JP2002181950A - 放射線検出装置及びシステム - Google Patents
放射線検出装置及びシステムInfo
- Publication number
- JP2002181950A JP2002181950A JP2000380571A JP2000380571A JP2002181950A JP 2002181950 A JP2002181950 A JP 2002181950A JP 2000380571 A JP2000380571 A JP 2000380571A JP 2000380571 A JP2000380571 A JP 2000380571A JP 2002181950 A JP2002181950 A JP 2002181950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- substrate
- processing
- conversion
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理基板におけるノイズや、誤動作等を低減
する。 【解決手段】 放射線を電気信号に変換する変換部を備
え平面上に複数配置された変換基板１と、各変換基板１
側で変換された電気信号を処理する処理部を備えた処理
基板４３と備えた放射線検出装置において、少なくとも
変換基板１間の隙間に対向して配置され、処理基板４３
への放射線を遮蔽する遮蔽部４１を設けることを特徴と
する。
する。 【解決手段】 放射線を電気信号に変換する変換部を備
え平面上に複数配置された変換基板１と、各変換基板１
側で変換された電気信号を処理する処理部を備えた処理
基板４３と備えた放射線検出装置において、少なくとも
変換基板１間の隙間に対向して配置され、処理基板４３
への放射線を遮蔽する遮蔽部４１を設けることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出装置及
びシステムに関し、特に、医療用のＸ線検出装置や、産
業用の非破壊検査などに用いられる放射線検出装置及び
システムに関する。
びシステムに関し、特に、医療用のＸ線検出装置や、産
業用の非破壊検査などに用いられる放射線検出装置及び
システムに関する。
【０００２】なお、本明細書では、放射線の範ちゅう
に、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波も含まれるも
のとして説明する。
に、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波も含まれるも
のとして説明する。
【０００３】
【従来の技術】従来、医療器のＸ線レントゲン分野にお
いて、レントゲン写真がアナログからデジタルへと急速
に変わりつつある。デジタル画像では、画像処理が可能
となるため診断精度を向上させる事ができる。また、フ
ィルム現像処理の必要性がないため、撮影間隔を短くで
き、集団検診等で効率よく胸部撮影等をすることができ
る。
いて、レントゲン写真がアナログからデジタルへと急速
に変わりつつある。デジタル画像では、画像処理が可能
となるため診断精度を向上させる事ができる。また、フ
ィルム現像処理の必要性がないため、撮影間隔を短くで
き、集団検診等で効率よく胸部撮影等をすることができ
る。
【０００４】このような分野で求められる事は、検出感
度の向上と信号の低ノイズ化である。特に検出感度を向
上させると、撮影時のＸ線爆射量を低減でき、人体への
影響を少なくできる事から、高感度のＸ線検出装置の開
発に期待がかかっている。
度の向上と信号の低ノイズ化である。特に検出感度を向
上させると、撮影時のＸ線爆射量を低減でき、人体への
影響を少なくできる事から、高感度のＸ線検出装置の開
発に期待がかかっている。
【０００５】そこで、化合物半導体などの単結晶半導体
を用いた直接変換型のＸ線検出装置が注目されている。
単結晶の化合物半導体は、直接Ｘ線を吸収した際、光変
換することなくキャリアを生成できることから検出した
Ｘ線の利用効率が高い。しかし、単結晶半導体の大面積
化は非常に難しく、１枚で大面積のセンサーとして使用
する事ができない。
を用いた直接変換型のＸ線検出装置が注目されている。
単結晶の化合物半導体は、直接Ｘ線を吸収した際、光変
換することなくキャリアを生成できることから検出した
Ｘ線の利用効率が高い。しかし、単結晶半導体の大面積
化は非常に難しく、１枚で大面積のセンサーとして使用
する事ができない。
【０００６】図８は、たとえば米国特許第５０４３５８
２等に記載されているＸ線検出装置の模式的な構成図で
ある。図８のＸ線検出装置は、蛍光体としてＧＯＳ等を
使用した間接型Ｘ線検出装置であり、基板３０６の上に
複数のセンサ基板３０４を、金属を蒸着して貼り合わせ
ている。
２等に記載されているＸ線検出装置の模式的な構成図で
ある。図８のＸ線検出装置は、蛍光体としてＧＯＳ等を
使用した間接型Ｘ線検出装置であり、基板３０６の上に
複数のセンサ基板３０４を、金属を蒸着して貼り合わせ
ている。
【０００７】センサ基板３０４には、スイッチ、コンデ
ンサ３０７などが設けられており、隣のセンサ基板３０
４との間隔がたとえば２００μｍ以下になるように配置
される。また、タブ接続３１４は、蛍光体を含むガラス
基板３２０とプロセッサー基板３０２との間に配置さ
れ、ガラス基板３２０とプロセッサー基板３０２とをは
んだバンプ３１０とコネクター３１２とで直接接続され
る。
ンサ３０７などが設けられており、隣のセンサ基板３０
４との間隔がたとえば２００μｍ以下になるように配置
される。また、タブ接続３１４は、蛍光体を含むガラス
基板３２０とプロセッサー基板３０２との間に配置さ
れ、ガラス基板３２０とプロセッサー基板３０２とをは
んだバンプ３１０とコネクター３１２とで直接接続され
る。
【０００８】基台３０１は、複数のプロセッサ基板３０
２を支持する基板である。蛍光体を含むガラス基板３２
０は、Ｘ線を光に変換する蛍光体としての役割と、セン
サー基板３０４とプロセッサー基板３０２とを支持して
いる。基板３０６は、機械的に安定化するため機械的ハ
ウジング３０３に固定されている。リボンコネクタ３１
６は、機械的ハウジング３０３に取り付けられている。
２を支持する基板である。蛍光体を含むガラス基板３２
０は、Ｘ線を光に変換する蛍光体としての役割と、セン
サー基板３０４とプロセッサー基板３０２とを支持して
いる。基板３０６は、機械的に安定化するため機械的ハ
ウジング３０３に固定されている。リボンコネクタ３１
６は、機械的ハウジング３０３に取り付けられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、センサ基板３０４間に隙間が存在しているので、蛍
光体を含むガラス基板３２０に入射するＸ線の強度は、
その隙間を通るものとセンサ基板３０４を通るものとで
は異なり発光ムラが生じていた。また、蛍光体を含むガ
ラス基板３２０で吸収されなかったＸ線がプロセッサー
基板３０２に到達する量が多くなり、ノイズ、誤動作等
の問題を引き起こしていた。
は、センサ基板３０４間に隙間が存在しているので、蛍
光体を含むガラス基板３２０に入射するＸ線の強度は、
その隙間を通るものとセンサ基板３０４を通るものとで
は異なり発光ムラが生じていた。また、蛍光体を含むガ
ラス基板３２０で吸収されなかったＸ線がプロセッサー
基板３０２に到達する量が多くなり、ノイズ、誤動作等
の問題を引き起こしていた。
【００１０】そこで、本発明は、センサ基板間の隙間に
よって生じる種々の問題を回避したＸ線検出装置を提供
することを課題とする。
よって生じる種々の問題を回避したＸ線検出装置を提供
することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、放射線を電気信号に変換する変換部を備
え平面上に複数配置された変換基板と、前記各変換基板
側で変換された電気信号を処理する処理部を備えた処理
基板と備えた放射線検出装置において、少なくとも変換
基板間の隙間に対向して配置され、前記処理基板への放
射線を遮蔽する遮蔽部を設けることを特徴とする。
に、本発明は、放射線を電気信号に変換する変換部を備
え平面上に複数配置された変換基板と、前記各変換基板
側で変換された電気信号を処理する処理部を備えた処理
基板と備えた放射線検出装置において、少なくとも変換
基板間の隙間に対向して配置され、前記処理基板への放
射線を遮蔽する遮蔽部を設けることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の放射線検出システムは、上
記放射線検出装置と、前記放射線検出装置に放射線を照
射する放射線源とを備えることを特徴とする。
記放射線検出装置と、前記放射線検出装置に放射線を照
射する放射線源とを備えることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態について説明する。なお、各実施形態では、Ｘ線直
接変換材料として、ＧａＡｓ基板を用いた場合を例に説
明するが、これに限定されるものではなく、Ｓｉ基板や
ＣｄＴｅ基板などを用いてもよい。
形態について説明する。なお、各実施形態では、Ｘ線直
接変換材料として、ＧａＡｓ基板を用いた場合を例に説
明するが、これに限定されるものではなく、Ｓｉ基板や
ＣｄＴｅ基板などを用いてもよい。
【００１４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１のＸ線検出装置２８の等価回路である。図１に示すよ
うに、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの
変換部であるＸ線吸収部２０には、空乏層を広げるため
の電圧を印加する電源２７が備えられている。そして、
Ｘ線吸収部２０で発生したエレクトロンを、絶縁基板１
１（図２）に配置した蓄積手段であるコンデンサ２４に
蓄積し、蓄積されたエレクトロンを読み出すため、ゲー
トドライバ２９からゲート線２２に、ＴＦＴ２１のゲー
トをオンする制御信号が出力される。すると、コンデン
サ２４に蓄積されているエレクトロンは、ＴＦＴ２１を
介して信号線２３に読み出され、信号処理回路３０へ転
送される。
１のＸ線検出装置２８の等価回路である。図１に示すよ
うに、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの
変換部であるＸ線吸収部２０には、空乏層を広げるため
の電圧を印加する電源２７が備えられている。そして、
Ｘ線吸収部２０で発生したエレクトロンを、絶縁基板１
１（図２）に配置した蓄積手段であるコンデンサ２４に
蓄積し、蓄積されたエレクトロンを読み出すため、ゲー
トドライバ２９からゲート線２２に、ＴＦＴ２１のゲー
トをオンする制御信号が出力される。すると、コンデン
サ２４に蓄積されているエレクトロンは、ＴＦＴ２１を
介して信号線２３に読み出され、信号処理回路３０へ転
送される。
【００１５】なお、ここでは便宜上３×３画素のみを図
示しているが、実際にはＸ線検出装置の目的に合わせて
２０００×２０００画素程度配置されている。また、以
下説明するように、ゲートドライバ２９及び信号処理回
路３０は、たとえばＩＣ化され、処理基板であるプリン
ト基板４３（図２）に搭載されている。
示しているが、実際にはＸ線検出装置の目的に合わせて
２０００×２０００画素程度配置されている。また、以
下説明するように、ゲートドライバ２９及び信号処理回
路３０は、たとえばＩＣ化され、処理基板であるプリン
ト基板４３（図２）に搭載されている。
【００１６】また、コンデンサ２４に一旦蓄積したエレ
クトロンを信号線２３に読み出した後に、コンデンサ２
４に読み出しきれずに残っているエレクトロンをリセッ
トする手段を設けてもよい。さらに、変換部は、一旦Ｘ
線を光に変えて、変換光を電気信号に変えるようにして
もよい。
クトロンを信号線２３に読み出した後に、コンデンサ２
４に読み出しきれずに残っているエレクトロンをリセッ
トする手段を設けてもよい。さらに、変換部は、一旦Ｘ
線を光に変えて、変換光を電気信号に変えるようにして
もよい。
【００１７】図２は、図１のＸ線検出装置２８の模式的
断面図である。図３は、図２の一画素の構成図であり、
変換基板である単結晶半導体基板１側と絶縁基板１１側
とを貼り合わせる前の状態を示している。また、図４
は、図３の絶縁基板１１側のコンデンサ部１９付近の平
面図である。
断面図である。図３は、図２の一画素の構成図であり、
変換基板である単結晶半導体基板１側と絶縁基板１１側
とを貼り合わせる前の状態を示している。また、図４
は、図３の絶縁基板１１側のコンデンサ部１９付近の平
面図である。
【００１８】まず、図３に示す状態から単結晶半導体基
板１と絶縁基板１１とを貼り合わせた後の動作につい
て、図３，図４を用いて説明する。単結晶半導体基板１
側には、図１のＸ線吸収部２０が備えられており、表裏
にはそれぞれｐ層とｎ層とが形成されている。ｐ層とｎ
層とのそれぞれには、アルミニウム膜が形成され、この
アルミニウム膜に、電源２７によってバイアスを印加し
ている。
板１と絶縁基板１１とを貼り合わせた後の動作につい
て、図３，図４を用いて説明する。単結晶半導体基板１
側には、図１のＸ線吸収部２０が備えられており、表裏
にはそれぞれｐ層とｎ層とが形成されている。ｐ層とｎ
層とのそれぞれには、アルミニウム膜が形成され、この
アルミニウム膜に、電源２７によってバイアスを印加し
ている。
【００１９】そして、Ｘ線吸収部２０で吸収したＸ線
は、エレクトロンとホールとを生成し、発生したエレク
トロンを、接続用金属２で収集して、バリアメタル３，
４、バンプメタル５及び導電性接着剤１６を介して絶縁
基板１１上に配置された接続用金属１２へ送る。絶縁基
板１１では、送られたエレクトロンを、コンデンサ２４
で蓄積し、ＴＦＴ２１の駆動により、絶縁層、ｉ層、ｎ
+層の３層で構成した半導体層１７を含む信号線部１８
に読み出し、これを通じて外部に転送している。
は、エレクトロンとホールとを生成し、発生したエレク
トロンを、接続用金属２で収集して、バリアメタル３，
４、バンプメタル５及び導電性接着剤１６を介して絶縁
基板１１上に配置された接続用金属１２へ送る。絶縁基
板１１では、送られたエレクトロンを、コンデンサ２４
で蓄積し、ＴＦＴ２１の駆動により、絶縁層、ｉ層、ｎ
+層の３層で構成した半導体層１７を含む信号線部１８
に読み出し、これを通じて外部に転送している。
【００２０】接続用金属１２には、スパッタリング法な
どにより成膜されたアルミニウム膜を用いている。接続
用金属１２は、絶縁基板１１上に形成されているコンデ
ンサ部１９の電極１５と接続され、かつ、スパッタリン
グ法により成膜されたアルミニウム膜を用いている。な
お、コンデンサ部１９は、コンデンサ２４と、ＴＦＴ２
１と、電極１３，１５とを有している。
どにより成膜されたアルミニウム膜を用いている。接続
用金属１２は、絶縁基板１１上に形成されているコンデ
ンサ部１９の電極１５と接続され、かつ、スパッタリン
グ法により成膜されたアルミニウム膜を用いている。な
お、コンデンサ部１９は、コンデンサ２４と、ＴＦＴ２
１と、電極１３，１５とを有している。
【００２１】単結晶半導体基板１の表面には、ＣＶＤ法
などにより１．０μｍ程度の厚さで成膜されたパッシベ
ーション膜６と、フォトリソグラフィー法などによりパ
ターニングした接続用金属部（接続用金属２、バリアメ
タル３，４、バンプメタル５）とが形成されている。導
電性接着剤１６は、銀粒子を含む熱硬化型のエポキシ系
接着剤を、印刷法により形成したものである。
などにより１．０μｍ程度の厚さで成膜されたパッシベ
ーション膜６と、フォトリソグラフィー法などによりパ
ターニングした接続用金属部（接続用金属２、バリアメ
タル３，４、バンプメタル５）とが形成されている。導
電性接着剤１６は、銀粒子を含む熱硬化型のエポキシ系
接着剤を、印刷法により形成したものである。
【００２２】絶縁基板１１上にもパッシベーション膜１
４が成膜されており、さらに、パッシベーション膜１４
又は接続用金属１２の上に、感光性ポリイミドやレジス
ト材料などからなる有機膜３４をたとえばスピンコータ
ーにより塗布した後に、フォトリソグラフィー法などに
より、コンデンサ部１９の上部及びその周囲２０μｍ程
度を除去している。
４が成膜されており、さらに、パッシベーション膜１４
又は接続用金属１２の上に、感光性ポリイミドやレジス
ト材料などからなる有機膜３４をたとえばスピンコータ
ーにより塗布した後に、フォトリソグラフィー法などに
より、コンデンサ部１９の上部及びその周囲２０μｍ程
度を除去している。
【００２３】単結晶半導体基板１側と絶縁基板１１側
は、アライメントを合わせた後に接触させた状態で加圧
し、加熱硬化することによって電気的に接続される。加
圧はプレス機でたとえば５．０ｋｇ／ｃｍ2の力を加
え、各画素間の接続を取り、同時に絶縁基板１１側に形
成されたポリイミドの表面が、単結晶半導体基板１の表
面に形成されたパッシベーション膜に密着するようにし
ている。また、加熱硬化の際の加熱は、たとえば１４０
℃の温度とし、この熱を６０分与えるようにしている。
は、アライメントを合わせた後に接触させた状態で加圧
し、加熱硬化することによって電気的に接続される。加
圧はプレス機でたとえば５．０ｋｇ／ｃｍ2の力を加
え、各画素間の接続を取り、同時に絶縁基板１１側に形
成されたポリイミドの表面が、単結晶半導体基板１の表
面に形成されたパッシベーション膜に密着するようにし
ている。また、加熱硬化の際の加熱は、たとえば１４０
℃の温度とし、この熱を６０分与えるようにしている。
【００２４】また、本実施形態では、０．３μｍ程度の
厚さのチタン（Ｔｉ）をバリアメタル３とし、０．２μ
ｍ程度の厚さの鉛（Ｐｂ）をバリアメタル４とし、これ
らは、スパッタリング法などにより成膜している。ま
た、１５μｍ程度の厚さの銅（Ａｕ）をバンプメタル５
としている。
厚さのチタン（Ｔｉ）をバリアメタル３とし、０．２μ
ｍ程度の厚さの鉛（Ｐｂ）をバリアメタル４とし、これ
らは、スパッタリング法などにより成膜している。ま
た、１５μｍ程度の厚さの銅（Ａｕ）をバンプメタル５
としている。
【００２５】また、絶縁基板１１側では、パッシベーシ
ョン膜１４上の接続用金属１２の厚さは１．０μｍとし
ている。
ョン膜１４上の接続用金属１２の厚さは１．０μｍとし
ている。
【００２６】さらに、ＴＦＴ２１とコンデンサを有する
画素のサイズは、たとえば１６０μｍ2としており、接
続用金属１２はたとえばφ６０μｍの円形状としてお
り、電極１３の中央に配置している。ＴＦＴ２１及びコ
ンデンサ部１９は、絶縁層、ｉ層、ｎ+層の３層で構成
している。また、ＴＦＴ２１にはゲートのオン／オフを
制御する制御信号を伝送するゲート線２２と、ゲートを
オンしたときに読み出されるキャリアを電送する信号線
２３とが接続されている。
画素のサイズは、たとえば１６０μｍ2としており、接
続用金属１２はたとえばφ６０μｍの円形状としてお
り、電極１３の中央に配置している。ＴＦＴ２１及びコ
ンデンサ部１９は、絶縁層、ｉ層、ｎ+層の３層で構成
している。また、ＴＦＴ２１にはゲートのオン／オフを
制御する制御信号を伝送するゲート線２２と、ゲートを
オンしたときに読み出されるキャリアを電送する信号線
２３とが接続されている。
【００２７】なお、図３では、単結晶半導体基板１側に
印刷法などによる印刷によって導電性接着剤を塗布した
状態で、絶縁基板１１と単結晶半導体基板１とを貼り合
わせる例を図示しているが、絶縁基板１１側に印刷法な
どによる印刷によって導電性接着剤を塗布した状態で、
絶縁基板１１と単結晶半導体基板１とを貼り合わせるよ
うにしてもよい。
印刷法などによる印刷によって導電性接着剤を塗布した
状態で、絶縁基板１１と単結晶半導体基板１とを貼り合
わせる例を図示しているが、絶縁基板１１側に印刷法な
どによる印刷によって導電性接着剤を塗布した状態で、
絶縁基板１１と単結晶半導体基板１とを貼り合わせるよ
うにしてもよい。
【００２８】つづいて、図２を用いて、Ｘ線検出装置と
それに入射されるＸ線との関係について説明する。図２
には、Ｐｂ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒの少なくと
もいずれかを有しているＸ線遮蔽部４１を蒸着した基板
４２を、単結晶半導体基板１上に貼り付けた様子を図示
している。
それに入射されるＸ線との関係について説明する。図２
には、Ｐｂ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒの少なくと
もいずれかを有しているＸ線遮蔽部４１を蒸着した基板
４２を、単結晶半導体基板１上に貼り付けた様子を図示
している。
【００２９】Ｘ線遮蔽部４１を設けることにより、単結
晶半導体基板１間に生じた隙間を通じて入射するＸ線
が、絶縁基板１１を透過して、直接プリント基板４３ま
で到達することによって、プリント基板４３側で、ノイ
ズ、誤動作等の問題を引き起こすということを防止して
いる。ちなみに、図２に示すような態様でＸ線遮蔽部４
１を設けると、プリント基板４３のみならず、絶縁基板
１１にもＸ線を到達しないようにすることができる。
晶半導体基板１間に生じた隙間を通じて入射するＸ線
が、絶縁基板１１を透過して、直接プリント基板４３ま
で到達することによって、プリント基板４３側で、ノイ
ズ、誤動作等の問題を引き起こすということを防止して
いる。ちなみに、図２に示すような態様でＸ線遮蔽部４
１を設けると、プリント基板４３のみならず、絶縁基板
１１にもＸ線を到達しないようにすることができる。
【００３０】なお、Ｘ線遮蔽部４１の形成方法として
は、たとえば予めガラス基板４２にＸ線遮蔽部４１と単
結晶半導体基板１を貼り付けておき、それから単結晶半
導体基板１と絶縁基板１１を、アライメントを合わせた
後、接触させて、加圧、加熱硬化というプロセスを経て
電気的に接続するようにしてもよい。
は、たとえば予めガラス基板４２にＸ線遮蔽部４１と単
結晶半導体基板１を貼り付けておき、それから単結晶半
導体基板１と絶縁基板１１を、アライメントを合わせた
後、接触させて、加圧、加熱硬化というプロセスを経て
電気的に接続するようにしてもよい。
【００３１】（実施形態２）図５は、本発明の実施形態
２のＸ線検出装置の模式的断面図であり、図２に相当す
るものである。本実施形態では、絶縁基板１１にＸ線遮
蔽部４１を蒸着などにより設けている。また、電気的に
電位を固定するため、Ｘ線遮蔽部４１はアース線に接続
している。図５に示すような態様でＸ線遮蔽部４１を設
けると、図２に示した基板４２を共に設ける必要がなく
なる。
２のＸ線検出装置の模式的断面図であり、図２に相当す
るものである。本実施形態では、絶縁基板１１にＸ線遮
蔽部４１を蒸着などにより設けている。また、電気的に
電位を固定するため、Ｘ線遮蔽部４１はアース線に接続
している。図５に示すような態様でＸ線遮蔽部４１を設
けると、図２に示した基板４２を共に設ける必要がなく
なる。
【００３２】（実施形態３）図６は、本発明の実施形態
３のＸ線検出装置の模式的断面図であり、図５に相当す
るものである。図５では、単結晶半導体基板１間の隙間
に対応して選択的にＸ線遮蔽部４１を設けていたが、本
実施形態では、プリント基板４３の大きさに応じた大き
さのＸ線遮蔽部４１を設けている。
３のＸ線検出装置の模式的断面図であり、図５に相当す
るものである。図５では、単結晶半導体基板１間の隙間
に対応して選択的にＸ線遮蔽部４１を設けていたが、本
実施形態では、プリント基板４３の大きさに応じた大き
さのＸ線遮蔽部４１を設けている。
【００３３】図６に示すような態様でＸ線遮蔽部４１を
設けると、単結晶半導体基板１間の隙間を通り、さらに
散乱等した微弱なＸ線がプリント基板４３に到達しない
ように、遮蔽することができる。
設けると、単結晶半導体基板１間の隙間を通り、さらに
散乱等した微弱なＸ線がプリント基板４３に到達しない
ように、遮蔽することができる。
【００３４】（実施形態４）図７は、本発明の実施形態
４のＸ線診断システムの模式的な構成図である。図に示
すように、Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６
０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過
し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置６０４０に入
射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の
情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体は発
光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報
は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０
により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観
察できる。
４のＸ線診断システムの模式的な構成図である。図に示
すように、Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６
０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過
し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置６０４０に入
射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の
情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体は発
光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報
は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０
により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観
察できる。
【００３５】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００３６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は、少な
くとも変換基板間の隙間に対向して配置され、処理基板
への放射線を遮蔽する遮蔽部を設けるので、処理基板に
放射線が入射しなくなり、ノイズや、誤動作等を低減す
ることができる。
くとも変換基板間の隙間に対向して配置され、処理基板
への放射線を遮蔽する遮蔽部を設けるので、処理基板に
放射線が入射しなくなり、ノイズや、誤動作等を低減す
ることができる。
【図１】本発明の実施形態１のＸ線検出装置の等価回路
である。
である。
【図２】図１のＸ線検出装置の模式的断面図である。
【図３】図２の一画素の構成図である。
【図４】図３の絶縁基板側のコンデンサ部付近の平面図
である。
である。
【図５】本発明の実施形態２のＸ線検出装置の模式的断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の実施形態３のＸ線検出装置の模式的断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の実施形態４のＸ線診断システムの模式
的な構成図である。
的な構成図である。
【図８】従来のＸ線検出装置の模式的な構成図である。
１ 単結晶半導体基板 ２，１２ 接続用金属 ３，４，３１，３２ バリアメタル ５，３３ バンプメタル ６，１４ パッシベーション膜 １１ 絶縁基板 １３，１５ 電極 １６ 導電性接着剤 １７ 半導体層（ＳｉＮ層，ｉ層，ｎ+層） １８ 信号線部 １９ コンデンサ部 ２０ Ｘ線吸収部 ２１ ＴＦＴ ２２ ゲート線 ２３ 信号線 ２４ コンデンサ ２７ 電源 ２８ Ｘ線検出装置 ２９ ゲートドライバ ３０ 信号処理回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 EE29 EE30 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 GG21 JJ05 JJ09 JJ29 JJ33 JJ37 LL08 LL11 LL12 4M118 AA05 AB01 BA06 BA19 CA03 CB01 CB02 CB11 FB03 FB08 FB13 FB16 GA10 GB01 GB03 GB07 GB11 HA31 5C024 AX14 AX16 CX03 CX41 CY47 5F088 AA01 AB07 BA03 BB07 DA01 DA17 GA03 HA12 LA07 LA08
Claims (9)
- 【請求項１】 放射線を電気信号に変換する変換部を備
え平面上に複数配置された変換基板と、前記各変換基板
側で変換された電気信号を処理する処理部を備えた処理
基板と備えた放射線検出装置において、 少なくとも変換基板間の隙間に対向して配置され、前記
処理基板への放射線を遮蔽する遮蔽部を設けることを特
徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 前記遮蔽部は、前記各変換基板上の光透
過性基板に設けられていることを特徴とする請求項１記
載の放射線検出装置。 - 【請求項３】 前記遮蔽部は、前記変換部で変換された
光を蓄積する蓄積手段を備えた絶縁基板に設けられてい
ることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出装
置。 - 【請求項４】 前記遮蔽部は、前記絶縁基板に前記処理
基板の面積に応じた面積で設けられていることを特徴と
する請求項３記載の放射線検出装置。 - 【請求項５】 前記遮蔽部は、金属含有物であることを
特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の放射線
検出装置。 - 【請求項６】 前記遮蔽部は、アースされていることを
特徴とする請求項３から５のいずれか１項記載の放射線
検出装置。 - 【請求項７】 前記遮蔽部は、Ｐｂ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ｃｒの少なくともいずれかを有していること
を特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の放射
線検出装置。 - 【請求項８】 前記変換部は、前記放射線を一旦光に変
換した後に前記電気信号に変換することを特徴とする請
求項１から７のいずれか１項記載の放射線検出装置。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項記載の放
射線検出装置と、前記放射線検出装置に放射線を照射す
る放射線源とを備えることを特徴とする放射線検出シス
テム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380571A JP2002181950A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 放射線検出装置及びシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380571A JP2002181950A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 放射線検出装置及びシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002181950A true JP2002181950A (ja) | 2002-06-26 |
Family
ID=18848729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000380571A Pending JP2002181950A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 放射線検出装置及びシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002181950A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155562A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Acrorad Co Ltd | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 |
| JP2008073522A (ja) * | 2006-09-18 | 2008-04-03 | General Electric Co <Ge> | インタフェイス・アセンブリ、及びセンサ・アレイにデータ取得システムを一体形成する方法 |
| JP2010210590A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
| JP2012057954A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出システム及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP2013108974A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-06-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像撮影装置 |
| CN103576180A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 西门子公司 | X射线探测器 |
| JP2022521969A (ja) * | 2019-02-28 | 2022-04-13 | ディテクション テクノロジー オイ | 放射線センサ素子及び方法 |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000380571A patent/JP2002181950A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155562A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Acrorad Co Ltd | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 |
| JP2008073522A (ja) * | 2006-09-18 | 2008-04-03 | General Electric Co <Ge> | インタフェイス・アセンブリ、及びセンサ・アレイにデータ取得システムを一体形成する方法 |
| JP2010210590A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
| JP2012057954A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出システム及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP2013108974A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-06-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像撮影装置 |
| CN103576180A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 西门子公司 | X射线探测器 |
| US9476995B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray detector |
| JP2022521969A (ja) * | 2019-02-28 | 2022-04-13 | ディテクション テクノロジー オイ | 放射線センサ素子及び方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI399860B (zh) | Radiation photography device | |
| JP4532782B2 (ja) | 放射線撮像装置及びシステム | |
| JP5142943B2 (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP3957803B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US7050538B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system using the same | |
| JP5693174B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
| US6528796B1 (en) | Radiation image pickup device and radiation image pickup system | |
| US6825473B2 (en) | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system | |
| JP2016524152A (ja) | Ｔｆｔフラットパネルにｃｍｏｓセンサを埋設したｘ線イメージャ | |
| JPH09152486A (ja) | 撮像装置 | |
| US20190049599A1 (en) | Imaging apparatus, imaging display system, and display apparatus | |
| JP2006215028A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2002181950A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
| JP6576064B2 (ja) | 放射線検出装置、放射線撮像システム及び放射線検出装置の製造方法 | |
| JP2010197404A (ja) | 放射線撮像装置及びシステム | |
| JP2004061116A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
| JP2002350551A (ja) | 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| US6133574A (en) | Radiation-electrical transducer | |
| JP2005026419A (ja) | 半導体放射線検出器及びこれを用いた画像診断装置 | |
| JP2017049101A (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
| JP4819344B2 (ja) | 半導体装置、放射線撮像装置、及びその製造方法 | |
| JP2002181949A (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2001320035A (ja) | 二次元放射線検出器 | |
| JP2003014854A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2002181945A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム |