JP2005340187A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 電界発光層と、
   前記電界発光層上に電荷発生層と、
   前記電界発光層と前記電荷発生層の間にベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
2. 電界発光層と、
   前記電界発光層上に電荷発生層と、
   前記電界発光層と前記電荷発生層の間にピリジン誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
3. 第１の電界発光層と、
   前記第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、
   前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む層上に電荷発生層と、
   前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、を有することを特徴とする発光素子。
4. 第１の電界発光層と、
   前記第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む層と、
   前記ピリジン誘導体を含む層上に電荷発生層と、
   前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、を有することを特徴とする発光素子。
5. 第１の電極上に第１の電界発光層と、
   前記第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む第１の層と、
   前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む第１の層上に電荷発生層と、
   前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、
   前記第２の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む第２の層と、
   前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む第２の層上に第２の電極と、を有することを特徴とする発光素子。
6. 第１の電極上に第１の電界発光層と、
   前記第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む第１の層と、
   前記ピリジン誘導体を含む第１の層上に電荷発生層と、
   前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、
   前記第２の電界発光層上にピリジン誘導体を含む第２の層と、
   前記ピリジン誘導体を含む第２の層上に第２の電極と、を有することを特徴とする発光素子。
7. 請求項５または請求項６において、
   前記第２の電極はスパッタリング法で形成されていることを特徴とする発光素子。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第２の電極は透明導電膜であることを特徴とする発光素子。
9. 複数の電界発光層と、
   前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、
   前記電荷発生層と接するベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
10. 複数の電界発光層と、
    前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、
    前記電荷発生層と接するピリジン誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記電荷発生層はスパッタリング法で形成されていることを特徴とする発光素子。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記電荷発生層は透明導電膜であることを特徴とする発光素子。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の発光素子を用いた発光装置。
14. 第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
    前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
    前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
15. 第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む層を形成し、
    前記ピリジン誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
    前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
16. 第１の電極上に第１の電界発光層を形成し、
    前記第１の電界発光層上に第１のベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
    前記第１のベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
    前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成し、
    前記第２の電界発光層上に第２のベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
    前記第２のベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
17. 第１の電極上に第１の電界発光層を形成し、
    第１の電界発光層上に第１のピリジン誘導体を含む層を形成し、
    前記第１のピリジン誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
    前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成し、
    前記第２の電界発光層上に第２のピリジン誘導体を含む層を形成し、
    前記第２のピリジン誘導体を含む層に接して第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
18. 請求項１６または請求項１７において、
    前記第２の電極をスパッタリング法で形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
19. 請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
    前記電荷発生層をスパッタリング法で形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
20. 一画素内に複数の発光素子を有し、
    前記複数の発光素子はそれぞれ、複数の電界発光層と、前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、前記電荷発生層と接するベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有し、
    前記複数の電界発光層の積層順は、前記複数の発光素子ごとに異なることを特徴とする発光装置。
21. 一画素内に複数の発光素子を有し、
    前記複数の発光素子はそれぞれ、複数の電界発光層と、前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、前記電荷発生層と接するピリジン誘導体を含む層と、を有し、
    前記複数の電界発光層の積層順は、前記複数の発光素子ごとに異なることを特徴とする発光装置。
22. 請求項２０または請求項２１において、
    前記複数の発光素子に流れる電流量をそれぞれ独立に制御するコントローラを有することを特徴とする発光装置。