JP5636626B2 - 半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1.半導体薄膜の構成
2.半導体薄膜の形成方法
3.薄膜半導体装置−1(ボトムコンタクトボトムゲート)
4.薄膜半導体装置−2(ボトムコンタクトボトムゲートの他の例)
5.薄膜半導体装置−3(トップコンタクトボトムゲート)
6.薄膜半導体装置−4(トップコンタクトトップゲート)
7.薄膜半導体装置−5(ボトムコンタクトトップゲート)
8.薄膜半導体装置−6(ボトムコンタクトトップゲートの他の例)
9.薄膜半導体装置−7(ボトムコンタクトトップゲートのさらに他の例)
10.表示装置
11.電子機器
図1は、本発明の形成方法を適用して得られる半導体薄膜の一構成例を示す断面図である。この図に示す半導体薄膜1は、積層構造中に少なくとも2層の半導体層a,a’を含んでいるいわゆる半導体複合薄膜であることを特徴としている。
次に、以上のような積層構造の半導体薄膜1の形成方法として、本発明を適用して塗布または印刷によって形成した薄膜中において有機材料を自発的に相分離させる半導体薄膜の形成方法を説明する。
図4は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第1例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-1は、ボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタであり、電界効果トランジスタである。この薄膜半導体装置10-1は、基板11上にゲート電極13がパターン形成されている。またこのゲート電極13を覆う状態でゲート絶縁膜15が設けられており、このゲート絶縁膜15上にソース電極17sおよびドレイン電極17dがパターン形成されている。これらのソース電極17sおよびドレイン電極17dは、ゲート電極13の両脇となる位置にゲート電極13を挟む状態で対向するように設けられている。ゲート電極とソース及びドレイン電極の間には,オーバーラップする領域があっても良い.そして、ソース電極17s−ドレイン電極17d間にわたって、ゲート絶縁膜15、ソース電極17s、およびドレイン電極17dに接する状態で、上述した積層構造の半導体薄膜1が設けられている。
図6は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第2例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-2も、ボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図7は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第3例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-3は、トップコンタクトボトムゲート(TCBG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図8は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第4例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-4は、トップコンタクトトップゲート(TCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図9は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第5例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-5は、ボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4および図8に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図10は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第6例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-6は、第5例のボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)の第1変形例であり、ソース電極17sおよびドレイン電極17dの表面が基板11の表面と同一面を構成しているとろにおいてのみ、第5例と異なる。
図11は、本発明を適用して形成した半導体薄膜を用いた薄膜半導体装置の第7例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-7は、第5例のボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)の第2変形例であり、半導体薄膜1を構成する半導体層aがソース電極17sおよびドレイン電極17dのパターン段差を埋め込んで表面平坦に成膜されているとろにおいてのみ、第5と異なる。
次に、上述の実施形態で説明した本発明の製造方法を適用して得られた薄膜半導体装置を用いた表示装置の一例として、有機電界発光素子ELを用いたアクティブマトリックス型の表示装置を説明する。
本発明の電子機器の実施形態としては、上述した薄膜トランジスタ10-1〜10-7を搭載し、これに導電性パターンを接続させた電子機器に広く適用可能である。例えば、IDタグ、センサー等の電子機器への適用が可能であり、同様の効果を得ることができる。また、本発明の電子機器の実施形態としては、上記表示装置を搭載した電子機器に広く適用化能である。例えば、電子ペーパー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の表示装置を搭載した電子機器に適用することが可能である。
有機半導体材料としてTIPSペンタセンを用い、これと異なる有機材料としてポリアルファメチルスチレン(poly(alpha-methylstyrene):PaMS)を用い、これらをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。尚、TIPSペンタセンは共役系低分子系の有機半導体材料として用いた。また、PaMSは高分子絶縁材料として用いた。
得られた各半導体薄膜に付いて移動度を測定した。図14には、PaMSの分子量(Mw)と、得られた半導体薄膜に付いて測定した移動度(mobility)との関係を示す。図14のグラフに示すように、用いる高分子(PaMS)の分子量が大きいほど高い移動度を示すことが分かる。これは、図2を用いて説明したように、高分子(PaMS)の分子量が大きいほど混合ギブスエネルギー(ΔGm)が高くなる結果と良く一致している。そして、図14から、分子量が5000以上、好ましくは2万以上の高分子(PaMS)を用いて半導体材料と混合することにより、十部に高い移動度の半導体薄膜が得られることが確認された。
得られた各半導体薄膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図15に示す。尚、図15中のCN,Oは、基板の表面を構成する有機絶縁膜の成分である。
得られた各半導体薄膜について、X線回折スペクトルを測定した。この結果を図16に示す。
有機半導体材料としてTIPSペンタセンを用い、これと異なる有機材料としてポリスチレン(polystyrene:PS)を用い、これらをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。尚、TIPSペンタセンは共役系低分子系の有機半導体材料として用いた。また、PSは高分子絶縁材料として用いた。
得られた各半導体薄膜に付いて移動度を測定した。図17には、PSの分子量と、得られた半導体薄膜に付いて測定した移動度(mobility)との関係を示す。図17のグラフに示すように、用いる高分子(PS)の分子量が大きいほど高い移動度を示すことが分かる。これは、図2に示したように高分子(PS)の分子量が大きいほど混合ギブスエネルギー(ΔGm)が高くなる結果と良く一致している。そして、この図17からも、分子量が5000以上、さらには2万以上の高分子(PS)を用いて半導体材料と混合することにより、十部に高い移動度の半導体薄膜が得られることが確認された。
以下のようにして図1に示す半導体薄膜を形成した。先ず、TIPSペンタセン(有機半導体材料)と、環状オレフィン・コポリマー(有機絶縁性材料)とを、メシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。混合比は重量で1:1とした。次に、架橋したPVP(ポリビニルフェノール)を主成分とした有機絶縁膜を有する基板上に、作製した溶液をスピンコートによって塗布して塗布膜を形成した。形成した塗布膜を、窒素雰囲気下60℃で1時間乾燥させて薄膜を得た。
得られた薄膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図18に示す。この図に示すように、TIPSペンタセンに含まれるSiのピークが、表面近傍と絶縁層(基板)界面近傍との2ヶ所に間隔を開けて検出された。このことから、上述した塗布膜の乾燥過程において、有機半導体材料であるTIPSペンタセンと有機絶縁材料である環状オレフィン・コポリマーとが相分離し、図1に示したように、Siを含むTIPSペンタセンで構成された半導体層a−a’間に、環状オレフィン・コポリマーからなる中間層bが挟持された積層構成の半導体薄膜1が得られていることが確認された。
以下のようにして<比較例2>の膜を作製した。先ず、低分子有機半導体材料としてTIPSペンタセンと、高分子絶縁材料としてポリイソブチルメタクリレート(Mw=300,000、Mn=140,000)とをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。混合比は重量で1:1とした。次に、架橋したPVP(ポリビニルフェノール)を主成分とした有機絶縁膜を有する基板上に、作製した溶液をスピンコートによって塗布して塗布膜を形成した。形成した塗布膜を、窒素雰囲気下60℃で1時間乾燥させて<比較例2>の膜を得た。
得られた比較膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図19に示す。この図に示すように、TIPSペンタセンに含まれるSiのピークが、CNとOとが高濃度で検出されている絶縁層(基板)よりも表面側においてほぼ均等に検出された。このことから、ここで作製された<比較例2>の膜は、上述した塗布膜の乾燥過程において、有機半導体材料であるTIPSペンタセンと有機絶縁材料であるポリイソブチルメタクリレートとの間で相分離が生じておらず、単層構造であることが確認された。
各分子量のPaMSを用いた<サンプル1>および<サンプル4>の半導体薄膜の作製を適用し、以下のようにして、図4を用いて説明したボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタを作製した。
得られた各薄膜トランジスタについて、窒素雰囲気下において加熱温度による移動度(Mobility)の変化を測定した。この結果を図20に示す。この図に示すように、相分離している<サンプル4>の半導体薄膜を備えた薄膜トランジスタでは、初期の移動度0.2cm2/Vsが、加熱によって低下するものの、180℃にまで加熱しても移動度0.08cm2/Vs程度に維持されている。これに対して、相分離しない<サンプル1>の半導体薄膜を備えた薄膜トランジスタでは、初期の移動度0.09cm2/Vsが、加熱によって低下し、180℃では移動度6×10-4cm2/Vsにまで劣化している。
また、<サンプル4>および<サンプル1>を適用して作製した複数の薄膜トランジスタのうち、各87個ずつの薄膜トランジスタについて、オン電流のバラツキを測定した。この結果、相分離している<サンプル4>を適用して作製した薄膜トランジスタのオン電流のバラツキは11.3%であった。一方、相分離していない<サンプル1>を適用して作製した薄膜トランジスタのオン電流のバラツキは54.7%であった。
また、<サンプル4>および<サンプル1>を適用して作製した複数の薄膜トランジスタのうち、各87個ずつの薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vg−ドレイン電流Id特性を測定した。この結果を図21に示す。この結果からも、相分離している<サンプル4>を適用して作製した薄膜トランジスタの特性バラツキは、相分離しない<サンプル1>を適用して作製した薄膜トランジスタの特性バラツキよりも小さいことが確認された。
Claims (11)
- 低分子半導体材料および分子量が2000より大きな高分子からなる高分子絶縁材料を含む有機材料を混合した溶液を基板上に塗布又は印刷して薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を乾燥させる過程で前記低分子半導体材料と前記高分子絶縁材料とを相分離させることにより、積層構造の半導体薄膜を形成する工程とを含み、
前記低分子半導体材料および前記高分子絶縁材料には、前記相分離させることにより、前記低分子半導体材料からなる少なくとも2層の半導体層と前記高分子絶縁材料からなると共に前記2層の半導体層間に挟持された中間層とを含む積層構造が形成できるものを用いる
半導体薄膜の形成方法。 - 前記低分子半導体材料には多結晶または結晶性の材料を、前記高分子絶縁材料には非晶質の材料を用いる
請求項1に記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記高分子絶縁材料の分子量を調整することにより、前記有機材料を相分離させる
請求項1または2に記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記有機材料の混合ギブスエネルギーが正の値を示す
請求項1〜3の何れかに記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記高分子絶縁材料として、数平均分子量および重量平均分子量が5000以上の高分子材料を用いる
請求項1〜6の何れかに記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記高分子絶縁材料は、ポリアルファメチルスチレン、ポリスチレン、または環状オレフィン・コポリマーである
請求項7に記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記低分子半導体材料はアセン系材料である
請求項1〜8の何れかに記載の半導体薄膜の形成方法。 - 前記低分子半導体材料はTIPSペンタセンである
請求項1〜9の何れかに記載の半導体薄膜の形成方法。 - 低分子半導体材料および分子量が2000より大きな高分子からなる高分子絶縁材料を含む有機材料を混合した溶液を基板上に塗布又は印刷して薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を乾燥させる過程で前記低分子半導体材料と前記高分子絶縁材料とを相分離させることにより、積層構造の半導体薄膜を形成する工程とを行い、
前記低分子半導体材料および前記高分子絶縁材料には、前記相分離させることにより、前記低分子半導体材料からなる少なくとも2層の半導体層と前記高分子絶縁材料からなると共に前記2層の半導体層間に挟持された中間層とを含む積層構造が形成できるものを用いる
薄膜半導体装置の製造方法。
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