本発明に係る光検出装置によれば、光検出素子が占める面積を確保することにより、被設置体に配置した際の不感領域を縮小化できる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る光検出装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光検出装置を搭載してなる受光部を示す図である。また、図2は、図1に示した光検出装置の斜視図であり、図3はその底面図、図4は一部を断面化して示す側面図である。
図1に示すように、受光部1は、熱制御用のコールドプレート2と、複数の光検出装置3とを備え、例えば天体観測用の望遠鏡の受光部1として構成されている。コールドプレート2は、例えば銅によって円盤状に形成されており、望遠鏡の使用時には所定のガス雰囲気中で−100℃程度に冷却される。このコールドプレート2の表面には、各光検出装置3のネジ付嵌合ピン32及びフレックスPCB22(図2参照)に対応する凹部4が複数設けられている。
各光検出装置3は、凹部4にネジ付嵌合ピン32及びフレックスPCB22を嵌め込むと共に、各ネジ付嵌合ピン32にコールドプレート2の裏側からナット36(図2参照)を螺合することによってコールドプレート2に固定され、例えば8×10のマトリクス状に配置されている。このような配置は、各光検出装置3の4つの側面が隣り合う光検出装置3の側面と対向することから4サイドバタブル配置と称され、光検出装置3の高密度化による受光部1の大面積化に適した配置となっている。また、隣り合う光検出装置3の間隔は約100μmとなっており、コールドプレート2による冷却を解除した後の熱膨張による各光検出装置3同士の接触防止が図られている。
次に、光検出装置3の構成について説明する。各光検出装置3は、図2〜図4に示すように、光検出を行う光検出素子11と、光検出素子11に電気的に接続された配線基板12と、コールドプレート2への設置に用いるピンベース13とを備えている。光検出素子11は、厚さ約200μmのいわゆる裏面入射薄板型CCD(BT−CCD)であり、半導体による吸収の影響を受け易い紫外線、軟X線、電子線といった各種のエネルギー線を高感度に検出可能な素子である。
光検出素子11の裏面(一方の面)側は光入射面S(図4参照)となっており、光検出素子11の表面(他方の面)側には、光入射面Sから入射した光を検出する検出領域14と、検出領域14の出力端となる第1のボンディングパッド領域(所定の領域)15とがそれぞれ形成されている(図8(a)参照)。検出領域14には、例えば9×7のマトリクス状に配置されたCCDアレイ(光検出部)16が設けられ、第1のボンディングパッド領域15には、所定パターンのアルミ配線によってCCDアレイ16の各画素と電気的に接続された第1のボンディングパッド17Aが設けられている。第1のボンディングパッド17Aは、光検出素子11の表面側の一端部に沿って一列に配置されている。
さらに、図3及び図8(a)に示すように、光検出素子11の表面の両端部において、検出領域14よりも外側のデッドエリア部分には、光検出素子11の中心線Lを通るように十字型の位置合わせ用マーク18(18A,18B)がそれぞれ設けられている。位置合わせ用マーク18A,18Bは、例えばアルミニウムのスパッタによって上述したアルミ配線と同時に形成され、光検出素子11の中心線Lを示す位置基準として用いられる。
配線基板12は、図2〜図4に示すように、光検出素子11と略同面積の矩形をなしており、配線基板12の表面側の略中央部分には、CCDアレイ16の各画素に対応するリード端子21が配列されている。このリード端子21は、図2に示すように、フレックスPCB(可撓性プリント回路基板)22に接続されている。フレックスPCB22は、コールドプレート2の凹部4を通して望遠鏡内の所定の基板(図示しない)にコネクタ接続される。
一方、図3に示すように、配線基板12の一端部及び他端部には、スリット部23及び切欠部24がそれぞれ設けられている。スリット部23は、配線基板12の一端部に沿って長方形状に形成され、切欠部24は、配線基板12の他端部の略中央において半円形状に形成されている。そして、配線基板12は、スリット部23から第1のボンディングパッド領域15及び位置合わせ用マーク18Aが露出し、かつ切欠部24から位置合わせ用マーク18Bが露出するように位置決めされた状態で、例えばダイボンディングによって光検出素子11の表面側に強固に固定されている。
また、図5及び図6に示すように、配線基板12において、第1のボンディングパッド領域15及び位置合わせ用マーク18Aが露出している領域よりも内側の領域には、スリット部23の長手方向に沿って段部25が設けられている。この段部25は、配線基板12の表面よりも裏面側に位置する設置面25aを有しており、この設置面25a上には、配線基板12の入力端となる第2のボンディングパッド領域26が形成されている。第2のボンディングパッド領域26には、第1のボンディングパッド17Aに対応する第2のボンディングパッド17Bが一列に配置されており、第1のボンディングパッド17Aと第2のボンディングパッド17Bとは、ボンディングワイヤ27によってそれぞれ電気的に接続されている。第2のボンディングパッド17Bは、配線基板12の内部配線(図示しない)によってリード端子21にそれぞれ電気的に接続され、これにより、光検出素子11からの出力信号がリード端子21及びフレックスPCB22を介して外部に出力される。
さらに、配線基板12の一端側の縁の略中央には、中心線L(図3参照)に沿って延びる溝部28が設けられており、配線基板12には、溝部28を塞ぐようにして、スリット部23の表面側からセラミック製の蓋部29が取り付けられている。この蓋部29の取り付けにより、第1のボンディングパッド17A、第2のボンディングパッド17B、及びボンディングワイヤ27が外部に露出しないように保護され、光検出装置3の一端側の側面には、図5及び図7に示すように、スリット部23の内部を外部と連通させる通気孔30が形成される。
ピンベース13は、図2〜図4に示すように、例えばチッ化アルミニウムによって扁平な直方体形状に形成されている。このピンベース13の略中央には配線基板12のリード端子21を露出させる矩形の開口部31が形成されている。また、ピンベース13の表面側には、ナット36を螺合可能な例えばチタン製のネジ付嵌合ピン32が設けられている。このネジ付嵌合ピン32は、開口部31を挟むようにして、ピンベース13の一端側の中央に1本、ピンベース13の他端側の両角部寄りにそれぞれ1本ずつ計3本設けられている。
ここで、ピンベース13の側面のうち、光検出素子11の中心線Lに沿う一方の側面34と、この側面34における一端側の角部35とは、ピンベース13の位置決め部33となっている。各ネジ付嵌合ピン32は、ピンベース13の表面側に取り付けられているが、側面34及び角部35からの相対的な距離が正確になるように芯出しされ、位置決め部33に対してそれぞれ高精度に位置決めされている。また、ピンベース13は、位置合わせ用マーク18A,18Bを通る中心線Lに、ピンベース13を表面側から見たときの側面34のラインを合わせることにより、光検出素子11に対して精度良く角度合わせされ、かつ位置合わせ用マーク18A,18Bと角部35との相対的な距離に基づいて、光検出素子11に対して精度良く位置合わせされている。この状態で、ピンベース13は、例えば熱硬化性樹脂によって配線基板12の表面側に強固に接着されている。
続いて、上述した構成を有する光検出装置3の組立方法について説明する。
この光検出装置3を望遠鏡の受光部1として組み立てる場合、まず、光検出素子11を準備し、図8(a)に示すように、位置合わせ用マーク18A,18Bが見えるように、表面側を上側に向けて光検出素子11を配置する。次に、配線基板12を準備し、図8(b)に示すように、スリット部23から第1のボンディングパッド領域15及び位置合わせ用マーク18Aが露出し、かつ切欠部24から位置合わせ用マーク18Bが露出するように位置決めした状態で、光検出素子11の表面側に配線基板12をダイボンディングによって固定する。
配線基板12の固定が完了した後、ピンベース13を準備する。ピンベース13の表面側には、予め位置決め部33に対して精度良く芯出しされた状態でネジ付嵌合ピン32が取り付けられている。そして、図8(c)に示すように、ピンベース13の略中央の開口部31から配線基板12のリード端子21が露出するように、配線基板12の表面側に重ね合わせる。このとき、配線基板12のスリット部23及び切欠部24から露出する光検出素子11の位置合わせ用マーク18A,18Bを通る中心線Lに、ピンベース13を表面側から見たときの側面34のラインを合わせ、光検出素子11に対してピンベース13を精度良く角度合わせする。また、位置合わせ用マーク18A,18Bと角部35との相対的な距離に基づいて、光検出素子11に対してピンベース13を精度良く位置合わせする。光検出素子11に対する角度合わせ及び位置合わせを行った後、配線基板12の表面側にピンベース13を接着によって固定する。
ピンベース13の固定が完了した後、第1のボンディングパッド17Aと第2のボンディングパッド17Bとをワイヤボンディングによってそれぞれ電気的に接続する。ワイヤボンディングの後、スリット部23の表面側から蓋部29を取り付け、第1のボンディングパッド17A及び第2のボンディングパッド17Bを隠蔽すると共に、光検出装置3の一端側の側面に通気孔30を形成する。また、ピンベース13の開口部31から露出するリード端子21にフレックスPCBを接続する。これにより、図2〜図4に示した光検出装置3の組み立てが完了する。
そして、光検出装置3のネジ付嵌合ピン32及びフレックスPCB22をコールドプレート2の凹部4に嵌め込むと共に、各ネジ付嵌合ピン32にコールドプレート2の裏側からナット36を螺合させることにより、光検出装置3をコールドプレート2に固定する。このとき、ネジ付嵌合ピン32は、ピンベース13の位置決め部33を介して光検出素子11と精度良く位置合わせされているので、光検出装置3は、コールドプレート2に対して精度良く位置合わせされる。以下、同様の手順によって複数の光検出装置3を組み立て、コールドプレート2上に光検出装置3をマトリクス状に配置することにより、図1に示した受光部1が完成する。
以上説明したように、この光検出装置3では、光検出素子11の表面に形成された第1のボンディングパッド領域15がスリット部23から露出するように光検出素子11の表面側に配線基板12が設けられ、この配線基板12において、第1のボンディングパッド17Aよりも内側の領域に第2のボンディングパッド17Bが形成されている。このような構成より、光検出装置3では、ワイヤボンディングの形成スペースを光検出素子11の内側に位置させることができ、配線基板12と光検出素子11とをほぼ同じサイズにすることが可能となる。この結果、この光検出装置3では、当該光検出装置3に対して光検出素子11が占める面積を十分に確保でき、コールドプレート2に光検出装置3をバタブル配置した際に、隣り合う光検出装置3,3における光検出素子11,11間の間隔を十分に小さくできるので、不感領域の縮小化を実現できる。
また、光検出装置3では、配線基板12において、第1のボンディングパッド領域15よりも内側の領域に段部25が設けられ、この段部25aにおいて、配線基板12の表面よりも裏面側に位置する設置面25aに第2のボンディングパッド17Bが形成されている。これにより、ボンディングワイヤ27が配線基板12の表側に突出することを防ぐことができ、光検出装置3をコールドプレート2に配置する際に、ボンディングワイヤ27を断線等から保護できる。さらに、第2のボンディングパッド17Bの形成部分に厚みを残しているので、ワイヤボンディングを行う際のボンディングパッド17Bの強度も確保できる。
配線基板12には、スリット部23の表面側から蓋部29が取り付けられており、第1のボンディングパッド17A、第2のボンディングパッド17B、及びボンディングワイヤ27が外部に露出しないように保護されると共に、スリット部23の内部を外部と連通させる通気孔30が形成されている。このように、光検出素子11と配線基板12とのワイヤボンディング部分を保護することにより、光検出装置3をコールドプレート2に配置する際のボンディングワイヤ27の断線等を防止できる。また、通気孔30の形成により、蓋部29を取り付けた後もスリット部23の内部を外部と等圧に保つことができるので、受光部1の使用の前後でコールドプレート2による冷却及び冷却の解除がなされても、スリット部23内の気体の収縮・膨張による光検出装置3の変形や破損を抑止できる。
さらに、光検出装置3では、光検出素子11の位置基準となる位置合わせ用マーク18A,18Bが光検出素子11の表面側に形成されている。また、ピンベース13には、コールドプレート2に嵌め合わされるネジ付嵌合ピン32が設けられており、このネジ付嵌合ピン32は、配線基板12のスリット部23及び切欠部24から露出する位置合わせ用マーク18A,18Bに対して位置決めされた位置決め部33を介して、光検出素子11に対して精度良く位置合わせされている。したがって、この光検出装置3では、コールドプレート2の凹部4にネジ付嵌合ピン32を嵌め合わせるだけで、コールドプレート2に対して光検出素子11が精度良く位置合わせされる。この結果、4サイドバタブル配置において、隣り合う光検出装置3における光検出素子11の位置関係を精度良く合わせることができ、各光検出装置3を高密度に配置することが可能となる。
また、光検出装置3では、光検出素子11の中心線Lを通るように位置合わせ用マーク18A,18Bが形成されており、位置決め部33は、ピンベース13の側面34と、この側面34における角部35とによって構成されている。このため、位置合わせ用マーク18A,18Bを通る中心線Lに、ピンベース13を表面側から見たときの側面34のラインを合わせることにより、光検出素子11とピンベース13とを精度良く角度合わせできると共に、位置合わせ用マーク18A,18Bと角部35との相対的な距離に基づいて、光検出素子11とピンベース13とを精度良く位置合わせできる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば、上述した実施形態では、コールドプレート2上に光検出装置3を4サイドバタブル配置して受光部1を構成しているが、光検出装置3を2列に配置することにより、光検出装置3の3つの側面が隣り合う光検出素子11の側面と対向する3サイドバタブル配置を採用してもよい。
また、上述した実施形態では、配線基板12の一端側の縁の略中央に通気孔30を形成するための溝部28を設けているが、このような溝部28は、蓋部29側に設けるようにしてもよく、スリット部23及び蓋部29の双方に設けてもよい。さらには、図9に示すように、蓋部29の裏側に凹部40を形成し、段部25の厚みを一層確保するようにしてもよい。この場合、蓋部29に別途加工が必要となるが、ワイヤボンディングを行う際の第2のボンディングパッド17Bの強度を一層確保できる。
本発明の一実施形態に係る光検出装置を搭載してなる受光部を示す図である。 光検出装置の斜視図である。 光検出装置を表面側から見た図である。 光検出装置の一部を断面化して示す側面図である。 スリット部近傍の拡大断面図である。 蓋部を取り除いた状態において、スリット部を表面側から見た拡大図である。 光検出装置を一端側から見た側面図である。 光検出装置の組立工程を示す図である。 変形例に係るスリット部及び蓋部近傍の拡大断面図である。
符号の説明
3…光検出装置、11…光検出素子、12…配線基板、15…第1のボンディングパッド領域(所定の領域)、16…CCDアレイ(光検出部)、17A…第1のボンディングパッド、17B…第2のボンディングパッド、23…スリット部、25…段部、25a…設置面、27…ボンディングワイヤ、28…溝部、29…蓋部、30…通気孔。

Claims (5)

  1. 被設置体に複数並べて配置される光検出装置であって、
    一方の面側から入射した光を他方の面側の光検出部で検出する光検出素子と、
    前記光検出素子の前記他方の面の所定の領域が露出するように、前記光検出素子と略同面積で前記光検出素子の他方の側に設けられた配線基板とを備え、
    前記所定の領域には、前記光検出部と電気的に接続された第1のボンディングパッドが形成され、
    前記配線基板において、前記所定の領域よりも内側の領域には、前記第1のボンディングパッドとボンディングワイヤによって電気的に接続された第2のボンディングパッドが形成されていることを特徴とする光検出装置。
  2. 前記配線基板は、前記第1のボンディングパッドを露出させるスリット部を有していることを特徴とする請求項1記載の光検出装置。
  3. 前記配線基板において、前記第1のボンディングパッドよりも内側の領域には、前記所定の領域に沿って、前記配線基板の他方の面よりも一方の側に位置する設置面が形成され、
    前記第2のボンディングパッドは、前記設置面に設けられていることを特徴とする請求項2記載の光検出装置。
  4. 前記配線基板は、前記スリット部を他方の面側から塞ぐ蓋部を有していることを特徴とする請求項2又は3記載の光検出装置。
  5. 前記スリット部及び前記蓋部の少なくとも一方には、前記スリット部の内部を外部と連通させる通気孔を形成する溝部が設けられていることを特徴とする請求項4記載の光検出装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421589B2 (ja) * 2006-10-10 2010-02-24 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
CL2009000647A1 (es) 2008-04-04 2010-06-04 Chugai Pharmaceutical Co Ltd Composicion farmaceutica para tratar o prevenir cancer hepatico que comprende una combinacion de un agente quimioterapeutico y un anticuerpo anti-glipicano 3; agente para atenuar un efecto secundario que comprende dicho anticuerpo; metodo para tratar o prevenir un cancer hepatico de un sujeto.
US9357972B2 (en) 2012-07-17 2016-06-07 Cyber Medical Imaging, Inc. Intraoral radiographic sensors with cables having increased user comfort and methods of using the same
MA40764A (fr) 2014-09-26 2017-08-01 Chugai Pharmaceutical Co Ltd Agent thérapeutique induisant une cytotoxicité
US9571765B2 (en) 2015-06-25 2017-02-14 General Electric Company Universal four-side buttable digital CMOS imager
US10686003B2 (en) 2015-12-31 2020-06-16 General Electric Company Radiation detector assembly
US10283557B2 (en) 2015-12-31 2019-05-07 General Electric Company Radiation detector assembly
CN109346534B (zh) * 2018-11-23 2024-05-07 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种陶瓷管壳结构及其封装结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1353907A (en) * 1970-08-21 1974-05-22 Martonair Ltd Rotary air motor
US4182128A (en) * 1977-12-01 1980-01-08 Oros Company Underground pumped liquid energy storage system and method
US4246978A (en) * 1979-02-12 1981-01-27 Dynecology Propulsion system
JPH06196680A (ja) 1992-12-22 1994-07-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体エネルギー検出器とその製造方法
JP2001358997A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE10034865B4 (de) * 2000-07-18 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul
JP4606610B2 (ja) * 2001-01-26 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法
JP2004134578A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置及びその製造方法
JP4373695B2 (ja) * 2003-04-16 2009-11-25 浜松ホトニクス株式会社 裏面照射型光検出装置の製造方法
US7470893B2 (en) * 2003-05-23 2008-12-30 Hamamatsu Photonics K.K. Photo-detection device
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
JP4315833B2 (ja) * 2004-02-18 2009-08-19 三洋電機株式会社 回路装置
KR101294419B1 (ko) * 2006-03-10 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법

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