WO2014077627A1 - 유기발광소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기발광소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2014077627A1
WO2014077627A1 PCT/KR2013/010414 KR2013010414W WO2014077627A1 WO 2014077627 A1 WO2014077627 A1 WO 2014077627A1 KR 2013010414 W KR2013010414 W KR 2013010414W WO 2014077627 A1 WO2014077627 A1 WO 2014077627A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
light emitting
layer
short circuit
organic light
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/010414
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이연근
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to JP2015542953A priority Critical patent/JP6486829B2/ja
Priority to EP13838094.4A priority patent/EP2765626B1/en
Priority to CN201380060179.3A priority patent/CN104798222B/zh
Publication of WO2014077627A1 publication Critical patent/WO2014077627A1/ko
Priority to US14/701,069 priority patent/US9601555B2/en
Priority to US15/422,081 priority patent/US9954195B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present specification relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.
  • This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2012-0130055 filed with the Korean Intellectual Property Office on November 16, 2012, the entire contents of which are incorporated herein.
  • the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using organic materials.
  • an appropriate organic layer is positioned between the anode and the cathode
  • a voltage is applied between the two electrodes
  • holes are injected into the anode and electrons are injected into the organic layer in the cathode.
  • an exciton is formed, and when the excitons fall back to the ground, light is generated.
  • the organic light emitting element Since the gap between the anode and the cathode is small, the organic light emitting element is likely to have a short circuit defect. Pinholes, cracks, steps in the structure of the organic light emitting device, roughness of the coating, and the like may allow the anode and cathode to be in direct contact or the organic layer thickness may be thinner in these defect areas. These defect zones provide a low-resistance path that allows current to flow, so that little or no current flows through the organic light emitting device. As a result, the light emission output of the organic light emitting element is reduced or eliminated. In multi-pixel display devices, short-circuit defects can reduce display quality by producing dead pixels that do not emit light or emit light below average light intensity.
  • the present invention aims to provide an organic light emitting device capable of operating in a normal range even when there is a factor that may cause a short circuit defect, that is, a short circuit defect and a method of manufacturing the same.
  • One embodiment of the present specification is a substrate; A first electrode provided on the substrate; A second electrode provided to face the first electrode; One or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode; An auxiliary electrode of the first electrode; And it is provided in contact with at least a portion of the first electrode, and provides an organic light emitting device comprising a short-circuit prevention layer provided between the auxiliary electrode and the first electrode.
  • an organic light emitting diode is provided such that a current of the organic light emitting diode flows in the direction of the auxiliary electrode, the short circuit prevention layer, the first electrode, the organic material layer, and the second electrode or the reverse direction thereof. to provide.
  • An exemplary embodiment of the present specification provides an organic light emitting device in which the first electrode is formed of one cell or formed of two or more cells.
  • Another embodiment of the present specification provides a method of manufacturing the organic light emitting device. Specifically, preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming a short circuit prevention layer to be in contact with at least a portion of the first electrode; Forming an auxiliary electrode layer to be provided between the first electrode and the short circuit prevention layer; Forming at least one organic layer on the first electrode; And it provides a method of manufacturing the organic light emitting device comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • an exemplary embodiment of the present disclosure provides a display device including the organic light emitting device.
  • an exemplary embodiment of the present disclosure provides a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting device of the present specification has an effect of preventing a short circuit defect.
  • the organic light emitting device of the present specification can normally perform the function of the organic light emitting device even when a short circuit occurs due to a defect in the substrate itself.
  • the organic light emitting device of the present disclosure can be stably operated without increasing the amount of leakage current, even if the area size of the short circuit occurrence point is increased.
  • FIG. 1 shows a circuit diagram in a case where a short circuit does not occur in an organic light emitting device without a short circuit prevention layer.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a case where a short circuit does not occur in the organic light emitting device having the short circuit prevention layer according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 3 shows a circuit diagram in a case where a short circuit occurs in an organic light emitting device having no short circuit prevention layer.
  • FIG. 4 illustrates a circuit diagram in a case where a short circuit occurs in the organic light emitting diode having the short circuit prevention layer according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • 5 and 6 illustrate an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 7 illustrates a pattern of a first electrode in an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 8 illustrates an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification, after forming a short circuit prevention layer and an auxiliary electrode layer on a first electrode, and then patterning it.
  • FIG 9 illustrates the formation of an insulating layer in the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • Example 10 is an organic light emitting diode according to Example 1 of the present specification, wherein the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell; ) And the value of the leakage current (I s / I t ) versus the operating current.
  • FIG. 11 is a view illustrating an operating voltage rising rate ((V t -V o ) / V o ) and an operation according to an anti-short circuit layer resistance (R cell-spl ) in one cell in an organic light emitting diode according to Example 2 of the present specification.
  • Figure 1 shows the value of leakage current versus current (I s / I t ).
  • Example 3 is an organic light emitting diode according to Example 3 of the present specification, wherein the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell) ) And the value of the leakage current (I s / I t ) versus the operating current.
  • FIG. 13 illustrates an operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell in the organic light emitting device according to Example 4 of the present specification. ) And the value of the leakage current (I s / I t ) versus the operating current.
  • FIG. 14 illustrates an operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell in the organic light emitting device according to Example 5 of the present specification. ) And the value of the leakage current (I s / I t ) versus the operating current.
  • FIG. 15 illustrates an operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell in the organic light emitting device according to Example 6 of the present specification. ) And the value of the leakage current (I s / I t ) versus the operating current.
  • 16 and 17 illustrate examples of the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode provided in one cell of the patterned first electrode in the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 18 illustrates a negative effect of short-circuit defect area when the short-circuit prevention layer is formed in the entire region on the first electrode.
  • One embodiment of the present specification is a substrate; A first electrode provided on the substrate; A second electrode provided to face the first electrode; One or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode; An auxiliary electrode of the first electrode; And it is provided in contact with at least a portion of the first electrode, and provides an organic light emitting device comprising a short-circuit prevention layer provided between the auxiliary electrode and the first electrode.
  • the current of the organic light emitting device may be provided to flow in the direction of the auxiliary electrode, the short circuit prevention layer, the first electrode, the organic material layer, the second electrode.
  • the current of the organic light emitting device may be provided to flow in the direction of the second electrode, the organic material layer, the first electrode, the short-circuit prevention layer, the auxiliary electrode.
  • an external voltage applying terminal may be provided in the auxiliary electrode and the second electrode.
  • the short circuit prevention layer may be provided in contact with at least one surface of an upper surface, a lower surface, and a side surface of the first electrode.
  • the short circuit prevention layer may be formed in contact with at least one region of an upper surface, a lower surface, or a side surface of the first electrode. In addition, the short circuit prevention layer may be formed in contact with a portion of the upper surface and a portion of the side surface of the first electrode. In addition, the short circuit prevention layer may be formed in contact with a part of a lower surface and a part of a side surface of the first electrode.
  • the short circuit prevention layer is provided in contact with at least one surface of the top, bottom, and side surfaces of the first electrode, and the auxiliary electrode is provided in contact with at least a portion of the short circuit prevention layer, and the auxiliary electrode May not directly contact the first electrode.
  • the short circuit prevention layer may be provided in contact with at least one surface of the upper surface and the side surface of the first electrode, and the auxiliary electrode may be provided in contact with the upper surface of the short circuit prevention layer.
  • the short circuit prevention layer may be provided in contact with at least one surface of the side and the bottom surface of the first electrode, and the auxiliary electrode may be provided in contact with the bottom surface of the short circuit prevention layer.
  • the short circuit prevention layer may be provided in contact with an upper surface of the first electrode or the substrate, and the auxiliary electrode may be provided in contact with an upper surface of the short circuit prevention layer.
  • the auxiliary electrode may be provided in contact with an upper surface of the substrate, and the short circuit prevention layer may be provided between the auxiliary electrode and the first electrode.
  • the emission region in the present specification means a region in which light emitted from the emission layer of the organic material layer is emitted through the first electrode and / or the second electrode.
  • the light emitting region may be formed on at least a portion of the region of the first electrode on which the first electrode is not formed and / or the auxiliary electrode is not formed. Can be formed.
  • the non-light emitting area in the present specification may mean a region other than the light emitting region.
  • At least one of the cells may include a light emitting area and a non-light emitting area.
  • the first electrode may be formed of one cell.
  • the first electrode is formed of one cell, and includes a light emitting area and a non-light emitting area, and thicknesses of the light emitting area and the non-light emitting area may be the same or different from each other.
  • the first electrode when the first electrode is formed of one cell, the first electrode may have the same thickness of the light emitting area and the non-light emitting area, and may be formed on the auxiliary electrode and / or the short circuit prevention layer.
  • the corresponding area may be a non-light emitting area, and other areas may be a light emitting area.
  • the first electrode when the first electrode is formed of one cell, the first electrode may have a thickness different from that of the light emitting area and a thickness of the non-light emitting area, and the light emitting area may be relatively
  • the thickness may be a thick portion, and the non-light emitting region may be a relatively thin portion.
  • the light emitting area when the first electrode is formed of one cell and the thickness of the light emitting area and the thickness of the non-light emitting area are different from each other, the light emitting area may be formed in a constant shape.
  • the polygon may be a triangle, a square, a hexagon, or the like, or may be in an amorphous form.
  • the thickness of the portion including the emission region of the first electrode may be 10 times to 1,000 times the portion not including the emission region.
  • the pattern in the present specification means that the layer is formed so as not to cover the entire area of the underlying layer, for example, the substrate or the first electrode, but to cover only the area of the shape required for the end use.
  • the first electrode may be formed in a pattern.
  • the pattern of the first electrode may include a light emitting area.
  • the first electrode may be two or more cells, and each cell may be formed in a pattern provided spaced apart from each other.
  • the cell of the present specification may be the minimum unit of the first electrode coated on the substrate. Specifically, when the first electrode is formed of one cell, the cell may be coated such that the first electrode is not spaced apart on the same plane of the substrate. Alternatively, when the first electrode is formed of two or more cells, the cell may be a minimum unit of the first electrode coated on the substrate, and each cell may be formed in a pattern provided spaced apart from each other. . The minimum unit of the first electrode may be one unit that is physically connected. In addition, the cell may have the form of a closed figure. Specifically, the cell may be a polygon such as a triangle, a square, a hexagon, or the like, or may be in an amorphous form.
  • each of the cells may mean the first electrode described above, and the relationship between the first electrode, the short circuit prevention layer, and the auxiliary electrode described above or later may be applied.
  • the auxiliary electrode and the short circuit prevention layer may be disposed by forming a pattern in the non-light emitting area. That is, the light emitting area may be partitioned by forming a pattern in a portion other than the light emitting area.
  • the pattern may be formed in the form of a mesh pattern to partition the light emitting area.
  • the mesh pattern may be a polygon such as a triangle, a square, a hexagon, or the like, or may be an amorphous pattern.
  • a part of the short-circuit prevention layer may be located on the substrate, and the other part may be located on the first electrode.
  • an opening ratio of the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode may be 30% or more. Specifically, the opening ratio may be 50% or more. More specifically, the opening ratio may be 70% or more.
  • the opening ratio of the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode may mean a ratio not covered by the short circuit prevention layer and / or the auxiliary electrode in the entire area of the organic light emitting diode.
  • the short circuit prevention layer when the first electrode includes two or more cells spaced apart from each other, the short circuit prevention layer may be provided to contact at least a portion of each cell of the pattern. Specifically, according to one embodiment of the present specification, the short-circuit prevention layer may contact at least a portion of each cell.
  • the short-circuit prevention layer When the short-circuit prevention layer is in contact with at least a part of each cell, even if a short-circuit defect occurs in one cell, it is possible to prevent all operating currents from flowing to the short-circuit defect site by the short-circuit prevention layer. That is, it serves to control the amount of leakage current due to short circuit defect not to increase indefinitely. Thus, the remaining cells without short circuit fault can operate normally.
  • the short-circuit prevention layer serves to enable the operation of the device despite the short-circuit defect when the short-circuit defect occurs in the organic light emitting device.
  • the short circuit prevention layer may serve to prevent short circuit defects.
  • Short circuit defects may occur when the second electrode directly contacts the first electrode. Alternatively, this may occur when the first electrode and the second electrode are in contact with each other by losing the function of the organic material layer due to thickness reduction or denaturation of the organic material layer positioned between the first electrode and the second electrode.
  • the current of the organic light emitting diode may flow away from the defect free zone due to the leakage current in which current flows directly from the first electrode to the second electrode due to a short circuit defect. This may reduce the emission output of the organic light emitting device, and in many cases the organic light emitting device may not work.
  • the current flows dispersed in a large area of organic matter concentrated in a short circuit generation point is generated locally high heat, there is a risk of device breakage or fire.
  • the short-circuit prevention layer of the present specification may be positioned between the auxiliary electrode and the first electrode before the short-circuit defect occurs to serve as a current moving path, and minimize an increase in the operating voltage of the device due to the short-circuit prevention layer.
  • a short circuit fault occurs, only a small amount of current is leaked to the short circuit occurrence point, thereby preventing the efficiency of the organic light emitting device from being lowered and allowing the device to operate normally.
  • the short circuit prevention layer serves to prevent a current from escaping through the short-circuit defect site by adding an appropriate resistance when a short circuit defect occurs.
  • the short-circuit prevention layer may have a thickness and resistivity suitable for reducing leakage current and related luminous efficiency loss due to short-circuit defects.
  • the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode may be formed in contact with each other. That is, when a voltage is applied to the organic light emitting diode, the auxiliary electrode and the short circuit prevention layer may be electrically connected.
  • the auxiliary electrode may be formed on the short-circuit prevention layer with an area equal to or smaller than the area of the short-circuit prevention layer.
  • a current may be injected into the first electrode through the auxiliary electrode. Furthermore, when the first electrode is patterned, current is injected into each emission region through the auxiliary electrode. In this case, a current may be injected into the auxiliary electrode and flow to the first electrode through the short circuit prevention layer.
  • the organic light emitting diode of the present disclosure may inject a current into the auxiliary electrode to pass a current through the short circuit prevention layer to prevent the excessive current from flowing in contact with the first electrode and the second electrode when a short circuit occurs. That is, excessive current due to a short circuit defect can be prevented from flowing by the resistance of the short circuit prevention layer.
  • the sheet resistance of the auxiliary electrode may be 3 kW / ⁇ or less. Specifically, the sheet resistance of the auxiliary electrode may be 1 ⁇ / ⁇ or less.
  • the auxiliary electrode can be used.
  • the sheet resistance of the auxiliary electrode of the present specification may be 3 ⁇ / ⁇ or less, specifically 1 ⁇ / ⁇ or less, and the luminance uniformity of the organic light emitting diode may be maintained in the above range.
  • the organic light emitting diode of the present specification can control the maximum amount of current that can be injected into one light emitting area.
  • the maximum amount of current injected into one light emitting region there is an advantage of limiting the amount of leakage current with increasing short-circuit defect area. Therefore, it is possible to reduce the risk that the entire organic light emitting device does not operate due to a short circuit defect, and it is possible not to operate only the light emitting region at the short circuit occurrence point.
  • a leakage current flows through the auxiliary electrode to the short-circuit defect point, so that the entire organic light emitting device may not operate.
  • the above operation means light emission.
  • an insulating layer may be further provided between the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode and the organic material layer and / or the second electrode.
  • the insulating layer may be formed to surround the patterned anti-short circuit layer and the auxiliary electrode.
  • the insulating layer may be formed through a coating or photolithography process.
  • the insulating layer may serve to prevent the short circuit prevention layer from contacting other layers other than the first electrode and the auxiliary electrode.
  • the insulating layer may serve to mitigate instability of the device by a conductor such as an auxiliary electrode or a short circuit prevention layer positioned between the first electrode and the second electrode.
  • the short circuit prevention layer may serve to electrically insulate the organic material layer and the second electrode.
  • the auxiliary electrode may be in contact only with the short-circuit prevention layer or the substrate other than the insulating layer by the insulating layer.
  • the short circuit prevention layer may not contact the organic material layer.
  • the short circuit prevention layer may be formed without contacting the organic material layer of the organic light emitting device, and may not be in contact with the organic material layer by the insulating layer. Since the short circuit prevention layer is not in contact with an organic material, the material of the short circuit prevention layer has an advantage that can be widely selected. For example, when the charge injection layer is located on the short-circuit prevention layer, the short-circuit prevention layer needs to have a good hole injection function. However, since the short-circuit prevention layer in this specification does not come into contact with the organic material layer, the above limitation is not necessary. . In addition, since it is provided in the area
  • the material of the short circuit prevention layer When the short circuit prevention layer is formed in the entire area on the first electrode, the material of the short circuit prevention layer must be transparent, so there is a material limitation.
  • the short-circuit prevention layer of the present specification is not formed in the entire region on the first electrode, but is formed in the non-light-emitting region, so that the material of the short-circuit prevention layer can use both transparent materials and opaque materials.
  • the short circuit protection layer may comprise a transparent material or may comprise an opaque material.
  • the short circuit prevention layer and / or the auxiliary electrode may be located in a non-light emitting region of the organic light emitting diode.
  • the short circuit prevention layer may not be formed on the entire area of the upper portion of the substrate, but may be formed only on a partial area of the upper portion of the substrate. In such a case, the probability that the short circuit protection function by the defect of the board
  • the short-circuit prevention layer may not function due to the defect of the substrate and current may flow directly from the auxiliary electrode to the first electrode.
  • the short-circuit prevention layer is formed in the entire region on the first electrode, the short-circuit prevention layer is not normally formed according to a defect of the substrate surface, and thus the short-circuit prevention function cannot be smoothly performed. More specifically, when the organic light emitting device is formed by a deposition process, the substrate surface state is greatly affected.
  • the organic material layer, and the second electrode are sequentially deposited in the state where the foreign matter is present on the substrate, a region in which the first electrode and the second electrode are contacted by the foreign material is generated, and thus the short circuit prevention layer is shorted. It becomes impossible to play a role of prevention, and the organic light emitting element may become inoperable.
  • the organic light emitting device may minimize the loss of the function of the short circuit protection layer due to the defect of the substrate by minimizing the area occupied by the short circuit protection layer in the substrate area. Furthermore, even if a short circuit occurs due to a defect in the substrate at a point where only the first electrode is formed, the short circuit prevention layer may function to prevent the entire organic light emitting device from emitting light.
  • the short-circuit prevention layer is formed in the entire area on the first electrode and the organic material layer is formed in the entire area on the short-circuit prevention layer, in addition to the disadvantage that the material of the short-circuit prevention layer must be transparent, the problem that the magnitude of the leakage current increases as the short circuit defect area increases Occurs.
  • This problem is illustrated in the graph of FIG. 18 illustrates a negative effect of short-circuit defect area when the short-circuit prevention layer is formed in the entire region of the first electrode.
  • FIG. 18 shows that the organic light emitting diode has an operating voltage of 6 V, an operating current density of 2 mA / cm 2, a first electrode of 10 ⁇ 10 cm 2, a volume resistance of the short-circuit prevention layer of 300,000 mA, and a short circuit.
  • the thickness of the barrier layer is 100 nm
  • the leakage current due to a short circuit is shown as a percentage of the current of the normal device as the diameter of the short-circuit defect region increases.
  • the short-circuit prevention layer is formed in the entire area on the first electrode, it can be seen that as the diameter of the short-circuit defect region increases, the negative influence due to the leakage current increases rapidly.
  • the first electrode may be formed of two or more patterned cells, and each cell is electrically connected through a short circuit prevention layer, so a short circuit occurs regardless of the size of the short circuit.
  • the short-circuit prevention layer in contact with the cell has an advantage of effectively blocking the leakage current.
  • the first electrode since the first electrode may be formed of two or more patterned cells, even if a short circuit occurs in any one cell region due to a defect in the substrate, a short circuit may occur. Cells that do not occur have the advantage of being able to emit light normally.
  • the resistance between each cell may be 70 k ⁇ or more, but when the first electrode is not patterned, the resistance of the adjacent first electrode is only 10 k ⁇ or less. Therefore, when a short circuit occurs in a partial region on the unpatterned first electrode, the leakage current may flow to the short circuit generating region, and thus the leakage current may not be controlled. That is, since each cell of the organic light emitting diode according to an embodiment of the present disclosure receives a current through a short circuit prevention layer, the leakage current may be effectively controlled when a short circuit fault occurs.
  • One embodiment of the present specification is a substrate; A first electrode provided on the substrate; A second electrode provided to face the first electrode; One or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode; A short circuit prevention layer provided in contact with at least one of the top, bottom, and side surfaces of the first electrode; An auxiliary electrode, comprising: an auxiliary electrode having the short circuit prevention layer provided between the auxiliary electrode and the first electrode, wherein a current of the organic light emitting device is the auxiliary electrode, the short circuit prevention layer, the first electrode, It provides an organic light emitting device provided to flow in the direction of the organic material layer, the second electrode or the reverse direction.
  • an exemplary embodiment of the present specification is a substrate; A first electrode formed in a pattern including two or more cells spaced apart from each other on the substrate; A second electrode provided to face the first electrode; One or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode; A short circuit prevention layer provided to contact at least a portion of each cell of the pattern of the first electrode; An auxiliary electrode, comprising: an auxiliary electrode having the short circuit prevention layer provided between the auxiliary electrode and the first electrode, wherein a current of the organic light emitting device is the auxiliary electrode, the short circuit prevention layer, the first electrode, It provides an organic light emitting device provided to flow in the direction of the organic material layer, the second electrode or the reverse direction.
  • the thickness of the short circuit prevention layer may be 1 nm or more and 10 ⁇ m or less.
  • the short circuit prevention layer may maintain a normal operating voltage when the organic light emitting diode does not have a short circuit.
  • the short-circuit prevention function can be performed, and even if a short circuit occurs, the organic light emitting diode can operate within a normal range.
  • the thickness direction resistance of the short circuit prevention layer may be 70 kPa or more and 300,000 kPa or less.
  • the resistance range may be a thickness direction resistance range of a short circuit prevention layer located in each cell.
  • the resistance from one cell to another cell may be 140 kPa or more and 600,000 kPa or less.
  • the resistance of the short-circuit prevention layer can be obtained within an appropriate range of the operating voltage rise rate (V t -V o ) / V o ) and the leakage current value (I s / I t ) compared to the operating current described below.
  • the short circuit prevention layer may include carbon powder; Carbon film; Conductive polymers; Organic polymers; metal; Metal oxides; Inorganic oxides; Metal sulfides; And it may include one or two or more selected from the group consisting of insulating materials. Specifically, a mixture of two or more selected from the group consisting of zirconium oxide (ZrO 2 ), nichrome, indium tin oxide (ITO), zinc sulfide (ZnS), and silicon dioxide (SiO 2 ) may be used.
  • ZrO 2 zirconium oxide
  • ITO indium tin oxide
  • ZnS zinc sulfide
  • SiO 2 silicon dioxide
  • the organic light emitting diode having a planar shape may be separated into cells of numerous patterns, such that a current may be injected into each cell through a short circuit prevention layer.
  • a (cm 2) means the total light emitting area in the organic light emitting device.
  • V o (V) means the operating voltage of the organic light emitting device that does not apply the short-circuit prevention layer when the operating current density is I o (mA / cm2) in the absence of a short circuit defect.
  • V t (V) means the operating voltage of the organic light emitting device to which the short-circuit prevention layer is applied when the operating current density is I o (mA / cm 2) in the absence of a short circuit defect.
  • the total light emitting area A (cm 2) is divided into n cells to form each of the patterned cells, and then a short-circuit prevention layer is connected to each cell in series, and all the combinations are respectively Can be connected in parallel.
  • a circuit diagram thereof is shown in FIG. 2.
  • FIG. 1 shows a circuit diagram in a case where a short circuit does not occur in an organic light emitting device without a short circuit prevention layer.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a case where a short circuit does not occur in the organic light emitting device having the short circuit prevention layer according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • the operating current I t (mA) of the organic light emitting diode in the absence of a short circuit defect may be represented by the following equation.
  • the I cell means the current (mA) that the organic light emitting diode operates in one cell in normal operation.
  • the total number n cell of patterned cells may be expressed as follows.
  • the A cell refers to the area of the patterned cell.
  • the resistance (R org ) ( ⁇ ) applied to the entire area of the organic light emitting diode may be represented as follows.
  • R cell-org ( ⁇ ) means organic resistance ( ⁇ ) in one cell.
  • the operating voltage increase rate of the organic light emitting diode generated by the addition of the short circuit prevention layer in the normal operating state of the device may be expressed by Equation 1 below.
  • V t (V) is the operating voltage of the organic light emitting device to which the short-circuit prevention layer is applied and there is no short-circuit defect
  • V o (V) is an organic light-emitting device to which the short-circuit prevention layer is not applied and there is no short-circuit defect.
  • the operating voltage increase rate (V t ⁇ V o ) / V o may be calculated by the following equation.
  • R cell-spl means the thickness direction resistance of the short circuit prevention layer in one cell. Specifically, it may mean a thickness direction resistance of the short-circuit prevention layer in one cell.
  • the operating voltage rise rate (V t -V o ) / V o can be derived through the following equation.
  • I n the current (mA) flowing through the normal organic material layer at the time of a short circuit
  • I s the current (mA) flowing to the short circuit occurrence point
  • I s the resistance of the organic material at the short circuit occurs.
  • I n-cell is defined as a current flowing through a normal light emitting region when a short circuit occurs
  • the voltage is the same, and the sum of the currents in all parallel circuits is equal to I t (the operating current of the device).
  • the leakage current can be calculated
  • FIG. 4 illustrates a circuit diagram when a short circuit occurs in the organic light emitting diode having the short circuit prevention layer according to the exemplary embodiment of the present specification.
  • Equation 2 the numerical value of the leakage current I s relative to the operating current I t of the device may be expressed by Equation 2 below.
  • I t (mA) is the operating current of the organic light emitting device of the same organic structure having a short-circuit prevention layer and no short-circuit defect
  • I s (mA) is an organic short-circuit applied and short-circuit defect Leakage current in the defect area of the light emitting element.
  • the I s (mA) is a leakage current in a region in which a short circuit prevention layer is applied and in which one of the cells has a short circuit defect.
  • the leakage current (I s ) value of the operating current (I t ) of the device can be obtained through the following equation.
  • the short-circuit prevention layer may include an operating voltage increase rate ((V t ⁇ V o ) / V o ; Equation 1) and a leakage current value (I s / I t ; Equation 2) may simultaneously have a thickness direction resistance that satisfies 0.03 or less. More specifically, the short-circuit prevention layer has a thickness direction resistance value at which the operating voltage rising rate (V t -V o ) / V o ) and the leakage current value (I s / I t ) with respect to the operating current simultaneously satisfy 0.01 or less. Can have.
  • the short-circuit prevention layer at a current density of any one value of 1 mA / cm 2 to 5 mA / cm 2, the short-circuit prevention layer simultaneously has a value of 0.03 or less or 0.01 or less at the same time. It may have a thickness direction resistance value that satisfies.
  • the volume resistivity of the short circuit prevention layer may be 0.63 cm 3 or more and 8.1 ⁇ 10 10 cm 3 or less.
  • the volume resistivity ⁇ slp ( ⁇ cm) of the short circuit prevention layer may be obtained by the following equation.
  • a spl (cm 2) may mean an area in which electricity can flow in a thickness direction from the auxiliary electrode formed in one cell to the first electrode of one cell through a short circuit prevention layer. That is, the area of the short circuit prevention layer formed on one first electrode may mean an area overlapping with the area of the auxiliary electrode formed on the short circuit prevention layer.
  • the R cell-spl means resistance of the short circuit protection unit in one conductive unit.
  • the t slp ( ⁇ m) means the thickness of the short circuit prevention layer.
  • a spl (cm 2) may refer to the area of the short circuit prevention layer that overlaps the lower first electrode and the upper auxiliary electrode when the short circuit prevention layer is positioned between the first electrode and the auxiliary electrode.
  • a spl (cm 2) may be an area of the short circuit prevention layer overlapping the first electrode. have.
  • a spl (cm 2) is a short circuit in which the first electrode and the auxiliary electrode overlap at the same time. It can be the area of the prevention layer.
  • t slp means the thickness of the short circuit prevention layer. That is, when the short circuit prevention layer is formed on the first electrode, it may mean a thickness in the vertical direction with respect to the upper surface of the first electrode.
  • the volume resistivity ( ⁇ slp ) of the short circuit protection layer formed in one cell is the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short circuit protection layer in one cell, and the short circuit in the auxiliary electrode formed in one cell. It can be determined by the area A spl through which the electricity can flow in the thickness direction to the first electrode of one cell through the barrier layer and the thickness t slp of the short circuit prevention layer.
  • the volume resistivity of the short-circuit prevention layer may be 0.63 cm 3 or more and 8.1 ⁇ 10 10 cm 3 or less. Within the above range, the short circuit prevention layer may maintain a normal operating voltage when the organic light emitting diode does not have a short circuit. In addition, the short-circuit prevention function can be performed, and even if a short circuit occurs, the organic light emitting diode can operate within a normal range.
  • the volume resistivity can be obtained as follows.
  • the range of the volume resistivity according to an embodiment of the present specification may be a range in which the resistance of the short circuit protection layer required for performing the short circuit protection function is determined only by the volume resistance of the short circuit protection layer. . Therefore, according to one embodiment of the present specification, when the contact resistance between the short circuit prevention layer and the first electrode or the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode is so large that it is not negligible, the range of the volume resistivity may be lower than the value. have.
  • the thickness direction resistance of the short circuit prevention layer is 140 kPa or more and 300,000 kPa or less
  • the thickness of the short circuit prevention layer is 1 nm or more and 10 ⁇ m or less
  • the area of one cell is 300 ⁇ 300. ⁇ m 2 To 3 ⁇ 3 mm 2
  • an area through which electricity flows in the thickness direction from the auxiliary electrode formed in the one cell to the first electrode of one cell through the short-circuit prevention layer (A spl ) May be determined at a level of 1% to 30% of one cell area.
  • spl Is 9 ⁇ 10 -6 cm 2 (300 ⁇ m ⁇ 300 ⁇ m ⁇ 0.01) to 2.7 ⁇ 10 -2 cm 2 (0.3 cm x 0.3 cm X 0.3).
  • the volume resistivity of the short-circuit prevention layer can be calculated as follows.
  • the auxiliary electrode may be made of a metal material. That is, the auxiliary electrode may be a metal auxiliary electrode.
  • the auxiliary electrode may generally use all metals. Specifically, it may include aluminum, copper, and / or silver having good conductivity.
  • the auxiliary electrode may use a molybdenum / aluminum / molybdenum layer when aluminum is used for adhesion to the transparent electrode and stability in a photo process.
  • the first electrode may be a transparent electrode.
  • the first electrode When the first electrode is a transparent electrode, the first electrode may be a conductive oxide such as tin indium oxide (ITO) or zinc indium oxide (IZO). Furthermore, the first electrode may be a translucent electrode. When the first electrode is a translucent electrode, it may be made of a translucent metal such as Ag, Au, Mg, Ca or an alloy thereof. When the translucent metal is used as the first electrode, the organic light emitting device may have a microcavity structure.
  • ITO tin indium oxide
  • IZO zinc indium oxide
  • the first electrode may be a translucent electrode.
  • the first electrode When the first electrode is a translucent electrode, it may be made of a translucent metal such as Ag, Au, Mg, Ca or an alloy thereof.
  • the translucent metal When the translucent metal is used as the first electrode, the organic light emitting device may have a microcavity structure.
  • the organic material layer includes at least one light emitting layer.
  • the organic material layer includes at least one light emitting layer, and includes a hole injection layer; Hole transport layer; Hole blocking layer; A charge generating layer; Electron blocking layer; Electron transport layer; And it may further comprise one or two or more selected from the group consisting of an electron injection layer.
  • the charge generating layer is a layer in which holes and electrons are generated when a voltage is applied.
  • the substrate may be a substrate excellent in transparency, surface smoothness, ease of handling and waterproof.
  • a glass substrate, a thin film glass substrate, or a transparent plastic substrate may be used.
  • the plastic substrate may include a film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), and polyimide (PI) in the form of a single layer or a multilayer.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PEEK polyether ether ketone
  • PI polyimide
  • the substrate may be a light scattering function is included in the substrate itself.
  • the substrate is not limited thereto, and a substrate commonly used in an organic light emitting device may be used.
  • the first electrode may be an anode, and the second electrode may be a cathode.
  • the first electrode may be a cathode, and the second electrode may be an anode.
  • anode a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • anode materials that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the anode material is not limited to the anode, but may be used as the material of the cathode.
  • the cathode is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; And multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
  • the material of the cathode is not limited to the cathode, but may be used as the material of the anode.
  • a material capable of transporting holes from an anode or a hole injection layer to be transferred to a light emitting layer is suitable.
  • Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene; And rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transport layer material As the electron transport layer material according to the present specification, a material capable of injecting electrons well from a cathode and transferring the electrons to a light emitting layer is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; And hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting diode may be sealed with an encapsulation layer.
  • the encapsulation layer may be formed of a transparent resin layer.
  • the encapsulation layer serves to protect the organic light emitting device from oxygen and contaminants, and may be a transparent material so as not to inhibit light emission of the organic light emitting device.
  • the transparency may mean transmitting more than 60% of light. Specifically, it may mean that the light transmits 75% or more.
  • an organic material layer may be positioned between the first electrode and the second electrode like a general organic light emitting diode.
  • the auxiliary electrode and the short circuit prevention layer do not directly contact the organic material layer.
  • an organic material layer may be positioned between the first electrode and the second electrode like a general organic light emitting diode.
  • the auxiliary electrode and the short circuit prevention layer do not directly contact the organic material layer.
  • FIG. 6 illustrates a cross-sectional view of an organic light emitting diode as one embodiment of the present specification.
  • the organic light emitting diode may emit white light having a color temperature of 2,000 K or more and 12,000 K or less.
  • the organic light emitting device may include a light scattering layer.
  • a light scattering layer may be further included between the first electrode and the substrate provided on the surface opposite to the surface on which the organic material layer of the first electrode is provided.
  • the light scattering layer may include a flat layer.
  • the flat layer may be provided between the first electrode and the light scattering layer.
  • a light scattering layer may be further included on a surface opposite to the surface on which the first electrode of the substrate is provided.
  • the light scattering layer is not particularly limited so long as it is a structure that can induce light scattering and improve the light scattering efficiency of the organic light emitting device.
  • the light scattering layer may be a structure in which scattering particles are dispersed in a binder, a film having irregularities, and / or a film having hazeness.
  • the light scattering layer may be directly formed on the substrate by a method such as spin coating, bar coating, slit coating, or the like, and formed by attaching the film.
  • the organic light emitting diode may be a flexible organic light emitting diode.
  • the substrate may comprise a flexible material.
  • the substrate may be a glass, plastic substrate, or film substrate in the form of a thin film that can be bent.
  • the material of the plastic substrate is not particularly limited, but in general, may include a film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), and polyimide (PI) in the form of a single layer or a multilayer. have.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PEEK polyether ether ketone
  • PI polyimide
  • the present specification provides a display device including the organic light emitting diode.
  • the organic light emitting diode may serve as a pixel or a backlight.
  • the configuration of the display device may be applied to those known in the art.
  • the present specification provides a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting diode serves as a light emitting unit.
  • the configurations required for the lighting device may be applied to those known in the art.
  • An exemplary embodiment of the present specification provides a method of manufacturing the organic light emitting device. Specifically, preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming a short circuit prevention layer to be in contact with at least a portion of the first electrode; Forming an auxiliary electrode layer to be provided between the first electrode and the short circuit prevention layer; Forming at least one organic layer on the first electrode; And it provides a method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • the method of manufacturing the organic light emitting device may include forming a first electrode on the substrate; Forming a short circuit prevention layer to be in contact with at least a portion of the first electrode; Forming an auxiliary electrode layer on the short circuit prevention layer; Forming at least one organic layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic material layer.
  • the method of manufacturing the organic light emitting device may include forming an auxiliary electrode on the substrate; Forming a short circuit prevention layer on the auxiliary electrode; Forming a first electrode to be in contact with at least a portion of the short circuit prevention layer; Forming at least one organic layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic material layer.
  • the method of manufacturing the organic light emitting device may include forming a short circuit prevention layer on the substrate; Forming an auxiliary electrode on the short circuit prevention layer; Forming a first electrode to be in contact with at least a portion of the short circuit prevention layer; Forming at least one organic layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic material layer.
  • the forming of the short circuit prevention layer may be a step of forming the short circuit prevention layer on a substrate.
  • the short circuit prevention layer may be formed on the first electrode.
  • a part of the short circuit prevention layer may be formed on the substrate, and the other part may be formed on the first electrode.
  • the first electrode may be formed after the short circuit prevention layer is formed on the substrate.
  • the short circuit prevention layer may be formed after the first electrode is formed on the substrate.
  • the organic material layer may be formed on the substrate.
  • the organic material layer may be formed to cover the organic material layer.
  • the forming of the first electrode may include patterning a first electrode. 7 shows a first electrode after the patterning step.
  • the method of manufacturing the organic light emitting diode may include forming the short circuit prevention layer and forming the auxiliary electrode layer, including: forming the short circuit prevention layer as a front layer; Forming the auxiliary electrode layer as a front layer; And patterning the short-circuit prevention layer formed of the front layer and the auxiliary electrode layer at the same time.
  • FIG. 8 illustrates the formation of a short-circuit prevention layer and a metal electrode layer on the first electrode and then patterning it.
  • the patterned anti-short circuit layer and the auxiliary electrode of the present specification may be formed in various designs. Specifically, the pattern in which the auxiliary electrode is formed on the short circuit prevention layer in one cell may contact one or more corners of the first electrode. Alternatively, the pattern in which the auxiliary electrode is formed on the short circuit prevention layer may pass through one cell to contact the first electrode. A specific example thereof is shown in FIG. 16. In addition, FIG. 17 illustrates cross-sectional views of the short-circuit prevention layer and the auxiliary electrode provided in any one cell of the patterned first electrode provided on the substrate.
  • the method may further include forming an insulating layer on the short circuit prevention layer and the auxiliary electrode. 9 shows the formation of the insulating layer.
  • the method may further include encapsulating.
  • the thickness resistance range of the short-circuit prevention layer of the organic light emitting diode will be described in detail in the following Examples. However, the following examples are provided to illustrate the contents of the present specification, and the scope of the present specification is not limited thereto.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 100 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 900 ⁇ m, and the n cells were approximately 1.2E + 04.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 6 V, and the device operating current density (I o ) was 3 mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 1 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 10.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 900 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 900 ⁇ m, and the n cells were approximately 1.1E + 05.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 6 V, and the device operating current density (I o ) was 3 mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 2 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 11.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 100 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 900 ⁇ m, and the n cells were approximately 1.2E + 04.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 6V, and the device operating current density (I o ) was 6mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 3 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 12.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 100 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 450 ⁇ m, and the n cells were approximately 4.9E + 04.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 6 V, and the device operating current density (I o ) was 3 mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 4 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 13.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 100 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 900 ⁇ m, and the n cells were approximately 1.2E + 04.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 9 V, and the device operating current density (I o ) was 3 mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 5 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 14.
  • An organic light emitting diode was manufactured such that the emission area A of the organic light emitting diode was 900 cm 2 , the side length of the cell (L cell ) was 300 ⁇ m, and the n cells were approximately 1.0E + 06.
  • the device operating voltage (V o ) at this time was 9 V, and the device operating current density (I o ) was 1 mA / cm 2 .
  • the operating voltage increase rate ((V t -V o ) / V o ) according to the thickness direction resistance (R cell-spl ) of the short-circuit prevention layer in one cell and the value of the leakage current versus the operating current (I s / I t ) values are shown in Table 6 below. In addition, a graph thereof is shown in FIG. 15.
  • the thickness direction resistance range of the short-circuit prevention layer required at the level to be used in the organic light emitting device can be confirmed at a level of 70 kPa or more and 300,000 kPa or less, as expected in Examples 1 to 6 and thereby.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것을 제공한다. 상기 유기발광소자는 기판, 상기 기판상에 구비된 제1전극, 상기 제1전극에 대향하여 구비된 제2전극, 상기 제1전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층, 상기 제1 전극의 보조전극 및 상기 제1전극의 적어도 일부와 접하여 구비되고, 상기 보조전극과 상기 제1전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

유기발광소자 및 이의 제조방법
본 명세서는 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 명세서는 2012년 11월 16일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0130055호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기 발광 현상이란 유기물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 즉, 애노드과 캐소드 사이에 적절한 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 캐소드에서는 전자가 상기 유기물층에 주입되게 된다. 이 주입된 정공과 전자가 만났을 때 여기자(exciton) 가 형성되고, 이 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛을 생성하게 된다.
애노드와 캐소드의 간격이 작기 때문에, 유기발광소자는 단락 결함을 갖게 되기 쉽다. 핀홀, 균열, 유기발광소자의 구조에서의 단(step) 및 코팅의 조도(roughness) 등에 의하여 애노드와 캐소드가 직접 접촉할 수 있게 되거나 또는 유기 층 두께가 이들 결함 구역에서 더 얇아지도록 할 수 있다. 이들 결함 구역은 전류가 흐르도록 하는 저-저항 경로를 제공하여, 유기발광소자를 통해 전류가 거의 또는 극단적인 경우에는 전혀 흐르지 않도록 한다. 이에 의해, 유기발광소자의 발광 출력이 감소되거나 없어지게 된다. 다중-화소 디스플레이 장치에서는, 단락 결함이 광을 방출하지 않거나 또는 평균 광 강도 미만의 광을 방출하는 죽은 화소를 생성시켜 디스플레이 품질을 감소시킬 수 있다. 조명 또는 다른 저해상도 용도에서는, 단락 결함으로 인해 해당 구역 중 상당 부분이 작동하지 않을 수 있다. 단락 결함에 대한 우려 때문에, 유기발광소자의 제조는 전형적으로 청정실에서 수행된다. 그러나, 아무리 청정한 환경이라 해도 단락 결함을 없애는데 효과적일 수 없다. 많은 경우에는, 두 전극 사이의 간격을 증가시켜 단락 결함의 수를 감소시키기 위하여, 유기층의 두께를, 장치를 작동시키는데 실제로 필요한 것보다 더 많이 증가시키기도 한다. 이러한 방법은 유기발광소자 제조에 비용을 추가시키게 되고, 심지어 이러한 방법으로는 단락 결함을 완전히 제거할 수 없다.
[선행기술문헌]
대한민국 공개특허공보 제10-2006-0130729호 (2006.12.19 공개)
본 발명자들은 단락 결함을 발생시킬 수 있는 요인이 있는 경우, 즉 단락 결함이 발생한 경우에도 정상 범위에서 작동이 가능한 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 보조전극; 및 상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되거나, 2 이상의 셀로 형성된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이장치를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명장치를 제공한다.
본 명세서의 유기발광소자는 단락 결함을 방지하는 효과를 가지고 있다.
또한, 본 명세서의 유기발광소자는 기판 자체의 결함으로 인한 단락이 발생한 경우라도 유기발광소자의 기능을 정상적으로 실행할 수 있다.
또한, 본 명세서의 유기발광소자는 단락 발생 지점의 면적 크기가 증가하더라도, 누설 전류량이 증가하지 않고 안정적으로 작동이 가능하다.
도 1은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 3은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시예의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 본 명세서의 일 실시상태의 유기발광소자를 도시한 것이다.
도 7은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극의 패턴을 도시한 것이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극 상에 단락 방지층 및 보조 전극층을 형성한 후, 이를 패터닝한 후를 도시한 것이다.
도 9는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 절연층을 형성한 후를 도시한 것이다.
도 10은 본 명세서의 실시예 1에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 11은 본 명세서의 실시예 2에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 12는 본 명세서의 실시예 3에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 13은 본 명세서의 실시예 4에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 14는 본 명세서의 실시예 5에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 15는 본 명세서의 실시예 6에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 16 및 17은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 패터닝된 제1 전극의 하나의 셀에 구비된 단락 방지층 및 보조 전극의 예를 나타낸 것이다.
도 18은 제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성된 경우, 단락 결함 면적에 따른 부정적인 영향을 나타낸 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 보조전극; 및 상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 전류는 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향으로 흐르도록 구비될 수 있다. 또는, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 전류는 상기 제2 전극, 상기 유기물층, 상기 제1 전극, 상기 단락 방지층, 상기 보조전극의 방향으로 흐르도록 구비될 수 있다. 이 경우, 외부전압 인가 단자는 상기 보조전극 및 제2 전극에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비될 수 있다.
상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 또는 측면의 적어도 일 영역에 접하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면의 일부와 측면의 일부에 접하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 하면의 일부와 측면의 일부에 접하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층의 적어도 일부에 접하여 구비되며, 상기 보조 전극은 상기 제1 전극에 직접 접하지 않을 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 상면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 측면 및 하면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 하면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극 또는 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극이 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 단락 방지층이 상기 보조 전극과 상기 제1 전극 사이에 구비될 수 있다.
본 명세서에서의 발광 영역은 유기물층의 발광층에서 발광하는 빛이 제1 전극 및/또는 제2 전극을 통하여 방출되는 영역을 의미한다. 예컨대, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 발광 영역은 기판 상에 제1 전극이 형성된 영역 중 단락 방지층 및/또는 보조 전극이 형성되지 않은 제1 전극의 영역의 적어도 일부에 형성될 수 있다. 또한, 본 명세서에서의 비발광 영역은 상기 발광 영역을 제외한 나머지 영역을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 셀 중 적어도 하나는 발광 영역과 비발광 영역을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되고, 발광 영역과 비발광 영역을 포함하며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역의 두께가 서로 동일하거나 서로 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 제1 전극은 발광 영역과 비발광 영역의 두께가 서로 동일할 수 있으며, 상기 보조 전극 및/또는 단락 방지층에 대응하는 영역은 비발광 영역이 될 수 있고, 이외의 영역은 발광 영역이 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 제1 전극은 발광 영역에서의 두께와 비발광 영역의 두께가 서로 상이할 수 있으며, 상기 발광 영역은 상대적으로 두께가 두꺼운 부분일 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상대적으로 두께가 얇은 부분일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되고, 발광 영역에서의 두께와 비발광 영역의 두께가 서로 상이한 경우, 상기 발광 영역은 일정한 형태로 형성될 수 있다. 구체적으로, 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 형태일 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 제1 전극의 발광 영역을 포함하는 부분의 두께는 발광 영역을 포함하지 않는 부분의 10배 내지 1,000배일 수 있다.
본 명세서에서의 패턴은 해당층이 구비되는 하부층, 예컨대 기판 또는 제1 전극의 전체 면적을 덮는 것이 아니라 최종 용도에 요구되는 형태의 면적만을 덮도록 형성된 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극의 패턴은 발광 영역을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 2 이상의 셀이고, 각각의 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성될 수 있다.
본 명세서의 상기 셀은 기판 상에 피복되어 있는 제1 전극의 최소 단위가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 셀은 상기 제1 전극이 상기 기판의 동일 평면 상에 이격되지 않게 피복된 것일 수 있다. 또는, 상기 제1 전극이 2 이상의 셀로 형성되는 경우, 상기 셀은 기판 상에 피복되어 있는 제1 전극의 최소 단위가 될 수 있으며, 각각의 상기 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극의 최소 단위는 물리적으로 연결된 하나의 단위가 될 수 있다. 또한, 상기 셀은 폐쇄도형의 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 셀은 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 형태일 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 각각의 셀은 전술한 제1 전극을 의미할 수 있으며, 전술 또는 후술하는 제1 전극과 단락 방지층, 보조 전극과의 관계가 모두 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조전극 및 단락 방지층은 비발광 영역에 패턴을 형성하여 배치될 수 있다. 즉, 발광 영역이 아닌 부분에 패턴을 이루어 발광 영역을 구획할 수 있다. 예컨대, 발광 영역을 구획하도록 메쉬 패턴의 형태로 패턴이 형성될 수 있다. 상기 메쉬 패턴은 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 패턴일 수도 있다.
또한, 단락 방지층이 비발광 영역에 패턴을 이루어 형성되는 경우, 단락 방지층의 일부는 기판 상에 위치하고, 나머지 일부는 제1 전극 상에 위치할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 30 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 개구율은 50 % 이상일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 개구율은 70 % 이상일 수 있다.
상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 유기발광소자의 전체 면적에서 단락 방지층 및/또는 보조전극에 의하여 피복되어 있지 않은 비율을 의미할 수 있다. 상기 개구율이 높아질수록 휘도가 높아져서 보다 밝아질 수 있으며, 전력 소모도 줄어들 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 경우, 상기 단락 방지층은 상기 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 각 셀의 적어도 일부에 상기 단락 방지층이 접할 수 있다.
각각의 셀의 적어도 일부에 상기 단락 방지층이 접하는 경우, 셀 하나에 단락 결함이 발생하더라도, 단락 방지층에 의하여 모든 작동 전류가 단락 결함 부위로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 즉, 단락 결함에 따른 누설 전류의 양이 무한정 증가하지 않도록 제어하는 역할을 한다. 따라서, 단락 결함이 없는 나머지 셀들이 정상적으로 작동할 수 있다.
상기 단락 방지층은 유기발광소자에 단락 결함이 발생하는 경우, 단락 결함에도 불구하고 소자의 작동을 가능하게 하는 역할을 한다. 또한, 상기 단락 방지층은 단락 결함을 방지하는 역할을 할 수도 있다.
단락 결함은 제2 전극이 직접 제1 전극에 접촉하는 경우에 발생할 수 있다. 또는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기물층의 두께 감소 또는 변성 등에 의하여 유기물층의 기능을 상실하여 제1 전극과 제2 전극이 접촉하는 경우에도 발생할 수 있다. 단락 결함이 발생하는 경우, 유기발광소자 전류에 낮은 경로를 제공하여, 유기발광소자가 정상적으로 작동할 수 없게 할 수 있다. 단락 결함에 의하여 제1 전극에서 제2 전극으로 직접 전류가 흐르게 되는 누설 전류에 의하여 유기발광소자의 전류는 무결함 구역을 피하여 흐를 수 있다. 이는 유기발광소자의 방출 출력을 감소시킬 수 있으며, 상당한 경우에 유기발광소자가 작동하지 않을 수 있다. 또한, 넓은 면적의 유기물에 분산되어 흐르던 전류가 단락 발생지점으로 집중되어 흐르게 되면 국부적으로 높은 열이 발생하게 되어, 소자가 깨지거나 화재가 발생할 위험이 있다.
그러나, 본 명세서의 상기 단락 방지층은 단락 결함이 발생하기 전에는 보조 전극과 제1 전극 사이에 위치하여 전류 이동 통로의 역할을 하며, 상기 단락 방지층으로 인한 소자의 작동 전압의 상승을 최소화 할 수 있다. 그리고, 단락 결함이 발생한 경우에는 단락 발생 지점으로 적은 량의 전류만이 누설되도록 하여, 유기발광소자의 효율 저하를 막고 소자가 정상적으로 작동할 수 있도록 한다.
상기 단락 방지층은 단락 결함 발생시, 적정한 저항을 부가하여 전류가 단락 결함 부위를 통하여 빠져나가는 것을 막는 역할을 한다. 이를 위하여, 상기 단락 방지층은 단락 결함으로 인한 누설 전류 및 그와 관련한 발광 효율 손실을 감소시키기에 적절한 두께 및 저항률을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층과 상기 보조 전극은 서로 접하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 유기발광소자에 전압을 인가하는 경우, 상기 보조 전극과 상기 단락 방지층은 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층 면적과 동일하거나 그보다 작은 면적으로 단락 방지층 상에 형성될 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극을 통하여 상기 제1 전극으로 전류가 주입될 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극이 패턴화되어 있는 경우에는 상기 보조 전극을 통하여 각 발광 영역에 전류가 주입된다. 이 경우, 전류는 상기 보조 전극에 주입되어 상기 단락 방지층을 통하여 제1 전극으로 흐를 수 있다.
본 명세서의 유기발광소자는 상기 보조 전극에 전류를 주입하여 상기 단락 방지층을 통하여 제1 전극에 전류를 통하게 함으로써, 단락 발생시 제1 전극과 제2 전극이 접하여 과도한 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 단락 방지층의 저항에 의하여 단락 결함에 따른 과도한 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 보조 전극의 면저항은 1 Ω/□이하일 수 있다.
넓은 면적의 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나의 면저항이 필요 수준 이상으로 높을 경우, 전극의 위치별로 전압이 달라지게 될 수 있다. 이로 인하여 유기물층을 사이에 두는 제1 전극과 제2 전극의 전위차이가 위치에 따라 달라지게 되면, 유기발광소자의 휘도 균일성이 떨어질 수 있다. 그러므로, 필요 수준 이상으로 높은 면저항을 갖는 제1 전극 또는 제2 전극의 면저항을 낮추기 위하여, 보조 전극을 사용할 수 있다. 본 명세서의 상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□이하, 구체적으로는 1 Ω/□이하일 수 있고, 상기의 범위에서 상기 유기발광소자의 휘도 균일성은 높게 유지될 수 있다.
상기 제1 전극을 패턴화하거나, 발광 영역과 비발광 영역의 두께를 상이하게 하는 것에 의하여, 본 명세서의 상기 유기발광소자는 하나의 발광 영역에 주입될 수 있는 최대 전류량을 제어할 수 있다. 하나의 발광 영역에 주입되는 최대 전류량을 제어함에 의하여, 단락 결함 면적이 증가함에 따르는 누설전류의 양을 제한할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 단락 결함에 의한 유기발광소자 전체가 작동하지 않는 위험을 줄일 수 있으며, 단락 발생지점의 발광 영역만을 작동하지 않도록 할 수 있다. 나아가, 상기 단락 방지층이 없는 경우에는, 상기 제1 전극이 패턴화되어 있더라도, 상기 보조 전극을 통하여 단락 결함 지점으로 누설 전류가 흐르게 되어 유기발광소자 전체가 작동하지 않을 수 있다. 상기 작동이라 함은 발광을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극과 상기 유기물층 및/또는 상기 제2 전극 사이에 절연층이 추가로 구비될 수 있다.
상기 절연층은 패턴화된 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극을 감싸는 형태가 될 수 있다. 상기 절연층은 코팅 또는 포토리소그래피 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 절연층은 상기 단락 방지층이 제1 전극 및 보조 전극 외의 다른 층과 접하지 않도록 하는 역할을 할 수 있다. 나아가, 상기 절연층은 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 보조 전극이나 단락 방지층과 같은 도전체에 의한 소자의 불안정성을 완화하는 역할을 할 수도 있다.즉, 상기 절연층은 상기 보조 전극 및 상기 단락 방지층을 상기 유기물층 및 제2 전극과 전기적으로 절연하는 역할을 할 수 있다.
상기 절연층에 의하여 상기 보조 전극은 절연층 이외의 상기 단락 방지층 또는 기재에만 접하게 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 유기물층에 접하지 않을 수 있다.
상기 단락 방지층은 유기발광소자의 유기물층과 접하지 않고 형성될 수 있으며, 이는 절연층에 의하여 유기물층과 접하지 않을 수도 있다. 상기 단락 방지층이 유기물에 접하지 않으므로, 상기 단락 방지층의 재료는 폭 넓게 선택될 수 있는 장점이 있다. 예를 들어, 단락 방지층 상에 전하 주입층이 위치하는 경우에는 단락 방지층이 양호한 정공 주입기능을 가질 필요가 있으나, 본 명세서에서의 상기 단락 방지층은 유기물층과 접하지 않으므로, 상기와 같은 제한이 필요 없다. 또한, 발광 영역과 대응하지 않는 영역에 구비되므로, 광학적인 투명도에 관계없이 재료를 선택할 수 있다.
단락 방지층이 제1 전극 상의 전체 영역에 형성되는 경우, 단락 방지층의 구성 물질은 투명한 것이어야 하므로, 재료의 제약이 있다. 하지만, 본 명세서의 상기 단락 방지층은 제1 전극 상의 전체 영역에 형성되는 것이 아닌, 비발광 영역에 형성되므로, 단락 방지층의 재료는 투명 재료 및 불투명 재료 모두를 사용할 수 있는 장점이 있다.
그러므로, 상기 단락 방지층은 투명한 재료를 포함할 수도 있고, 불투명한 재료를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및/또는 상기 보조 전극은 유기발광소자의 비발광 영역에 위치할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 기판 상부의 전체 면적에 형성되지 않고, 기판 상부의 일부 면적에만 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 기판 자체의 결함에 의한 단락 방지 기능이 상실될 확률이 낮아진다.
기판에 심각한 결함이 있고 상기 결함 부위에 제1 전극과 단락 방지층과 보조 전극이 형성되어 있다면, 기판의 결함으로 인하여 단락 방지층이 기능을 하지 못하고 전류가 보조 전극에서 제1 전극으로 직접 흐르게 될 수 있는 문제가 있다. 구체적으로, 제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성되는 경우, 기판 표면의 결함에 따라 단락 방지층이 정상적으로 형성되지 않게 되어 단락 방지 기능을 원활하게 수행할 수 없다. 보다 구체적으로, 유기발광소자가 증착 공정으로 형성되는 경우, 기판 표면 상태의 영향을 많이 받게 된다. 즉, 기판 상의 이물질이 존재하는 상태에서 제1 전극, 단락 방지층, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 증착하게 되면, 이물질에 의하여 제1 전극과 제2 전극이 접하는 영역이 발생하게 되어 단락 방지층이 단락방지의 역할을 할 수 없게 되고, 유기발광소자는 작동을 할 수 없게 되는 경우가 발생한다.
그러므로, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 기재 면적 중에서 단락 방지층이 차지하는 면적을 최소화하여 기판의 결함으로 인한 단락 방지층의 기능 상실을 최소화할 수 있다. 나아가, 제1 전극만이 형성되어 있는 지점에 기판의 결함으로 인하여 단락이 발생하더라도, 단락 방지층이 기능을 수행하여 유기발광소자 전체가 발광하지 않는 경우를 방지할 수 있다.
제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성되고, 단락방지층 상의 전체 면적에 유기물층이 형성되는 경우, 단락 방지층의 재료가 투명이어야만 하는 단점 이외에도 단락 결함 면적이 커질수록 누설 전류의 크기가 증가하는 문제도 발생한다. 이와 같은 문제점은 도 18의 그래프에 도시하였다. 도 18은 제1 전극의 전체 영역에 단락방지층이 형성되는 경우, 단락 결함 면적에 따른 부정적인 영향을 나타낸 것이다.
구체적으로, 도 18은 유기발광소자의 작동 전압이 6 V이고, 작동 전류 밀도가 2 ㎃/㎠이며, 제1 전극의 크기가 10 × 10 ㎠이고, 단락 방지층의 체적 저항이 300,000 Ω이며, 단락 방지층의 두께가 100 nm 일 때, 단락 결함 영역의 지름이 증가함에 따른 정상 소자의 전류 대비 단락에 의한 누설 전류를 백분율로 나타낸 것이다. 도 18에서 알 수 있듯이, 단락 방지층이 제1 전극 상의 전체 면적에 형성된 경우, 단락 결함 영역의 지름이 커질수록 누설 전류에 따른 부정적인 영향이 급격히 커지는 것을 알 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어질 수 있으며, 각 셀은 단락 방지층을 통하여 전기적으로 연결되므로, 단락의 크기와 관계 없이 단락이 발생하는 셀에 접하는 단락 방지층이 누설 전류를 효과적으로 차단하는 장점이 있다.
나아가, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어질 수 있으므로, 기판의 결함에 따른 어느 하나의 셀 영역에서 단락이 발생하여도, 단락이 발생하지 않은 셀은 정상적으로 발광을 할 수 있는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 제1 전극이 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어진 경우, 각 셀간의 저항은 70 Ω 이상일 수 있으나, 패턴화되지 않은 경우 인접하는 제1 전극의 저항은 10 Ω 이하의 수준에 불과하다. 그러므로, 패턴화되지 않은 제1 전극 상의 일부영역에 단락이 발생한 경우, 누설 전류가 단락 발생 영역으로 흐르게 되어 누설 전류를 제어할 수 없을 수 있다. 즉, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 상기 각 셀은 단락 방지층을 통하여 전류를 공급받으므로, 단락 결함이 발생한 경우, 효과적으로 누설 전류를 제어할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비된 단락 방지층; 보조 전극으로서, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에는 상기 단락 방지층이 구비된 것인 보조 전극을 포함하고, 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 패턴으로 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비된 단락 방지층; 보조 전극으로서, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에는 상기 단락 방지층이 구비된 것인 보조 전극을 포함하고, 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 단락 방지층은 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 정상적인 작동 전압을 유지할 수 있다. 또한, 단락 방지 기능을 수행할 수 있으며, 단락이 발생한 경우에도 유기발광소자가 정상 범위 내에서 작동할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항은 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하일 수 있다.
상기 저항 범위는 상기 유기발광소자가 서로 이격된 2이상의 셀을 포함하는 경우, 각각의 셀에 위치하는 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위일 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 하나의 셀로부터 다른 하나의 셀까지의 저항은 140 Ω 이상 600,000 Ω 이하일 수 있다.
상기 단락 방치층의 저항은 하기 기술하는 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It)의 적정 범위 내에서 구할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 탄소 분말; 탄소 피막; 전도성 고분자; 유기 고분자; 금속; 금속 산화물; 무기 산화물; 금속 황화물; 및 절연 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 지르코늄 산화물(ZrO2), 니크롬(nichrome), 인듐 주석 산화물(ITO), 아연 황화물(ZnS), 및 실리콘 이산화물(SiO2)로 이루어진 군에서 선택되는 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 평면 형태의 상기 유기발광소자를 수많은 패턴의 셀로 분리하여, 각 셀에 단락 방지층을 통하여 전류가 주입되도록 할 수 있다.
본 명세서에서 A(㎠)는 유기발광소자에서 전체 발광면적을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 Vo(V)은 단락 결함이 없는 상태에서 작동 전류밀도가 Io(㎃/㎠)일 때의 단락 방지층을 적용하지 않은 유기발광소자의 작동 전압을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 Vt(V)는 단락 결함이 없는 상태에서 작동 전류밀도가 Io(㎃/㎠)일 때의 단락 방지층을 적용한 유기발광소자의 작동 전압을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 전체 발광면적 A(㎠)을 ncell개로 나누어 패턴화된 각각의 셀로 만든 후, 각각의 셀에 단락 방지층을 직렬 연결하고, 이 모든 조합을 각각 전원과 병렬 연결할 수 있다. 이에 대한 회로도는 도 2에 나타내었다.
도 1은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
본 명세서에서 단락 결함이 없는 상태에서 유기발광소자의 작동 전류(It)(mA)는 하기의 식으로 나타낼 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000001
상기 Icell은 유기발광소자가 정상 작동시의 하나의 셀에 작동하는 전류(mA)를 의미한다.
본 명세서에서 패턴화된 셀의 총 수(ncell)는 하기와 같이 나타낼 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000002
상기 Acell은 패턴화된 셀의 면적을 의미한다.
본 명세서에서 유기발광소자의 전체 면적에 인가되는 저항(Rorg)(Ω)은 하기와 같이 나타낼 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000003
본 명세서에서 Rcell-org(Ω)는 하나의 셀에서의 유기물 저항(Ω)을 의미한다.
패턴화된 각 셀마다 단락 방지층을 추가하게 되면, 유기발광소자를 작동할 때 전압이 상승하게 된다. 그러므로, 단락 방지층을 적용하더라도, 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 소자의 효율 저하가 크지 않도록 조절할 수 있다. 소자의 정상 작동 상태에서 단락 방지층이 추가함으로 발생하는 유기발광소자의 작동 전압 상승률은 하기의 식 1과 같이 나타낼 수 있다.
[식 1]
Figure PCTKR2013010414-appb-I000004
상기 식 1에서, 상기 Vt(V)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이고, 상기 Vo(V)는 단락 방지층이 적용되지 않고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이다.
상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo)은 하기의 식으로 계산할 수 있다. 여기서, Rcell-spl은 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Ω)을 의미한다. 구체적으로, 1 개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항을 의미할 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000005
상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo)은 하기의 식을 통하여 유도가 가능하다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000006
단락 방지층이 없는 유기발광소자의 경우, 단락 발생시의 정상적인 유기물층을 통해 흐르는 전류(mA)를 In이라고 하고, 단락 발생 지점으로 흐르는 전류(mA)를 Is로 하며, 단락 발생한 지점의 유기물의 저항(Ω)을 Rorg-s로 정의하는 경우, In 및 Is는 하기와 같이 나타낼 수 있다. 즉, 단락 방지층이 없는 유기발광소자가 단락이 발생하는 경우, Rorg-s의 값이 0에 가깝게 떨어지면서 설정된 모든 전류가 단락 지점(Is)으로 빠져나가게 된다. 그러므로, 정상적인 유기물층으로 전류가 흐르지 않으므로 소자는 발광하지 않는다. 이에 대하여, 도 3은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000007
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 단락 방지층이 각 셀에 구비된 유기발광소자의 경우, In-cell을 단락 발생시 정상적인 발광 영역을 통해 흐르는 전류(㎃)로 정의할 때, 각 병렬 연결된 회로의 전압은 동일하고, 모든 병렬 회로의 전류의 합은 It(소자의 작동 전류)와 같다. 이는 하기의 식으로 확인할 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000008
또한, 누설 전류는 하기와 같이 구할 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000009
따라서, 본 명세서의 상기 유기발광소자에서, 하나의 발광 영역의 유기물층이 단락(Rcell-s=0)이 되더라도, 상기 식에서 알 수 있듯이 분모의 값이 충분히 커지면 누설 전류의 양을 크게 줄일 수 있다. 이에 대하여, 도 4는 본 명세서의 일 실시예의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
나아가, 소자의 작동 전류(It) 대비 누설 전류(Is) 수치는 하기의 식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[식 2]
Figure PCTKR2013010414-appb-I000010
상기 식 2에서, 상기 It(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 동일 유기물 구조의 유기발광소자의 작동 전류이고, 상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 있는 유기발광소자의 결함 영역에서의 누설 전류이다. 또는, 상기 제1 전극이 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 패턴으로 형성되는 경우, 상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 어느 하나의 셀에서 단락 결함이 있는 영역에서의 누설 전류이다.
상기 소자의 작동 전류(It) 대비 누설 전류(Is) 수치는 하기의 식을 통하여 구할 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000011
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 유기발광소자의 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo; 식 1) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It; 식 2)가 동시에 0.03 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 단락 방지층은 상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It) 가 동시에 0.01 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 1 ㎃/㎠ 내지 5 ㎃/㎠ 의 어느 한 값의 전류밀도에서, 상기 단락 방지층은 상기 식 1 및 상기 식 2의 수치가 동시에 0.03 이하 또는 0.01 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다.
모든 조건이 동일한 경우에는 패턴화된 셀의 총 수(ncell)를 증가 시킬수록 위의 두 특성치 (작동 전압 상승율((Vt-Vo)/Vo)과 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It)가 낮은 값을 갖게 되어 최고의 효과를 얻을 수 있다. 하지만, 패턴화된 발광 영역의 총 수를 크게 하기 위해서는 공정의 정밀도가 높아져야 하는 어려움이 있기 때문에 현실적으로 적용 가능한 수준에서 패턴화된 발광 영역의 수를 결정할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적저항률(ρslp)(Ω㎝)은 하기의 식으로 구할 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000012
본 명세서 및 상기 식에서, Aspl(㎠)는 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적을 의미할 수 있다. 즉, 하나의 제1 전극 상에 형성된 단락 방지층의 면적 중에서, 단락 방지층 상부에 형성된 보조 전극의 면적과 겹치는 면적을 의미할 수 있다.
상기 Rcell-spl은 1개의 전도성 유닛에서의 단락 방지부의 저항(Ω)을 의미한다.
상기 tslp(㎛)는 단락 방지층의 두께를 의미한다.
구체적으로, Aspl(㎠)는 단락 방지층이 제1 전극과 보조 전극 사이에 위치하는 경우, 하부의 제1 전극과 상부의 보조 전극에 동시에 겹쳐지는 단락 방지층의 면적을 의미할 수 있다. 일 예로, 제1 전극 상에 단락 방지층 전체 하부면이 접하여 형성되고, 상기 단락 방지층 상부 전체면에 보조 전극이 접하여 형성된 경우, Aspl(㎠)는 제1 전극과 겹치는 단락 방지층의 면적이 될 수 있다. 또 하나의 일 예로, 제1 전극 상에 단락 방지층 전체 하부면이 접하여 형성되고, 상기 단락 방지층 일부 상부면에 보조 전극이 형성된 경우, Aspl(㎠)는 제1 전극과 보조 전극이 동시에 겹치는 단락 방지층의 면적이 될 수 있다.
본 명세서 및 상기 식에서, tslp(㎛)는 단락 방지층의 두께를 의미한다. 즉, 단락 방지층이 제1 전극 상에 형성되는 경우, 제1 전극 상부면을 기준으로 수직 방향의 두께를 의미할 수 있다.
상기 식에서 알 수 있는 바와 같이, 하나의 셀에 형성된 단락 방지층의 체적 저항률(ρslp)은 하나의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl), 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl) 및 단락 방지층의 두께 (tslp)에 의하여 결정될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적 저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 단락 방지층은 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 정상적인 작동 전압을 유지할 수 있다. 또한, 단락 방지 기능을 수행할 수 있으며, 단락이 발생한 경우에도 유기발광소자가 정상 범위 내에서 작동할 수 있다. 상기 체적 저항률은 하기와 같이 구할 수 있다. 다만, 본 명세서의 일 실시예에 따른 상기 체적 저항률의 범위는, 단락 방지 기능을 수행하기 위하여 필요로 하는 상기 단락 방지층의 저항이 상기 단락 방지층의 체적저항에 의하여만 결정되는 경우의 범위일 수 있다. 그러므로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층과 상기 제1 전극, 또는 상기 단락 방지층과 상기 보조 전극간의 접촉 저항이 무시하지 못할 정도로 큰 경우, 상기 체적 저항률의 범위는 상기 수치보다 낮아질 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항의 범위는 140 Ω 이상 300,000 Ω 이하이고, 상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하이며, 하나의 셀의 면적은 300 × 300 ㎛2 내지 3 × 3 ㎜2인 경우, 상기 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl)은 하나의 셀 면적의 1 % 내지 30 % 수준에서 결정될 수 있다. 그러므로, 상기 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl)은 9 × 10-6 cm2 (300㎛ × 300㎛ × 0.01) 내지 2.7 × 10-2 cm2 (0.3㎝ × 0.3cm × 0.3)이 될 수 있다. 이 경우, 상기 단락 방지층의 체적 저항률은 하기의 식과 같이 구해질 수 있다.
Figure PCTKR2013010414-appb-I000013
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 즉 상기 보조 전극은 금속 보조 전극일 수 있다.
상기 보조 전극은 일반적으로 모든 금속을 사용할 수 있다. 구체적으로 전도도가 좋은 알루미늄, 구리 및/또는 은을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극은 투명전극과의 부착력 및 포토공정에서 안정성을 위하여 알루미늄을 사용할 경우, 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄 층을 사용할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 투명전극일 수 있다.
상기 제1 전극이 투명전극인 경우, 상기 제1 전극은 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연인듐(IZO) 등과 같은 전도성 산화물일 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극은 반투명 전극일 수도 있다. 상기 제1 전극이 반투명 전극인 경우, Ag, Au, Mg, Ca 또는 이들의 합금 같은 반투명 금속으로 제조될 수 있다. 반투명 금속이 제1 전극으로 사용되는 경우, 상기 유기발광소자는 미세공동구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 적어도 1층의 발광층을 포함한다. 또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함하고, 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 차단층; 전하 발생층; 전자 차단층; 전자 수송층; 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 전하 발생층(Charge Generating layer)은 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 말한다.
상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 또한, 상기 기판은 기판 자체에 광산란 기능이 포함되어 있는 것일 수 있다. 다만, 상기 기판은 이에 한정되지 않으며, 유기발광소자에 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드일 수 있다.
상기 애노드로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 재료는 애노드에만 한정되는 것이 아니며, 캐소드의 재료로 사용될 수 있다.
상기 캐소드로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드의 재료는 캐소드에만 한정되는 것은 아니며, 애노드의 재료로 사용될 수 있다.
본 명세서에 따른 상기 정공 수송층 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 발광층 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 전자 수송층 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 및 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 봉지층으로 밀폐되어 있을 수 있다.
상기 봉지층은 투명한 수지층으로 형성될 수 있다. 상기 봉지층은 상기 유기발광소자를 산소 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하며, 상기 유기발광소자의 발광을 저해하지 않도록 투명한 재질일 수 있다. 상기 투명은 60 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 75 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다.
도 5은 본 명세서의 일 실시예 중 하나인 유기발광소자를 도시한 것이다. 도 5에서 도시된 바와 같이 본 명세서의 유기발광소자는 일반적인 유기발광소자와 같이 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기물층이 위치할 수 있다. 또한, 보조 전극 및 단락 방지층은 유기물층과 직접 접하지 않는다.
도 5은 본 명세서의 일 실시예 중 하나인 유기발광소자를 도시한 것이다. 도 5에서 도시된 바와 같이 본 명세서의 유기발광소자는 일반적인 유기발광소자와 같이 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기물층이 위치할 수 있다. 또한, 보조 전극 및 단락 방지층은 유기물층과 직접 접하지 않는다.
도 6는 본 명세서의 일 실시예 중 하나인 유기발광소자의 단면도 등을 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 광산란층을 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판과 상기 제1 전극 사이에 광산란층을 더 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 평탄층을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 평탄층은 상기 제1 전극과 상기 광산란층 사이에 구비될 수 있다.
또는, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 기판의 제1 전극이 구비된 면에 대향하는 면에 광산란층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 광산란을 유도하여, 상기 유기발광소자의 광산란 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조, 요철을 가진 필름, 및/또는 헤이즈(hazeness)를 갖는 필름일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플랙시블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 단락 방지층 상에 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 보조 전극 상에 단락 방지층을 형성하는 단계; 제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 단락 방지층 상에 보조 전극을 형성하는 단계; 제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층을 형성하는 단계는 상기 단락 방지층이 기판 상에 형성되는 단계일 수 있다. 또는, 상기 단락 방지층이 제1 전극 상에 형성되는 단계일 수 있다. 또는, 상기 단락 방지층의 일부는 상기 기판 상에 형성되고, 나머지 일부는 상기 제1 전극 상에 형성되는 단계일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 기판 상에 형성된 후에 상기 제1 전극이 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 상기 기판 상에 형성된 후에 상기 단락 방지층이 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 상기 기판 상에 형성될 수 있다. 또는, 상기 유기물층은 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극이 형성된 후에, 이를 덮는 형태로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 상기 제1 전극을 형성하는 단계는 제1 전극을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 도 7은 상기 패터닝 단계를 거친 후의 제1 전극을 도시한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 단락 방지층을 형성하는 단계 및 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 단락 방지층을 전면층으로 형성하는 단계; 상기 보조 전극층을 전면층으로 형성하는 단계; 및 상기 전면층으로 형성된 단락 방지층 및 상기 보조 전극층을 동시에 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 도 8는 제1 전극 상에 단락 방지층 및 금속 전극층을 형성한 후, 이를 패터닝한 후를 도시한 것이다.
본 명세서의 패터닝된 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극은 여러가지 디자인으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 하나의 셀에서 단락 방지층 상에 보조전극이 형성된 패턴이 제1 전극의 1 이상 모서리에 접할 수 있다. 또는, 단락 방지층 상에 보조전극이 형성된 패턴이 하나의 셀을 관통하여 제1 전극에 접할 수도 있다. 이에 대한 구체적인 예시는 도 16에 나타내었다. 나아가, 도 17에서는 기판 상에 구비된 패터닝된 제1 전극의 어느 하나의 셀에 구비된 단락 방지층 및 보조전극의 단면을 예시하였다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 보조 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 도 9는 상기 절연층을 형성한 후를 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극을 형성한 후, 봉지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 유기발광소자의 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위에 대하여 하기의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 다만, 하기의 실시예는 본 명세서의 내용을 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100 cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 1과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 10에 나타내었다.
본 명세서에서, 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It)를 %로 나타내는 경우, 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It)에 100을 곱한 값을 의미한다.
표 1
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7% 0.0%
134 13.0% 0.1%
181 10.0% 0.1%
243 7.6% 0.1%
327 5.8% 0.1%
439 4.4% 0.2%
590 3.3% 0.2%
794 2.5% 0.3%
1,067 1.8% 0.4%
1,435 1.4% 0.6%
1,929 1.0% 0.8%
2,593 0.8% 1.1%
3,486 0.6% 1.4%
4,686 0.4% 1.9%
6,300 0.3% 2.6%
8,469 0.2% 3.4%
11,386 0.2% 4.6%
15,307 0.1% 6.2%
20,578 0.1% 8.3%
27,665 0.1% 11.2%
37,192 0.1% 15.1%
50,000 0.0% 20.3%
[실시예 2] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 900cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.1E+05 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 2와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 11에 나타내었다.
표 2
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
10 18.2% 0.0%
15 12.9% 0.0%
23 9.0% 0.0%
34 6.2% 0.0%
51 4.2% 0.0%
76 2.8% 0.0%
114 1.9% 0.0%
171 1.3% 0.1%
257 0.9% 0.1%
385 0.6% 0.2%
577 0.4% 0.2%
866 0.3% 0.4%
1,299 0.2% 0.5%
1,949 0.1% 0.8%
2,924 0.1% 1.2%
4,387 0.1% 1.8%
6,581 0.0% 2.7%
9,872 0.0% 4.0%
14,810 0.0% 6.0%
22,217 0.0% 9.0%
33,329 0.0% 13.5%
50,000 0.0% 20.3%
[실시예 3] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 6mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 3과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 12에 나타내었다.
표 3
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
50 16.7% 0.0%
67 13.0% 0.1%
90 10.0% 0.1%
121 7.6% 0.1%
163 5.8% 0.1%
220 4.4% 0.2%
295 3.3% 0.2%
397 2.5% 0.3%
534 1.8% 0.4%
717 1.4% 0.6%
964 1.0% 0.8%
1,296 0.8% 1.1%
1,743 0.6% 1.4%
2,343 0.4% 1.9%
3,150 0.3% 2.6%
4,235 0.2% 3.4%
5,693 0.2% 4.6%
7,653 0.1% 6.2%
10,289 0.1% 8.3%
13,832 0.1% 11.2%
18,596 0.1% 15.1%
25,000 0.0% 20.3%
[실시예 4] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 450㎛로 하여, ncell은 약 4.9E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 4와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 13에 나타내었다.
표 4
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7% 0.0%
144 12.2% 0.0%
206 8.8% 0.0%
296 6.3% 0.0%
425 4.5% 0.0%
611 3.2% 0.1%
877 2.2% 0.1%
1,260 1.6% 0.1%
1,809 1.1% 0.2%
2,599 0.8% 0.3%
3,732 0.5% 0.4%
5,359 0.4% 0.5%
7,697 0.3% 0.8%
11,053 0.2% 1.1%
15,874 0.1% 1.6%
22,797 0.1% 2.3%
32,739 0.1% 3.3%
47,018 0.0% 4.8%
67,523 0.0% 6.8%
96,972 0.0% 9.8%
139,264 0.0% 14.1%
200,000 0.0% 20.3%
[실시예 5] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 9V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 5와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 14에 나타내었다.
표 5
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 23.1% 0.0%
137 17.9% 0.0%
189 13.7% 0.1%
260 10.4% 0.1%
357 7.8% 0.1%
491 5.8% 0.1%
675 4.3% 0.2%
928 3.1% 0.3%
1,276 2.3% 0.3%
1,755 1.7% 0.5%
2,412 1.2% 0.7%
3,316 0.9% 0.9%
4,559 0.7% 1.2%
6,268 0.5% 1.7%
8,618 0.4% 2.3%
11,848 0.3% 3.2%
16,288 0.2% 4.4%
22,393 0.1% 6.0%
30,787 0.1% 8.3%
42,326 0.1% 11.4%
58,190 0.1% 15.7%
80,000 0.0% 21.6%
[실시예 6] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 900cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 300㎛로 하여, ncell은 약 1.0E+06 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 9V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 1mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell-spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 6과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 15에 나타내었다.
표 6
Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
40 20.0% 0.0%
67 13.0% 0.0%
112 8.2% 0.0%
188 5.1% 0.0%
314 3.1% 0.0%
526 1.9% 0.0%
880 1.1% 0.0%
1,474 0.7% 0.0%
2,467 0.4% 0.0%
4,130 0.2% 0.0%
6,913 0.1% 0.1%
11,572 0.1% 0.1%
19,373 0.1% 0.2%
32,430 0.0% 0.3%
54,288 0.0% 0.5%
90,880 0.0% 0.9%
152,134 0.0 1.5%
254,676 0.0% 2.5%
426,333 0.0% 4.3%
713,689 0.0% 7.1%
1,194,729 0.0% 11.9%
2,000,000 0.0% 20.0%
유기발광소자에서 사용될 수준에서 필요로 하는 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위는 상기 실시예 1 내지 6 및 이에 의하여 예상되는 바와 같이 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하의 수준으로 확인할 수 있다.
[부호의 설명]
1: 기판
2: 제1 전극
3: 단락 방지층
4: 보조 전극
5: 절연층
6: 유기물층
7: 제2 전극
8: 봉지

Claims (39)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 구비된 제1 전극;
    상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;
    상기 제1 전극의 보조전극; 및
    상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비된 것인 유기발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층의 적어도 일부에 접하여 구비되며, 상기 보조 전극은 상기 제1 전극에 직접 접하지 않는 것인 유기발광소자.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 상면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비되거나; 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 측면 및 하면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 하면에 접하여 구비된 것인 유기발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 단락 방지층이 상기 제1 전극 또는 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비되거나; 상기 보조 전극이 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 단락 방지층이 상기 보조 전극과 상기 제1 전극 사이에 구비된 것인 유기발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되거나, 2 이상의 셀로 형성된 것인 유기발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 셀 중 적어도 하나는 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고, 상기 발광 영역에서의 두께와 상기 비발광 영역의 두께가 서로 동일하거나 서로 상이한 것인 유기발광소자.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 전극은 2 이상의 셀이고, 각각의 상기 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성된 것인 유기발광소자.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비된 것인 유기발광소자.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극과 상기 유기물층 또는 상기 제2 전극 사이에 절연층이 추가로 구비된 것인 유기발광소자.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극은 상기 유기발광소자의 비발광 영역에 위치하는 것인 유기발광소자.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 30 % 이상인 것인 유기발광소자.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하인 것인 유기발광소자.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층의 체적저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하인 것인 유기발광소자.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층은 탄소 분말; 탄소 피막; 전도성 고분자; 유기 고분자; 금속; 금속 산화물; 무기 산화물; 금속 황화물; 및 절연 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것인 유기발광소자.
  17. 청구항 9에 있어서,
    하나의 셀에 형성된 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항은 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하인 것인 유기발광소자.
  18. 청구항 9에 있어서,
    하나의 셀로부터 다른 하나의 셀까지의 저항은 140 Ω 이상 600,000 Ω 이하인 것인 유기발광소자.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 전극의 면저항이 3 Ω/□ 이하인 것인 유기발광소자.
  20. 청구항 1에 있어서,
    1 ㎃/㎠ 내지 5 ㎃/㎠ 의 어느 한 값의 전류밀도에서, 상기 단락 방지층은 하기 식 1의 작동 전압 상승률 및 하기 식 2의 작동 전류 대비 누설 전류의 수치가 동시에 0.03 이하를 만족하도록 하는 두께 방향 저항값을 갖는 것인 유기발광소자:
    [식 1]
    Figure PCTKR2013010414-appb-I000014
    [식 2]
    Figure PCTKR2013010414-appb-I000015
    (상기 Vt(V)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이고,
    상기 Vo(V)는 단락 방지층이 적용되지 않고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이며,
    상기 It(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 동일 유기물 구조의 유기발광소자의 작동 전류이고,
    상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 있는 유기발광소자의 결함 영역에서의 누설 전류이다.)
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명 전극인 것인 유기발광소자.
  22. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 전극은 금속 보조 전극인 것인 유기발광소자.
  23. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기물층은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함하고, 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 차단층; 전하 발생층; 전자 차단층; 전자 수송층; 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 봉지층으로 밀폐되는 것인 유기발광소자.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광하는 것인 유기발광소자.
  26. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비된 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 광산란층은 평탄층을 포함하는 것인 유기발광소자.
  28. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  29. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자인 것인 유기발광소자.
  30. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  31. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 조명장치.
  32. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항의 유기발광소자의 제조방법에 있어서,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법.
  33. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 단락 방지층 상에 보조 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  34. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극 상에 단락 방지층을 형성하는 단계;
    제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  35. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 단락 방지층 상에 보조 전극을 형성하는 단계;
    제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  36. 청구항 32에 있어서,
    상기 제1 전극을 형성하는 단계는 제1 전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  37. 청구항 32에 있어서, 상기 단락 방지층을 형성하는 단계 및 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는
    상기 단락 방지층을 전면층으로 형성하는 단계;
    상기 보조 전극층을 전면층으로 형성하는 단계; 및
    상기 전면층으로 형성된 단락 방지층 및 상기 보조 전극층을 동시에 패터닝하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  38. 청구항 32에 있어서,
    상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 단락 방지층 및 보조 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  39. 청구항 32에 있어서, 상기 제2 전극을 형성한 후, 봉지하는 단계를 더 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
PCT/KR2013/010414 2012-11-16 2013-11-15 유기발광소자 및 이의 제조방법 WO2014077627A1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015542953A JP6486829B2 (ja) 2012-11-16 2013-11-15 有機発光素子およびその製造方法
EP13838094.4A EP2765626B1 (en) 2012-11-16 2013-11-15 Organic light-emitting element, and method for manufacturing same
CN201380060179.3A CN104798222B (zh) 2012-11-16 2013-11-15 有机发光元件及其制造方法
US14/701,069 US9601555B2 (en) 2012-11-16 2015-04-30 Organic light emitting device and method for manufacturing the same
US15/422,081 US9954195B2 (en) 2012-11-16 2017-02-01 Organic light emitting device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0130055 2012-11-16
KR20120130055 2012-11-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/701,069 Continuation US9601555B2 (en) 2012-11-16 2015-04-30 Organic light emitting device and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014077627A1 true WO2014077627A1 (ko) 2014-05-22

Family

ID=50731465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/010414 WO2014077627A1 (ko) 2012-11-16 2013-11-15 유기발광소자 및 이의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9601555B2 (ko)
EP (1) EP2765626B1 (ko)
JP (1) JP6486829B2 (ko)
KR (1) KR101477929B1 (ko)
CN (1) CN104798222B (ko)
TW (1) TWI614925B (ko)
WO (1) WO2014077627A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI777545B (zh) * 2021-05-06 2022-09-11 友達光電股份有限公司 發光裝置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2960961B1 (en) * 2013-04-01 2022-03-09 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting element
KR101946905B1 (ko) * 2014-05-13 2019-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR101854701B1 (ko) * 2016-05-31 2018-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그의 제조 방법
KR20180035272A (ko) * 2016-09-28 2018-04-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106711341B (zh) * 2016-12-05 2019-03-29 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN107275510A (zh) * 2017-04-20 2017-10-20 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法
KR102321724B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR20190006835A (ko) * 2017-07-11 2019-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102321663B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102326303B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치
CN109427993A (zh) * 2017-08-29 2019-03-05 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN109950273B (zh) * 2017-12-20 2021-06-11 固安翌光科技有限公司 一种发光元件串接的oled照明屏体及制备方法
US10535840B2 (en) 2018-01-26 2020-01-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays
KR102576752B1 (ko) * 2018-06-29 2023-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치
KR20200062445A (ko) 2018-11-26 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111863918B (zh) * 2020-07-29 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001338770A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Tohoku Pioneer Corp 発光表示装置及びその製造方法
JP2005166671A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子
KR20060130729A (ko) 2004-04-12 2006-12-19 이스트맨 코닥 캄파니 단락이 감소된 유기 발광 다이오드 장치
JP2011513925A (ja) * 2008-03-07 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子
KR20110102373A (ko) * 2008-11-25 2011-09-16 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 발광 다이오드에서의 단락 방지

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11339970A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
US6713955B1 (en) * 1998-11-20 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device having a current self-limiting structure
JP2001006881A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Toray Ind Inc 有機電界発光装置
JP2001196191A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光ディスプレイおよびその製造方法
KR100498087B1 (ko) * 2002-08-13 2005-07-01 대우전자서비스주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법
JP2004152699A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明装置
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
TWI286447B (en) * 2004-09-30 2007-09-01 Ritdisplay Corp Organic electroluminescent device and electrode substrate thereof
JP4561490B2 (ja) * 2004-12-24 2010-10-13 株式会社豊田自動織機 エレクトロルミネッセンス素子
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7851995B2 (en) * 2006-05-05 2010-12-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
JP5618495B2 (ja) * 2008-05-16 2014-11-05 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP2010056075A (ja) * 2008-07-29 2010-03-11 Sony Corp 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2010067861A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 昭和電工株式会社 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5707928B2 (ja) * 2010-12-21 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 照明装置、その製造方法、及び電子機器
CN103348477B (zh) * 2011-01-12 2017-02-08 环球展览公司 具有短路容许结构的oled照明装置
JP5546480B2 (ja) * 2011-03-08 2014-07-09 株式会社東芝 有機電界発光素子及びその製造方法
EP2551865A3 (en) * 2011-07-29 2016-05-25 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Photoelectric conversion element and solar cell
US9123667B2 (en) * 2011-10-04 2015-09-01 Universal Display Corporation Power-efficient RGBW OLED display
JP2012142301A (ja) * 2012-03-21 2012-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001338770A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Tohoku Pioneer Corp 発光表示装置及びその製造方法
JP2005166671A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子
KR20060130729A (ko) 2004-04-12 2006-12-19 이스트맨 코닥 캄파니 단락이 감소된 유기 발광 다이오드 장치
JP2011513925A (ja) * 2008-03-07 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子
KR20110102373A (ko) * 2008-11-25 2011-09-16 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 발광 다이오드에서의 단락 방지

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2765626A4

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI777545B (zh) * 2021-05-06 2022-09-11 友達光電股份有限公司 發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140063473A (ko) 2014-05-27
EP2765626A1 (en) 2014-08-13
KR101477929B1 (ko) 2014-12-30
EP2765626B1 (en) 2019-04-03
TWI614925B (zh) 2018-02-11
US20170149013A1 (en) 2017-05-25
CN104798222A (zh) 2015-07-22
JP2015535138A (ja) 2015-12-07
US20150255526A1 (en) 2015-09-10
US9601555B2 (en) 2017-03-21
JP6486829B2 (ja) 2019-03-20
EP2765626A4 (en) 2015-07-29
CN104798222B (zh) 2017-04-05
TW201436329A (zh) 2014-09-16
US9954195B2 (en) 2018-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014077627A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2014178547A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2015174669A1 (ko) 유기발광소자
WO2014185736A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2014163369A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2015174797A1 (ko) 유기발광소자
WO2015174673A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2014104702A1 (en) Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device
WO2013180503A1 (ko) 유기발광소자
WO2015174672A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2016099067A1 (ko) 유기발광소자
WO2013154342A1 (ko) 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명 기구와 디스플레이 장치
WO2015174796A1 (ko) 유기발광소자
WO2016159603A1 (ko) 온도센서, 온도센서 제조방법 및 온도센서가 적용된 표시장치
WO2019045252A1 (ko) 유기 전계 발광 소자
WO2013180540A1 (ko) 유기전계발광소자
WO2013176521A1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
WO2013180539A1 (ko) 유기전계발광소자
WO2015174676A1 (ko) 유기발광소자
WO2020149474A1 (ko) 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2015137771A1 (ko) 유기발광소자
WO2013180545A1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
WO2016182283A1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
WO2015163719A1 (ko) 유기발광소자
WO2013180542A1 (ko) 적층형 유기전계발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013838094

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015542953

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE