KR20150002218A - 패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고 두께의 단차가 감소된 금속 배선을 포함하는 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 매립층을 이용하여 높은 두께를 갖는 금속 배선이 단차 없이 형성되어 있는, 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 패널은, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 기판에 도포되어 있는 금속 배선을 포함한다.
본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 매립층을 이용하여 높은 두께를 갖는 금속 배선이 단차 없이 형성되어 있는, 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 패널은, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 기판에 도포되어 있는 금속 배선을 포함한다.
Description
본 발명은 단차가 감소된 고 두께의 금속 배선을 포함하는 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
휴대전화, 테블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판 디스플레이 장치(FPD: Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판 디스플레이 장치에는, 액정 디스플레이 장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 디스플레이 장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동 디스플레이 장치(EPD: ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다.
평판 디스플레이 장치(이하, 간단히 '디스플레이 장치'라 함)들 중에서, 액정 디스플레이 장치는 양산화 기술, 구동 수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 장점으로 인하여 현재 가장 널리 상용화되고 있다. 또한, 디스플레이 장치들 중에서, 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display Device)는 1ms 이하의 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다.
디스플레이 장치가 대면적화되고, 해상도가 높아짐에 따라, 상기 디스플레이 장치의 패널에 형성되어 있는 박막트랜지스터와 연결되는 금속 배선들의 신호처리속도가 빨라지고 있다. 이에 대응하기 위해, 상기 패널에 형성되는 배선을, 낮은 저항의 금속물질로 형성해야 할 필요성이 발생하고 있다.
이에 따라, 상기 패널에 형성되는 금속 배선으로는, 저항 값이 낮고, 전자이동 특성이 우수한 구리(Cu)가 이용되고 있다.
도 1은 종래의 패널의 제조방법을 나타낸 일예시도이며, 도 2는 종래의 패널의 제조방법에 의해 형성된 금속 배선을 커버물질이 커버하고 있는 상태를 나타낸 예시도이다.
상기한 바와 같이, 디스플레이 장치의 패널에 형성되는 금속 배선으로는, 구리(Cu)가 이용되고 있다.
그러나, 구리(Cu)는 유리기판과의 접착력이 불량하여 벗겨지거나 들뜨기 쉽기 때문에, 구리(Cu)만을 이용하여 금속 배선을 형성하는 것은 실질적으로 어려운 실정이다.
이를 해결하기 위해, 종래에는, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 패널을 구성하는 유리기판(10)과 상기 구리(Cu)와의 접착력이 우수한 시드(Seed)층(21)을 상기 유리기판(10)에 도포한 후, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 시드층(21)을 원하는 폭(w)으로 식각하여 시드(20)를 형성한다. 이후, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 시드(20) 상단에 구리(Cu)(30)를 성장시켜, 금속 배선(40)을 형성하고 있다.
여기서, 상기 시드층(21)으로는 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 티탄합금(Ti alloy) 등이 제안되고 있다.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 패널의 제조방법은, 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.
첫째, 상기한 바와 같은 종래의 패널의 제조방법에 의해서는, 상기 금속 배선(40)의 두께를 증가시키는 데에 한계가 있다.
즉, 디스플레이 장치가 대면적화되고, 해상도가 높아짐에 따라, 상기 패널에 형성되어 있는 금속 배선들의 신호처리속도가 빨라지고 있으며, 이에 따라 상기 금속 배선(40)의 두께가 높아질 필요가 있다.
그러나, 상기한 바와 같은 방법에 의해 금속 배선의 두께를 증가시키는 데에는 한계가 있기 때문에, 디스플레이 장치에서 원하는 신호처리 속도 등을 얻기 위한 두께만큼 상기 금속 배선(40)의 두께가 증가될 수는 없다.
이 경우, 상기 금속 배선(40)의 두께를 증가시키기 위해서는, 상기 금속 배선(40)의 폭(w) 역시 증가되어야 한다. 그러나, 액정 디스플레이 장치의 경우에는, 개구율 향상을 위해, 상기 금속 배선(40)의 폭(w)이 최소화되어야 하므로, 상기 금속 배선(40)의 높이 및 폭을 증가시키는 데에는 한계가 있다.
둘째, 상기한 바와 같은 종래의 패널의 제조방법에 의해 높은 단차를 갖도록 형성된 상기 금속 배선(40) 위에, 도 2에 도시된 바와 같이, 절연막과 같은 커버물질(50)이 증착된다. 이 경우, 상기 금속 배선(40)과 상기 유리 기판(10) 간의 단차에 의해 상기 커버물질(50)이 상기 금속 배선(40)의 표면을 완전히 커버하지 못하는 경우가 발생될 수 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 매립층을 이용하여 높은 두께를 갖는 금속 배선이 단차 없이 형성되어 있는, 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 패널은, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 기판에 도포되어 있는 금속 배선을 포함한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 패널은, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 접착촉매물질; 상기 접착촉매물질 상에 형성되며, 상기 접착촉매물질이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 접착촉매물질에 도포되어 있는 금속 배선을 포함한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 패널의 제조방법은, 기판 상에 매립물질을 도포하는 단계; 상기 매립물질 위에 포토레지스터를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스터 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질을 식각시켜, 금속 배선홈이 형성된 매립층을 형성하는 단계; 시드 금속을 상기 기판의 전면에 도포하는 단계; 상기 포토레지스터 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 금속 배선홈에 도포되어 있는 상기 시드 금속의 상단에 금속을 도포하여 상기 시드 금속과 상기 금속으로 구성된 금속 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 패널의 제조방법은, 기판 상에 접착촉매물질을 도포하는 단계; 상기 접착촉매물질 상에 매립물질을 도포하는 단계; 상기 매립물질 위에 포토레지스터를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스터 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질을 식각시켜, 금속 배선홈이 형성된 매립층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선홈에 형성된 상기 접착촉매물질의 상단에 상기 금속을 도포하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 드라이 에칭(D/E)이 적용되기 때문에, 금속 배선의 테이퍼(Taper) 특성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 높은 두께를 가지면서도, 폭의 증가가 없는 금속 배선이 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명은 고 개구율이 요구되는 패널의 제조에 이용될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 유리 기판을 식각하여 금속 배선홈 들을 형성하는 경우와 비교할 때 유리 기판의 슬러지(Sludge)에 기인하는 금속 배선의 패턴 불량 문제가 감소될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 가용성(Soluble) 절연체를 포토레지스터(PR)에 증착(Adhesion) 시키는 이슈(Issue)가 발생되지 않기 때문에, HMDS 처리가 불필요하다.
또한, 본 발명에 의하면, 에치 비율(Etch Rate)가 증가되기 때문에, 생산성이 증가될 수 있다.
도 1은 종래의 패널의 제조방법을 나타낸 일예시도.
도 2는 종래의 패널의 제조방법에 의해 형성된 금속 배선을 커버물질이 커버하고 있는 상태를 나타낸 예시도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 패널의 제조방법에 따라 제조된 패널의 단면을 개략적으로 나타낸 예시도.
도 2는 종래의 패널의 제조방법에 의해 형성된 금속 배선을 커버물질이 커버하고 있는 상태를 나타낸 예시도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 패널의 제조방법에 따라 제조된 패널의 단면을 개략적으로 나타낸 예시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널의 제조방법은, 다양한 전자제품의 제조에 이용될 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 패널의 제조방법은, 액정 디스플레이 장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 디스플레이 장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device), 전기영동디스플레이 장치(EPD: ELECTROPHORETIC DISPLAY) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용되는 패널의 제조에 이용될 수 있다.
우선, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 상기 패널의 제조에 이용되는 기판(110) 상에 매립물질(121)을 도포한다.
상기 기판(110)은 투명한 유리기판 또는 투명한 플라스틱기판으로 형성될 수 있으며, 또는 불투명한 기판으로 형성될 수도 있다.
상기 매립물질(121)은, 가용성 절연체(Soluble Insulator)가 될 수 있으며, 예를 들어, 실록산(Siloxane)이 될 수 있다.
상기 매립물질(121)은 형성하고자 하는 금속 배선의 높이만큼 상기 기판(110)에 형성된다.
상기 매립물질(121)은, 350℃ 이상에서 견딜 수 있으며, TGA 1wt% 손실(loss)이 발생되는 고 내열성 물질로 형성된다.
상기 매립물질(121)은 드라이 에칭율(D/E Rate)이 ~2500Å/min(RIE_SiO2 대비 2~3배 수준) 내지 ~8000Å/min(ICP)에 해당되는 물질로 형성된다.
상기 기판(110)이 액정 디스플레이 장치에 적용되는 기판인 경우, 상기 매립물질(121)은 고 투과율(95% 이상)을 갖는 물질로 형성될 수 있다
상기 매립물질(121)은, 내화학성(Etchant, PR, Stripper, Developer 등)을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
다음, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 매립물질(121) 위에 포토레지스터(PR)를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴(130)을 형성한다.
이를 위해, 상기 매립물질(121) 상단에 포토레지스터(PR)가 도포되고, 상기 포토레지스터 상단에, 상기 금속 배선의 패턴을 가지는 마스크가 배치되며, 상기 포토레지스터에 대한 노광 및 현상 공정이 수행된다.
상기 현상 공정에 의해 도 3의 (b)에 도시된 바와 같은 포토레지스터 패턴(130)이 형성된다.
다음, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스터 패턴(130)을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질(121)을 드라이 에칭(D/E) 방식으로 식각시켜, 매립층(120)을 형성한다.
이 경우, 상기 매립층(120)에는, 금속 배선이 형성될 금속 배선홈이 형성된다.
다음, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110) 및 형성하고자 하는 금속 배선으로 이용될 금속과의 접착력이 우수한 시드 금속(140)을 상기 기판의 전면에 도포한다.
이 경우, 상기 시드 금속(140)은, 상기 매립층(120)에 형성되는 상기 금속 배선홈 및 상기 포토레지스터 패턴(130)의 상단면에도 도포된다.
이 외에도, 상기 시드 금속(140)은, 상기 포토레지스터 패턴(130)을 마스크로 하여, 도금 방법(Plating)에 의해 상기 금속 배선홈에 도포될 수도 있다. 또한, 스퍼터링(sputtering) 방식을 통해 도포될 수도 있다. 다른 예로서, 슬릿 등을 통해 상기 금속 배선홈에 직접 삽입될 수도 있다.
다음, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스터 패턴(130)을 제거(strip) 시킨다. 이에 따라, 상기 시드 금속(140)은, 상기 매립층(120)에 형성되는 상기 금속 배선홈에만 잔존한다.
마지막으로, 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 배선홈에 도포되어 있는 상기 시드 금속(140)의 상단에 금속(150)을 도포한다.
상기 금속은 예를 들어, 무전해 도금이 가능한 물질이 될 수 있다.
상기 금속으로는, 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 주석(Sn) 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 다양한 종류의 합금이 될 수 있다.
상기 금속(150)은 도금 방법(Plating)에 의해 상기 시드 금속(140) 상단에 도포될 수 있고, 또는 스퍼터링(sputtering) 방식을 통해 도포될 수도 있고, 슬릿 등을 통해 상기 금속 배선홈에 직접 삽입될 수도 있으며, 마스크를 이용한 증착방법에 의해 증착될 수도 있다.
상기 시드 금속(140) 상단에, 상기 금속(150)이 형성됨으로써, 저항 값이 낮고, 전자이동 특성이 우수한 금속 배선(160)이 형성된다.
상기한 바와 같은 공정을 통해 제조된 상기 금속 배선(160)은, 상기 패널에 형성되는 박막트랜지스터의 게이트전극, 데이터전극, 드레인전극 등이 될 수 있으며, 상기 패널에 형성되는 데이터라인, 게이트라인, 공통전극 라인 등으로 이용될 수도 있다.
여기서, 상기 금속(150)은 상기 시드 금속(140)에 의해 상기 기판(110)과의 접착력이 증진될 수 있으며, 상기 시드 금속(140)은, 상기 금속(150)을 구성하는 물질의 이온, 예를 들어, 구리 이온이, 상기 기판(110)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다.
즉, 상기 금속 배선(160)의 형성 과정 중, 상기 기판(110)과 상기 금속(150)이 직접적으로 접촉하는 경우에 발생될 수 있는 각종 불량이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 일차적으로, 상기 시드 금속(140)이 상기 기판(110)에 도포되기 때문에, 상기 기판(110)의 슬러지(Sludge)에 기인하는 상기 금속 배선(160)의 패턴 불량 문제가 감소될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 시드 금속(140)이 상기 기판의 전면에 도포된 후 상기 포토레지스터(130)를 제거하는 것에 의해 상기 금속 배선홈에만 상기 시드 금속(140)이 도포될 수 있다. 따라서, 상기 시드 금속(140) 형성을 위한 별도의 식각 공정이 생략될 수 있기 때문에, 상기 금속 배선(160)의 제조 공정이 단축될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 매립층(120)의 높이를 제어하는 것에 의해, 상기 금속 배선(160)의 높이가 결정될 수 있기 때문에, 상기 패널의 특성 등에 따라, 상기 금속 배선(160)의 높이가 자유롭게 설정될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널의 제조방법을 각 공정 별로 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널의 제조방법 역시, 다양한 종류의 디스플레이 장치에 적용되는 패널의 제조에 이용될 수 있다.
우선, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 패널의 제조에 이용되는 기판(110) 상에 접착촉매물질(170, Adhesion promotor)을 도포한다.
상기 기판(110)은 투명한 유리기판 또는 투명한 플라스틱기판으로 형성될 수 있으며, 또는 불투명한 기판으로 형성될 수도 있다.
상기 접착촉매물질(170)은 상기 기판(110) 및 형성하고자 하는 금속 배선으로 이용될 금속과의 접착력이 우수한 물질이 이용된다.
상기 접착촉매물질(170)로는, 예를 들어, 실리콘질화물(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2) 등의 물질이 이용될 수 있다.
다음, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 상기 접착촉매물질(170) 상에 매립물질(121)을 도포한다.
상기 매립물질(121)은, 가용성 절연체(Soluble Insulator)가 될 수 있으며, 예를 들어, 실록산(Siloxane)이 될 수 있다.
상기 매립물질(121)은 형성하고자 하는 금속 배선의 높이만큼 상기 접착촉매물질(170)에 형성된다.
상기 매립물질(121)은, 350℃ 이상에서 견딜 수 있으며, TGA 1wt% 손실(loss)이 발생되는 고 내열성 물질로 형성된다.
상기 매립물질(121)은 드라이 에칭율(D/E Rate)이 ~2500Å/min(RIE_SiO2 대비 2~3배 수준) 내지 ~8000Å/min(ICP)에 해당되는 물질로 형성된다.
상기 기판(110)이 액정 디스플레이 장치에 적용되는 기판인 경우, 상기 매립물질(121)은 고 투과율(95% 이상)을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 매립물질(121)은, 내화학성(Etchant, PR, Stripper, Developer 등)을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
다음, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 매립물질(121) 위에 포토레지스터(PR)를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴(130)을 형성한다.
이를 위해, 상기 매립물질(121) 상단에 포토레지스터(PR)가 도포되고, 상기 포토레지스터 상단에, 상기 금속 배선의 패턴을 가지는 마스크가 배치되며, 상기 포토레지스터에 대한 노광 및 현상 공정이 수행된다.
상기 현상 공정에 의해 도 4의 (c)에 도시된 바와 같은 포토레지스터 패턴(130)이 형성된다.
다음, 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스터 패턴(130)을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질(121)을 드라이 에칭(D/E) 방식으로 식각시켜, 매립층(120)을 형성한다.
이 경우, 상기 매립층(120)에는, 금속 배선이 형성될 금속 배선홈이 형성된다.
다음, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 배선홈에 형성된 상기 접착촉매물질(170)의 상단에 상기 금속(150)을 도포한다.
상기 금속(150)은 예를 들어, 무전해 도금이 가능한 물질이 될 수 있다.
상기 금속으로는, 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 주석(Sn) 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 다양한 종류의 합금이 될 수 있다.
상기 금속(150)은 도금 방법(Plating)에 의해 상기 금속 배선홈에 도포될 수 있다. 이 경우, 상기 금속(150)은 선택적 도금 방법에 의해 상기 금속 배선홈에만 도포될 수 있으며, 또는 상기 금속 배선홈 및 상기 포토레지스터 패턴(130) 상단에 동시에 도포될 수도 있다. 후자의 경우, 상기 포토레지스터 패턴(130) 상단에 도포된 상기 금속(150)은 상기 포토레지스터 패턴(130)을 제거하는 아래의 공정(f)에 의해 제거될 수 있다.
또한, 상기 금속(150)은, 스퍼터링(sputtering) 방식을 통해 도포될 수도 있으며, 슬릿 등을 통해 상기 금속 배선홈에 직접 삽입될 수도 있다. 이 경우들 역시, 상기 금속(150)은 상기 금속 배선홈에만 선택적으로 도포될 수도 있으며, 또는, 상기 금속 배선홈뿐만 아니라, 상기 포토레지스터 패턴(130) 상단에 동시에 도포될 수 있다. 후자의 경우, 상기 포토레지스터 패턴(130) 상단에 도포된 상기 금속(150)은 상기 포토레지스터 패턴(130)을 제거하는 아래의 공정(f)에 의해 제거될 수 있다.
상기 접착촉매물질(170)은 상기 기판(110) 및 형성하고자 하는 금속 배선으로 이용될 금속과의 접착력이 우수한 물질이 이용되고 있기 때문에, 상기 금속(150)은 상기 접착촉매물질(170)을 통해 상기 기판(110)에 견고하게 부착될 수 있다.
마지막으로, 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스터 패턴(130)을 제거(strip) 시킨다. 이에 따라, 상기 매립층(120)의 상기 금속 배선홈에 도포된 상기 금속(150)은 금속 배선(160)으로 형성된다.
즉, 본 발명이 제2 실시 예에서는, 상기 금속 배선홈에 도포되는 상기 금속(150)이 상기 금속 배선(160)을 형성한다.
상기한 바와 같은 공정을 통해 제조된 상기 금속 배선(160)은, 상기 패널에 형성되는 박막트랜지스터의 게이트전극, 데이터전극, 드레인전극 등이 될 수 있으며, 상기 패널에 형성되는 데이터라인, 게이트라인, 공통전극 라인, 링크 라인 등으로 이용될 수도 있다.
여기서, 상기 금속(150)은 상기 접착촉매물질(170)에 의해 상기 기판(110)과의 접착력이 증진될 수 있으며, 상기 접착촉매물질(170)은, 상기 금속(150)을 구성하는 물질의 이온, 예를 들어, 구리 이온이, 상기 기판(110)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다.
즉, 상기 금속 배선(160)의 형성 과정 중, 상기 기판(110)과 상기 금속(150)이 직접적으로 접촉하는 경우에 발생될 수 있는 각종 불량이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 일차적으로, 상기 접착촉매물질(170)이 상기 기판(110)에 도포되기 때문에, 상기 기판(110)의 슬러지(Sludge)에 기인하는 상기 금속 배선(160)의 패턴 불량 문제가 감소될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 매립층(120)의 높이를 제어하는 것에 의해, 상기 금속 배선(160)의 높이가 결정될 수 있기 때문에, 상기 패널의 특성 등에 따라, 상기 금속 배선(160)의 높이가 자유롭게 설정될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 패널의 제조방법에 따라 제조된 패널의 단면을 개략적으로 나타낸 예시도이다.
상기한 바와 같은, 본 발명에 따른 패널의 제조방법은, 실록산(Siloxane)과 같은 가용성 절연체(Soluble Insulator)를 상기 매립층(120)으로 이용하여, 단차 없이, 높은 두께를 갖는 금속 배선을 형성할 수 있다는 특징을 가지고 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 상기 매립층(120)의 두께가 0.5㎛ 이상으로 형성될 수 있기 때문에, 상기 매립층(120)의 두께에 대응되는 높이를 갖는 금속 배선(160)이 형성될 수 있다.
또한, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 패널의 제조방법에 의해 형성된 상기 금속 배선(160)의 테이퍼(Taper), 즉, 상기 금속 배선(160)과 상기 기판(110)이 이루는 각도(α)가 45°내지 135°사이에서 다양하게 형성될 수 있다.
이에 반하여, 종래의 패널의 제조방법에 의해 형성된 금속 배선이 기판과 이루는 각도는 40°내지 70°사이에서 형성된다.
이하에서는, 상기한 바와 같은 패널의 제조방법에 의해 제조된 패널이 설명된다. 이하에서 설명되는 패널은, 상기 패널의 제조방법에 의해 제조되는바, 상기에서 설명된 내용과 중복되는 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다.
첫째, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널의 제조방법에 의해 제조된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널은, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110), 상기 기판(110) 상에 형성되며, 상기 기판(110)이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층(120) 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 기판(110)에 도포되어 있는 금속 배선(160)을 포함한다.
여기서, 상기 금속 배선(160)은, 상기 기판(110) 상에 도포되는 시드 금속(140) 및 상기 시드 금속(140) 상단에 도포되는 금속(150)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 금속 배선(160)의 높이는, 상기 매립층(120)의 높이와 동일하게 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 금속 배선(160)의 높이는 상기 매립층(120)의 높이와 5,000Å 이하의 단차를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 금속 배선(160)은, 상기 기판(110) 상에 형성되는 박막트랜지스터의 게이트전극, 데이터전극, 드레인전극, 데이터라인, 게이트라인, 공통전극 라인, 링크 라인 중 적어도 어느 하나로 이용될 수 있다.
즉, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 패널은, 상기한 바와 같은 다양한 종류의 디스플레이 장치에 적용되는 것으로서, 상기 패널에는, 상기 복수의 박막트랜지스터, 게이트라인, 데이터라인 및 공통전극 라인 등이 형성되어 있다.
상기 금속 배선(160)은 상기 박막트랜지스터를 형성하는 게이트전극, 데이터전극, 드레인전극들 중 적어도 어느 하나로 이용될 수 있으며, 또는, 상기 데이터라인, 게이트라인, 공통전극 라인 중 적어도 어느 하나로 이용될 수도 있다.
둘째, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널의 제조방법에 의해 제조된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 패널은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110), 상기 기판(110) 상에 형성되는 접착촉매물질(170), 상기 접착촉매물질(170) 상에 형성되며, 상기 접착촉매물질(170)이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층(120) 및 상기 금속 배선홈 내부에서 상기 접착촉매물질(170)에 도포되어 있는 금속 배선(160)을 포함한다.
여기서, 상기 금속 배선(160)은 다양한 종류의 금속으로 형성될 수 있으며, 상기 금속 배선(160)의 높이는, 상기 매립층(120)의 높이와 동일하게 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 금속 배선(160)의 높이는, 상기 매립층(120)의 높이와 5,000Å 이하의 단차를 가지도록 형성될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 기판 120: 매립층
130: 포토 레지스터 140: 시드 금속
150: 금속 160: 금속 배선
170: 접착촉매물질
130: 포토 레지스터 140: 시드 금속
150: 금속 160: 금속 배선
170: 접착촉매물질
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및
상기 금속 배선홈 내부에서 상기 기판에 도포되어 있는 금속 배선을 포함하는 패널. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선은,
상기 기판 상에 도포되는 시드 금속; 및
상기 시드 금속 상단에 도포되는 금속을 포함하는 패널. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선의 높이는, 상기 매립층의 높이와 동일하게 형성되거나, 또는 5,000Å 이하의 단차를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 패널. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선은,
상기 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터의 게이트전극, 데이터전극, 드레인전극, 데이터라인, 게이트라인, 공통전극 라인 중 적어도 어느 하나로 이용되는 것을 특징으로 하는 패널. - 기판;
상기 기판 상에 형성되는 접착촉매물질;
상기 접착촉매물질 상에 형성되며, 상기 접착촉매물질이 노출되어 있는 금속 배선홈들이 형성되어 있는 매립층; 및
상기 금속 배선홈 내부에서 상기 접착촉매물질에 도포되어 있는 금속 배선을 포함하는 패널. - 제 5 항에 있어서,
상기 금속 배선의 높이는, 상기 매립층의 높이와 동일하게 형성되거나, 또는 5,000Å 이하의 단차를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 패널. - 기판 상에 매립물질을 도포하는 단계;
상기 매립물질 위에 포토레지스터를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스터 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질을 식각시켜, 금속 배선홈이 형성된 매립층을 형성하는 단계;
시드 금속을 상기 기판의 전면에 도포하는 단계;
상기 포토레지스터 패턴을 제거하는 단계; 및
상기 금속 배선홈에 도포되어 있는 상기 시드 금속의 상단에 금속을 도포하여 상기 시드 금속과 상기 금속으로 구성된 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 패널의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 금속은 도금 방법에 의해 상기 시드 금속 상단에 도포되거나 또는 슬릿을 통해 상기 금속 배선홈에 직접 삽입되어 상기 시드 금속 상단에 도포되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 금속은 상기 매립층의 높이와 동일한 높이까지 형성되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조방법. - 기판 상에 접착촉매물질을 도포하는 단계;
상기 접착촉매물질 상에 매립물질을 도포하는 단계;
상기 매립물질 위에 포토레지스터를 증착한 후, 상기 포토레지스터를 식각하여 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스터 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 매립물질을 식각시켜, 금속 배선홈이 형성된 매립층을 형성하는 단계; 및
상기 금속 배선홈에 형성된 상기 접착촉매물질의 상단에 상기 금속을 도포하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 패널의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130075773A KR20150002218A (ko) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 패널 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130075773A KR20150002218A (ko) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 패널 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150002218A true KR20150002218A (ko) | 2015-01-07 |
Family
ID=52475693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130075773A KR20150002218A (ko) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 패널 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150002218A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10804484B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-10-13 | Lg Display Co., Ltd. | Lighting panel and method of fabricating the same, lighting module, lighting device, and lighting system |
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2013
- 2013-06-28 KR KR1020130075773A patent/KR20150002218A/ko active Search and Examination
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10804484B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-10-13 | Lg Display Co., Ltd. | Lighting panel and method of fabricating the same, lighting module, lighting device, and lighting system |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| E601 | Decision to refuse application | ||
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