TW201436329A - 有機發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種有機發光裝置(OLED)及該OLED之製備方法。

Description

有機發光裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光裝置(organic light emitting device，OLED)以及該OLED之製備方法。本申請案主張於2012年11月16日向韓國專利局提出之韓國專利第10-2012-0130055號申請案之優先權，其中揭露之內容全部併入本案參考。
有機發光現象意指一種使用有機材料將電能轉換為光能之現象。意即，當設置一適當的有機層於一陽極及一陰極間，然後施加電壓於兩個電極時，電洞係由該陽極注入該有機層且電子由該陰極注入該有機層。當注入之電洞及電子彼此相遇，即產生激子，且當該激子再度落至基態時，即產生光線。
由於該陽極及該陰極間之間隔小，有機發光裝置(OLED)容易有短路缺陷。因該OLED結構中之針孔、裂痕、段差及塗佈粗糙度等，該陽極及該陰極可彼此直接接觸。抑或，於該缺陷區域中，有機層之厚度變得較薄。該缺陷區域提供電流容易流過之較低阻抗路徑，從而在極端 情況下，使電流幾乎不留過或絕不留過該OLED。據此，該OLED之發光輸出降低或消失。於多像素顯示裝置中，該短路缺陷可產生一部發射光線或發射光線低於平均光強度之死像素，從而劣化該顯示器品質。在照明或其他低解析度用途的情況中，對應區域之大部分可能因短路缺陷而無法操作。考量短路缺陷，該OLED之製備通常於無塵室中進行。然而，即便無塵環境可能也無法有效地去除短路缺陷。在大多的情況中，係藉由增加兩電極間之間隔以減少短路缺陷數量，然而與操作OLED所需厚度相比，可能不必要地增加該有機層之厚度。這樣的方法可能增加製造該OLED之花費。此外，該方法可能無法完全地去除短路缺陷。
[先前技術參考]
韓國專利第10-2006-0130729號(公開日：2006年12月19日)
本發明發明人提供一種有機發光裝置(organic light emitting device，OLED)，該有機發光裝置即便於存在一可導致短路缺陷的因素的情況中(意即，即使短路發生時)，亦可於正常地操作，以及該OLED之製備方法。
本發明一實施態樣提供一種有機發光裝置(organic light emitting device，OLED)，包括：一基板；一第一電極，設置於該基板上；一第二電極，設置以面向該第 一電極；至少一有機層，設置於該第一電極及該第二電極之間；一第一電極之輔助電極；以及一短路保護層，設置以接觸至少一部分之該第一電極，並設置於該輔助電極及該第一電極之間。
該OLED之電流可於該輔助電極、該短路保護層、該第一電極、該有機層、及該第二電極之方向，或其相反方向上流動。
該第一電極可由一個單元形成或由至少兩個單元形成。
本發明另一實施態樣提供一種OLED之製備方法。具體而言，本發明另一實施態樣提供一種OLED之製備方法，其包括：準備一基板；形成一第一電極於該基板上；形成一短路保護層以接觸該第一電極之至少一部份；形成一輔助電極層，且該短路保護層設置於該第一電極及該輔助電極層之間；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成一第二電極於該有機層上。
此外，本發明又一實施態樣提供一種包含該OLED之顯示裝置。
此外，本發明又另一實施態樣提供一種包含該OLED之照明裝置。
本發明之一有機發光裝置(OLED)具有防止短路缺陷之功效。
此外，即便因基板自身之缺陷而發生短路時， 本發明之OLED可正常執行該OLED之功能。
此外，即使短路發生點之面積尺寸增加，本發明OLED可穩定操作而不會增加漏電流之電量。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一電極
3‧‧‧短路保護層
4‧‧‧輔助電極
5‧‧‧絕緣層
6‧‧‧有機層
7‧‧‧第二電極
8‧‧‧封裝層
圖1於有機發光裝置(OLED)中不存在短路保護層且不發生短路之情況之電路圖。
圖2例示於OLED包含根據本發明一示例型實施例之短路保護層中不發生短路之情況之電路圖。
圖3例示於不存在該短路保護層之OLED發生短路的情況之電路圖。
圖4例示於根據本發明之包含短路保護層之OLED中，發生短路之情況之電路圖。
圖5及圖6例示根據本發明一示例型實施例之OLED。
圖7例示根據本發明一示例型實施例之OLED之第一電極之圖案。
圖8例示於一根據本發明示例型實施例之OLED中，在形成一短路保護層及一輔助電極層於第一電極上並接著圖案化該短路保護層及該輔助電極層後所得之狀態。
圖9例示於根據本發明一示例型實施例之OLED中，於形成該絕緣層後所得之狀態。
圖10例示於根據本發明實施例1之OLED中，在一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電 壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖11例示於根據本發明實施例2之OLED中，於一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖12例示於根據本發明實施例3之OLED中，於一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖13例示於根據本發明實施例4之OLED中，於一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖14例示於根據本發明實施例5之OLED中，於一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖15例示於根據本發明實施例6之OLED中，於一單元上，基於一短路保護層厚度方向之阻抗(Rcell-spl)之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流之數值(Is/It)。
圖16及圖17例示於根據本發明一示例型實施例之OLED中，設置於一圖案化第一電極之一單元上之短路 保護層及輔助電極之實施例。
圖18例示在一短路保護層形成於第一電極之上表面之整個表面之情況中，因短路缺陷區域導致之不利影響。
以下，將詳細描述本發明。
本發明之一示例型實施例係提供一種有機發光裝置(organic light emitting device，OLED)，包括：一基板；一第一電極，設置於該基板上；一第二電極，設置以面向該第一電極；至少一有機層，設置於該第一電極及該第二電極之間；一第一電極之輔助電極；以及一短路保護層，設置以接觸該第一電極之至少一部分，並設置於該輔助電極及該第一電極之間。
再者，根據本發明一示例型實施例，該有機發光裝置之電流可於該輔助電極、該短路保護層、該第一電極、該有機層、及該第二電極之方向上流動。抑或，根據本發明一示例型實施例，該有機發光裝置之電流可於該第二電極、該有機層、該第一電極、該短路保護層、及該輔助電極之方向上流動。在此情況中，一外部電壓施加端可提供於該輔助電極及該第二電極。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可設置以接觸該第一電極之上表面、下表面、及側面之至少一者。
該短路保護層可形成以接觸該第一電極之上 表面、下表面、及側面之至少一者。再者，該短路保護層可形成以接觸該第一電極之部分上表面及部分側面。再者，該短路保護層可形成以接觸該第一電極之部分下表面及部分側面。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可設置以接觸該第一電極之上表面、下表面、及側面之至少一者，該輔助電極可設置以接觸至少一部分之該短路保護層，且該輔助電極可不直接接觸該第一電極。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可設置以接觸該第一電極之上表面及側面之至少一者，且該輔助電極可設置以接觸該短路保護層之上表面。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可設置以接觸該第一電極之側面及下表面之至少一者，且該輔助電極可設置以接觸該短路保護層之下表面。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可設置以接觸該第一電極或該基板之上表面，且該輔助電極可設置以接觸該短路保護層之上表面。
根據本發明一示例型實施例，該輔助電極可設置以接觸該基板之上表面，且該短路保護層可設置於該輔助電極及該第一電極之間。
本發明之一發光區意指一光由該有機層之發光層發射並通過該第一電極及/或該第二電極之區域。舉例而言，於根據本發明示例型實施例之OLED中，該發光區可形成於該第一電極之至少一部份之區域上，其中，該短路 保護層及/或該輔助電極不形成於該第一電極形成於該基板上之一區域上；再者，本發明之一非發光區可意指一除了發光區之外的剩餘區域。
根據本發明一示例型實施例，至少一單元可包括一發光區及一非發光區。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可由一個單元形成。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可由一個單元形成，且可包括一發光區及一非發光區，且該發光區之厚度及該非發光區之厚度可彼此相同或彼此不同。
根據本發明一示例型實施例，當該第一電極由一個單元形成時，該第一電極中的該發光區之厚度及該非發光區之厚度可彼此相同，且對應該輔助電極及/或該短路保護層之一區域可變為該非發光區且剩餘區域可變為該發光區。
根據本發明一示例型實施例，當該第一電極由一個單元形成時，該第一電極中的該發光區之厚度及該非發光區之厚度可彼此不同。該發光區可為具有相對厚之厚度之部分，且該非發光區可為具有相對薄之厚度之部分。
根據本發明一示例型實施例，當該第一電極由一個單元形成且該發光區之厚度及該非發光區之厚度彼此不同時，該發光區可設為一預定形狀。特別是，該發光區可設為一多邊形，例如三角形、矩形、及六邊形，且可設為一無定形之形狀。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極包含該發光區之部分之厚度可為該發光區以外之部分之10至1,000倍。
用於本發明之術語「圖案化」表示該圖案形成以僅覆蓋於最終使用所需之形狀之區域，而非覆蓋於設置一對應層之下層(如基板或該第一電極)之整個區域。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可形成為一圖案。該第一電極之圖案可包括該發光區。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可包括至少兩個單元且形成為各別單元彼此分離之圖案。
用於本發明之術語「單元」可使用作為塗佈於該基板上之第一電極之最小單元。具體而言，當該第一電極由一個單元形成時，可塗佈該單元，從而該第一電極不由該基板之同一平面分離。抑或，當該第一電極由至少兩個單元形成時，該單元可使用作為塗佈於該基板上之第一電極之最小單元且該第一電極可形成為各別單元彼此分離之圖案。該第一電極之最小單元可使用作為一物理性連接之單元。再者，該單元可具有一封閉圖案形狀。具體而言，該單元可設為一多邊形，例如三角形、矩形、及六邊形，且可設為一無定形之形狀。
根據本發明一示例型實施例，每一單元可意指前述第一電極。所有該第一電極及該短路保護層或該輔助電極間之前述關係或後述關係可應用至每一單元。
根據本發明一示例型實施例，該輔助電極及該 短路保護層可藉由形成該圖案於該非發光區上而設置。意即，可藉由形成該圖案於除了該發光區之部分上而劃分該發光區。舉例而言，該圖案可形成於一網格圖案之形狀中以劃分該發光區。該網格圖案可設為一多邊形，例如三角形、矩形、及六邊形，且可設為一無定形之形狀。
再者，當藉由形成該圖案於該非發光區上而形成該短路保護層時，該短路保護層之一部份可設於該基板上且其剩餘部分也可設於該第一電極上。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層及該輔助電極之開口率可為30%以上。具體而言，該短路保護層及該輔助電極之開口率可為50%以上。更具體地說，該短路保護層及該輔助電極之開口率可為70%以上。
該短路保護層及該輔助電極之開口率可表示該OLED之整個區域上一未經短路保護層及/或輔助電極塗佈之區域之比率。開口率越高，亮度越高。據此，其可變得更亮且功耗也可降低。
根據本發明一示例型實施例，當該第一電極包括至少兩個彼此分離之單元時，該短路保護層可設置以接觸該圖案之每一單元之至少一部份。具體而言，根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可接觸每一單元之至少一部份。
當該短路保護層接觸每一單元之至少一部份時，即便一短路缺陷發生於一單元中，其可藉由該短路保護層防止所有的操作電流流入該短路缺陷部份。意即，該 短路保護層控制因短路缺陷所致之漏電流量不會無限制增加。據此，不存在短路缺陷之剩餘單元可正常運作。
當該短路缺陷發生於該OLED時，該短路保護層能夠不管該短路缺陷而操作該OLED。再者，該短路保護層也可防止該短路缺陷。
該短路缺陷可發生在該第二電極直接接觸該第一電極的情況中。反之，即便在因厚度減少或設置於該第一電極及該第二電極間之有機層之變形的情況中，該有機層之功能喪失，從而該第一電極及該第二電極彼此接觸而發生該短路缺陷。當發生該短路缺陷時，可提供一低電流路徑給該OLED，使OLED操作異常。由於藉由該短路缺陷從該第一電極至該第二電極之直流電之漏電流，該OLED之電流可避免流過無缺陷區域。其可能降低該OLED之發光輸出。在一嚴重的情況中，該OLED可能不運作。此外，當電流分布並因此流經有機材料之廣域被濃縮且因而流過一短路發生點時，局部產生高熱且該OLED可能損毀或發生火災。
然而，本發明之短路保護層可設於該輔助電極及該第一電極之間，且作為一短路缺陷發生前之電流遷移路徑之功能，並可最小化因該短路保護層所發生之OLED操作電壓之增加。當短路缺陷發生時，其可防止OLED效率之劣化並能透過僅允許極小量電流漏至該短路發生點而正常操作該OLED。
當發生短路缺陷時，該短路保護層可提供適當 的阻抗以防止電流通過該短路缺陷部位洩漏。是以，該短路保護層可具有適合用以減少因短路缺陷所致漏電流及其相關發光損失之厚度及電阻。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層及該輔助電極可形成以彼此接觸。意即，當施加電壓至該OLED時，該輔助電極及該短路保護層可電性連接。再者，該輔助電極可形成於該短路保護層上且其面積等於或小於該短路保護層之面積。
根據本發明一示例型實施例，電流可透過該輔助電極注入該第一電極。再者，當圖案化該第一電極時，電流透過該輔助電極注入每一發光區。在此情況下，電流可注入該輔助電極並可透過該短路保護層流入該第一電極。
本發明OLED可將電流注入該輔助電極，從而透過該短路保護層將該電流流入該第一電極。據此，當發生短路時，其可防止因該第一電極及該第二電極間之接觸之過電流流過。意即，其可藉由該短路保護層之電阻防止因短路缺陷所致之過電流流過。
根據本發明一示例型實施例，該輔助電極之表面電阻可為3Ω/□以下。具體而言，該輔助電極之表面電阻可為1Ω/□以下。
當具有大面積之該第一電極及該第二電極之任一表面電阻高於所需程度時，電極每個位置之電壓可能有所不同。據此，當根據該有機材料層設置之該第一電極 及該第二電極間之電動勢差異基於位置變化時，該OLED之亮度均勻性可能劣化。據此，為了減少高於所需程度之第一電極或第二電極之表面電阻，可使用該輔助電極。本發明之輔助電極之表面電阻可為3Ω/□以下，且具體可為1Ω/□以下。於上述範圍中，可保持該OLED之高亮度均勻性。
藉由圖案化該第一電極或區分該發光區厚度及非發光區之厚度，本發明之OLED可控制可注入至一發光區之最大電流量。藉由控制注入至一發光區之最大電流量，其可利於控制短路缺陷區域增加所導致之漏電流量。據此，其可減少因短路缺陷而整個OLED不運作之機會，且其可僅不運作對應短路發生點之發光區。再者，在不存在該短路保護層的情況中，該漏電流透過該輔助電極流入該短路缺陷發生點，因此，即使圖案化該第一電極，整個OLED不可運作。上述運作可指光線之發射。
根據本發明一示例型實施例，更可額外設置一絕緣層於該短路保護層及該有機層之間及該輔助電極及該有機層之間；或者更可額外設置一絕緣層於該短路保護層及該第二電極之間及該輔助電極及該第二電極之間。
該絕緣層可設置為一圍繞該圖案化之短路保護層及輔助電極之形式。該絕緣層可透過一塗佈或光微影製程而形成。該絕緣層可防止該短路保護層接觸除了該第一電極及該輔助電極之其他層。此外，該絕緣層也可減少因設置於該第一電極及該第二電極或該短路保護層之間之 一導體(如輔助電極)之OLED出現不穩定。意即，該絕緣層可使該輔助電極及該短路保護層與該有機層及該第二電極電性絕緣。
由於該絕緣層，除了接觸該絕緣層之外，該輔助電極可僅接觸該短路保護層或該基板。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可不接觸該有機層。
該短路保護層可形成不接觸該OLED之有機層，且可藉由該絕緣層而不接觸該有機層。由於該短路保護層不接觸一有機材料，故可廣泛地選擇該短路保護層之材料。舉例而言，當一電荷注入層設置於該短路保護層上時，該短路保護層可需具有優異的電洞注入功能。然而，本發明之短路保護層不接觸該有機層，因此，不需有前述限制。再者，該短路保護層設置之處不對應該發光區之區域，因此，其可不考慮透光性而選擇材料。
當該短路保護層形成於第一電極之整個區域時，該組成短路保護層之材料需透明，因此，需有材料之限制。然而，本發明之短路保護層形成於非發光區上，而非形成於該第一電極之整個區域上。因此，具有可使用透明材料及不透明材料作為該短路保護層之優點。
據此，該短路保護層可包括該透明材料且也可包括該不透明材料。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層及/或該輔助電極可設置於該OLED之非發光區上。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可僅形成於該基板上之部分區域，而非形成於該基板上之整個區域。在此情況中，可減少因基板自身缺陷所致短路保護功能喪失之機會。
當於該基板中存在嚴重缺陷且當該第一電極、該短路保護層、及該輔助電極形成於該缺陷部位時，因該基板之缺陷且電流可直接從該輔助電極流至該第一電極，使該短路保護層操作異常。具體而言，當該短路保護層形成於該第一電極之整個區域時，由於基板表面缺陷，導致該短路保護層形成異常，因此，可能無法順利地執行短路保護功能。更具體地，當使用一沉積製程形成該OLED時，該短路保護層係顯著受到該基板之表面狀態影響。意即，當該第一電極、該短路保護層、該有機層、及該第二電極在該基板表面上存在外來物質的情況中依序沉積在該基板上時，發生因該外來物質導致第一電極及該第二電極間產生接觸區域，因此，該短路保護層可能無法執行短路保護功能且該OLED可能無法運作。
據此，根據本發明一示例型實施例之OLED可藉由最小化該短路保護層於基板所佔有之面積，而最小化因基板缺陷所致之短路保護層之功能喪失。此外，因基板缺陷緣故，即便短路僅發生在第一電極之點上，該短路保護層可執行該短路保護功能並防止整個OLED不發射光線之情形發生。
當該短路保護層形成於該第一電極之整個區 域上且該有機層形成於該短路保護層之整個區域上時，除了該短路保護層之材料需為透明之缺點之外，還出現隨著短路缺陷區域增加而增加漏電流量之問題。上述問題係例示於圖18中。圖18例示在該短路保護層形成於該第一電極整個區域上的情況中，因一短路缺陷區域所致之不利影響。
具體而言，圖18例示當OLED之操作電壓為6V，操作電流為2mA/cm2，該第一電極之尺寸為10×10cm2，該短路保護層之體阻抗為300,000Ω，且該短路保護層之厚度為100nm時，短路缺陷區域之直徑增加所致之漏電流除以正常OLED之電流-短路之百分比。如圖18所示，當短路保護層形成於該第一電極之整個區域時，依據該短路缺陷區域之直徑之增加，漏電流所致之不利影響將顯著增加。
於根據本發明一示例型實施例之OLED中，該第一電極可包括至少兩個圖案化之單元且各別單元係透過該短路保護層電性連接。據此，不論該短路之大小，其優點在於當短路保護層與發生短路之單元接觸時，有效防止漏電流。
此外，於根據本發明一示例型實施例之OLED中，該第一電極可包括至少兩個圖案化之單元。據此，其優點在於即便在因基板缺陷所致任一單元區域中發生短路，沒有發生短路之單元可正常發射光線。
具體而言，當該第一電極包括至少兩個圖案化單元時，各別單元間之電阻可為70Ω以上。然而，當不圖 案化該第一電極時，相鄰第一電極之電極僅為10Ω以下。據此，當於該未圖案化之第一電極之部分區域中發生短路時，漏電流流入該短路發生區域，因而可能無法控制。意即，透過該短路保護層提供該電流至根據本發明一示例型實施例之OLED之每一單元。因此，當發生短路缺陷時，其可有效控制該漏電流。
本發明一示例型實施例係提供一OLED，其包括：一基板；一第一電極，設置於該基板上；一第二電極，設置以面向該第一電極；至少一有機層，設置於該第一電極及該第二電極之間；一短路保護層，設置以接觸該第一電極之上表面、下表面、及側面之至少一者；以及一輔助電極，其藉由設置於該輔助電極及該第一電極間而形成；其中，該OLED之電流可於該輔助電極、該短路保護層、該第一電極、該有機層、及該第二電極之方向上或其相反方向上流動。
再者，本發明一示例型實施例係提供一OLED，其包括：一基板；一第一電極，形成於該基板上之包含至少兩個彼此分離之單元之一圖案中；一第二電極，設置以面向該第一電極；至少一有機層，設置於該第一電極及該第二電極之間；一短路保護層，設置以接觸該第一電極之圖案之每一單元之至少一部份；以及一輔助電極，其藉由設置於該短路保護層及該輔助電極及該第一電極間而形成；其中，該OLED之電流可於該輔助電極、該短路保護層、該第一電極、該有機層、及該第二電極之方向上或其相反方 向上流動。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層之厚度可為1nm以上及10μm以下。在該OLED中不發生短路的情況下，該範圍內之該短路保護層可保持正常操作電壓。此外，該短路保護層可執行短路保護功能。即便發生短路，可於正常範圍中操作該OLED。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層之厚度方向上之阻抗值可為70Ω以上及300,000Ω以下。
在該OLED包括至少兩個彼此分離之單元的情況中，該阻抗值範圍可為設置於每一單元上之短路保護層之厚度方向上之阻抗值範圍。
再者，根據本發明一示例型實施例，由一單元至另一單元之阻抗值可為140Ω以上及600,000Ω以下。
可於如下述之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值之適當範圍中計算該短路保護層之阻抗值。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層可包括一種或至少兩種選自由碳粉、碳膜、導電高分子、有機高分子、金屬、金屬氧化物、無機氧化物、金屬硫化物、及絕緣材料所組成之群組。具體而言，該短路保護層可使用至少兩種選自由氧化鋯(zirconium oxide，ZrO2)、鎳鉻合金(nichrome)、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、硫化鋅(ZnS)、及二氧化矽(silicon dioxide，SiO2)所組成之群組。
根據本發明一示例型實施例，藉由將平面型之 OLED劃分為大量圖案化單元，其可能透過該短路保護層將注入電流至每一單元。
於本發明中，A(cm2)表示該OLED中之整個發光區。再者，於本發明中，Vo(V)表示當在不存在短路缺陷的狀態中，操作電流密度為Io(mA/cm2)時，不採用該電流保護層之OLED之操作電壓。再者，於本發明中，Vt(V)表示當在不存在短路缺陷的狀態中，操作電流密度為Io(mA/cm2)時，採用該電流保護層之OLED之操作電壓。
根據本發明一示例型實施例之OLED可劃分整個發光區A(cm2)為n個單元(ncell)，並且各別圖案化之單元，串聯該短路保護層至每一單元，然後並聯所有的組合至一電源。其電路圖如圖2所示。
圖1例示於OLED中不存在短路保護層且不發生短路之情況之電路圖。
圖2例示於OLED包含根據本發明一示例型實施例之短路保護層中不發生短路之情況之電路圖。
於本發明中，在不存在短路缺陷之狀態下，OLED之操作電流(It)(mA)可如下方程式所示。
I t =n cell ×I cell
Icell表示當正常操作該OLED時，於一單元中之操作電流(mA)。
於本發明中，圖案化單元之總數(ncell)可如下方程式所示。
Acell表示一圖案化單元之面積。
於本發明中，施加於該OLED整個區域之阻抗(Rorg)(Ω)可如下方程式所示。
於本發明中，Rcell-org(Ω)表示於一單元中之有機阻抗(Ω)。
增加該短路保護層至每一圖案化單元時，電壓隨著OLED操作而增加。據此，即便採用該短路保護層，在短路不發生於該OLED的情況裡，其可控制該OLED之效率不顯著減少。於該OLED之正常操作狀態下，藉由增加該短路保護層獲得之操作電壓增加率可如下式1所示。
於式1中，vt(V)表示採用該短路保護層且其不存在一短路缺陷之OLED之操作電壓，以及Vo(V)表示不採用該短路保護層且其不存在短路缺陷之OLED之操作電 壓。
該操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)可依據下式計算。於此，Rcell-spl表示於一單元中之短路保護層之厚度方向之阻抗(Ω)。具體而言，Rcell-spl可表示於一單元中該短路保護層之厚度方向阻抗。
該操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)可依據下式計算。
在OLED中不存在該短路保護層之情況中，當電流(mA)流過該正常有機層時，該短路發生定義為In，電流(mA)流入一短路發生點定義為Is，且於該短路發生點之有機材料之阻抗(Ω)定義為Rorg-s，In及Is可如下所示。意即，當該不存在短路保護層之OLED發生短路時，設置之電流透過該短路發生點(Is)洩漏且Rorg-s值落至接近「0」。據此，該電流不會流入正常有機層，因此，該OLED不會發射光線。 關於其之，圖3例示於不存在該短路保護層之OLED發生短路的情況之電路圖。
根據本發明一示例型實施例，在設置該短路保護層於每一單元之OLED的情況中，In-cell定義為當發生短路時流經一正常發光區之電流(mA)，每一並聯連接電路之電壓係相同且所有並聯連接電路之電流總和係與It(該OLED之操作電流)相同。其可由下式驗證。
(R cell +R cell-spl )×I n-cell =(R cell +R cell-s )×I s
I t =I n-cell ×n cell +I s
再者，該漏電流可如下所計算。
據此，於本發明之OLED中，即便一發光區之有機層發生短路(Rcell-s=0)，由上述式可知，當一分母值顯著增加，其可顯著降低漏電流電量。關於其之，圖4例示於根據本發明之包含短路保護層之OLED中，發生短路之情況之電路圖。
此外，該OLED之操作電流(It)比漏電流(Is)之 數值可如下式2所示。
於式2中，It(mA)表示採用該短路保護層且其中不存在短路缺陷之具有相同有機結構之OLED之操作電流；Is(mA)表示於採用該短路保護層且其中存在短路缺陷之OLED之缺陷區域之漏電流。反之，當該第一電極設於一包含至少兩個彼此分離之單元之圖案中，Is(mA)表示於採用該短路保護層且其中於任一單元存在該短路缺陷之區域之漏電流。
該OLED之操作電流(It)比漏電流(Is)之數值可依據下列方程式計算。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層在其操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo；式1)及OLED操作電流比漏電流之數值(Is/It；式2)同時滿足0.03以下時，可具有一厚度方向阻抗值。更具體而言，該短路保護層在其操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo；式1)及OLED操作電流比漏電流之數值(Is/It；式2)同時滿足0.01以下時，可具有一厚度方向阻抗值。
具體而言，根據本發明一示例型實施例，在1 mA/cm2至5mA/cm2之任一值之電流密度下，該短路保護層在上述式1及式2之數值同時滿足0.03以下或0.01以下時，可具有一厚度方向阻抗值。
在所有條件為理想的情況中，隨著圖案化單元之總數之增加，上述兩個數值(操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及操作電流比漏電流之數值(Is/It))具有一較低值，因此可獲得最大效益。然而，為增加圖案化發光區之總數，需改善製程之精確度，因此，圖案化發光區之數量可取決於實際中可應用的程度。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層之體阻抗值可為0.63Ω cm以上及8.1×1010Ω cm以下。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層之體阻抗值(ρslp，Ω cm)可根據下列方程式計算。
於本發明及上述方程式中，Aspl(cm2)可表示為一面積，其中，電力可於厚度方向上從該形成於一單元上之輔助電極通過該短路保護層流至一單元之第一電極。意即，Aspl(cm2)可表示為在形成於一第一電極上之短路保護層之面積中，一重疊於形成於該短路保護層上之輔助電極之面積之面積。
Rcell-spl表示於一導電單位中之短路保護層部分之阻抗(Ω)。
tslp(μm)表示該短路保護層之厚度。
具體而言，在該短路保護層設置於該第一電極及該輔助電極間的情況中，Aspl(cm2)可表示為該短路保護層同時重疊形成於其上之該第一電極及形成於其下之輔助電極之面積。作為一例，當該短路保護層之整個下表面形成與之接觸之於該第一電極且該輔助電極形成於與之接觸之該短路保護層之整個上表面上，Aspl(cm2)可為該短路保護層重疊該第一電極之面積。作為另一例，當該短路保護層之整個下表面形成與之接觸之該第一電極且該輔助電極形成於該短路保護層之部分上表面時，Aspl(cm2)可為該短路保護層與該第一電極及該輔助電極同時重疊之面積。
於本發明及上述方程式中，tslp(μm)表示該短路保護層之厚度。意即，當該短路保護層形成於該第一電極上時，tslp(μm)可表示為基於該第一電極上表面之垂直方向之厚度。
如上述方程式所示，形成於一單元上之短路保護層之體阻抗值(ρslp)可依據於一單元之短路保護層之厚度方向阻抗值(Rcell-spl)、電力可於厚度方向上從該形成於一單元上之輔助電極通過該短路保護層流至一單元之第一電極之面積(Aspl)、及該短路保護層之厚度tslp(μm)決定。
根據本發明一示例型實施例，該短路保護層之體阻抗值可為0.63Ω cm以上及8.1×1010Ω cm以下。於上述範圍中，在該OLED中不發生短路時，該短路保護層可保持正常的操作電壓。此外，該短路保護層可執行短路保 護功能。即便發生短路，該OLED可於正常範圍中進行操作。體阻抗值可如下計算。然而，根據本發明一示例型實施例之體阻抗值範圍，係為需執行該短路保護功能之短路保護層之阻抗值之範圍，該範圍僅依短路保護層之體阻抗值而定。。因此，根據本發明一示例型實施例，當界於該短路保護層及該第一電極間或界於該短路保護層及該輔助電極間之接觸電阻夠大，該體阻抗值之範圍可變得比該數值小。
根據本發明一示例型實施例，當該短路保護層之厚度方向之電阻範圍為140Ω以上及300,000Ω以下時，該短路保護層之厚度為1nm以上及10μm以下，且一單元之面積為300×300μm2至3×3mm2，電力可於厚度方向上從該形成於一單元上之輔助電極通過該短路保護層流至一單元之第一電極之面積(Aspl)可定為一單元面積之1%至30%之範圍內。據此，電力可於厚度方向上從該形成於一單元上之輔助電極通過該短路保護層流至一單元之第一電極之面積(Aspl)可為9×10-6cm2(300μm×300μm×0.01)至2.7×10-2cm2(0.3cm×0.3cm×0.3)。在此情況中，該短路保護層之體阻抗值可依據下列方程式計算。
根據本發明一示例型實施例，該輔助電極可由 一金屬材料形成。意即，該輔助電極可為一金屬輔助電極。
一般而言，該輔助電極可使用任何種類的金屬。具體而言，該金屬可包括具有優異導電性之鋁、銅、及/或銀。在該輔助電極為透明電極且為了穩定性使用鋁的情況下，該輔助電極也可使用一鉬/鋁/鉬之層。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可為一透明電極。
當該第一電極為透明電極時，可使用導電氧化物(如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO))製備該第一電極。再者，該第一電極也可為半透明電極。當該第一電極為半透明電極，可使用如銀、金、鎂、鈣、或其合金之半透明金屬製備該第一電極。當使用該半透明金屬作為該第一電極，該OLED可具有微孔結構。
根據本發明一示例型實施例，該有機層包括至少一發光層。此外，根據本發明一示例型實施例，該有基層可包括至少一發光層且更可包括一或至少兩層以上選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電荷產生層、電子阻擋層、電子傳輸層、及電子注入層所組成之群組。
該電荷產生層係指當施加電壓時，產生一電洞及一電子之層。
該基板可使用具有優異透光性、表面平坦、易加工、且防水之基板。具體而言，該基板可使用一玻璃基板、一薄膜玻璃基板、或一透明塑膠基板。該塑膠基板可 為單層或多層形式並且包括一薄膜，例如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)、及聚醯亞胺(polyimide，PI)。此外，該基板自身也可包括一光散射功能。然而，該基板並不以此為限。也可使用一般用於OLED之基板。
根據本發明一示例型實施例，該第一電極可為陽極且該第二電極可為陰極。此外，該第一電極可為陰極且該第二電極可為陽極。
可使用具有高功函數之材料作為該陽極以順利將電洞注入該有機層。一陽極材料之具體例包括：金屬，如釩(vanadium)、鉻(chrome)、銅(copper)、鋅(zinc)、及金(gold)、或其合金；金屬氧化物，如氧化鋅(zinc oxide)、氧化銦(indium oxide)、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、及銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)；金屬及氧化物之組合，如ZnO：Al或SnO2：Sb；導電高分子，如聚(3-甲基噻吩)(poly(3-methylthiophene))、聚[3,4-(乙基-1,2-二氧)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene]，PEDOT))、聚吡咯(polypyrrole)、及聚苯胺(polyaniline)等，但不以此為限。
該陽極材料不只限於該陽極，也可使用作為該陰極之材料。
可使用具有低功函數之材料作為該陰極以易於進行電子注入該有機層。陰極材料之具體例包括：金屬，例如鎂(magnesium)、鈣(calcium)、鈉(sodium)、鉀(potassium)、 鈦(titanium)、銦(indium)、釔(yttrium)、鋰(lithium)、鋯(gadolinium)、鋁(aluminum)、銀(silver)、錫(tin)、及鉛(lead)、或其合金；一多結構材料，例如LiF/Al或LiO2/Al等，但不以此為限。
對電洞具有高遷移率之材料適合作為本發明之電洞傳輸層之材料，其為一能夠接受來自陽極或電洞注入層之電洞並傳輸該電洞至該發光層。其之具體例包括一芳胺類有機材料(arylamine-based organic material)、導電高分子(conductive polymer)、及存在共軛部分及非共軛部分之嵌段共聚物，但不以此為限。
對螢光或磷光具有優異量子效率之材料適合作為本發明之發光層之材料，其為一能夠藉由接收分別來自電洞傳輸層及電子傳輸層之電洞及電子並結合該電洞及電子而發射可見光範圍之光線之材料。其具體例包括：8-羥基喹啉鋁複合物(8-hydroxy-quinoline aluminum complex，Alq3)；咔唑類化合物(carbazole-based compound)；二聚化苯乙烯基化合物(dimerized styryl compound)；BAlq；10-羥基苯並喹啉-金屬化合物(10-hydroxy benzoquinoline-metal compound)；苯並噁唑類(benzoxazole)、苯並噻唑類(benzthiazole)及苯並咪唑類(bezimidazole)化合物；聚(對亞苯基亞乙烯基)(poly(p-phenylenevinylene，PPV)類聚合物；螺化合物(spiro compound)；聚芴(polyfluorene)；紅熒烯(rubrene)等，但不以此為限。
對電子有高遷移率之材料適合作為本發明之 電子傳輸層之材料，其為一能夠很好地接收來自陰極之電子並傳輸該電子至該發光層之材料。其之具體例包括：8-羥基喹啉之鋁複合物(Al complex of 8-hydroxyquinoline)；包含Alq3之複合物；有機放射性化合物；羥基黃酮-金屬配合物(hydroxyflavone-metal complex)等，但不以此為限。
根據本發明一示例型實施例，可以一封裝層密封該OLED。
該封裝層可形成為一透明樹脂層。該封裝層可保護該OLED免於氧及汙染物並可以一透明材料形成以不減少該OLED之亮度。其透光性可意指60%以上之透光率。具體而言，該透光性可意指為75%以上之透光率。
圖5例示根據本發明一示例型實施例之OLED。如圖5所示，類似一般OLED，於本發明OLED中，該有機層可設置於該第一電極及該第二電極之間。此外，該輔助電極及該短路保護層不直接接觸該有機層。
圖5例示根據本發明一示例型實施例之OLED。如圖5所示，類似一般OLED，於本發明OLED中，該有機層可設置於該第一電極及該第二電極之間。此外，該輔助電極及該短路保護層不直接接觸該有機層。
圖6例示根據本發明一示例型實施例之OLED之剖視圖。
根據本發明一示例型實施例，該OLED可發射具有2,000K以上及12,000K以下色溫之白光。
根據本發明一示例型實施例，該OLED可包括 一光散射層。
具體而言，根據本發明一示例型實施例，該OLED更可於一設置於一面向其上設置該第一電極之該有機層之表面上之基板及該第一電極之間包括該光散射層。根據本發明一示例型實施例，該光散射層可包括一平坦層。根據本發明一示例型實施例，該平坦層可設置於該第一電極及該光散射層之間。
反之，根據本發明一示例型實施例，該OLED更可包括該設置於一面向其上設置該基板之第一電極之表面之一表面上之光散射層。
根據本發明一示例型實施例，假如該光散射層設置於一藉由引導光散射能夠改善OLED光散射效率之結構中，該光散射層並不特別受限。具體而言，根據本發明一示例型實施例，該光散射層可射至於一散射粒子分佈於一黏結劑、一具有不均勻性之薄膜、及/或一具有霧度之薄膜之結構中。
根據本發明一示例型實施例，可使用如旋鍍、棒塗、及刮刀塗佈之方法直接在該基板上，或可使用製造該光散射層為一薄膜形式並貼附其之以形成該光散射層。
根據本發明一示例型實施例，該OLED可為一可撓式OLED。在此情況下，該基板可包括一可撓式材料。具體而言，該基板可為一可彎曲薄膜玻璃基板、一塑膠基板、或一薄膜型基板。
該塑膠基板之材料並不特別受限，但一般可包 括一薄膜，例如單層或多層形式之聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)、及聚醯亞胺(polyimide，PI)。
本發明提供一包含該OLED之顯示裝置。於該顯示裝置中，該OLED可作為一畫素或一背光源之功能。此外，本領域習知之配置可應用至該顯示裝置之配置。
本發明提供一包含該OLED之照明裝置。於該照明裝置中，該OLED可作為一光發射器之功能。此外，本領域習知之配置可應用至該照明裝置所需之配置。
本發明一示例型實施例提供一種OLED之製備方法。具體而言，本發明之示例型實施例提供該OLED之製備方法，其包括：準備一基板；形成一第一電極於該基板上；形成一短路保護層以接觸至少一部份之該第一電極；形成一輔助電極層，且該短路保護層設置於該第一電極及該輔助電極層之間；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成一第二電極於該有機層上。
此外，根據本發明之示例型實施例，一用於製備該OLED之方法可包括：形成該第一電極於該基板上；形成該短路保護層以接觸至少一部份之該第一電極；形成該輔助電極層於該短路保護層上；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成該第二電極於該有機層上。
此外，根據本發明之示例型實施例，一用於製備該OLED之方法可包括：形成一輔助電極於該基板上；形 成一短路保護層於該輔助電極上；形成一第一電極以接觸至少一部份之該短路保護層；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成該第二電極於該有機層上。
此外，根據本發明之示例型實施例，一用於製備該OLED之方法可包括：形成一短路保護層於該基板上；形成一輔助電極於該短路保護層上；形成一第一電極以接觸至少一部份之該短路保護層；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成一第二電極於該有機層上。
根據本發明之示例型實施例，該短路保護層之形成可為：該短路保護層形成於該基板上。此外，該短路保護層之形成可為：該短路保護層形成於該第一電極上。此外，該短路保護層之形成可為：該短路保護層之一部分形成於該基板上且其餘部分形成於該第一電極上。
根據本發明之示例型實施例，可於該短路保護層形成於該基板上之後，形成該第一電極。
根據本發明之示例型實施例，可於該第一電極形成於該基板上之後，形成該短路保護層。
根據本發明之示例型實施例，該有機層可形成於該基板上。抑或，於該基板、該第一電極、該短路保護層、及該輔助電極形成於該基板上後，該有機層可形成以覆蓋該基板、該第一電極、該短路保護層、及該輔助電極。
根據本發明之示例型實施例，該第一電極之形成可包括圖案化該第一電極。圖7例示於經過圖案化操作後之第一電極之狀態。
根據本發明之示例型實施例，於該OLED之製備方法中，該短路保護層之形成及該輔助電極之形成可包括：形成該短路保護層於一整個表面層；形成該輔助電極於一整個表面層；以及同時圖案化形成於整個表面層之該短路保護層及該輔助電極層。圖8例示於一根據本發明示例型實施例之OLED中，在形成一短路保護層及一輔助電極層於第一電極上並接著圖案化該短路保護層及該輔助電極層後所得之狀態。
本發明之圖案化短路保護層及輔助電極可配置於各種設計中。具體而言，在一單元中，該短路保護層上之輔助電極之圖案可接觸該第一電極之至少一角。抑或，該短路保護層上之輔助電極之圖案可穿過一單元以接觸該第一電極。其具體例例示於圖16中。再者，圖17例示設於該設置於基板上之圖案化第一電極之任一單元之短路保護層及輔助電極之剖視圖。
根據本發明一示例型實施例，該OLED之製備方法可更包括形成一絕緣層於該短路保護層及該輔助電極上。圖9例示於形成該絕緣層後所得之狀態。
根據本發明一示例型實施例，該OLED之製備方法可更包括於形成該第二電極後之封裝製程。
[實施例]
該OLED之短路保護層厚度方向之阻抗範圍詳細描述於下列實施例中。然而，下列實施例係用以例示本發明之內容，因此，本發明之範疇並不以此為限。
[實施例1]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為100cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為900μm，可製備該OLED以具有約1.2E+04個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為6V且該OLED之操作電流密度(Io)為3mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表1所示。此外，其結果圖如圖10所示。
於本發明中，當該操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值表示為%時，其係指將操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值乘以100。
[實施例2]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為900cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為900μm，可製備該OLED以具有約1.1E+05個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為6V且該OLED之操作電流密度(Io)為3mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表2所示。此外，其結果圖如圖11所示。
[實施例3]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為100cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為900μm，可製備該OLED以具有約1.2E+04個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為6V且該OLED之操作電流密度(Io)為6mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表3所示。此外，其結果圖如圖12所示。
[實施例4]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為100cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為450μm，可製備該OLED以具有約4.9E+04個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為6V且該OLED之操作電流密度(Io)為3mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表4所示。此外，其結果圖如圖13所示。
[表4]
[實施例5]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為100cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為900μm，可製備該OLED以具有約1.2E+04個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為9V且該OLED之操作電流密度(Io)為3mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表5所示。此外，其結果圖如圖14所示。
[實施例6]短路保護層厚度方向之阻抗範圍
藉由定義該OLED之發光區為900cm2及定義一單元一邊之長度(Lcell)為300μm，可製備該OLED以具有約1.0E+06個單元(ncell)。於此，該OLED之操作電壓(Vo)為9V且該OLED之操作電流密度(Io)為1mA/cm2。在此情況中，因一單元中之短路保護層之厚度方向阻抗(Rcell-spl)所導致之操作電壓增加率((Vt-Vo)/Vo)及漏電流比操作電流(Is/It)之數值如下表6所示。此外，其結果圖如圖15所示。
基於前述實施例1至6，於該OLED能夠使用的程度中，所需短路保護層之厚度方向阻抗可為70Ω以上至300,000Ω以下間變化。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一電極
3‧‧‧短路保護層
4‧‧‧輔助電極
5‧‧‧絕緣層
6‧‧‧有機層
7‧‧‧第二電極
8‧‧‧封裝層

Claims (39)

  1. 一種有機發光裝置，包括：一基板；一第一電極，係設置於該基板上；一第二電極，係設置以面向該第一電極；至少一有機層，係設置於該第一電極及該第二電極之間；一第一電極之輔助電極；以及一短路保護層，係設置以接觸該第一電極之至少一部分，並設置於該輔助電極及該第一電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該有機發光裝置之一電流係於該輔助電極、該短路保護層、該第一電極、該有機層、及該第二電極之方向，或其相反方向上流動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層係設置以接觸該第一電極之上表面、下表面、及側面之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層係設置以接觸該第一電極之上表面、下表面、及側面之至少一者，該輔助電極係設置以接觸該短路保護層之至少一部分，且該輔助電極不直接接觸該第一電極。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層係設置以接觸該第一電極之上表面及側面之至 少一者，且該輔助電極係設置以接觸該短路保護層之上表面；或者該短路保護層係設置以接觸該第一電極之側面及下表面之至少一者，且該輔助電極係設置以接觸該短路保護層之下表面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層係設置以接觸該第一電極或該基板之上表面，且該輔助電極係設置以接觸該短路保護層之上表面；或者該輔助電極係設置以接觸該基板之上表面，且該短路保護層係設置於該輔助電極及該第一電極之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一電極係由一個單元形成或由至少兩個單元形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中，該至少兩個單元包括一發光區以及一非發光區，且該發光區之厚度及該非發光區之厚度係彼此相同或彼此不同。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中，該第一電極係包括至少兩個單元並且形成為各別單元彼此分離之圖案。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層係設置以接觸該圖案之每一單元之至少一部分。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，一絕緣層係額外設置於該短路保護層及該有機層之間與該輔 助電極及該有機層之間；或者一絕緣層係額外設置於該短路保護層及該第二電極之間與該輔助電極及該第二電極之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層及該輔助電極係設於該有機發光裝置之非發光區上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層及該輔助電極之開口率係為30%以上。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層之厚度係為1nm以上及10μm以下。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層之體阻抗值係為0.63Ω cm以上及8.1×1010Ω cm以下。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該短路保護層包括一種或至少兩種選自由碳粉、碳膜、導電高分子、有機高分子、金屬、金屬氧化物、無機氧化物、金屬硫化物、及絕緣材料所組成之群組。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光裝置，其中，該形成於一個單元上之短路保護層之厚度方向之電阻係為70Ω以上及300,000Ω以下。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光裝置，其中，由一單元至另一單元之阻抗值係為140Ω以上及600,000Ω以下。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該輔助電極之表面阻抗值係為3Ω/□以下。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，在1mA/cm2至5mA/cm2之任一值之電流密度中，該短路保護層具有方程式1之操作電壓增加率及方程式2之漏電流對操作電流之數值同時滿足0.03以下之一厚度方向阻抗值： 其中，Vt(V)表示配置該短路保護層且不存在一短路缺陷之該有機發光裝置之操作電壓，Vo(V)表示不配置該短路保護層且不存在該短路缺陷之該有機發光裝置之操作電壓，It(mA)表示配置該短路保護層且不存在該短路缺陷之具有相同有機結構之有機發光裝置之操作電流，以及Is(mA)表示配置該短路保護層且存在該短路缺陷之該有機發光裝置之缺陷區域之漏電流。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一電極係為一透明電極。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該輔助電極係為一金屬輔助電極。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該有機層包括至少一發光層，且更包括一或至少兩層選自由電洞注入層、電洞傳層、電洞阻擋層、電荷產生層、電子阻擋層、電子傳輸層、及電子注入層所組成之群組。
  24. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該有機發光裝置係以一封裝層密封。
  25. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該有機發光裝置發射具有2,000K以上及12,000K以下色溫之白光。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包括：一光散射層，係設置於該基板及該第一電極之間。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光裝置，其中，該光散射層包括一平坦層。
  28. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包括：一光散射層，係設置於一面向該基板設有該第一電極於其上之表面。
  29. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該有機發光裝置係為一可撓式有機發光裝置。
  30. 一種顯示裝置，係包括如申請專利範圍第1至29項任一項所述之有機發光裝置。
  31. 一種照明裝置，係包括如申請專利範圍第1至29項任一項所述之有機發光裝置。
  32. 一種如申請專利範圍第1至29項任一項所述之有機發光裝置之製備方法，其包括： 準備一基板；形成一第一電極於該基板上；形成一短路保護層以接觸該第一電極之至少一部份；形成一輔助電極層，且該短路保護層係設置於該第一電極及該輔助電極層之間；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成一第二電極於該有機層上。
  33. 一種如申請專利範圍第32項所述之有機發光裝置之製備方法，其包括：形成該第一電極於該基板上；形成該短路保護層以接觸該第一電極之至少一部份；形成該輔助電極層於該短路保護層上；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成該第二電極於該有機層上。
  34. 一種如申請專利範圍第32項所述之有機發光裝置之製備方法，其包括：形成該輔助電極於該基板上；形成該短路保護層於該輔助電極上；形成該第一電極以接觸該短路保護層之至少一部份；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成該第二電極於該有機層上。
  35. 一種如申請專利範圍第32項所述之有機發光裝置之製備方法，其包括：形成該短路保護層於該基板上； 形成該輔助電極於該短路保護層上；形成該第一電極以接觸該短路保護層之至少一部份；形成至少一有機層於該第一電極上；以及形成該第二電極於該有機層上。
  36. 如申請專利範圍第32項所述之製備方法，其中，形成該第一電極係包括圖案化該第一電極。
  37. 如申請專利範圍第32項所述之製備方法，其中，形成該短路保護層及形成該輔助電極層係包括：形成該短路保護層為一整個表層；形成該輔助電極層為一整個表層；以及同時圖案化形成為一整個表層之該短路保護層以及該輔助電極層。
  38. 如申請專利範圍第32項所述之製備方法，更包括：形成一絕緣層於該短路保護層及該輔助電極上。
  39. 如申請專利範圍第32項所述之製備方法，更包括：於形成該第二電極後之封裝製程。
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