TWI685138B - 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統 - Google Patents

照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI685138B
TWI685138B TW107123864A TW107123864A TWI685138B TW I685138 B TWI685138 B TW I685138B TW 107123864 A TW107123864 A TW 107123864A TW 107123864 A TW107123864 A TW 107123864A TW I685138 B TWI685138 B TW I685138B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
layer
auxiliary electrode
buffer layer
lighting
Prior art date
Application number
TW107123864A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201909462A (zh
Inventor
金南國
李正恩
金泰沃
Original Assignee
南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 filed Critical 南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Publication of TW201909462A publication Critical patent/TW201909462A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI685138B publication Critical patent/TWI685138B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/341Short-circuit prevention
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

提供了一種照明板及其製造方法、照明模組、照明板和照明系統。照明板包括基板上的材料層、嵌入材料層的輔助電極、在材料層上並與輔助電極電性連接的第一電極、在提供有第一電極的發射部中的有機發光層和第二電極、以及在基板的發射部中的封裝部件。

Description

照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統
本發明涉及一種照明板及其製造方法、照明模組、照明板和照明系統,特別是涉及一種使用有機發光二極體的照明板及其製造方法、照明模組、照明板和照明系統。
螢光燈或白熾燈主要用作目前的照明裝置。白熾燈具有良好的顯色指數(CRI)和非常低的能量效率。螢光燈具有良好的能量效率。然而,螢光燈具有低CRI並且還因為它們含有汞而具有環境問題。
顯色指數是表示顏色再現程度的指標。顯色指數是通過比較物體被特定光源照射的情況和物體被參考光源照射的情況,顯示由光源照射的物體的顏色的相似感覺的指數。例如,太陽光的CRI為100。
為了解決這種傳統照明裝置的問題,近年提出了一種發光二極體(LED)作為照明裝置。發光二極體由無機發光材料所構成。其發光效率在藍色波長範圍內最高,並且發光效率朝向紅色波長範圍和具有最高可見度的綠色波長範圍降低。因此,當以組合紅色發光二極體,綠色發光二極體和藍色發光二極體的方式發射白光時,存在可能降低發光效率的問題。
作為替代方案,已經開發出使用有機發光二極體(OLED)的照明板。在使用傳統的有機發光裝置的照明板中,ITO的陽極形成在玻璃基板上。然後,形成有機發光層和陰極,並在其上黏附封裝部件的鈍化層和層壓膜。
在使用有機發光二極體的照明板中,形成輔助電極以使照明板發射平面光的亮度均勻。此時,在層壓封裝部件之後,由於輔助電極的高錐度,鈍化層和陰極可能會破裂。
圖1是示出現有技術中輔助電極的錐度和其上的堆疊結構的圖。
此時,圖1示出了包括雙層Mo/Al和其上的堆疊結構的輔助電極的錐度作為示例。
參照圖1,包括雙層Mo/Al的輔助電極具有70度或更高的高錐度,例如80度。
此時,隨著輔助電極的錐度變高,當層疊封裝部件時,很可能在輔助電極上的鈍化層和陰極中發生裂縫。更具體地,由於輔助電極的高錐度而形成台階,且當層疊封裝部件時,物理壓力使得破裂弱點中發生裂縫。
該裂縫的形成可能來自面板邊緣的水氣滲透路徑,且可能會在面板操作期間產生暗點,從而降低了面板的可靠性。
因此,本發明涉及一種照明板及其製造方法、照明模板、照明板和照明系統,其實質上消除了由於現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供防止鈍化層和陰極由於輔助電極的台階和錐形而破裂的一種照明板及其製造方法、照明模板、照明板和照明系統。
本發明的附加特徵和優點將在下面的描述中闡述,並且部分地將從描述中顯而易見,或者可以通過本發明的實踐來學習。本發明的目的和其他優點將通過書面說明書及其申請專利範圍以及圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其它優點並根據本發明的目的,如本文所體現和廣泛描述的,提供了一種使用有機發光二極體的照明板,包括:基板上的材料層;嵌入材料層的輔助電極;在材料層上並與輔助電極電性連接的第一電極;在第一電極的發射部中的有機發光層和第二電極;以及基板的發射部中的封裝部件。
在另一方面,提供了一種照明模組,包括根據本發明的任何方面的照明板。
在另一方面,提供了一種照明裝置,其包括根據本發明的方面的照明板和照明模組中的至少其中一者。
在另一方面,提供了一種照明系統,包括根據本發明的方面的照明板、照明模組和照明裝置中的至少其中一者。
另一方面,提供一種使用有機發光二極體製造照明板的方法,包括:在基板上形成內光提取層及/或緩衝層;通過選擇性地去除內光提取層及/或緩衝層而在內光提取層及/或緩衝層中形成具有凹陷形狀的輔助電極圖案;在輔助電極圖案中嵌入輔助電極;在緩衝層上形成第一電極,並且該第一電極與該輔助電極電性連接;形成一有機發光層和一第二電極在提供該第一電極的一發射部中;並在基板的發射部中形成一個封裝部件。
應當理解,前面的一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的,並且旨在提供對要求保護的本發明的進一步說明。
在下文中,將參照圖式描述根據本發明的示例性方面的使用有機發光二極體的照明板及其製造方法。
參考結合圖式詳細描述以下多個方面,將清楚地理解本發明的優點和特徵及其實現方法。然而,本發明不限於下面公開的那些方面,而是可以以各種不同的形式實現。
應該注意,僅提供目前多個方面以進行完整公開,並且還允許本領域通常知識者知道本發明的全部範圍,因此,本發明僅由所附申請專利範圍的範圍限定。此外,在整個說明書中,相同的圖式標記表示相同或相似的元件。在圖式中,為了清楚描述,可誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。
被稱為在另一元件或層「上」的元件或層可包括其直接位於另一元件或層上的情況和另一元件和層插入其間的情況。相反,被稱為「直接在」另一元件上的元件表示不在其間插入另一元件和層的情況。
這裡可以使用如「下」、「下方」、「之下」、「上」或「上方」的空間相對術語來描述一個裝置或組成元件與如圖式中所示的其他裝置或組成元件之間的相關性。應當理解,除了圖中所示的方向之外,空間相對術語旨在包括在使用或操作期間的不同裝置方向。例如,當圖中的裝置被翻轉時,被描述為在另一裝置「下」或「下方」的裝置將被放置在另一裝置「上方」。因此,示例性術語「下」或「下方」可包括上方和下方兩個方向。由於該裝置可以在另一個方向上定向,因此可以根據其取向來解釋空間相對術語。
應當注意,這裡使用的術語僅用於描述這些方面,而不是用於限制本發明。
在本說明書中,除非另外明確使用,否則單數形式的表達包括複數形式。
在說明書中使用的術語「包括」及/或「包含」旨在表達組成元件、步驟、操作及/或裝置不排除一個或多個其他組成元件、步驟、操作及/或裝置的存在或添加。
圖2是顯示使用根據本發明第一方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。
圖3是示意性地示出使用根據本發明第一方面的有機發光二極體的照明板的平面圖。
圖4是示意性地示出了使用根據第一方面的有機發光二極體的照明板沿圖3中的線I-I'截取的橫截面的視圖。
本發明提供一種照明板,其使用由有機材料製成的有機發光二極體代替由無機材料製成的無機發光二極體。
與無機發光二極體相比,由有機發光材料製成的有機發光二極體具有相對較好的綠色和紅色發光效率。另外,與無機發光二極體相比,由於有機發光二極體具有相對較寬的紅色、綠色和藍色的發射峰,有機發光二極體具有顯色指數(CRI)得到改善,並且發光裝置的光更類似於太陽光。
在下面的描述中,本發明的照明板被描述為具有可撓性的可撓性照明板。然而,本發明可以應用於不可彎曲的一般照明板以及可撓性照明板。
參照圖2至圖4,使用根據本發明第一方面的有機發光二極體的照明板100可包括用於發射平面光的有機發光二極體單元100a和用於封裝有機發光二極體單元100a的封裝單元102。
此時,可以在有機發光二極體單元100a下方進一步設置外部光提取(或外耦合)層145以增加霧度。然而,本發明不限於此,並且可以不提供外部光提取層。
外部光提取層145可以由分散在樹脂中的TiO2 等的散射顆粒形成,並且可以通過黏合層(未示出)附著到基板110的下部。
有機發光二極體單元100a包括設置在基板110上的有機發光二極體。此時,可以在基板110和有機發光二極體之間進一步設置內部光提取層140。然而,本發明不限於此,也可以不提供內部光提取層。
內部光提取層140可以由分散在樹脂中的TiO2 、ZrO2 等的散射顆粒形成,但是本發明不限於此。
可以在內部光提取層140上進一步提供緩衝層101。
此時,基板110可以包括實際發光且將光輸出到外部的發射部EA以及通過第一接觸電極127和第二接觸電極128電性連接到外部而將訊號施加到發射部EA的接觸部CA1和接觸部CA2。
接觸部CA1和接觸部CA2可以不被金屬膜170及/或保護膜175的封裝部件覆蓋,並且可以通過第一接觸電極127和第二接觸電極128電性連接到外部。因此,金屬膜170及/或保護膜175可以附著到不包含接觸部CA1和接觸部CA2的基板110的發射部EA的整個表面。然而,本發明不限於此。
此時,接觸部CA1和接觸部CA2可以位於發射部EA的外部。圖3示出了包括第二接觸電極128的第二接觸部CA2設置在包括第一接觸電極127的多個第一接觸部CA1之間作為示例,但是本發明不限於此。
另外,圖3示出了接觸部CA1和接觸部CA2僅位於發射部EA的一側,但本發明不限於此。因此,本發明的接觸部CA1和接觸部CA2可以設置在發射部EA的上側和下側。
第一電極116和第二電極126可以設置在基板110上,並且有機發光層130可以設置在第一電極116和第二電極126之間,從而形成有機發光二極體。在具有上述結構的照明板100中,有機發光層130通過向有機發光二極體的第一電極116和第二電極126施加電流而發光,並且光通過發射部EA輸出。
有機發光層130可以是輸出白光的發光層。例如,有機發光層130可以包括藍色發光層、紅色發光層和綠色發光層,或者可以具有包括藍色發光層和黃綠色光發光層的串聯結構。然而,本發明的有機發光層130不限於上述結構,並且可以應用各種結構。
此外,本發明的有機發光層130還可包括用於分別向發光層注入電子和電洞的電子注入層和電洞注入層、分別用於將注入的電子和電洞傳輸到發光層的電子傳輸層和電洞傳輸層、以及用於產生如電子和電洞的電荷的電荷產生層。
此時,在發射部EA外部的接觸部CA1和接觸部CA2中沒有形成第一鈍化層115a、有機發光層130和第二電極126,且第一接觸電極127和第二接觸電極128可以暴露於外。
此時,儘管未在圖中示出,但是可以在發射部EA中形成有機材料的第二鈍化層和無機材料的第三鈍化層以覆蓋有機發光層130和第二電極126。
通常,當構成有機發光材料的聚合物與水氣結合時,發光特性迅速惡化,且有機發光層130的發光效率也會降低。特別地,當有機發光層130 的一部分暴露於外部時,水氣沿著有機發光層130傳播到照明板100中,從而降低了照明板100的發光效率。因此,在本發明中,形成第二鈍化層和第三鈍化層以覆蓋發射部EA的有機發光層130和第二電極126,以防止水氣滲透照明板100的發射部EA實際發射和輸出光的有機發光層130。因此,提高了產量,降低了製造成本,並確保了可靠性。
如上所述,包括第一接觸電極127和第二接觸電極128的第一電極116設置在透明材料的基板110上。基板110可以由如玻璃的剛性材料所構成。然而,通過使用具有可撓性的材料如塑膠也可以製造可彎曲的照明板100。此外,在本發明中,使用具有可撓性的塑膠材料作為基板110可以使用輥(roll)進行處理,從而可快速製造照明板100。
包括第一接觸電極127和第二接觸電極128的第一電極116可以設置在發射部EA和第一接觸部CA1和第二接觸部CA2中,且可由具有相對高導電率和高功函數的透明導電材料所構成。例如,包括第一接觸電極127和第二接觸電極128的第一電極116可以由如氧化銦錫(ITO)的氧化錫導電材料、或如氧化銦鋅(IZO)的氧化鋅導電材料所構成、或者可以由透明導電聚合物形成。
此時,在本發明中,在第一電極116中形成短路減少圖案117,用於為每個像素提供電流以反射窄路徑,並且第一鈍化層115a覆蓋短路減少圖案117以防止出現短路。也就是說,短路減少圖案117以圍繞每個像素的發射區域的周邊,並向每個像素添加電阻,從而限制流到短路發生區域的電流。如圖7所示,短路減少圖案117具有第一部分1171、第二部分1172、第三部分1173、第四部分1174和第五部分1175。第一部分1171、第二部分1172、第三部分1173、第四部分1174和第五部分1175依序連續地相互連接,並且第一部分1171和第五部分1175彼此分開。第一部分1171、第三部分1173和第五部分1175沿第一方向延伸,第二部分1172和第四部分1174沿與第一方向交叉的第二方向延伸,並且其中第一部分1171設置在第三部分1173和第五部分1175之間。
第一電極116可延伸到發射部EA外部的第一接觸部CA1,且可以構成第一接觸電極127。第二接觸電極128可以設置在第二接觸部CA2中且可以與第一電極116電絕緣。即,第二接觸電極128可以與第一電極116設置在同一層中,且可以與第一電極116電隔離。
作為示例,圖3示出包括第一接觸電極127的第一電極116整體上具有矩形形狀並且包括被移除以形成凹陷的上部中心部分,第二接觸電極128設置在凹陷中。然而,本發明不限於此。
輔助電極111可以設置在基板110上的發射部EA和第一接觸部CA1中,並且可以電性連接到第一電極116和第一接觸電極127。由於第一電極116由透明的高電阻導電膜形成,所以第一電極116具有透光的優點,並且與不透明金屬相比還具有非常高的電阻的缺點。因此,當製造大面積照明板100時,由於透明高電阻導電膜的高電阻,施加到大發射區域的電流分佈不均勻,並且這種不均勻的電流分佈使得大面積照明板100難以發出均勻亮度的光。
輔助電極111設置成網狀,在整個發射部EA上具有薄的寬度,六邊形、八邊形或圓形,使得均勻的電流可以施加到整個發射部EA上的第一電極116,並且大面積的照明板100可以發出均勻亮度的光。
圖4示出了輔助電極111設置在包括第一接觸電極127的第一電極116下方並且嵌入在內部光提取層140和緩衝層101中作為示例,但是本發明不限於此。輔助電極111可以僅嵌入內部光提取層140和緩衝層101其中一者中。另外,本發明的輔助電極111可以嵌入到內部光提取層140及/或緩衝層101的厚度中。或者可以嵌入到內部光提取層140及/或緩衝層101的厚度的一部分中。在本發明中,還可以進一步形成用於嵌入輔助電極111的無機膜的特定層。
此時,在圖4中,作為示例,輔助電極111在內部光提取層140和緩衝層101中嵌入有倒錐形(reversed taper),但是本發明不限於此。輔助電極111可以嵌入實質上為90度的錐形(taper)。這裡,倒錐形意味著嵌入在內部光提取層140和緩衝層101中的輔助電極111的上部具有比其下部寬的寬度。因此, 當輔助電極111具有90度的錐形時,上部的寬度實質上等於下部的寬度。
根據本發明的輔助電極111可以嵌入在同一層或下層中而不突出於內部光提取層140及/或緩衝層101上方。
當輔助電極111嵌入內部光提取層140及/或緩衝層101時,在輔助電極111和上層之間不形成台階(step),且防止鈍化層(即,第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層115a)和陰極(即第二電極126)破裂。結果,可以提供提高照明板可靠性的效果。
此時,設置在第一接觸部CA1中的輔助電極111用作通過第一接觸電極127到第一電極116的電流的傳輸路徑。輔助電極111可以接觸外部並且可以用作用於將電流從外部施加到第一電極116的接觸電極。
輔助電極111可以由如鋁(Al)、金(Au)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬(Mo)或其合金的導電金屬所構成。輔助電極111可以具有上輔助電極和下輔助電極的雙層結構,但本發明不限於此。輔助電極111可以由單層形成。
第一鈍化層115a可以形成在基板110的發射部EA中。在圖3中,第一鈍化層115a被示出為整體具有均勻寬度的矩形框架形狀。實務上,第一鈍化層115a可以在發光區域中被去除,並且可以形成為網狀以覆蓋設置成網狀的輔助電極111。然而,本發明不限於此。
設置在發射部EA中的第一鈍化層115a可以形成為覆蓋輔助電極111和其上的第一電極116。第一鈍化層115a不形成在實際發光的發光區域中。
第一鈍化層115a可以由如SiOx或SiNx的無機材料所形成。然而,第一鈍化層115a可以由如光丙烯酸的有機材料所形成,或者可以由多層無機材料和有機材料所構成。
另外,有機發光層130和第二電極126可以設置在基板110上,其中第一電極116和第一鈍化層115a設置在基板110上。此時,可以部分地去 除發射部EA中的第二接觸電極128上的第一鈍化層115a,並且可以具有暴露第二接觸電極128的接觸孔114。因此,第二電極126可以通過接觸孔114電性連接到其下的第二接觸電極128。
如上所述,作為白色發光層的有機發光層130可包括藍色發光層、紅色發光層和綠色發光層或者可以具有包括藍色發光層和黃綠色發光層的串聯結構。此外,有機發光層130還可包括用於分別將電子和電洞注入發光層中的電子注入層和電洞注入層、分別用於將注入的電子和電洞傳輸到發光層的電子傳輸層和電洞傳輸層,以及用於產生如電子和電洞的電荷的電荷產生層。
第二電極126可以由具有相對低功函數的材料所構成,使得電子容易地注入到有機發光層130。用作第二電極126的材料的具體實例可包括金屬,例如鎂、鈣、鈉、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或其合金。
發射部EA的第一電極116、有機發光層130和第二電極126構成有機發光二極體。此時,第一電極116是有機發光二極體的陽極,第二電極126是有機發光二極體的陰極。當電流施加到第一電極16和第二電極126時,電子從第二電極126注入有機發光層130,且電洞從第一電極116注入有機發光層130。此後,在有機發光層130中產生激子,隨著激子衰變,對應於發光層的LUMO(最低未佔分子軌道)和HOMO(最高佔據分子軌道)之間的能量差的光發射到下方(朝向圖中的基板110)。
此時,雖然未在圖中示出,但是第二鈍化層和第三鈍化層可以設置在其上形成有第二電極126的基板110上。
如上所述,根據本發明第一方面的第二鈍化層可以形成為覆蓋發射部EA的有機發光層130和第二電極126,且可以防止水氣滲透到發射部EA的有機發光層130中。
即,在本發明中,形成第二鈍化層和第三鈍化層除了覆蓋黏合劑118和金屬膜170的封裝部件之外,還覆蓋發射部EA的有機發光層130和第二電極126,且可以防止水氣滲透到照明板100的發射部EA的實際發射和輸出 光的有機發光層130中。
第二鈍化層可以由如光丙烯酸的有機材料所構成。另外,第三鈍化層可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,本發明不限於此。
可以在第三鈍化層上提供預定的密封劑,並且可以使用環氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸類化合物等作為密封劑。
如上所述,從第一電極116延伸的第一接觸電極127暴露在第一接觸部CA1的基板110上的外部。通過接觸孔114電性連接到第二電極126的第二接觸電極128暴露在第二接觸部CA2的基板110上的外部。因此,第一接觸電極127和第二接觸電極128電性連接到外部電源,使得電流可以分別施加到第一電極116和第二電極126。
將如PSA(壓敏黏合劑)的黏合劑118塗覆在第三鈍化層上,在其上設置金屬膜170,並且將金屬膜170附著到第三鈍化層,從而可以封裝照明板100。
此時,可以附接黏合劑118和金屬膜170的封裝部件,以便充分覆蓋第二鈍化層和第三鈍化層。
另外,預定的保護膜175可以設置在其上並且附接到不包括接觸部CA1和接觸部CA2的基板110的發射部EA的整個表面。
黏合劑118可以是光固化黏合劑或熱固性黏合劑。
在下文中,參考圖式,使用根據本發明第一方面的有機發光二極體製造照明板的方法。
圖5A至5G是依序示出根據圖3所示的本發明第一方面的使用有機發光二極體製造照明板的方法的平面圖。
圖6A至6G是依序示出使用根據圖4所示的本發明第一方面的有機發光二極體製造照明板的方法的截面圖。
圖7是圖5D所示的發射部的一部分的放大視圖。
首先,參考圖5A和圖6A,內部光提取層140形成在基板110 的實質上的整個表面上。然而,本發明不限於此,且可以不形成內部光提取層。
此時,內部光提取層140可以由分散在樹脂中的TiO2、ZrO2等的散射顆粒所構成,但本發明不限於此。
可以在內部光提取層140上進一步提供緩衝層101。
此時,基板110可包括用於實際向外部發射和輸出光的發射部和用於通過接觸電極與外部電性連接並向發射部施加訊號的接觸部。
接下來,參考圖5B和圖6B,部分地去除內部光提取層140及/或緩衝層101,並將導電材料沉積並嵌入移除的部分中,從而形成預定的輔助電極111。
如上所述,根據本發明第一方面的輔助電極111嵌入在內部光提取層140和緩衝層101中作為示例,並且本發明不限於此。本發明的輔助電極111可以僅嵌入在內部光提取層140或緩衝層101中。另外,本發明的輔助電極111可以嵌入到內部光提取層140及/或緩衝層101的厚度、或者可以嵌入到內部光提取層140及/或緩衝層101的厚度的一部分中。此外,本發明可以添加特定的無機層以嵌入輔助電極111。
此時,圖6B示出輔助電極111嵌入內部光提取層140和緩衝層101中以具有倒錐形作為示例,但是本發明不限於此。輔助電極111可以嵌入以具有實質上為90度的錐形。
此外,根據本發明第一方面的輔助電極111可以不突出於嵌入層(即,內部光提取層140及/或緩衝層101)之上,且可以嵌入在同一層或下層中。因此,嵌入輔助電極111的緩衝層101可以具有平坦化表面。在這種情況下,在輔助電極111和上層之間沒有形成台階,並且可以防止鈍化層和陰極由於現有技術的輔助電極的台階和錐形而破裂。結果,可以提供提高照明板可靠性的效果。
另外,在整個發射部上的輔助電極111設置成網狀,其具有薄的寬度,六邊形、八邊形或圓形,使得均勻的電流可以施加到整個發射部的第 一電極,並且大面積的照明板可以發出均勻亮度的光。
根據本發明第一方面嵌入的輔助電極111可以通過各種方法形成,例如雷射圖案化製程或微影製程,將參考以下圖式詳細描述。
圖8A至8C是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的方法的截面圖。
此時,在形成圖8A至8C所示的輔助電極的方法中,使用雷射圖案化製程圖案化內部光提取層和緩衝層,作為一實施例,使用微影製程形成輔助電極。
參照圖8A,雷射150照射在形成有內部光提取層140和緩衝層101的基板110上,從而部分地去除內部光提取層140和緩衝層101。
此時,被選擇性地去除的內部光提取層140和緩衝層101可以包括具有凹陷形狀的輔助電極圖案T,且輔助電極圖案T可以設置在稍後將要形成輔助電極的區域中。
這裡,圖8A示出了內部光提取層140和緩衝層101被圖案化以使得輔助電極圖案T的寬度從頂部到底部變窄的情況作為示例,但是本發明不限於此。
此後,參照圖8B,在不包括輔助電極圖案T的緩衝層101上形成預定的光阻圖案160,以形成輔助電極。
參照圖8C,預定的導電材料沉積在包括輔助電極圖案T的內部的基板110的實質上整個表面上,從而形成導電層120。
此時,沉積在輔助電極圖案T內的導電材料構成輔助電極111。
用於形成輔助電極111和導電層120的導電材料可包括具有良好導電性的金屬,例如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或其合金。
此後,通過掀離(lift-off)製程選擇性地去除光阻圖案160和光阻圖案160上的導電層120,從而在內部光提取層140和緩衝層101內部,即在輔助電極圖案T內部,形成由導電材料製成的輔助電極111。
圖9A和9B是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的另一種方法的截面圖。
此時,圖9A和9B的方法與上述圖8A至8C的方法基本相同,不同之處在於使用可溶塗覆製程形成輔助電極而不是微影製程。
參照圖9A,使用上述雷射圖案化製程去除內部光提取層140和緩衝層101的預定區域,從而形成具有凹陷形狀的輔助電極圖案。
此後,將液態金屬塗覆在基板110的實質上的整個表面上,從而形成金屬層111'。此時,金屬層111'可以形成在包括輔助電極圖案的內部的基板110的實質上的整個表面上。
然後,如刀片155的工具可以從基板110的一側到另一側的方向插入從而去除不包括輔助電極圖案的內部的基板110上的金屬層並形成預定的輔助電極111。
圖10A至10C是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的另一種方法的截面圖。
此時,圖10A至10C的方法示出了使用微影製程而不是雷射圖案化製程圖案化內部光提取層和緩衝層的情況,同時形成輔助電極作為一實施例。
參照圖10A,在形成有內部光提取層140和緩衝層101的基板110上形成預定的光阻圖案160。
此時,光阻圖案160可以形成在緩衝層101上,不包括稍後將形成輔助電極的區域。
接下來,參考圖10B,使用光阻圖案160作為光罩選擇性地去除內部光提取層140和緩衝層101,從而形成在內部光提取層140和緩衝層101內具有凹陷形狀的輔助電極圖案T。
此時,圖10B示出了內部光提取層140和緩衝層101被圖案化以使得輔助電極圖案T的寬度從頂部到底部變窄的情況作為示例,但是本發明不限於此。
接下來,參考圖10C,將預定的導電材料沉積在包括輔助電極圖案T的內部的基板的基本整個表面上,從而在光阻圖案160上形成導電層111"。
此時,沉積在輔助電極圖案T內的導電材料構成輔助電極111。
用於形成輔助電極111和導電層111"的導電材料可包括具有良好導電性的金屬,例如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或其合金。
此後,通過掀離製程選擇性地去除光阻圖案160和光阻圖案160上的導電層111",從而在內部光提取層140和緩衝層101內部,即在輔助電極圖案T內部形成由導電材料製成的輔助電極111。
然後,參考圖5C和圖6C,在基板110的實質上的整個表面上沉積如ITO或IZO的透明導電材料並對其進行蝕刻,從而形成第一電極116,該第一電極116包括在發射部中的第一接觸電極127和第二接觸電極128以及第一接觸部和第二接觸部。
此時,第一電極116可以延伸到發射部外部的第一接觸部中以構成第一接觸電極,以及與第一電極116電絕緣的第二接觸電極128可以形成在發射部的一部分和第二接觸部中。也就是說,第二接觸電極128形成在與第一電極116相同的層中,並且可以與第一電極116分離並電隔離。
例如,圖5C示出了包括第一接觸電極127的第一電極116整體上具有矩形形狀的示例,第一電極116的上中心部分被去除以形成凹陷,第二接觸電極128形成在凹陷中,但本發明不限於此。
此時,可以在發射區域內部的周邊的第一電極116中形成預定的短路減少圖案117。
在本發明中,由於輔助電極111嵌入並形成在內部光提取層140和緩衝層101中,所以輔助電極111上的第一電極116的形成沒有台階。
參照圖5D和圖6D,在基板110上實質上層疊如SiNx或SiOx的無機材料或如光丙烯酸的有機材料。然後,蝕刻無機材料或有機材料,從而在發射部中的輔助電極111上形成第一鈍化層115a,同時形成暴露第二接觸電極128的接觸孔114。
此時,第一鈍化層115a形成在第一電極116上以覆蓋輔助電極111,並且不形成在實際發光的發射區域中。然而,參照圖5D和圖7,第一鈍化層115a可以形成為在發射部的中心具有網狀,以便覆蓋設置網狀的輔助電極111。在圖5D中,第一鈍化層115a具有整體上具有均勻寬度的矩形框架形狀,並且如上所述,第一鈍化層115a可以在發射部的中心具有網狀,以便覆蓋設置網狀的輔助電極111。另外,圖5D示出了第一電極116上的第一鈍化層115a與第二接觸電極128上的第一鈍化層115a分離的示例,但是本發明不限於此。
這裡,第一鈍化層115a可以形成在短路減少圖案117內。
此後,參考圖5E和圖5F以及圖6E和圖6F,有機發光層130和第二電極126分別由基板110的發射部中的有機發光材料和金屬形成。
首先,參考圖5E和圖6E,在基板110的發射部中形成有機發光材料的有機發光層130。
此時,作為白色發光層的有機發光層130可包括藍色發光層、紅色發光層和綠色發光層或者可以具有包括藍色發光層和黃綠色發光層的串聯結構。此外,有機發光層130還可包括用於分別將電子和電洞注入發光層中的電子注入層和電洞注入層、分別用於將注入的電子和電洞傳輸到發光層的電子傳輸層和電洞傳輸層,以及用於產生如電子和電洞的電荷的電荷產生層。
接下來,參考圖5F和圖6F,在基板110的發射部中形成金屬的第二電極126,以便覆蓋有機發光層130。
此時,第二電極126可以通過接觸孔114電性連接到其下的第二接觸電極128。
第二電極126可以由如鎂、鈣、鈉、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛的金屬或其合金所構成。
第一電極116、有機發光層130和第二電極126構成有機發光二極體。
此時,由於第一鈍化層115設置在發射部的輔助電極111上,輔助電極111上的有機發光層130不直接接觸第一電極116,並且在輔助電極111上沒有形成有機發光二極體。
儘管未示出,但是可以在基板110的發射部中形成有機材料的第二鈍化層,以便覆蓋有機發光層130和第二電極126。
此時,如上所述,第二鈍化層可以形成為覆蓋發射部的有機發光層130和第二電極126,並且可以防止水氣滲透到發射部的有機發光層130中。
有機發光層130、第二電極126和第二鈍化層可以通過卷製造設備產線形成,但是本發明不限於此。
接下來,可以在基板110的發射部中形成第三鈍化層以覆蓋第二鈍化層。
第三鈍化層可以通過另一個輥製造設備(roll-manufacturing appar atus)所形成。
第三鈍化層可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,本發明不限於此。
可以在第三鈍化層上進一步提供預定的密封劑(encapsulant),並且密封劑可以由環氧化合物、丙烯酸酯化合物或丙烯酸酯化合物所構成。
然後,參考圖5G和圖6G,將光固化黏合劑材料或熱固性黏合劑材料的黏合劑118施加在基板110的發射部上。此外,在其上設置金屬膜170,並且通過固化黏合劑118將金屬膜170附著到其上。
此時,由於第一接觸部和第二接觸部未被金屬膜170的封裝部件覆蓋,所以第一接觸部和第二接觸部可以通過第一接觸電極127和第二接觸電極128電性連接到外部。
此後,預定的保護膜175可以附接到基板110的發射部的實質上的整個表面上,不包括接觸部,從而完成照明板。
像這樣,本發明的第一方面的特徵在於,輔助電極嵌入內部光提取層和緩衝層中直到內部光提取層和緩衝層的厚度。在本發明中,可防止第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層和第二電極由於輔助電極的台階和錐形而破裂,從而提高了照明板的可靠性。
然而,如上所述,本發明的輔助電極可以僅嵌入在內部光提取層或緩衝層中。另外,本發明的輔助電極可以嵌入到內部光提取層及/或緩衝層的一部分厚度中。此外,在本發明中,可以添加特定的無機膜層以嵌入輔助電極,這將參考以下第二方面至第四方面詳細描述。
圖11是示意性地示出使用根據本發明第二方面的有機發光二極體的照明板的平面圖。
圖12是示意性地示出了使用根據本發明第二方面沿圖11中的線II-II'截取的有機發光二極體的照明板的截面圖。
使用根據圖11和圖12所示的本發明第二方面的有機發光二極體的照明板除了內部光提取層被去除並且輔助電極僅嵌入在緩衝層中之外,具有與上述本發明第一方面的結構實質上相同的結構。
也就是說,使用根據本發明第二方面的有機發光二極體的照明板可包括用於發射平面光的有機發光二極體單元和用於封裝有機發光二極體單元的封裝單元。
此時,可以在有機發光二極體單元下方進一步設置外部光提取層以增加霧度(haze)。然而,本發明不限於此,並且可以不提供外部光提取層。
外部光提取層可以由分散在樹脂中的TiO2等的散射顆粒所構成,並且可以通過黏合層附著到基板的下部。
有機發光二極體單元包括在基板上提供的有機發光二極體。此時,在本發明的第二方面中,在基板和有機發光二極體之間沒有設置內部光提取層。
參照圖11和圖12,基板210可包括實際發光並將光輸出到外部的發射部EA、以及通過第一接觸電極227和第二接觸電極228電性連接到外部以向發射部EA施加訊號的接觸部CA1和接觸部CA2。
接觸部CA1和接觸部CA2可以不被金屬膜270及/或保護膜275的封裝部件覆蓋,且可以通過第一接觸電極227和第二接觸電極228電性連接到外部。因此,金屬膜270及/或保護膜275可以附接到基板210的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。然而,本發明不限於此。
此時,接觸部CA1和接觸部CA2可以位於發射部EA的外部。圖11示出了包括第二接觸電極228的第二接觸部CA2設置在包括第一接觸電極227的多個第一接觸部CA1之間作為示例,但是本發明不限於此。
另外,圖11示出了接觸部CA1和接觸部CA2僅位於發射部EA的一側,但本發明不限於此。因此,本發明的接觸部CA1和接觸部CA2可以設置在發射部EA的上側和下側。
第一電極216和第二電極226可以設置在基板210上,且有機發光層230可以設置在第一電極216和第二電極226之間,從而形成有機發光二極體。在具有上述結構的照明板200中,有機發光層230通過向有機發光二極體的第一電極216和第二電極226施加電流而發光,且光通過發射部EA輸出。
此時,在發射部EA外部的接觸部CA1和接觸部CA2中沒有形成第一鈍化層215a、有機發光層230和第二電極226,並且第一接觸電極227和第二接觸電極228可以暴露在外面。
此時,儘管未在圖中示出,但是可以在發射部EA中形成有機材料的第二鈍化層和無機材料的第三鈍化層以覆蓋有機發光層230和第二電極226。
如上所述,包括第一接觸電極227和第二接觸電極228的第一電極216設置在透明材料的基板210上。基板210可以由如玻璃的剛性材料所構成。然而,通過使用具有可撓性的材料如塑膠也可以製造可彎曲的照明板200。此外,在本發明中,通過使用具有可撓性的塑膠材料作為基板210,可以使用輥(roll)進行處理,從而快速製造照明板200。
包括第一接觸電極227和第二接觸電極228的第一電極216可以設置在發射部EA和第一接觸部CA1和第二接觸部CA2中,並且可以由具有相對高導電率和高功函數的透明導電材料所構成。
此時,在本發明中,在第一電極216中形成短路減少圖案217,用於為每個像素提供電流以反射窄路徑,並且第一鈍化層215a覆蓋短路減少圖案217以防止發生短路。也就是說,形成短路減少圖案217以圍繞每個像素的發射區域的周邊,並且向每個像素添加電阻,從而限制流到短路發生區域的電流。
第一電極216可以延伸到發射部EA外部的第一接觸部CA1,並且可以構成第一接觸電極227。第二接觸電極228可以設置在第二接觸部CA2中並且可以與第一電極216電絕緣。即,第二接觸電極228可以設置在與第一電極216相同的層中,並且可以與第一電極216分離並電隔離。
作為示例,圖11示出包括第一接觸電極227的第一電極216整體上具有矩形形狀並且包括被去除以形成凹陷的上部中心部分,且第二接觸電極228設置在凹陷中。然而,本發明不限於此。
輔助電極211可以設置在基板210上的發射部EA和第一接觸部CA1中,且可以電性連接到第一電極216和第一接觸電極227。
與本發明的第一方面一樣,輔助電極211在整個發射部EA處設置成具有薄寬度,六邊形、八邊形或圓形的網狀形狀,使得均勻電流可以施加到整個發射部EA上的第一電極216,且大面積的照明板200可以發出均勻亮度的光。
圖12示出了輔助電極211設置在包括第一接觸電極227的第一電極216下方並且作為示例嵌入在緩衝層202中,但是如上所述,本發明不限於此。本發明的輔助電極211可以嵌入到緩衝層202的厚度,或者可以嵌入到緩衝層202的厚度的一部分。
此時,根據本發明第二方面的緩衝層202可以由無機膜形成以嵌入輔助電極211。
此時,在圖12中,作為示例,輔助電極211在緩衝層202中以倒錐形嵌入,但是本發明不限於此。輔助電極211可以嵌入實質上為90度的錐形。如上所述,倒錐形意味著嵌入在緩衝層202中的輔助電極211的上部具有比其下部寬的寬度。因此,當輔助電極211具有90度的錐形時,上部的寬度實質上等於下部的寬度。
根據本發明第二方面的輔助電極211可以嵌入在同一層或下層中而不會在緩衝層202上方突出。
像這樣,當輔助電極211嵌入在緩衝層202中時,在輔助電極211和上層之間不形成台階,並且防止了鈍化層(即,第一鈍化層215a、第二鈍化層和第三鈍化層)和陰極(即,第二電極226)由於相關技術的輔助電極的台階和錐形而破裂。結果,可以提供提高照明板可靠性的效果。
此時,設置在第一接觸部CA1中的輔助電極211用作通過第一接觸電極227到第一電極216的電流的傳輸路徑。輔助電極211可以接觸外部並且可以用作用於將電流從外部施加到第一電極216的接觸電極。
輔助電極211可以由如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或其合金的導電金屬所構成。輔助電極211可以具有上輔助電極和下輔助電極的雙層結構,但本發明不限於此。輔助電極211可以由單層形成。
第一鈍化層215a可以形成在基板210的發射部EA中。在圖11中,第一鈍化層215a被示出為整體具有均勻寬度的矩形框架形狀。實際上,第一鈍化層215a可以在發光區域中被去除,並且可以形成為網狀以覆蓋設置成網狀的輔助電極211。然而,本發明不限於此。
設置在發射部EA中的第一鈍化層215a可以形成為覆蓋輔助電極211和其上的第一電極216。第一鈍化層215a不形成在實際發光的發光區域中。
第一鈍化層215a可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,第一鈍化層215a可以由如光丙烯酸的有機材料所構成,或者可以由多層無機材料和有機材料所構成。
另外,有機發光層230和第二電極226可以設置在基板210上,其中第一電極216和第一鈍化層215a設置在基板210上。此時,可以部分地去除發射部EA中的第二接觸電極228上的第一鈍化層215a,並且可以具有暴露第二接觸電極228的接觸孔214。因此,第二電極226可以通過接觸孔214電性連接到其下的第二接觸電極228。
第二電極226可以由具有相對低功函數的材料所構成,使得電子容易地注入到有機發光層230中。用作第二電極226的材料的具體實例可包括金屬,例如鎂、鈣、鈉、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或其合金。
發射部EA的第一電極216、有機發光層230和第二電極226構成有機發光二極體。
此時,雖然未在圖中示出,但是第二鈍化層和第三鈍化層可以設置在其上形成有第二電極226的基板210上。
如上所述,根據本發明第二方面的第二鈍化層可以形成為覆蓋發射部EA的有機發光層230和第二電極226,並且可以防止水氣滲透到發射部EA的有機發光層230中。
即,在本發明中,形成第二鈍化層和第三鈍化層覆蓋除了黏合劑218和金屬膜270的封裝部件之外,還覆蓋發射部EA的有機發光層230和第二電極226,並且可以防止水氣滲透到照明板200的發射部EA的實際發射和輸出光的有機發光層230中。
第二鈍化層可以由如光丙烯酸的有機材料所構成。另外,第三鈍化層可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,本發明不限於此。
可以在第三鈍化層上提供預定的密封劑,並且可以使用環氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸類化合物等作為密封劑。
如上所述,從第一電極216延伸的第一接觸電極227暴露在第一接觸部CA1的基板210上的外部。通過接觸孔214電性連接到第二電極226的第二接觸電極228暴露在第二接觸部CA2的基板210上的外部。因此,第一接觸電極227和第二接觸電極228電性連接到外部電源,使得電流可以分別施加到第一電極216和第二電極226。
將如PSA(壓敏黏合劑)的黏合劑218施加在第三鈍化層上,將金屬膜270設置在其上,並將金屬膜270附著到第三鈍化層,從而可以封裝照明板200。
此時,可以附著黏合劑218和金屬膜270的封裝部件,以便充分覆蓋第二鈍化層和第三鈍化層。
另外,預定的保護膜275可以設置在其上並且附接到基板210的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。
黏合劑218可以是光固化黏合劑或熱固性黏合劑。
圖13是示意性地示出使用根據本發明第三方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。
此時,使用根據圖13所示的本發明第三方面的有機發光二極體的照明板具有與上述本發明的第一和第二方面基本相同的結構,除了輔助電極是嵌入至內部光提取層及/或緩衝層的一部分厚度。
也就是說,使用根據本發明第三方面的有機發光二極體的照明板可包括用於發射平面光的有機發光二極體單元和用於封裝有機發光二極體單元的封裝單元。
此時,可以在有機發光二極體單元下方進一步設置外部光提取層以增加霧度。然而,本發明不限於此,並且可以不提供外部光提取層。
外部光提取層可以由分散在樹脂中的TiO2等的散射顆粒所構成,且可以通過黏合層附著到基板的下部。
有機發光二極體單元包括在基板上提供的有機發光二極體。此時,參見圖13,可以在基板310和有機發光二極體之間進一步設置內部光提取層340。然而,本發明不限於此,並且可以不提供內部光提取層。
內部光提取層340可以由分散在樹脂中的TiO2、ZrO2等的散射顆粒所構成,但是本發明不限於此。
可以在內部光提取層340上進一步提供緩衝層301。
此時,基板310可以包括實際發光並且將光輸出到外部的發射部EA、通過第一接觸電極327和第二接觸電極328電性連接到外部,以向發射部EA施加訊號的接觸部CA1和接觸部CA2。
接觸部CA1和接觸部CA2可以不被金屬膜370及/或保護膜375的封裝部件覆蓋,並且可以通過第一接觸電極327和第二接觸電極328電性連接到外部。因此,金屬膜370及/或保護膜375可以附接到基板310的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。然而,本發明不限於此。
第一電極316和第二電極326可以設置在基板310上,並且有機發光層330可以設置在第一電極316和第二電極326之間,從而形成有機發光二極體。在具有上述結構的照明板300中,有機發光層330通過向有機發光 二極體的第一電極316和第二電極326施加電流而發光,並且光通過發射部EA輸出。
此時,在發射部EA外部的接觸部CA1和接觸部CA2中沒有形成第一鈍化層315a、有機發光層330和第二電極326,並且第一接觸電極327和第二接觸電極328可以暴露在外面。
此時,雖然未在圖中示出,但是可以在發射部EA中形成有機材料的第二鈍化層和無機材料的第三鈍化層以覆蓋有機發光層330和第二電極326。
如上所述,包括第一接觸電極327和第二接觸電極328的第一電極316設置在透明材料的基板310上。基板310可以由如玻璃的剛性材料所構成。然而,通過使用具有可撓性的材料如塑膠,也可以製造可彎曲的照明板300。此外,在本發明中,通過使用具有可撓性的塑膠材料作為基板310,可以使用輥進行處理,從而快速製造照明板300。
包括第一接觸電極327和第二接觸電極328的第一電極316可以設置在發射部EA和第一接觸部CA1和第二接觸部CA2中,並且可以由具有相對高導電率和高功函數的透明導電材料所構成。
此時,在本發明中,在第一電極316中形成短路減少圖案317,用於為每個像素提供電流以反射窄路徑,並且第一鈍化層315a覆蓋短路減少圖案317以防止發生短路。也就是說,形成短路減少圖案317以圍繞每個像素的發射區域的周邊,並且向每個像素添加電阻,從而限制流到短路發生區域的電流。
第一電極316可以延伸到發射部EA外部的第一接觸部CA1,並且可以構成第一接觸電極327。
第二接觸電極328可以設置在第二接觸部CA2中並且可以與第一電極316電絕緣。即,第二接觸電極328可以設置在與第一電極316相同的層中並且並且與第一電極316可以是分開和電隔離的。
輔助電極311可以設置在基板310上的發射部EA和第一接觸部CA1中,並且可以電性連接到第一電極316和第一接觸電極327。
與上述本發明的第一和第二方面類似,在整個發射部EA上輔助電極311設置成網狀,其具有薄的寬度,六邊形、八邊形或圓形,使得均勻電流可以施加到整個發射部EA上的第一電極316,並且大面積照明板300可以發出均勻亮度的光。
圖13示出了輔助電極311設置在包括第一接觸電極327的第一電極316下方,作為示例,輔助電極311嵌入內部光提取層340和緩衝層301中直到內部光提取層340的一部分厚度,但是如上所述,本發明不限於此。本發明的輔助電極311可以嵌入到緩衝層301的一部分厚度中。
像這樣,當輔助電極311嵌入到內部光提取層340或緩衝層301的厚度的一部分時,有效的是,雷射圖案化製程的生產節拍(tact time)減少了,並且可以防止玻璃基板310變黃或者當玻璃或聚醯亞胺基板310的表面暴露時對聚醯亞胺基板310造成損壞。
此時,在圖13中,作為示例,輔助電極311在內部光提取層340和緩衝層301中嵌入有倒錐形,但是本發明不限於此。輔助電極311可以嵌入實質上為90度的錐形。
根據本發明第三方面的輔助電極311可以嵌入內部光提取層340和緩衝層301中,而不會在緩衝層301上方突出。
像這樣,當輔助電極311嵌入內部光提取層340和緩衝層301時,在輔助電極311和上層之間不形成台階,並且,防止由於相關技術的輔助電極的階梯和錐形,第一鈍化層315a到第三鈍化層和第二電極326破裂。結果,可以提供提高照明板可靠性的效果。
此時,設置在第一接觸部CA1中的輔助電極311用作通過第一接觸電極327到第一電極316的電流的傳輸路徑。輔助電極311可以接觸外部並且可以用作用於將電流從外部施加到第一電極316的接觸電極。
輔助電極311可以由如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或其合金的導電金屬所構成。輔助電極311可以具有上輔助電極和下輔助電極的雙層結構,但是本發明不限於此。輔助電極311可以由單層形成。
第一鈍化層315a可以形成在基板310的發射部EA中。
與上述本發明的第一方面和第二方面類似,第一鈍化層315a可以在發光區域中被去除,並且可以形成為網狀以覆蓋設置成網狀的輔助電極311。然而,本發明不限於此。
設置在發射部EA中的第一鈍化層315a可以形成為覆蓋輔助電極311和其上的第一電極316。第一鈍化層315a不形成在實際發光的發光區域中。
第一鈍化層315a可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,第一鈍化層315a可以由如光丙烯酸的有機材料所構成,或者可以由多層無機材料和有機材料所構成。
另外,有機發光層330和第二電極326可以設置在基板310上,其中第一電極316和第一鈍化層315a設置在基板310上。此時,可以部分地去除發射部EA中的第二接觸電極328上的第一鈍化層315a,並且可以具有暴露第二接觸電極328的接觸孔314。因此,第二電極326可以通過接觸孔314電性連接到其下的第二接觸電極328。
第二電極326可以由具有相對低的功函數的材料所構成,使得電子容易地注入到有機發光層330。用作第二電極326的材料的具體實例可包括金屬,例如鎂、鈣、鈉、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或其合金。
此時,雖然未在圖中示出,但是第二鈍化層和第三鈍化層可以設置在其上形成有第二電極326的基板310上。
如上所述,根據本發明第三方面的第二鈍化層可以形成為覆蓋發射部EA的有機發光層330和第二電極326,並且可以防止水氣滲透到發射部EA的有機發光層330中。
第二鈍化層可以由如光丙烯酸的有機材料所構成。另外,第三鈍化層可以諸如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,本發明不限於此。
可以在第三鈍化層上提供預定的密封劑,並且可以使用環氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸類化合物等作為密封劑。
將如PSA(壓敏黏合劑)的黏合劑318塗覆在第三鈍化層上,在其上設置金屬膜370,並且將金屬膜370附著到第三鈍化層,從而可以封裝照明板300。
此時,可以附著黏合劑318和金屬膜370的封裝部件,以便充分覆蓋第二鈍化層和第三鈍化層。
另外,預定的保護膜375可以設置在其上並且附接到基板310的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。
黏合劑318可以是光固化黏合劑或熱固性黏合劑。
圖14是示意性地示出使用根據本發明第四方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。
此時,使用根據圖14所示的本發明第四方面的有機發光二極體的照明板具有與上述本發明的第一方面、第二方面和第三方面基本相同的結構,除了輔助電極嵌入到緩衝層的厚度的一部分,並且對應於緩衝層的其餘厚度的部分填充有第一電極之外。
也就是說,使用根據本發明第四方面的有機發光二極體的照明板可以包括用於發射平面光的有機發光二極體單元和用於封裝有機發光二極體單元的封裝單元。
此時,可以在有機發光二極體單元下方進一步設置外部光提取層以增加霧度。然而,本發明不限於此,並且可以不提供外部光提取層。
外部光提取層可以由分散在樹脂中的TiO2等的散射顆粒形成,並且可以通過黏合層附著到基板的下部。
有機發光二極體單元包括在基板上提供的有機發光二極體。此時,參見圖14,可以在基板410和有機發光二極體之間進一步設置內部光提取層440。然而,本發明不限於此,並且可以不提供內部光提取層。
內部光提取層440可以由分散在樹脂中的TiO2、ZrO2等的散射顆粒形成,但是本發明不限於此。
可以在內部光提取層440上進一步提供緩衝層401。
此時,基板410可以包括實際發光並且將光輸出到外部的發射部EA、通過第一接觸電極427和第二接觸電極428與外部電性連接,以向發射部EA施加訊號的接觸部CA1和接觸部CA2。
接觸部CA1和接觸部CA2可以不被金屬膜470及/或保護膜475的封裝部件覆蓋,並且可以通過第一接觸電極427和第二接觸電極428電性連接到外部。因此,金屬膜470及/或保護膜475可以附接到基板410的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。然而,本發明不限於此。
第一電極416和第二電極426可以設置在基板410上,並且有機發光層430可以設置在第一電極416和第二電極426之間,從而形成有機發光二極體。在具有上述結構的照明板400中,有機發光層430通過向有機發光二極體的第一電極416和第二電極426施加電流而發光,並且光通過發射部EA輸出。
此時,在發射部EA外部的接觸部CA1和接觸部CA2中沒有形成第一鈍化層415a、有機發光層430和第二電極426,並且第一接觸電極427和第二接觸電極428可以暴露於外。
此時,儘管未在圖中示出,但是可以在發射部EA中形成有機材料的第二鈍化層和無機材料的第三鈍化層以覆蓋有機發光層430和第二電極426。
如上所述,包括第一接觸電極427和第二接觸電極428的第一電極416設置在透明材料的基板410上。基板410可以由如玻璃的剛性材料所構成 。然而,通過使用具有可撓性的材料如塑膠,也可以製造可彎曲的照明板300。此外,在本發明中,通過使用具有可撓性的塑膠材料作為基板410,可以使用輥進行處理,從而快速製造照明板400。
包括第一接觸電極427和第二接觸電極428的第一電極416可以設置在發射部EA和第一接觸部CA1和第二接觸部CA2中,並且可以由具有相對高導電率和高功函數的透明導電材料所構成。
此時,在本發明中,在第一電極416中形成短路減少圖案417,用於為每個像素提供反射窄路徑的電流,並且第一鈍化層415a覆蓋短路減少圖案417以防止發生短路。也就是說,形成短路減少圖案417以圍繞每個像素的發射區域的周邊,並且向每個像素添加電阻,從而限制流到短路發生區域的電流。
第一電極416可以延伸到發射部EA外部的第一接觸部CA1,並且可以構成第一接觸電極427。第二接觸電極428可以設置在第二接觸部CA2中並且可以與第一電極416電絕緣。即,第二接觸電極428可以與第一電極416設置在同一層中,並且可以與第一電極416分離並電隔離。
輔助電極411可以設置在基板410上的發射部EA和第一接觸部CA1中,並且可以電性連接到第一電極416和第一接觸電極427。
與上述本發明的第一方面、第二方面和第三方面一樣,輔助電極411在整個發射部EA上設置成具有薄寬度,六邊形、八邊形或圓形的網格形狀,使得均勻電流可以施加到整個發射部EA上的第一電極416,並且大面積照明板400可以發出均勻亮度的光。
圖14示出了輔助電極411設置在包括第一接觸電極427的第一電極416下方,並且輔助電極411嵌入內部光提取層440和緩衝層401中,直到內部光提取層440的總厚度和緩衝層401的一部分厚度作為示例,但如上所述,本發明不限於此。
此時,可以用第一電極416填充與輔助電極411的其餘厚度相對應的部分。
此外,在圖14中,作為示例,輔助電極411在內部光提取層440和緩衝層401中以倒錐形嵌入,但是本發明不限於此。輔助電極411可以嵌入實質上為90度的錐形。
像這樣,當輔助電極411嵌入在內部光提取層440和緩衝層401中時,在輔助電極411和上層之間不形成台階,並且防止了由於相關技術的輔助電極的階梯和錐形、第一鈍化層415a到第三鈍化層和第二電極426破裂。結果,可以提供提高照明板可靠性的效果。
此時,設置在第一接觸部CA1中的輔助電極411用作通過第一接觸電極427到第一電極416的電流的傳輸路徑。輔助電極411可以接觸外部並且可以用作用於將電流從外部施加到第一電極416的接觸電極。
輔助電極411可以由如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或其合金的導電金屬形成。輔助電極411可以具有上輔助電極和下輔助電極的雙層結構,但本發明不限於此。輔助電極411可以由單層形成。
第一鈍化層415a可以形成在基板410的發射部EA中。與上述本發明的第一方面和第二方面類似,第一鈍化層415a可以在發光區域中被去除,並且可以形成為網狀以覆蓋設置成網狀的輔助電極411。然而,本發明不限於此。
設置在發射部EA中的第一鈍化層415a可以形成為覆蓋輔助電極411和其上的第一電極416。第一鈍化層415a不形成在實際發光的發光區域中。
第一鈍化層415a可以由如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,第一鈍化層415a可以由如光丙烯酸的有機材料所構成,或者可以由多層無機材料和有機材料所構成。
另外,有機發光層430和第二電極426可以設置在基板410上,其中第一電極416和第一鈍化層415a設置在基板410上。此時,可以部分地去除發射部EA中的第二接觸電極428上的第一鈍化層415a,並且可以具有暴露第二接觸電極428的接觸孔414。因此,第二電極426可以通過接觸孔414電性連接到其下方的第二接觸電極428。
第二電極426可以由具有相對低功函數的材料所構成,使得電子容易地注入到有機發光層430。用作第二電極426的材料的具體實例可包括金屬,例如鎂、鈣、鈉、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或其合金。
此時,雖然未在圖中示出,但是第二鈍化層和第三鈍化層可以設置在其上形成有第二電極426的基板410上。
如上所述,根據本發明第四方面的第二鈍化層可以形成為覆蓋發射部EA的有機發光層430和第二電極426,並且可以防止水氣滲透到發射部EA的有機發光層430中。
第二鈍化層可以由如光丙烯酸的有機材料所構成。另外,第三鈍化層可以諸如SiOx或SiNx的無機材料所構成。然而,本發明不限於此。
可以在第三鈍化層上提供預定的密封劑,並且可以使用環氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸類化合物等作為密封劑。
將如PSA(壓敏黏合劑)的黏合劑418施加在第三鈍化層上,將金屬膜470設置在其上,並且將金屬膜470附著到第三鈍化層,從而可以封裝照明板400。
此時,可以附著黏合劑418和金屬膜470的封裝部件,以便充分覆蓋第二鈍化層和第三鈍化層。
另外,預定的保護膜475可以設置在其上並且附接到基板410的發射部EA的整個表面,不包括接觸部CA1和接觸部CA2。
黏合劑418可以是光固化黏合劑或熱固性黏合劑。
本發明不限於上述第一方面至第四方面。在本發明中,輔助電極上的結構通過將輔助電極嵌入緩衝層及/或內部光提取層,可以不受由於輔助電極形成的台階的影響。也就是說,輔助電極的嵌入可以減小台階的尺寸,從而防止鈍化層(即第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層)和陰極(即第二電極)由於輔助電極的階梯和錐度被破壞,從而提高了照明板的可靠性。另外,輔助電極的嵌入可能導致台階消失,即第一電極具有平坦化表面,這樣可以防止鈍化層(即第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍極層)和陰極(即第二電極)因輔助電極的階梯和錐形而破裂電極,從而提高了照明板的可靠性。
在本發明的一些方面,當照明板包括緩衝層但是沒有內光提取層時,輔助電極可以嵌入到緩衝層的厚度或者嵌入到緩衝層的厚度的一部分中。此外,當照明板包括緩衝層和內光提取層時,輔助電極可以嵌入到緩衝層的厚度或者嵌入到緩衝層的厚度的一部分中。即,即使提供內光提取層,也可以僅在緩衝層中提供輔助電極。這裡,輔助電極可以嵌入到緩衝層的厚度,是指輔助電極的厚度類似於緩衝層的厚度。輔助電極可以嵌入到緩衝層的厚度的一部分,是指輔助電極的厚度小於緩衝層的厚度,並且輔助電極的上表面與緩衝層的上表面齊平,輔助電極的下表面與緩衝層的下表面齊平,或者輔助電極的上表面與輔助電極的下表面在緩衝層內。另外,為了使第一電極具有平坦化表面,例如,輔助電極的上表面可以與緩衝層的上表面齊平,或者除了緩衝層厚度的該部分之外,對應於緩衝層厚度的其餘部分的部分填充有第一電極。
在本發明的一些方面,當照明板包括緩衝層和內光提取層時,輔助電極可以嵌入到緩衝層的厚度,並且進一步嵌入到內光提取層的厚度或內光提取層的厚度的一部分。在這種情況下,輔助電極的上表面與緩衝層的上表面齊平,使得第一電極具有平坦化表面。
在本發明的一些方面中,當照明板包括緩衝層和內光提取層時,輔助電極嵌入到緩衝層的一部分厚度中,並且進一步嵌入到內光提取層的厚度或內光提取層的厚度的一部分。也就是說,輔助電極的上表面設置在緩衝層 內,輔助電極的下表面與緩衝層的下表面齊平,或者輔助電極的上表面和下表面都是在緩衝層和內光提取層內。在這種情況下,除了緩衝層厚度的該部分之外,對應於緩衝層厚度的其餘部分的部分填充有第一電極,使得第一電極具有平坦化表面。
在本發明的一些方面,提供了一種使用有機發光二極體的照明板,包括:基板上的材料層;嵌入材料層的輔助電極;在材料層上且第一電極與輔助電極電性連接的第一電極;第一電極的發射部中的有機發光層和第二電極;以及在基板的發射部中的封裝部件。這裡,材料層的上表面可以與輔助電極的上表面齊平,使得第一電極具有平坦化表面。另外,第一電極與輔助電極接觸的位置可以低於材料層的上表面。也就是說,第一電極填充在輔助電極上,使得第一電極具有平坦化表面。材料層可包括一層或多層有機材料及/或無機材料。上述一個或多個層可以包括緩衝層及/或內光提取層,並且還可以包括其他層。本發明不限於此,一個或多個層可以是其他材料層,其中不包括緩衝層及/或內光提取層。
在本發明的一些方面,提供了一種照明模組,其包括根據本發明的任何方面的照明板。這裡,照明模組是一個半成品,構成了最終的照明裝置或照明系統。
在本發明的一些方面,提供了一種照明裝置,其包括根據本發明的方面的照明板和照明模組中的至少其中一者。這裡,照明裝置可以是檯燈、壁燈、吊燈、落地燈、路燈、攜帶式手提燈、吊燈或車燈。
在本發明的一些方面,提供了一種照明系統,其包括根據本發明的方面的照明板、照明模組和照明裝置中的至少其中一者。這裡,照明系統還可包括控制照明板、照明模組或照明裝置的控制裝置。
對於本領域通常知識者顯而易見的是,在不脫離這些方面的精神或範圍的情況下,可以在本發明的裝置中進行各種修改和變化。因此,本發 明旨在覆蓋本公開的修改和變化,只要它們落入所附申請專利範圍及其等同物的範圍內。
100、200、300、400‧‧‧照明板
100a‧‧‧有機發光二極體單元
101、202、301、401‧‧‧緩衝層
102‧‧‧封裝單元
110、210、310、410‧‧‧基板
111、211、311、411‧‧‧輔助電極
111'‧‧‧金屬層、導電層
111"‧‧‧導電層
114、214、314、414‧‧‧接觸孔
115a、215a、315a、415a‧‧‧第一鈍化層
116、216、316、416‧‧‧第一電極
117、217、317、417‧‧‧短路減少圖案
1171‧‧‧第一部分
1172‧‧‧第二部分
1173‧‧‧第三部分
1174‧‧‧第四部分
1175‧‧‧第五部分
118、218、418‧‧‧黏合劑
120‧‧‧導電層
126、226、326、426‧‧‧第二電極
127、227、327、427‧‧‧第一接觸電極
128、228、328、428‧‧‧第二接觸電極
130、230、330、430‧‧‧有機發光層
140、340、440‧‧‧內部光提取層
145‧‧‧外部光提取層
150‧‧‧雷射
155‧‧‧刀片
160‧‧‧光阻圖案
170、270、370、470‧‧‧金屬膜
175、275、375、475‧‧‧保護膜
圖1是示出現有技術中輔助電極的錐度和其上的堆疊結構的圖。 圖2是顯示使用根據本發明第一方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。 圖3是示意性地示出使用根據本發明第一方面的有機發光二極體的照明板的平面圖。 圖4是示意性地示出了使用根據第一方面的有機發光二極體的照明板沿圖3中的線I-I'截取的橫截面的視圖。 圖5A至5G是依序示出根據圖3所示的本發明第一方面的使用有機發光二極體製造照明板的方法的平面圖。 圖6A至6G是依序示出使用根據圖4所示的本發明第一方面的有機發光二極體製造照明板的方法的截面圖。 圖7是放大圖5D所示的發射部的一部分的視圖。 圖8A至8C是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的方法的截面圖。 圖9A和9B是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的另一種方法的截面圖。 圖10A至10C是具體示出形成圖6B中所示的輔助電極的另一種方法的截面圖。 圖11是示意性地示出使用根據本發明第二方面的有機發光二極體的照明板的平面圖。 圖12是示意性地示出了使用根據本發明第二方面的有機發光二極體的照明板沿圖11中的線II-II'截取的截面圖。 圖13是示意性地示出使用根據本發明第三方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。 圖14是示意性地示出使用根據本發明第四方面的有機發光二極體的照明板的截面圖。
110‧‧‧基板
112‧‧‧緩衝層
114‧‧‧半導體層
116‧‧‧閘極絕緣層
120‧‧‧閘極電極
122‧‧‧層間絕緣層
124‧‧‧第一接觸孔
126‧‧‧第二接觸孔
130‧‧‧源極電極
132‧‧‧汲極電極
134‧‧‧鈍化層
136‧‧‧汲極接觸孔
140‧‧‧第一電極
146‧‧‧堤部層
150‧‧‧發光層
160‧‧‧第二電極

Claims (28)

  1. 一種使用一有機發光二極體的照明板,包括:一材料層,設置在一基板上;一輔助電極,嵌入該材料層;一第一電極,設置在該材料層上並電性連接該輔助電極;一短路減少圖案,形成在第一電極中並形成為圍繞該照明板的每個像素的一發射區域的一周邊;一有機發光層和一第二電極設置於該第一電極所在的一發射部;以及一封裝部件,設置在該照明板的該發射部上,其中該短路減少圖案具有一第一部分、一第二部分、一第三部分、一第四部分和一第五部分,該第一部分、該第二部分、該第三部分、該第四部分和該第五部分依序連續地相互連接,並且該第一部分和該第五部分彼此分開。
  2. 如請求項1所述之照明板,其中該第一電極具有一平坦化表面。
  3. 如請求項2所述之照明板,其中該材料層的一上表面與該輔助電極的一上表面齊平或高於該輔助電極的該上表面。
  4. 如請求項2所述之照明板,其中該第一電極與該輔助電極接觸的一位置低於該材料層的一上表面。
  5. 如請求項1所述之照明板,其中該材料層包含一緩衝層。
  6. 如請求項5所述之照明板,其中該材料層還包括該基板與該緩衝層之間的一內光提取層。
  7. 如請求項5所述之照明板,其中該輔助電極僅嵌入在該緩衝層中,該輔助電極被嵌入到該緩衝層的一厚度或嵌入到該緩衝層之該厚度的一部分。
  8. 如請求項7所述之照明板,其中該輔助電極的一上表面與該緩衝層的一上表面齊平,使該第一電極具有一平坦化表面。
  9. 如請求項7所述之照明板,其中除了該緩衝層被該輔助電極嵌入的該部分之外,對應於該緩衝層的該厚度的一其餘部分的一部分被該第一電極填充,使得該第一電極具有一平坦化表面。
  10. 如請求項6所述之照明板,其中該輔助電極被嵌入到該緩衝層的一厚度,並進一步被嵌入至該內光提取層的一厚度或該內光提取層的該厚度的一部分,以及其中該輔助電極的一上表面與該緩衝層的一上表面齊平,使該第一電極具有一平坦化表面。
  11. 如請求項6所述之照明板,其中該輔助電極被嵌入到該緩衝層的一厚度的一部分,並進一步被嵌入至該內光提取層的一厚度或該內光提取層的該厚度的一部分,以及其中,除了該緩衝層被該輔助電極嵌入的該部分之外,對應於該緩衝層的該厚度的一其餘部分的一部分被該第一電極填充,使得該第一電極具有一平坦化表面。
  12. 如請求項5所述之照明板,其中該輔助電極不會突出於該緩衝層之上。
  13. 如請求項1所述之照明板,其中該輔助電極的橫截面具有一倒錐形,使得該輔助電極的一上部的寬度大於該輔助電極的一下部的寬度。
  14. 如請求項1所述之照明板,其中該第一部分、該第三部分和該第五部分沿一第一方向延伸,該第二部分和該第四部分沿與該第一方向交叉的一第二方向延伸,並且其中該第一部分設置在該第三部分和該第五部分之間。
  15. 如請求項14所述之照明板,更包含一第一鈍化層覆蓋該短路減少圖案。
  16. 如請求項15所述之照明板,其中該第一鈍化層更覆蓋該輔助電極和該第一電極。
  17. 如請求項1所述之照明板,更包含一外部光提取層附著在該基板的一下部。
  18. 一種使用有機發光二極體的照明板,包括:一緩衝層,設置在一基板上;一輔助電極,嵌入該緩衝層並在該照明板的一發射部排列成一網狀;一第一電極,設置在該緩衝層上並電性連接至該輔助電極以向該第一電極施加均勻電流;一短路減少圖案,形成在第一電極中並形成為圍繞該照明板的每個像素的一發射區域的一周邊;一有機發光層,在該第一電極上;以及一第二電極,設置在該有機發光層上, 其中該短路減少圖案具有一第一部分、一第二部分、一第三部分、一第四部分和一第五部分,該第一部分、該第二部分、該第三部分、該第四部分和該第五部分依序連續地相互連接,並且該第一部分和該第五部分彼此分開。
  19. 如請求項18所述之照明板,其中該緩衝層的一上表面與該輔助電極的一上表面齊平或高於該輔助電極的該上表面。
  20. 如請求項18所述之照明板,其中與該輔助電極接觸的該第一電極的一垂直高度低於該緩衝層的一上表面。
  21. 如請求項20所述之照明板,更包含一內光提取層在該基板和該緩衝層之間。
  22. 如請求項21所述之照明板,其中該輔助電極僅嵌入在該緩衝層中,該輔助電極嵌入該緩衝層的一厚度或嵌入該緩衝層的該厚度的一部分。
  23. 如請求項18所述之照明板,其中該輔助電極的橫截面具有一倒錐形,使得該輔助電極的一上部的寬度大於該輔助電極的一下部的寬度。
  24. 如請求項18所述之照明板,其中該第一部分、該第三部分和該第五部分沿一第一方向延伸,該第二部分和該第四部分沿與該第一方向交叉的一第二方向延伸,並且其中該第一部分設置在該第三部分和該第五部分之間。
  25. 如請求項24所述之照明板,更包含一第一鈍化層覆蓋該短路減少圖案、該輔助電極和該第一電極。
  26. 一種使用一有機發光二極體製造照明板的方法,包括:形成一內光提取層和一緩衝層中的至少其中一者在一基板上;通過選擇性地去除該內光提取層及/或該緩衝層,以在該內光提取層及/或該緩衝層中形成一輔助電極圖案; 將一輔助電極嵌入至該輔助電極圖案中;形成一第一電極在該緩衝層上,並且該第一電極與該輔助電極電性連接;形成一短路減少圖案在第一電極中以圍繞該照明板的每個像素的一發射區域的一周邊;形成一有機發光層和一第二電極在提供該第一電極的一發射部中;以及形成一封裝部件在該基板的該發射部中,其中該短路減少圖案具有一第一部分、一第二部分、一第三部分、一第四部分和一第五部分,該第一部分、該第二部分、該第三部分、該第四部分和該第五部分依序連續地相互連接,並且該第一部分和該第五部分彼此分開。
  27. 如請求項26所述之方法,其中將該輔助電極嵌入至該輔助電極圖中的步驟還包含:形成一光阻圖案在不包括該輔助電極圖案的該緩衝層上;藉由在包括該輔助電極圖案的一內部的該基板的一整個表面上沉積一導電材料以形成一導電層在該光阻圖案上;以及通過一掀離製程選擇性地去除該光阻圖案和該光阻圖案上的該導電層以在該輔助電極圖案中形成該導電材料的該輔助電極。
  28. 如請求項26所述之方法,其中將該輔助電極嵌入至該輔助電極圖中的步驟還包含:通過在包括該輔助電極圖案的一內部的該基板的一整個表面塗覆一液態金屬以形成一金屬層,以及 通過在該基板的一側向另一側的方向推動一刀片並在不包括該輔助電極圖案的該內部的該基板上除去該金屬層進而在該輔助電極圖案中形成該輔助電極。
TW107123864A 2017-07-11 2018-07-10 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統 TWI685138B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0088046 2017-07-11
KR1020170088046A KR20190006835A (ko) 2017-07-11 2017-07-11 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
??10-2017-0088046 2017-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201909462A TW201909462A (zh) 2019-03-01
TWI685138B true TWI685138B (zh) 2020-02-11

Family

ID=63077673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107123864A TWI685138B (zh) 2017-07-11 2018-07-10 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10804484B2 (zh)
EP (1) EP3428990B1 (zh)
JP (1) JP6694919B2 (zh)
KR (2) KR20190006835A (zh)
CN (1) CN109244106B (zh)
TW (1) TWI685138B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102441681B1 (ko) * 2017-12-05 2022-09-07 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법
KR102605887B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109888116A (zh) * 2019-02-14 2019-06-14 固安翌光科技有限公司 一种高稳定性的oled器件及其制备方法
KR20220014921A (ko) 2020-07-29 2022-02-08 주식회사 포그시스템코리아 포그 제어기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266870A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜el素子及びその製造方法
JP2014096334A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW201436329A (zh) * 2012-11-16 2014-09-16 Lg Chemical Ltd 有機發光裝置及其製造方法
US20150115242A1 (en) * 2012-04-12 2015-04-30 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
US7045861B2 (en) 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
US7183707B2 (en) * 2004-04-12 2007-02-27 Eastman Kodak Company OLED device with short reduction
JP2006156267A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
KR20120027339A (ko) * 2009-05-14 2012-03-21 에스알아이 인터내셔널 유기 광전자 소자를 위한 저비용 고효율의 투명한 유기 전극
KR101013885B1 (ko) * 2009-07-03 2011-02-14 한국기계연구원 유기 발광다이오드 및 유기 발광다이오드의 제조방법
US9244573B2 (en) * 2010-03-03 2016-01-26 Miraenanotech Co., Ltd. Capacitive touch panel including embedded sensing electrodes
EP2698836A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil, electro-optic component and method of manufacturing these
CN104509206B (zh) * 2012-09-13 2017-04-26 松下知识产权经营株式会社 有机电致发光元件
FR3003084B1 (fr) * 2013-03-08 2015-02-27 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication
TWI613945B (zh) 2013-03-22 2018-02-01 Lg化學股份有限公司 導電圖案層合板及包含其之電子裝置
KR20150002218A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 엘지디스플레이 주식회사 패널 및 그 제조방법
KR20160082533A (ko) * 2013-11-05 2016-07-08 오엘이디워크스 게엠베하 발광 디바이스
KR101725947B1 (ko) 2014-02-13 2017-04-11 주식회사 엘지화학 레이저 열전사 기법을 통한 매립형 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조한 매립형 전극
DE102015100336A1 (de) * 2015-01-12 2016-07-14 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Trägervorrichtung für ein organisches Licht emittierendes Bauelement und zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
KR102035378B1 (ko) 2015-06-08 2019-11-18 주식회사 엘지화학 금속배선층이 형성된 적층체 및 이를 제조하는 방법
KR102443645B1 (ko) * 2016-01-13 2022-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266870A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜el素子及びその製造方法
US20150115242A1 (en) * 2012-04-12 2015-04-30 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device
JP2014096334A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW201436329A (zh) * 2012-11-16 2014-09-16 Lg Chemical Ltd 有機發光裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10804484B2 (en) 2020-10-13
US20190019978A1 (en) 2019-01-17
CN109244106B (zh) 2023-04-18
KR20190006835A (ko) 2019-01-21
JP6694919B2 (ja) 2020-05-20
KR20230069901A (ko) 2023-05-19
CN109244106A (zh) 2019-01-18
TW201909462A (zh) 2019-03-01
JP2019021629A (ja) 2019-02-07
EP3428990B1 (en) 2021-10-20
EP3428990A1 (en) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685138B (zh) 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統
KR102618599B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102321663B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102652261B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치
JP2013219025A (ja) 発光装置、及び発光装置の作製方法
KR102598926B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR20150056525A (ko) 유기 전계 발광 소자
TWI716776B (zh) Oled發光裝置
US10497891B2 (en) Lighting apparatus using organic light-emitting diode
US10756289B2 (en) Lighting apparatus using organic light emitting diode for suppressing deterioration of lumincance in entire panel caused by short circuit and manufacturing method thereof
US10418571B2 (en) Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof
KR102636749B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102661550B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102687429B1 (ko) 조명 장치
JP6106475B2 (ja) 有機el装置
US10797262B2 (en) Organic-based lighting device
KR102661270B1 (ko) 조명장치
JP2024524936A (ja) 表示装置及びその製造方法
KR20200082502A (ko) 조명 장치