CN103515397A - 具有像素级自动光衰减器的图像传感装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括一基底；复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的该像素数据；以及复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且用来根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

Description

具有像素级自动光衰减器的图像传感装置

技术领域

本发明涉及一种图像传感装置，尤其涉及一种具有可自动调整入射光通量的像素级自动光衰减器的图像传感装置。

背景技术

随着科技发展，各种图像传感装置已被大量应用于数字电子商品中，例如扫描仪、数字相机、移动电话、个人数字助理等，而目前较为广泛使用的图像传感装置包括互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal OxideSemiconductors，CMOS）及电荷耦合装置（Charge Coupled Device，CCD）。上述图像传感装置都为硅半导体装置，可用来捕捉光能，然后将光能转换成电能，经传输后再次转换为可量测的电压，而得到数字数据。

请参考图1，图1为公知图像传感装置接收的光通量与图像传感装置产生的电压的特征曲线图，其中电压是对应于图像传感装置撷取的图像信息。如图1所示，图像传感装置接收的光通量必须超过一最小光通量LFmin，图像传感装置才可据以转换出可量测的电压。也就是说，在一次图像撷取中，图像传感装置接收的光通量必须超过最小光通量LFmin，图像传感装置才可取得有效的图像信息。因此，若最小光通量LFmin越小，图像传感装置能够取得亮度越低的图像信息。

另一方面，当图像传感装置接收的光通量超过一最大光通量LFmax后，图像传感装置都产生一最大电压Vmax。换言之，若图像传感装置在接收两不同亮度的图像信息时，对应光通量都超过最大光通量LFmax，则图像传感装置都会输出最大电压Vmax，而导致无法分辨图像信息的亮度差别。因此，最大光通量LFmax越大，图像传感装置才越能分辨亮度较高的图像信息。因此，公知技术已提供一指针动态范围（Dynamic Range，DR），用来评鉴图像传感装置的亮度分辨情形，即图像传感装置能够辨别所接收的光通量范围的大小，其定义为：

$\mathrm{DR}=20\mathrm{Log}\left(\frac{\mathrm{LF}\max }{\mathrm{LF}\min }\right).$

一般而言，图像传感装置的动态范围越大，所撷取的图像信息可更真实呈现图像中的明暗差别。

详细而言，请参考图2，图2为公知图像传感装置接收不同强度的入射光的模拟结果示意图，其中曲线C1～C3依序对应于不同强度的入射光L1～L3。如图2所示，由于入射光L1单位时间产生的光通量最多，因此曲线C1在一时间点T1即达到图像传感装置可辨别的一最大电量Qmax（对应于最大电压Vmax）。在此同时，由于入射光L3单位时间产生的光通量最少，曲线C3在时间点T1时，仍未达到图像传感装置可辨别的一最小电量Qmin。此时，若取时间点T1做为图像传感装置的曝光时间，图像传感装置将无法产生足够的电量，来取得入射光L3包括的图像信息。因此，为了取得低亮度的图像信息，必须延长图像传感装置的曝光时间。然而，若欲让曲线C3超越最小电量Qmin，而将图像传感装置的曝光时间延长至一时间点T2时，曲线C1以及曲线C2都已超过最高电量Qmax，进而造成图像传感装置无法辨别入射光L1、L2包括的图像信息差别。

由上述可知，公知的图像传感装置的动态范围有先天上的限制，而无法在一次图像撷取中取得大亮度范围的图像信息。为了增加图像传感装置的动态范围，公知解决方法之一是采用重复曝光的技术。然而，重复曝光的技术需要分次撷取不同亮度范围的图像信息后，再进行合成处理，以完成一次图像撷取。由此可知，公知的重复曝光技术不仅浪费时间，且无法应用在高速移动的图像。

发明内容

因此，提出一种具有能够直接根据对应于像素数据的电压来自动调整入射光通量的像素级自动光衰减器的图像传感装置，以有效提高图像传感装置的动态范围。

根据一方面，一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括一基底；复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一对应的像素，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的该像素数据；以及复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且包括一透明介电层，形成在该对应的感光单元之上；以及一电致变色层，形成在该透明介电层之上，用来根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

根据另一方面，公开一种图像传感装置，用于撷取一图像中多个像素的像素数据，该图像传感装置包括一基底；复数个感光单元，每一感光单元以埋入方式形成在该基底中且对应于该复数个感光单元其中之一，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的像素数据；以及复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且包括一开关，耦接在该对应的感光单元与一重置电压之间，用来在图像传感装置撷取该像素数据后，重置该对应的感光单元产生的该电压为该重置电压；以及一掺杂层，形成在该基底中该对应的感光单元之上且掺有电致变色材料，用来根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

根据再另一方面，公开一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括一基底；复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的像素数据；以及复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器包括一微机电单元，形成在该对应的感光单元之上，用来根据该对应的感光单元产生的该电压，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

根据又另一方面，揭漏一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据。该图像传感装置包括：一基底；复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一对应的像素，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的该像素数据；以及复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且用来根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

附图说明

图1为公知图像传感装置接收的光通量与图像传感装置产生的一电压的特征曲线图。

图2为公知图像传感装置接收不同强度的入射光的仿真结果的范例示意图。

图3A为本发明实施例的一图像传感装置的示意图。

图3B为依据一实施例的图3A所示的图像传感装置中一感光单元以及一像素级自动光衰减器的示意图。

图4A与图4B为图3B所示的图像传感装置运作过程的范例示意图。

图5为图3B所示的图像传感装置所接收的光通量与所产生的电压的范例特征曲线图。

图6为图3B所示的图像传感装置接收不同强度的入射光的仿真结果的范例示意图。

图7为本发明实施例的另一图像传感装置的示意图。

图8为图7所示的图像传感装置运作过程的电位分布图。

图9为依据另一实施例的图3所示的图像传感装置的实现方式的示意图。

图10为依据一实施例的图9所示的图像传感装置中一微机电单元的实现方式的示意图。

图11A～11C是依据一实施例的图10所示的图像传感装置90运作过程的侧面剖视图。

其中，附图标记说明如下：

30、70              图像传感装置

300、700            基底

302、702            感光单元

304、706            像素级自动光衰减器

306                 透明介电层

308                 电致变色层

704、1000           开关

708                 掺杂层

900                 微机电单元

1002                导电可绕性薄膜

C1～C3、C1’～C3’  曲线

DR                  动态范围

E                   电场

L1～L3              入射光

Lfmax、LFmax’      最大光通量

LFmin               最小光通量

Qmax                最大电量

Qmin                最小电量

T1、T2              时间

Vmax                最大电压

Vreset        重置电压

VS            电压

具体实施方式

在以下所列举的范例实施例中，图像传感装置通过复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器根据对应于一像素的像素数据的一电压来调整此像素接收的光通量。据此，图像传感装置可在此像素接收到一定量的光通量时，调整对应于各像素的感光单元接收光通量的比例，进而扩大图像传感装置的动态范围。为更清楚地了解本发明，以下将配合图式，以至少一范例实施例来作详细说明。此外，以下实施例中所提到的连接用语，例如：耦接或连接等，仅是参考附加图式用以例示说明，并非用来限制实际上两个组件之间的连接关系是直接耦接或间接耦接。换言之，在一些实施例中，两个组件之间为直接耦接。在另外一些实施例中，两个组件之间为间接耦接。

请参考图3A，图3A为本发明实施例的一图像传感装置30的示意图。图像传感装置30用来撷取一图像数据中复数个像素的像素数据。为求简洁，图3A仅绘示出图像传感装置30的一基底300、复数个感光单元302以及复数个像素级自动光衰减器304，其余如用来转换像素数据的外围电路、图像处理电路等则略而未示。此外，为了便于说明，以下说明将以图像传感装置30中单一感光单元302以及相对应的像素级自动光衰减器304为主。请参考图3B，图3B为一感光单元302以及相对应的像素级自动光衰减器304的示意图。如图3B所示，基底300是一第一型基底（譬如P型基底（P-substrate））。感光单元302是形成在基底300中的一第二型（譬如N型）光二极管（photodiode）区域，其可接收入射光产生的光通量并据以产生对应于一像素的像素数据的一电压VS。像素级自动光衰减器304包括一透明介电层306以及一电致变色（Electro-chromic）层308，其可直接根据感光单元302产生的对应于此像素的电压VS，自动调整入射至感光单元302的光通量，以增加图像传感装置30的动态范围。值得注意的是，虽然在图3A所示的实施例中，每一感光单元是配置一对应的像素级自动光衰减器，但在其它实施例中，图像传感装置30同样包括复数个感光单元与复数个像素级自动光衰减器，然可以有多个(譬如两个、三个)感光单元是配置有一共享的像素级自动光衰减器。

详细来说，透明介电层306是以可透光的绝缘材料形成在感光单元302之上。举例而言，透明介电层306可以印刷的方式形成在感光单元302之上，但不在此限。另外，在此所谓的透明介电层，是代表具有光穿透性，其透光率根据设计需求而决定。在较佳实施例中，其为完全透明或几乎完全透明，在其它一些实施例中，其为部分透明。另一方面，电致变色层308则可以电致变色材料形成。此外，电致变色层308的透光率是根据通过电致变色层308的电场所决定。当经过电致变色层308的一电场E强度为零时（即电压VS为地端电位时），可安排电致变色层308的透光率（即单位时间感光单元302可接收的光通量）为最高。当感光单元302接收到光通量并据以产生电压VS时，通过静电感应，电场E的强度会增加，从而降低电致变色层308的透光率，以减少入射至感光单元302的光通量。换言之，通过静电感应，电场E的强度是与电压VS的绝对值大致呈现一正相关关系（譬如为正比关系），而电致变色层308的透光率则与电场E的强度大致呈现一反向关关系（譬如为反比关系）。因此，电致变色层308可在感光单元302接收的光通量增加时，自动减少入射至感光单元302的光通量，进而扩大图像传感装置30的动态范围。

请继续参考图4A与图4B，图4A与图4B为图3B所示的图像传感装置30运作过程的范例示意图。如图4A所示，当感光单元302未接收光通量而未产生电压VS时，电致变色层308中并无产生电场E（即电场E的强度为0），电致变色层308的透光率最大。接下来，请参考图4B，当感光单元302开始接收光通量并于一耦接在透明介电层306的表面产生电压VS时，通过静电感应电致变色层308中的电洞会被电压VS吸引至一耦接在透明介电层306的表面（即电致变色层308的下方）。另一方面，电致变色层308中的电子也会集中在电致变色层308的上方。如此一来，电场E即产生在电致变色层308中，而电致变色层308的透光率也随之改变。随着感光单元302接收的光通量的累积，其产生的电压VS会逐渐降低，从而使电场E强度增强并使电致变色层308的透光率降低。藉此，电致变色层308可在感光单元302产生的电压VS的绝对值增加时，减少入射至感光单元302的光通量。此外，以上运作过程是在一次图像撷取中完成，即图像传感装置30可在一次图像撷取中，取得高动态范围的图像信息。

请参考图5，图5为图3所示的图像传感装置30所接收的光通量与电压VS的范例特征曲线图。如图5所示，特征曲线的斜率在低亮度（低光通量）区域大致不变，因此图像传感装置30对于低亮度图像信息仍保持相同的敏锐度。另一方面，在高亮度（高光通量）区域，由于电致变色层308的透光率会随着电压VS上升而渐渐降低，因此特征曲线的斜率也会随着电压VS上升而渐渐减少。最大电压Vmax对应的光通量由最大光通量LFmax变为一较大的最大光通量LFmax’，因此图像传感装置30对于高亮度图像信息的鉴别能力增加。此外，动态范围譬如可定义为：

$\mathrm{DR}=20\mathrm{Log}\left(\frac{\mathrm{LF}{\max }^{\′}}{\mathrm{LF}\min }\right).$

因此，像素级自动光衰减器304可使图像传感装置300的动态范围有效增加。

相似地，图像传感装置300的动态范围增加情形也可由照射不同亮度的入射光所产生的电量的特征曲线观察得知。请参考图6，图6为图像传感装置30接收不同强度入射光的仿真结果的范例示意图，其中以虚线绘示的曲线C1～C3以及以实线绘示的曲线C1’～C3’分别对应于不同强度的光线L1～L3。不同的是，虚线C1～C3是对应于公知的图像传感装置，而曲线C1’～C3’是对应于本发明实施例的图像传感装置30。如图6所示，由于电致变色层308的透光率会随着接收光通量的累积（电压VS的上升）而降低，因此感光单元302产生电子的速率随之降低，导致曲线C1’的斜率也随着接收光通量的累积而渐渐减少。相似地，曲线C2’、C3’的斜率也会随着接收光通量的累积而改变。不同于公知的图像传感装置，若图像传感装置30的曝光时间选择为时间T2，不仅曲线C3’达到了最小电量Qmin，曲线C1’、C2’也未饱和于最大电量Qmax。换言之，相较于公知图像传感装置，图像传感装置30扩大了可辨别图像信息的亮度范围，即图像传感装置30的动态范围被有效增加。

需注意的是，上述实施例的精神在于直接利用复数个像素级自动光衰减器，根据图像传感装置中各感光单元接收光通量所产生的电压来自动调整图像传感装置中各感光单元所接收的光通量的比例，从而达到扩大图像传感装置整体的动态范围的目的。据此，上述实施例可在一次图像撷取中，取得高动态范围的图像信息，而不需分次撷取不同亮度范围的图像。此外，亦由于上述实施例可根据图像传感装置中各感光单元接收光通量所产生的电压来自动调整图像传感装置中各感光单元所接收的光通量的比例，上述实施例可针对单一感光单元（单一像素）进行调整，而不需连动地调整复数个感光单元入射光比例，从而达到更精确的调整。

此外，根据不同应用，本领域熟知技艺者可据以实施适当的调整或变化。例如，图像传感装置30中透明介电层306可替换为一对应于一特定色彩的滤光片，以使感光单元302只接收该特定色彩入射光的光通量。此外，图像传感装置30也可另包括一滤光片，该滤光片可对应于一特定色彩，且该滤光片可形成在电致变色层308之上。如此一来，也可达到使感光单元302只接收该特定色彩入射光的光通量的目的。较佳地，该滤光片是以印刷方式形成在电致变色层308之上，但不在此限。

此外，图像传感装置30也可由其它架构实现。请参考图7，图7为本发明实施例一图像传感装置70的示意图。图像传感装置70是用来撷取一图像中一像素数据。如图7所示，图像传感装置70包括一基底700、一感光单元702、一开关704以及一像素级自动光衰减器706。相似于图像传感装置30，基底700为第一型基板（譬如为P型基板），而感光单元702是形成在第二型（譬如为N型）光二极管区域。然而，与图像传感装置30不同的是，感光单元702是以埋入方式形成在基底700之中，且可耦接在开关704。开关704耦接在感光单元702以及一重置电压Vreset，用来控制感光单元702与重置电压Vreset之间的一连结。此外，像素级自动光衰减器706包括一掺杂层708，其可根据感光单元702产生的电压VS，调整入射至感光单元702的光通量，以增加图像传感装置70的动态范围。需注意的是，图像传感装置70可如图3A所示般在基底中形成复数个感光单元702、复数个开关704以及复数个像素级自动光衰减器706，以完整接收一图像数据中复数个像素的像素数据，而不限于此。

详细来说，在图像传感装置70开始传感图像前，开关704会被导通以将感光单元702的电位设为重置电压Vreset，其中重置电压Vreset为一正电压。如此一来，感光单元702与基底700的表面将会有重置电压Vreset的电位差，而在掺杂层708产生电场E。由于掺杂层708是一掺有电致变色材料的掺杂区，因此掺杂层708的透光率将会根据电场E而改变。在此实施例中，当感光单元702的电位为重置电压Vreset时，电场E的强度最强，掺杂层708的透光率会被最大化。接下来，当图像传感装置70开始感测图像时，开关704断开，感光单元702开始接收光通量并产生电子，而使感光单元702的电位由重置电压Vreset开始渐渐降低。因此，在感光单元702开始接收光通量后，电场E的强度将会渐渐减低，而掺杂层708的透光率也随之下降。藉此，掺杂层708可在感光单元702接收的光通量增加时，自动减少入射至感光单元702的光通量。

此外，需注意的是，掺杂在掺杂层708的电致变色材料可为III价电致变色材料或是其它电致变色材料。需注意的是，若掺杂的电致变色材料不属于III价电致变色材料，掺杂层708中电致变色材料的掺杂浓度不可过高，以避免影响掺杂区的特性。

请继续参考图8，图8为图7所示的图像传感装置70运作过程的电位分布图。如图8所示，在感光单元702开始接收光通量之前，图像传感装置70会导通开关704来使感光单元702的电位提升至重置电压Vreset。因此，感光单元702与基底700的表面之间将会有重置电压Vreset的电位差，从而产生电场E并最大化掺杂层708的透光率。在感光单元702接收光通量后，感光单元702的电位将会下降，而由重置电压Vreset开始渐渐下降。因此，感光单元702与基底700的表面之间的电位差会下降，电场E的强度也随之降低，而使掺杂层708的透光率减少。

除此之外，图像传感装置30中的像素级自动光衰减器304也可由微机电形式实现。请参考图9，图9为依据另一实施例的图3B所示的图像传感装置30的实现方式的示意图。不同于图像传感装置30，像素级自动光衰减器304是由一微机电单元900实现。微机电单元900的构造是类似于一百叶窗，其可根据感光单元302接收光通量所产生的电压VS，自动调整入射至感光单元302的光通量，以可扩大图像传感装置30的动态范围。

需注意的是，图9所示的图像传感装置90是本发明的实施例，其是以功能方块方式表示此实施例的概念，而各方块的实现方式或相关信号的形式、产生方式等可根据各种系统的需求而适当调整。举例来说，请参考图10，图10为依据一实施例的图像传感装置90中微机电单元900的一实现方式的示意图。如图10所示，微机电单元900包括一开关1000以及一导电可绕性薄膜1002。开关1000在一第一端耦接在一重置电压Vreset，以及在一第二端耦接在与导电可绕性薄膜1002以及感光单元302。导电可绕性薄膜1002是一覆盖在感光单元302的不透光导电薄膜，其一端固定在感光单元302之上。在一实施例中，导电可绕性薄膜1002是一以沈积（溅镀）方式形成在感光单元302上的金箔，但不在此限。由于导电可绕性薄膜1002只有部份（譬如一端）固定在基板上，因此导电可绕性薄膜1002与感光单元302间的夹角可根据感光单元302产生的电压VS而改变。藉此，导电可绕性薄膜1002可根据电压VS，调整入射至感光单元302的光通量，以扩大图像传感装置30的动态范围。值得注意的是，虽然本实施例中以一微机电单元具有一导电可绕性薄膜与一开关来进行说明，然而在其它实施例中，一微机电单元可包括复数个可绕性薄膜及/或复数个开关。此外，虽然本实施例中导电可绕性薄膜的形状是大致上是矩形，然根据设计需求，可以具有其它形状。

详细而言，请参考第11A～11C图，第11A～11C图是依据一实施例的图10所示的图像传感装置90运作过程的侧面剖视图。如图11A所示，在图像传感装置90欲接收像素数据前，会先导通开关1000，以使导电可绕性薄膜1002与感光单元302的电位成为重置电压Vreset。在此实施例中，重置电压Vreset是一正电压。此时，导电可绕性薄膜1002可通过与感光单元302间的一静电互斥力而垂直于感光单元302。接下来，请参考图11B，在图像传感装置90开始接收像素数据时，开关1000会断开。在此状况下，感光单元302可完全接收入射光的光通量而不会受到导电可绕性薄膜1002影响。最后，请参考图11C，随着感光单元302接收光通量并产生电子，导电可绕性薄膜1002与感光单元302上的电位会渐渐降低。因此，导电可绕性薄膜1002与感光单元302之间的静电互斥力将会降低，而导致原先垂直于感光单元302的导电可绕性薄膜1002开始倾斜。在此状况下，部份入射光将被导电可绕性薄膜1002阻挡，进而减少入射至感光单元302的光通量。由以上叙述可知，通过静电感应，导电可绕性薄膜1002可在感光单元302接收的光通量增加时，自动减少入射至感光单元302的光通量，从而增加图像传感装置30的动态范围。

综上所述，上述实施例所公开的图像传感装置利用不同实现方式的像素级自动光衰减器，直接根据感光单元接收光通量所产生的电压来调整入射至感光单元的光通量，从而增加图像传感装置的动态范围。据此，上述实施例所公开的图像传感装置可调整入射至单一感光单元的光通量，而不需连动调整入射至复数个感光单元的光通量，从而达到更精确的操作。甚者，上述实施例所公开的图像传感装置可在一次图像撷取中，取得高动态范围的图像信息。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括：

一基底；

复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一对应的像素；以及

复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且包括：

一透明介电层，形成在该对应的感光单元之上；以及

一电致变色层，形成在该透明介电层之上。

2.如权利要求1所述的图像传感装置，其特征在于该复数个感光单元当中每一者是感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的该像素数据，以及该复数个像素级自动光衰减器当中每一者的该电致变色层是根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

3.如权利要求2所述的图像传感装置，其特征在于该电致变色层的透光率与该电场的强度呈现一反相关关系。

4.如权利要求1所述的图像传感装置，其特征在于该透明介电层是一对应于一特定颜色的滤光片。

5.如权利要求4所述的图像传感装置，其特征在于该滤光片以印刷方式形成在该感光单元之上。

6.如权利要求1所述的图像传感装置，其还包括一对应于一特定颜色的滤光片形成在该电致变色层之上。

7.如权利要求6所述的图像传感装置，其特征在于该滤光片是以印刷方式形成在该电致变色层之上。

8.一种图像传感装置，用于撷取一图像中多个像素的像素数据，该图像传感装置包括：

一基底；

复数个感光单元，每一感光单元以埋入方式形成在该基底中且对应于该复数个感光单元其中之一；以及

复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且包括：

一开关，耦接在该对应的感光单元与一重置电压之间；以及

一掺杂层，形成在该基底中该对应的感光单元之上且掺有电致变色材料。

9.如权利要求8述的图像传感装置，其特征在于该复数个感光单元当中每一者是感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的像素数据，以及该复数个像素级自动光衰减器当中每一者的该掺杂层是根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

10.如权利要求8述的图像传感装置，其特征在于该复数个像素级自动光衰减器当中每一者的该开关用来于图像传感装置撷取该像素数据后，重置该对应的感光单元产生的该电压为该重置电压。

11.如权利要求8所述的图像传感装置，其特征在于该电致变色材料是三价的电致变色材料。

12.如权利要求9所述的图像传感装置，其特征在于该掺杂层的透光率与该电场的强度成一正比关系。

13.一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括：

一基底；

复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一；以及

复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器包括：

一微机电单元，形成在该对应的感光单元之上，用来调整入射至该对应的感光单元的光通量。

14.如权利要求13所述的图像传感装置，其特征在于该复数个感光单元当中每一者是用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的像素数据，以及复数个像素级自动光衰减器当中每一者的该微机电单元是根据该对应的感光单元产生的该电压，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

15.如权利要求13所述的图像传感装置，其特征在于该微机电单元包括：

一导电可绕性薄膜，覆盖在该对应的感光单元上，且该导电可绕性薄膜的一端是固定在该对应的感光单元上；以及

一开关，耦接在一重置电压与该导电可绕性薄膜以及该感光单元之间。

16.如权利要求15所述的图像传感装置，其特征在于该导电可绕性薄膜是以沈积（溅镀）方式形成在该对应的感光单元之上。

17.如权利要求15所述的图像传感装置，其特征在于该导电可绕性薄膜是一金箔。

18.如权利要求14所述的图像传感装置，其特征在于当该电压降低时，微机电单元减少入射至该对应的感光单元的光通量。

19.一种图像传感装置，用于撷取一图像中复数个像素的像素数据，该图像传感装置包括：

一基底；

复数个感光单元，每一感光单元形成在该基底中且对应于该复数个像素其中之一对应的像素，用来感测光通量并据以产生一电压，该电压对应于该对应的像素的该像素数据；以及

复数个像素级自动光衰减器，每一像素级自动光衰减器对应于该复数个感光单元其中之一，且用来根据该对应的感光单元产生的该电压产生的一电场，自动调整入射至该对应的感光单元的光通量。

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