JP2008270782A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に形成され、第１及び第２電極を含んだ電極アレイと、
   前記電極アレイの上方に形成され、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜としての第１発光層と、前記第１発光層の上方に形成され、前記表示領域に亘って広がった連続膜としての第２発光層とを含んだ有機物層と、
   前記有機物層の上方に形成された対向電極と
   を具備し、前記電極アレイと前記有機物層と前記対向電極とを含んだ積層体のうち前記第１及び第２電極に対応した部分は、それぞれ、第１及び第２有機ＥＬ素子を構成し、前記第１及び第２有機ＥＬ素子は発光色が互いに異なっている有機ＥＬディスプレイ。
2. 前記第１発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分は第１材料からなり、前記第１発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分は前記第１材料とは異なる第２材料からなり、前記第２材料は前記第１材料に光を照射することにより得られる材料と同一である請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
3. 前記第１発光層のうち前記第１及び第２有機ＥＬ素子に対応した部分は物理的性質が互いに異なっているか、又は、前記第２発光層のうち前記第１及び第２有機ＥＬ素子に対応した部分は物理的性質が互いに異なっている請求項１又は２に記載の有機ＥＬディスプレイ。
4. 前記第１発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分は前記第１発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分と比較してより高い効率で発光し、前記第２発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分は前記第２発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分と比較してより高い効率で発光する請求項１乃至３の何れか１項に記載の有機ＥＬディスプレイ。
5. 前記第１発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分は、前記第１発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分と比較して、発光し得るドーパント材料をより高い濃度で含有し、前記第２発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分は、前記第２発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分と比較して、発光し得るドーパント材料をより高い濃度で含有している請求項１乃至４の何れか１項に記載の有機ＥＬディスプレイ。
6. 前記第１発光層のうち前記第１有機ＥＬ素子に対応した部分は、前記第１発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分とは電気的特性が異なっており、前記第２発光層のうち前記第２有機ＥＬ素子に対応した部分は、前記第２発光層のうち前記有機ＥＬ素子に対応した部分とは電気的特性が異なっている請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機ＥＬディスプレイ。
7. 前記有機物層は、前記第１電極上に位置した第１部分と、前記第２電極上に位置した第２部分と、前記第１及び第２電極間に位置し、前記第１及び第２部分と比較して上面の高さがより低い部分とを含んだ請求項１乃至６の何れか１項に記載の有機ＥＬディスプレイ。
8. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に形成された第１乃至第３電極を含んだ電極アレイと、
   前記電極アレイの上方に形成され、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜としての第１発光層と、前記第１発光層の上方に形成され、前記表示領域に亘って広がった連続膜としての第２発光層と、前記第２発光層の上方に形成され、前記表示領域に亘って広がった連続膜としての第３発光層とを含んだ有機物層と
   前記有機物層の上方に形成された対向電極と
   を具備し、前記電極アレイと前記有機物層と前記対向電極とを含んだ積層体のうち前記第１乃至第３電極に対応した部分は、それぞれ、第１乃至第３有機ＥＬ素子を構成し、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子は発光色が互いに異なっている有機ＥＬディスプレイ。
9. 前記絶縁基板と前記第１乃至第３有機ＥＬ素子との間に介在した反射層と、
   前記反射層と前記第１乃至第３有機ＥＬ素子との間に介在し、前記反射層と前記第１有機ＥＬ素子との間に介在した部分の厚さと、前記反射層と前記第２有機ＥＬ素子との間に介在した部分の厚さと、前記反射層と前記第３有機ＥＬ素子との間に介在した部分の厚さとの各々が、前記第１発光層が放出する光の主波長の１／４と、前記第２発光層が放出する光の主波長の１／４と、前記第３発光層が放出する光の主波長の１／４との最小公倍数とほぼ等しい干渉調整層と
   を更に具備した請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイ。
10. 前記絶縁基板と前記第１乃至第３有機ＥＬ素子との間に介在した反射層と、
    前記反射層と前記第１及び第２有機ＥＬ素子との間に介在し、前記反射層と前記第３有機ＥＬ素子との間には設けられておらず、前記反射層と前記第１有機ＥＬ素子との間に介在した部分の厚さと、前記反射層と前記第２有機ＥＬ素子との間に介在した部分の厚さとの各々が、前記第１発光層が放出する光の主波長の１／４と、前記第２発光層が放出する光の主波長の１／４との最小公倍数とほぼ等しい干渉調整層と
    を更に具備した請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイ。
11. 前記絶縁基板と前記第１乃至第３有機ＥＬ素子との間に介在した反射層を更に具備し、前記反射層のうち前記絶縁基板と前記第１及び第２有機ＥＬ素子との間に介在した部分は、表面に凹凸が設けられており、光散乱性である請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイ。
12. 絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に第１光を照射することなしに、前記第１発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分に前記第１光を照射する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。
13. 絶縁基板の上方に形成された第１乃至第３画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に第１光を照射することなしに、前記第１発光層のうち前記第２及び第３画素電極の上方に位置した部分に前記第１光を照射する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層のうち前記第１及び第２画素電極の上方に位置した部分に第２光を照射することなしに、前記第２発光層のうち前記第３画素電極の上方に位置した部分に前記第２光を照射する工程と、
    前記第２発光層上に前記第１及び第２ルミネッセンス性有機材料とは異なる第３ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第３発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第３発光層の上方に対向電極を形成する工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。
14. 絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と、
    前記第２発光層を形成した後に、前記第１発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に第１光を照射することなしに、前記第１発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分に前記第１光を照射する工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。
15. 絶縁基板の上方に形成された第１乃至第３画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層上に前記第１及び第２ルミネッセンス性有機材料とは異なる第３ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第３発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層を形成した後に、前記第１発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に第１光を照射することなしに、前記第１発光層のうち前記第２及び第３画素電極の上方に位置した部分に前記第１光を照射する工程と、
    前記第２発光層のうち前記第１及び第２画素電極の上方に位置した部分に前記第１光とはスペクトルが異なる第２光を照射することなしに、前記第２発光層のうち前記第３画素電極の上方に位置した部分に前記第２光を照射する工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。
16. 前記対向電極を形成した後に前記第１及び第２光の照射を行う請求項１５に記載の方法。
17. 絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と、
    前記第２発光層を形成した後に、前記第１及び第２発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に光を照射することなしに、前記第１及び第２発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分に前記光を照射する工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。
18. 絶縁基板の上方に形成された第１乃至第３画素電極を含んだ電極アレイの上方に第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、前記電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層上に前記第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層上に前記第１及び第２ルミネッセンス性有機材料とは異なる第３ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第３発光層を前記表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、
    前記第２発光層を形成した後に、ハーフトーンマスクを用いて、前記第１及び第２発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分に光を照射することなしに、前記第１及び第２発光層のうち前記第２及び第３画素電極の上方に位置した部分に、前記第１及び第２発光層のうち前記第３画素電極の上方に位置した部分の露光量が、前記第１及び第２発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分の露光量と比較してより大きくなるように前記光を照射して、前記第１及び第２発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分の正孔移動度及び正孔注入効率の少なくとも一方を、前記第１及び第２発光層のうち前記第１画素電極の上方に位置した部分の正孔移動度及び正孔注入効率の少なくとも一方と比較してより大きくし、前記第１及び第２発光層のうち前記第３画素電極の上方に位置した部分の正孔移動度及び正孔注入効率の少なくとも一方を、前記第１及び第２発光層のうち前記第２画素電極の上方に位置した部分の正孔移動度及び正孔注入効率の少なくとも一方と比較してより大きくする工程と
    を含んだ有機ＥＬディスプレイの製造方法。