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  1. （a）基板と；
    （b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
    （c）この第1の電極層の上に配置された無機短絡低減層と；
    （d）この無機短絡低減層の上に配置された電荷注入層と；
    （e）この電荷注入層の上に配置された有機EL素子と；
    （f）この有機EL素子の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、短絡に起因する漏れ電流と、それに付随する発光効率の損失とを減らすのに十分な厚さと抵抗率を持つように選択されているOLEDデバイス。
  2. （a）基板と；
    （b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
    （c）この第1の電極層の上に配置された有機EL素子と；
    （d）この有機EL素子の上に配置された電荷注入層と；
    （e）この電荷注入層の上に配置された無機短絡低減層と；
    （f）この無機短絡低減層の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、短絡に起因する漏れ電流と、それに付随する発光効率の損失とを減らすのに十分な厚さと抵抗率を持つように選択されているOLEDデバイス。
  3. （a）基板と；
    （b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
    （c）この第1の電極層の上に配置された無機短絡低減層と；
    （d）この無機短絡低減層の上に配置された有機EL素子と；
    （e）この有機EL素子の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、10Ωcm2〜1500Ωcm2という厚さ方向抵抗率を持つように選択されている、画素化された高解像度OLEDディスプレイ。
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