JP2006303459A5 - - Google Patents
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- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (12)
- ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶粒が大きいことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は多結晶又は非晶質を有し、前記第２の有機半導体層は単結晶を有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は非晶質を有し、前記第２の有機半導体層は多結晶を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の有機半導体層と前記第２の有機半導体層は、アセン系材料、チオフェン−オリゴマー系材料、フラーレン（Ｃ６０）、ペリレン及び芳香族アミン化合物から選ばれる材料をそれぞれ含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の有機半導体層と前記第２の有機半導体層は同一の材料から形成されていることを特徴とする半導体装置。
- ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は単結晶を有し、前記第２の有機半導体層は前記第１の有機半導体層とは異なる材料からなる単結晶を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の有機半導体層の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至８のいずれか一において、前記ゲート絶縁体層は、前記ゲート電極上に形成され、前記第１の有機半導体層は前記ゲート絶縁体層上に形成され、前記第２の有機半導体層は前記第１の有機半導体層上に形成されることを特徴とする半導体装置。
- ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上の、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極上の一部に設けられた発光層と、
前記発光層上の第３の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に接し、かつ、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記ゲート絶縁体層上に設けられた第１の有機半導体層と、
前記第１の有機半導体層上の第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上の、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極上の一部に設けられた発光層と、
前記発光層上の第３の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に接し、かつ、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記ゲート絶縁体層上に設けられた第１の有機半導体層と、
前記第１の有機半導体層上の第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶粒が大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至１１のいずれか一に記載の前記半導体装置を備えた電子機器。
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