TWI493765B - 有機半導體元件及其製作方法 - Google Patents

Description

有機半導體元件及其製作方法

本發明是有關於一種半導體元件及其製作方法，且特別是有關於一種有機半導體元件及其製作方法。

近來環保意識抬頭，具有低消耗功率、空間利用效率佳、無輻射、高畫質等優越特性的平面顯示面板(flat display panels)已成為市場主流。常見的平面顯示器包括液晶顯示器(liquid crystal displays)、電漿顯示器(plasma displays)、有機發光二極體(OLED)顯示器以及電泳顯示器(electro-phoretic displays)等。

在維持高畫質、高性能的條件下，藉由改變薄膜電晶體內之半導體層之特性，以改良薄膜電晶體之電荷遷移率，進一步提升顯示器之畫質與性能是相當重要的議題。以常見的薄膜電晶體而言，薄膜電晶體中的半導體通道層多為非晶(amorphous silicon,a-Si)形態。這類型之薄膜電晶體在受到撓曲狀態下，薄膜電晶體的電性特性將會受到影響，例如其開啟之後的導通電流在撓曲與未撓曲的狀態下將會有所不同。所以，這樣的薄膜電晶體製作於軟性電子產品中將會發生產品運作模式不穩定的情形。也因此，如果要廣泛的應用軟性電子產品的技術，則必須克服電子元件受撓曲而展現不同特性的問題。再者，由於非晶矽之載子移動率(mobility)低，其不超過1 cm2/Vsec，因 此非晶矽薄膜電晶體已不敷目前高速元件應用之需求。因此，開發具有高載子移動率之特性的材料實為目前此領域之研發人員亟欲發展之目標。

本發明提供一種有機半導體元件，具有較佳的載子移動率(mobility)。

本發明提供一種有機半導體元件的製作方法，用以製作上述之有機半導體元件。

本發明提出一種有機半導體元件，其包括一承載板、一源極、一汲極、一有機半導體單晶通道層、一有機絕緣層以及一閘極。承載板具有一上表面。源極配置於承載板的上表面上。汲極配置於承載板的上表面上，其中源極與汲極彼此平行設置，且承載板的一部分暴露於源極與汲極之間。有機半導體單晶通道層配置於承載板的上表面上，且覆蓋部分源極、部分汲極以及承載板被源極與汲極所暴露出的部分上。有機絕緣層覆蓋承載板、源極、汲極以及有機半導體單晶通道層。閘極配置於有機絕緣層上，且與承載板被源極與汲極所暴露出的部分相對應設置。

在本發明之一實施例中，上述之有機半導體元件更包括一有機保護層、一開口以及一透明導電層。有機保護層配置於有機絕緣層上並覆蓋閘極。開口貫穿有機保護層與有機絕緣層，且開口暴露出部分汲極。透明導電層配置於有機保護層上，且透過開口連接被開口所暴露出的汲極。

在本發明之一實施例中，上述之有機半導體元件更包括一圖案化光阻層，其中圖案化光阻層配置於有機半導體單晶通道層與閘極之間，且圖案化光阻層直接覆蓋有機半導體單晶通道層。

在本發明之一實施例中，上述之有機半導體單晶通道層是由多個以相同結晶方向排列之有機半導體單晶晶核所構成。其中，該有機半導體單晶晶核之材料例如是並五苯(pentacene)或苝苯亞醯胺(perylene diimide)，但不以此為限。

本發明提出一種有機半導體元件的製作方法，其包括以下步驟。提供一承載板，其中承載板具有一上表面。形成一源極及一汲極於承載板的上表面上，其中源極與汲極彼此平行設置，且承載板的一部分暴露於源極與汲極之間。配置一個有機半導體單晶晶核於源極與汲極所暴露出之承載板的部分上。填充一有機半導體溶液以包覆承載板、源極以及汲極。對承載板進行一溫度處理程序，以使有機半導體溶液沿著有機半導體單晶晶核的邊緣形成多個與有機半導體單晶晶核具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核。有機半導體單晶晶核與次有機半導體單晶晶核構成一有機半導體單晶材料層，且有機半導體單晶材料層覆蓋源極、汲極以及承載板。形成一圖案化光阻層於有機半導體單晶材料層上。以圖案化光阻層為一蝕刻罩幕，移除暴露於圖案化光阻層之外的有機半導體單晶材料層，而定義出一有機半導體單晶通道層。形成一有機絕緣層於承 載板上，其中有機絕緣層覆蓋承載板、源極、汲極以及有機半導體單晶通道層。形成一閘極於有機絕緣層上，其中閘極與承載板被源極與汲極所暴露出的部分相對應設置。

在本發明之一實施例中，上述之在填充有機半導體溶液之前，配置有機半導體單晶晶核於源極與汲極所暴露出之承載板的部分上。

在本發明之一實施例中，上述之在配置有機半導體單晶晶核之前，填充有機半導體溶液以包覆承載板、源極以及汲極。

在本發明之一實施例中，上述之有機半導體元件的製作方法更包括形成有機絕緣層之前，移除圖案化光阻層。

在本發明之一實施例中，上述之有機半導體元件的製作方法更包括：形成閘極之後，形成一有機保護層於有機絕緣層上，其中有機保護層覆蓋閘極；形成一貫穿有機保護層與有機絕緣層的開口，而開口暴露出部分汲極；以及形成一透明導電層於有機保護層上，其中透明導電層透過開口連接被開口所暴露出的汲極。

在本發明之一實施例中，上述之進行溫度處理程序包括連續地加熱程序、連續地冷卻程序或不連續地加熱及冷確程序。

在本發明之一實施例中，上述之承載板的材質包括聚酯纖維(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環氧樹脂或高分子材料。

在本發明之一實施例中，上述之承載板是由一硬質基 材、一黏著層以及一軟質基材所組成，其中黏著層位於硬質基材與軟質基材之間，且源極與汲極位於軟質基材上。

基於上述，由於本發明是採用具有相同結晶方向之有機半導體單晶通道層來作為半導體通道層，因此相較於習知採用非晶矽(無特定的結晶方向)來作為半導體通道層之半導體元件而言，本發明之有機半導體元件可具有較佳的載子移動率(mobility)。此外，本發明是以一個有機半導體單晶晶核為一晶種(seed)，而有機半導體溶液可沿著有機半導體單晶晶核的邊緣形成多個與有機半導體單晶晶核具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核，進而定義出一有機半導體單晶通道層。因此，本發明之有機半導體元件的製作方法可效減少有機半導體單晶通道層的形成時間，且可使得所形成之有機半導體單晶晶核的結晶方向為一致。故，本發明之有機半導體元件可具有較高的載子移動率(mobility)。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A為本發明之一實施例之一種有機半導體元件的剖面示意圖。請參考圖1A，本實施例之有機半導體元件100a包括一承載板110a、一源極120、一汲極130、一有機半導體單晶通道層140、一有機絕緣層150以及一閘極160，其中有機半導體元件100a例如是一有機薄膜電晶體。

詳細來說，承載板110a具有一上表面112，其中承載板110a例如是一軟質基材，其材質例如是聚酯纖維(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環氧樹脂或高分子材料，但並不以此為限。源極120配置於承載板110a的上表面112上，而汲極130也配置於承載板110a的上表面112上，其中源極120與汲極130彼此平行設置，且承載板110a的一部分113暴露於源極120與汲極130之間。有機半導體單晶通道層140配置於承載板110a的上表面112上，且覆蓋部分源極120、部分汲極130以及承載板110a被源極120與汲極130所暴露出的部分113上。有機絕緣層150覆蓋承載板110a、源極120、汲極130以及有機半導體單晶通道層140。閘極160配置於有機絕緣層150上，且與承載板110a被源極120與汲極130所暴露出的部分113相對應設置。

特別是，本實施例之有機半導體單晶通道層140是由多個以相同結晶方向排列之有機半導體單晶晶核142所構成，也就是說，有機半導體單晶通道層140中的有機半導體單晶晶核142的結晶方向為一致(方向相同)。因此，相較於習知採用非晶矽(無特定的結晶方向)作為半導體通道層之半導體元件而言，本實施例之有機半導體元件100a可具有較佳的載子移動率(mobility)。圖1C(a)至圖1C(d)繪示為本發明之一實施例之一種有機半導體元件之有機半導體單晶晶核的多種排列方向示意圖。本實施例之有機半導體單晶晶核142的結晶方向為一致(方向相同)， 其可依有機半導體分子的長軸方向，其中這些有機半導體單晶晶核142a1可如圖1C(a)呈現排列成多個列且這些列之間呈現規則的交錯排列；或者是，這些有機半導體單晶晶核142a2可如圖1C(b)呈現排列成多個列且這些列之間呈現不規則的交錯排列；或者是，這些有機半導體單晶晶核142a3可如圖1C(c)呈現排列成多個列且這些列之間呈現矩陣排列；或者是，有機半導體單晶晶核142的結晶方向為一致(方向相同)，其可依有機半導體分子的短軸方向，其中這些有機半導體單晶晶核142a4可如圖1C(d)呈現排列成多個行且這些行之間呈現規則的交錯排列，但不以此為限。此外，由於本實施例之有機半導體元件100a是採用軟質基材來作為承載板110a，因此有機半導體元件100a可具有可撓性。

圖1B為本發明之一實施例之另一種有機半導體元件的剖面示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重複贅述。請參考圖1B，本實施例的有機半導體元件100b與圖1A之有機半導體元件100a主要的差異是在於：本實施例之有機半導體元件100b例如是為一畫素結構，其中源極120、汲極130、有機半導體單晶通道層140、有機絕緣層150以及閘極160可定義出一有機薄膜電晶體。

詳細來說，本實施例之有機半導體元件100b更包括 一有機保護層170、一開口172以及一透明導電層180。有機保護層170配置於有機絕緣層150上並覆蓋閘極160，開口172貫穿有機保護層170與有機絕緣層150，且開口172暴露出部分汲極130。透明導電層180配置於有機保護層170上，且透過開口172結構性並電性連接至被開口172所暴露出的汲極130。

由於本實施例是採用具有相同結晶方向之有機半導體單晶通道層來作為半導體通道層，因此相較於習知採用非晶矽(無特定的結晶方向)來作為半導體通道層之薄膜電晶體而言，本實施例之有機薄膜電晶體可具有較佳的載子移動率(mobility)，進而可使得本實施例之有機半導體元件100b(為一畫素結構)可在有限的資料輸入時間內完成資料電壓的輸入。故，當後續顯示器(未繪示)採用本實施例之有機半導體元件100b時，可有效提昇顯示器的顯示品質。

圖2為本發明之一實施例之又一種有機半導體元件的示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重複贅述。請參考圖2，本實施例的有機半導體元件100c與圖1B之有機半導體元件100b主要的差異是在於：本實施例之承載板110b不同於前述實施例之承載板110a，且因為製程因數，本實施例之有機半導體元件100c更包括一圖案化光阻層190，以保護 有機半導體單晶通道層140。

詳細來說，本實施例之承載板110b是由一硬質基材114、一黏著層116以及一軟質基材118所組成，其中黏著層116位於硬質基材114與軟質基材118之間，且軟質基材118透過黏著層116與硬質基材114暫時結合在一起，而源極120與汲極130位於軟質基材118上。需說明的是，硬質基材114可提供足夠的支撐力以支撐製作過程中堆疊於其上之元件，當製作完成後，若欲使有機半導體元件100c具有可撓性，亦可透過分離黏著層116與軟質基材118的介面(意即移除硬質基材114與黏著層116)來完成，即形成如圖1B之承載板110a的結構型態，此為一選擇性之步驟，但並不以此為限。也就是說，可依據使用說明來選擇所需之承載板110a、110b的結構形態，在此必不加以限制。此外，本實施例之圖案化光阻層190配置於有機半導體單晶通道層140與閘極160之間，其中圖案化光阻層190直接覆蓋有機半導體單晶通道層140，可更進一步有效保護有機半導體單晶通道層140以避免水氣及氧氣的侵襲，進而提升元件可靠度。

以上僅介紹本發明之有機半導體元件100a、100b、100c的結構，並未介紹本發明之有機半導體元件100a、100b、100c的製作方法。對此，以下將配合圖式3A至3I以及4A至4B來詳細說明有機半導體元件100a、100b、100c結構的製作方法。

圖3A至圖3I為本發明之一實施例之一種有機半導 體元件的製作方法的剖面示意圖。依照本實施例的有機半導體元件100a的製作方法，首先，請參考圖3A，提供一承載板110b，其中承載板110b具有一上表面112，且承載板110b是由一硬質基材114、一黏著層116以及一軟質基材118所組成。黏著層116位於硬質基材114與軟質基材118之間，且軟質基材118透過黏著層116與硬質基材114暫時結合在一起，而硬質基材114可提供足夠的支撐力以支撐後續製作過程中堆疊於其上之元件。此處，軟性基材118的材質例如是聚酯纖維(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環氧樹脂或高分子材料，但並不以此為限。

接著，請再參考圖3A，形成一源極120及一汲極130於承載板110b的上表面112上，其中源極120與汲極130彼此平行設置於軟性基材118上，且承載板110b的一部分113暴露於源極120與汲極130之間。接著，並填充一有機半導體溶液140a以包覆承載板110b、源極120以及汲極130。此處之有機半導體溶液140a例如是由一有機溶劑(未繪示，例如丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)或氫氧化四甲基銨(tetramethyl ammonium hydroxide,TMAH)，但不以此為限)及一有機溶質(未繪示，例如並五苯(pentacene)或苝苯亞醯胺(perylene diimide)，但不以此為限)所組成。

接著，請參考圖3B，配置一個有機半導體單晶晶核142於源極120與汲極130所暴露出之承載板110b的部分113上。此處之有機半導體單晶晶核142具有一特性的結 晶方向，用以作為後續晶粒成長(grain growth)的典範，其中，該有機半導體單晶晶核142之材料例如是並五苯(pentacene)或苝苯亞醯胺(perylene diimide)，但不以此為限。

當然，本發明並不限定填充有機半導體溶液140a與配置有機半導體單晶晶核142的順序。雖然此處所提及的製作步驟具體化為先填充有機半導體溶液140a後，再配置有機半導體單晶晶核142於源極120與汲極130所暴露出之承載板110b的部分113上。於其他實施例中，請參考圖4A，亦可先配置有機半導體單晶晶核142後，請參考圖4B，再填充有機半導體溶液140a以包覆承載板110b、源極120以及汲極130。上述兩種製作順序皆屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

接著，請參考圖3C，提供一加熱/冷卻板10於承載板110b相對於上表面112的一下表面111上，以對承載板110b進行一溫度處理程序，以使有機半導體溶液140a沿著有機半導體單晶晶核142的邊緣形成多個與有機半導體單晶晶核142具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核142a。此處之進行溫度處理程序包括連續地加熱程序、連續地冷卻程序或不連續地加熱及冷確程序，可依據不同配方之有機半導體溶液140a的特性來選擇不同之溫度處理程序，以降低溶解限而開始進行晶粒成長。

接著，請參考圖3D，有機半導體單晶晶核142與次有機半導體單晶晶核142a構成一有機半導體單晶材料層 140b，且有機半導體單晶材料層140b覆蓋源極120、汲極130以及承載板110b。

由於本實施例是以一個有機半導體單晶晶核142為一晶種(seed)，而有機半導體溶液140a可沿著有機半導體單晶晶核142的邊緣形成多個與有機半導體單晶晶核142具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核142a，進而構成有機半導體單晶材料層140b。因此，相較於一般傳統的長晶程序而言，本實施例可效減少晶粒成長(即次有機半導體單晶晶核142a)的形成時間，且可使得所形成之次有機半導體單晶晶核142a的結晶方向皆與有機半導體單晶晶核142(即晶種)的結晶方向相同。簡言之，本實施例可透過一個有機半導體單晶晶核142在較短的時間內形成多個與此有機半導體單晶晶核142具有相同結晶方向的次有機半導體單晶晶核142a。

接著，請參考圖3E，移除加熱/冷卻板10，並形成一圖案化光阻層190於有機半導體單晶材料層140b上。

接著，請參考圖3F，以圖案化光阻層190為一蝕刻罩幕，移除暴露於圖案化光阻層190之外的有機半導體單晶材料層140b，而定義出一有機半導體單晶通道層140。此時，有機半導體單晶通道層140配置於承載板110b的上表面112上，且覆蓋部分源極120、部分汲極130以及承載板110a被源極120與汲極130所暴露出的部分113上。特別是，本實施例之有機半導體單晶通道層140是由以相同結晶方向排列之有機半導體單晶晶核142及次有機半導體 單晶晶核142a所構成，也就是說，有機半導體單晶通道層140中的有機半導體單晶晶核142及次有機半導體單晶晶核142a的結晶方向為一致(方向相同)。因此，相較於習知採用非晶矽(無特定的結晶方向)作為半導體通道層之半導體元件而言，本實施例之有機半導體元件100a可具有較佳的載子移動率(mobility)。

接著，請參考圖3G，可選擇性地，移除圖案化光阻層190。意即，在形成有機半導體單晶通道層140之後，可依據有機半導體單晶通道層140的材料特性，選擇性地決定是否移除圖案化光阻層190。此處，如圖3G所示，在此是以移除圖案化光阻層190為例說明。

之後，請再參考圖3G，形成一有機絕緣層150於承載板110b上，其中有機絕緣層150直接覆蓋承載板110b、源極120、汲極130以及有機半導體單晶通道層140a。當然，於其他實施例中，請參考圖2，若圖案化光阻層190未被移除，則有機絕緣層150是直接覆蓋承載板110b、源極120與汲極130且間接覆蓋有機半導體單晶通道層140a。

最後，請參考圖3H，形成一閘極160於有機絕緣層150上，其中閘極160與承載板110b被源極120與汲極130所暴露出的部分113相對應設置。接著，請再同時參考圖3G與圖3H，可選擇性地移除承載板110b的硬質基材114與黏著層116而形成一承載板110a，而完成有機半導體元件100a的製作。於此，有機半導體元件100a例如為一有 機薄膜電晶體。

再者，請參考圖3I，在形成閘極160之後，亦形成一有機保護層170於有機絕緣層150上，其中有機保護層170覆蓋閘極160。接著，並形成一貫穿有機保護層170與有機絕緣層150的開口172，而開口172暴露出部分汲極130。接著，並形成一透明導電層180於有機保護層170上，其中透明導電層180透過開口172連接被開口172所暴露出的汲極130。至此，已完成有機半導體元件100b的製作。於此，有機半導體元件100b例如為一畫素結構。

當然，若於圖3G的步驟中並未移除圖案化光阻層190，並且於圖3H的步驟中並未移除承載板110b的硬質基材114與黏著層116，則於圖3I的步驟後，即形成有機保護層170與透明導電層180之後，即可完成圖2之有機半導體元件100c的製作。

綜上所述，由於本發明是採用具有相同結晶方向之有機半導體單晶通道層來作為半導體通道層，因此相較於習知採用非晶矽(無特定的結晶方向)來作為半導體通道層之半導體元件而言，本發明之有機半導體元件可具有較佳的載子移動率(mobility)。此外，本發明是以一個有機半導體單晶晶核為一晶種(seed)，而有機半導體溶液可沿著有機半導體單晶晶核的邊緣形成多個與有機半導體單晶晶核具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核，進而定義出一有機半導體單晶通道層。因此，本發明之有機半導體元件的製作方法可效減少有機半導體單晶通道層的形成 時間，且可使得所形成之有機半導體單晶晶核的結晶方向為一致。故，本發明之有機半導體元件可具有較高的載子移動率(mobility)。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧加熱/冷卻板

100a、100b、100c‧‧‧有機半導體元件

110a、110b‧‧‧承載板

111‧‧‧下表面

112‧‧‧上表面

113‧‧‧部分

114‧‧‧硬質基材

116‧‧‧黏著層

118‧‧‧軟質基材

120‧‧‧源極

130‧‧‧汲極

140‧‧‧有機半導體單晶通道層

140a‧‧‧有機半導體溶液

140b‧‧‧有機半導體單晶材料層

142、142a1、142a2、142a3、142a4‧‧‧有機半導體單晶晶核

142a‧‧‧次有機半導體單晶晶核

150‧‧‧有機絕緣層

160‧‧‧閘極

170‧‧‧有機保護層

172‧‧‧開口

180‧‧‧透明導電層

190‧‧‧圖案化光阻層

圖1A為本發明之一實施例之一種有機半導體元件的剖面示意圖。

圖1B為本發明之一實施例之另一種有機半導體元件的剖面示意圖。

圖1C(a)至圖1C(d)繪示為本發明之一實施例之一種有機半導體元件之有機半導體單晶晶核的多種排列方向示意圖。

圖2為本發明之一實施例之又一種有機半導體元件的示意圖。

圖3A至圖3I為本發明之一實施例之一種有機半導體元件的製作方法的剖面示意圖。

圖4A至圖4B為本發明之一實施例之另一種有機半導體元件的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。

100a‧‧‧有機半導體元件

110a‧‧‧承載板

112‧‧‧上表面

113‧‧‧部分

120‧‧‧源極

130‧‧‧汲極

140‧‧‧有機半導體單晶通道層

142‧‧‧有機半導體單晶晶核

150‧‧‧有機絕緣層

160‧‧‧閘極

Claims (11)

1. 一種有機半導體元件，包括：一承載板，具有一上表面；一源極，配置於該承載板的該上表面上；一汲極，配置於該承載板的該上表面上，其中該源極與該汲極彼此平行設置，且該承載板的一部分暴露於該源極與該汲極之間；一有機半導體單晶通道層，配置於該承載板的該上表面上，且覆蓋部分該源極、部分該汲極以及該承載板被該源極與該汲極所暴露出的該部分上，其中，該有機半導體單晶通道層是由多個以相同結晶方向排列之有機半導體單晶晶核所構成；一有機絕緣層，覆蓋該承載板、該源極、該汲極以及該有機半導體單晶通道層；以及一閘極，配置於該有機絕緣層上，且與該承載板被該源極與該汲極所暴露出的該部分相對應設置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機半導體元件，更包括：一有機保護層，配置於該有機絕緣層上，並覆蓋該閘極；一貫穿該有機保護層與該有機絕緣層的開口，且該開口暴露出部分該汲極；以及一透明導電層，配置於該有機保護層上，且透過該開口連接被該開口所暴露出的該汲極。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機半導體元件，更包括：一圖案化光阻層，配置於該有機半導體單晶通道層與該閘極之間，其中該圖案化光阻層直接覆蓋該有機半導體單晶通道層。
4. 一種有機半導體元件的製作方法，包括：提供一承載板，該承載板具有一上表面；形成一源極及一汲極於該承載板的該上表面上，其中該源極與該汲極彼此平行設置，且該承載板的一部分暴露於該源極與該汲極之間；配置一個有機半導體單晶晶核於該源極與該汲極所暴露出之該承載板的該部分上；填充一有機半導體溶液以包覆該承載板、該源極以及該汲極；對該承載板進行一溫度處理程序，以使該有機半導體溶液沿著該有機半導體單晶晶核的邊緣形成多個與該有機半導體單晶晶核具有相同排列方向的次有機半導體單晶晶核，其中該有機半導體單晶晶核與該些次有機半導體單晶晶核構成一有機半導體單晶材料層，且該有機半導體單晶材料層覆蓋該源極、該汲極以及該承載板；形成一圖案化光阻層於該有機半導體單晶材料層上；以該圖案化光阻層為一蝕刻罩幕，移除暴露於該圖案化光阻層之外的該有機半導體單晶材料層，而定義出一有機半導體單晶通道層； 形成一有機絕緣層於該承載板上，其中該有機絕緣層覆蓋該承載板、該源極、該汲極以及該有機半導體單晶通道層；以及形成一閘極於該有機絕緣層上，其中該閘極與該承載板被該源極與該汲極所暴露出的該部分相對應設置。
5. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，其中在填充該有機半導體溶液之前，配置該有機半導體單晶晶核於該源極與該汲極所暴露出之該承載板的該部分上。
6. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，其中在配置該有機半導體單晶晶核之前，填充該有機半導體溶液以包覆該承載板、該源極以及該汲極。
7. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，更包括：形成該有機絕緣層之前，移除該圖案化光阻層。
8. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，更包括：形成該閘極之後，形成一有機保護層於該有機絕緣層上，其中該有機保護層覆蓋該閘極；形成一貫穿該有機保護層與該有機絕緣層的開口，而該開口暴露出部分該汲極；以及形成一透明導電層於該有機保護層上，其中該透明導電層透過該開口連接被該開口所暴露出的該汲極。
9. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的 製作方法，其中進行該溫度處理程序包括連續地加熱程序、連續地冷卻程序或不連續地加熱及冷卻程序。
10. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，其中該承載板的材質包括聚酯纖維(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或環氧樹脂。
11. 如申請專利範圍第4項所述之有機半導體元件的製作方法，其中該承載板是由一硬質基材、一黏著層以及一軟質基材所組成，其中該黏著層位於該硬質基材與該軟質基材之間，且該源極與該汲極位於該軟質基材上。