JP3318698B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JP3318698B2 JP3318698B2 JP23648294A JP23648294A JP3318698B2 JP 3318698 B2 JP3318698 B2 JP 3318698B2 JP 23648294 A JP23648294 A JP 23648294A JP 23648294 A JP23648294 A JP 23648294A JP 3318698 B2 JP3318698 B2 JP 3318698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- semiconductor layer
- conductive transparent
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、半導体発光素子に関
し、特に、基板上に形成された積層部の表面側からの光
の照射効率を向上させるための技術に関する。
し、特に、基板上に形成された積層部の表面側からの光
の照射効率を向上させるための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層と
の境界に発光層を介設させて構成される積層部を基板上
に形成してなる半導体発光素子は、所定箇所をエッチン
グ等により除去して上記両半導体層の表面部を露出状態
とし、この両露出表面部にそれぞれ電極パッドを形成す
るのが通例である。これは、電極パッドの形成領域とし
て比較的広い面積を確保するには、上記半導体層の表面
部を利用せざるを得ないという理由による。
の境界に発光層を介設させて構成される積層部を基板上
に形成してなる半導体発光素子は、所定箇所をエッチン
グ等により除去して上記両半導体層の表面部を露出状態
とし、この両露出表面部にそれぞれ電極パッドを形成す
るのが通例である。これは、電極パッドの形成領域とし
て比較的広い面積を確保するには、上記半導体層の表面
部を利用せざるを得ないという理由による。
【０００３】したがって、たとえば単一の半導体発光素
子の発光領域について考察してみると、図３にその平面
視状態を示すように、半導体発光素子６０は、最表面に
存在するＰ型半導体層６１の表面部と、エッチングによ
り除去されて露出状態となっているＮ型半導体層６２の
表面部とに、Ｐ側およびＮ側の各電極パッド６３、６４
がそれぞれ形成される。
子の発光領域について考察してみると、図３にその平面
視状態を示すように、半導体発光素子６０は、最表面に
存在するＰ型半導体層６１の表面部と、エッチングによ
り除去されて露出状態となっているＮ型半導体層６２の
表面部とに、Ｐ側およびＮ側の各電極パッド６３、６４
がそれぞれ形成される。
【０００４】そして、上記電極パッドとしては、Ａｌま
たはＡｌ合金製等の遮光性を有するメタルを使用するの
が一般的である。
たはＡｌ合金製等の遮光性を有するメタルを使用するの
が一般的である。
【０００５】このような事情を勘案して、たとえばＬＥ
Ｄランプに上記半導体発光素子６０（ＬＥＤ素子）が搭
載される場合を例に挙げると、上記積層部の発光層から
側方に向かって発せられた光を、反射皿等による反射作
用あるいは屈折作用を伴わせて、その表面側に向かって
照射させる構造となっている。
Ｄランプに上記半導体発光素子６０（ＬＥＤ素子）が搭
載される場合を例に挙げると、上記積層部の発光層から
側方に向かって発せられた光を、反射皿等による反射作
用あるいは屈折作用を伴わせて、その表面側に向かって
照射させる構造となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体発光素子６０のように、発光領域を構成する半導
体層の表面側にＡｌ製等のメタルの電極パッド６３を形
成する手法によれば、発光層から表面側に向かって発せ
られた光が上記電極パッド６３により遮られる。このた
め、エッチングによる非除去部分である上記Ｐ型半導体
層６１の全域から上記電極パッド６３の形成領域を除外
した箇所、すなわち同図に鎖線を付した箇所が実質的な
発光領域６５となる。そして、上記電極パッド６３の形
成領域が占有する比率は比較的大きいものであるため、
この半導体発光素子６０の表面側からの照射効率が著し
く悪くなるという問題を有している。
半導体発光素子６０のように、発光領域を構成する半導
体層の表面側にＡｌ製等のメタルの電極パッド６３を形
成する手法によれば、発光層から表面側に向かって発せ
られた光が上記電極パッド６３により遮られる。このた
め、エッチングによる非除去部分である上記Ｐ型半導体
層６１の全域から上記電極パッド６３の形成領域を除外
した箇所、すなわち同図に鎖線を付した箇所が実質的な
発光領域６５となる。そして、上記電極パッド６３の形
成領域が占有する比率は比較的大きいものであるため、
この半導体発光素子６０の表面側からの照射効率が著し
く悪くなるという問題を有している。
【０００７】一方、上記半導体発光素子６０の表面側に
向かう光量を十分なものにするには、上記例示したよう
に発光層の側方から取り出した光を表面側に至らせるた
めに反射あるいは屈折させることを余儀なくされる。こ
れに伴って、ＬＥＤランプ等の発光デバイスの製作時に
は、光を反射あるいは屈折させるための反射皿等が必要
になり、しかもその反射皿等には高反射率の鏡面を形成
せねばならず、その加工作業が面倒になるばりでなく作
業工数の増加をも招くことになる。
向かう光量を十分なものにするには、上記例示したよう
に発光層の側方から取り出した光を表面側に至らせるた
めに反射あるいは屈折させることを余儀なくされる。こ
れに伴って、ＬＥＤランプ等の発光デバイスの製作時に
は、光を反射あるいは屈折させるための反射皿等が必要
になり、しかもその反射皿等には高反射率の鏡面を形成
せねばならず、その加工作業が面倒になるばりでなく作
業工数の増加をも招くことになる。
【０００８】なお、上記照射効率悪化の問題に対して
は、上記電極パッド６３の形成面積を小さくすることが
考えられるが、このような単純な手法では、電極パッド
６３に対してワイヤボンディングを行う場合の位置決め
精度を極めて高くせねばならず、その作業の困難化を招
くとともに、ワイヤボンダの高精度化ならびにこれに伴
うコストの高騰を招くことになる。
は、上記電極パッド６３の形成面積を小さくすることが
考えられるが、このような単純な手法では、電極パッド
６３に対してワイヤボンディングを行う場合の位置決め
精度を極めて高くせねばならず、その作業の困難化を招
くとともに、ワイヤボンダの高精度化ならびにこれに伴
うコストの高騰を招くことになる。
【０００９】本願発明は、上述の事情のもとで考え出さ
れたものであって、電極パッドが陰になって発光素子の
表面側から直接的に外方に向かう光量が不足するという
事態を、ワイヤボンディングの困難化を招くことなく回
避するとともに、従来のような反射皿等における高反射
率鏡面の形成を不要もしくはその鏡面仕上げ度合いを軽
減して発光デバイスの加工作業を容易化することをその
課題とする。
れたものであって、電極パッドが陰になって発光素子の
表面側から直接的に外方に向かう光量が不足するという
事態を、ワイヤボンディングの困難化を招くことなく回
避するとともに、従来のような反射皿等における高反射
率鏡面の形成を不要もしくはその鏡面仕上げ度合いを軽
減して発光デバイスの加工作業を容易化することをその
課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１１】本願発明は、基板の片面上に、Ｎ型半導体
層、発光層、およびＰ型半導体層から構成される積層部
が形成され、上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のうち、上
記基板から遠く離れている上層側の半導体層の表面露出
部には電極パッドが形成されているとともに、下層側の
半導体層には、上記積層部にエッチングが施されている
ことにより表面露出部が設けられて、この表面露出部に
も電極パッドが形成されている、半導体発光素子におい
て、上記基板は、透明なサファイア基板であるととも
に、上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のそれぞれの電極パ
ッドは、ともに導電性透明膜として構成されており、か
つ上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との接触
は、上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との合金
化、上記導電性透明膜の加熱処理、および上記導電性透
明膜へのイオン注入のいずれかがなされていることによ
りオーミック接触とされていることを特徴としている。
層、発光層、およびＰ型半導体層から構成される積層部
が形成され、上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のうち、上
記基板から遠く離れている上層側の半導体層の表面露出
部には電極パッドが形成されているとともに、下層側の
半導体層には、上記積層部にエッチングが施されている
ことにより表面露出部が設けられて、この表面露出部に
も電極パッドが形成されている、半導体発光素子におい
て、上記基板は、透明なサファイア基板であるととも
に、上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のそれぞれの電極パ
ッドは、ともに導電性透明膜として構成されており、か
つ上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との接触
は、上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との合金
化、上記導電性透明膜の加熱処理、および上記導電性透
明膜へのイオン注入のいずれかがなされていることによ
りオーミック接触とされていることを特徴としている。
【００１２】
【発明の作用および効果】本願発明によれば、積層部に
おける上層側の半導体層に形成される電極パッドを、導
電性透明膜で構成するようにしたから、発光層から表面
側に向かって発せられた光は、上記電極パッドにより遮
られることなく、高照射効率でその表面側から直接的に
外方に向かって照射される。すなわち、上記積層部にお
ける電極パッドの形成領域についても、発光層から半導
体層および透明膜を透過して表面側外方に向かう光路が
形成され、発光領域（発光面積）がトータル的に増加す
るのである。
おける上層側の半導体層に形成される電極パッドを、導
電性透明膜で構成するようにしたから、発光層から表面
側に向かって発せられた光は、上記電極パッドにより遮
られることなく、高照射効率でその表面側から直接的に
外方に向かって照射される。すなわち、上記積層部にお
ける電極パッドの形成領域についても、発光層から半導
体層および透明膜を透過して表面側外方に向かう光路が
形成され、発光領域（発光面積）がトータル的に増加す
るのである。
【００１３】この結果、従来のようにメタルを電極パッ
ドとして使用していた場合における発光層から表面側外
方への照射効率の低下が回避され、高輝度特性を備えた
半導体発光素子が得られる。さらに、従来のように発光
層からの光を反射させなくても、十分な光量を確保する
ことが期待でき、ＬＥＤランプ等の発光デバイスの製作
時における反射皿等の形成作業やその反射面の鏡面化作
業などが省略、あるいはその作業の緻密化が軽減され、
発光デバイス加工作業の簡易化が図られる。
ドとして使用していた場合における発光層から表面側外
方への照射効率の低下が回避され、高輝度特性を備えた
半導体発光素子が得られる。さらに、従来のように発光
層からの光を反射させなくても、十分な光量を確保する
ことが期待でき、ＬＥＤランプ等の発光デバイスの製作
時における反射皿等の形成作業やその反射面の鏡面化作
業などが省略、あるいはその作業の緻密化が軽減され、
発光デバイス加工作業の簡易化が図られる。
【００１４】また、上記透明膜の形成面積を広くしても
照射効率の低下を生じないことから、十分な面積を有す
る透明膜を形成できることになる。これにより、透明膜
に対してワイヤボンディングを施す場合の位置決め精度
は厳格な制約を受けなくなり、ボンディング作業の容易
化が図られるとともに、ワイヤボンダについても高精度
化が要請されなくなりコスト面での弊害を免れることに
なる。
照射効率の低下を生じないことから、十分な面積を有す
る透明膜を形成できることになる。これにより、透明膜
に対してワイヤボンディングを施す場合の位置決め精度
は厳格な制約を受けなくなり、ボンディング作業の容易
化が図られるとともに、ワイヤボンダについても高精度
化が要請されなくなりコスト面での弊害を免れることに
なる。
【００１５】
【実施例の説明】以下、本願発明の好ましい実施例を、
図面を参照しつつ具体的に説明する。
図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００１６】図１は本願発明に係る半導体発光素子の一
例を示す概略縦断面図、図２はその概略平面図である。
例を示す概略縦断面図、図２はその概略平面図である。
【００１７】図１に示すように、この実施例に係る半導
体発光素子１は、基本的には、絶縁基板であるサファイ
ア基板２上に、Ｎ型半導体層３と、発光層４と、Ｐ型半
導体層５とを備えてなる積層部６を形成したものであ
る。そして、上記サファイア基板２は透明（半透明も含
む）であって、その表面上には窒化ガリウムのバッファ
層７が形成されている。
体発光素子１は、基本的には、絶縁基板であるサファイ
ア基板２上に、Ｎ型半導体層３と、発光層４と、Ｐ型半
導体層５とを備えてなる積層部６を形成したものであ
る。そして、上記サファイア基板２は透明（半透明も含
む）であって、その表面上には窒化ガリウムのバッファ
層７が形成されている。
【００１８】詳細には、上記積層部６は、バッファ層で
あるＧａＮ層７の表面上に、下層部分から順に、Ｎ型Ｇ
ａＮの層３１と、Ｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層３２と、
Ｉｎ 0.15Ｇａ0.85Ｎの発光層４と、Ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎの層５１と、Ｐ型ＧａＮの層５２と、を形成した
ものである。この積層構造は、青色に対応した波長（好
ましくは４７０ｎｍ）の光を発するようになっている。
あるＧａＮ層７の表面上に、下層部分から順に、Ｎ型Ｇ
ａＮの層３１と、Ｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層３２と、
Ｉｎ 0.15Ｇａ0.85Ｎの発光層４と、Ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎの層５１と、Ｐ型ＧａＮの層５２と、を形成した
ものである。この積層構造は、青色に対応した波長（好
ましくは４７０ｎｍ）の光を発するようになっている。
【００１９】加えて、上記Ｎ型ＧａＮの層３１およびＮ
型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層３２にはＳｉが添加され、Ｐ
型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層５１およびＰ型ＧａＮの層５
２にはＭｇが添加されているとともに、上記Ｉｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎの層４にはＺｎが添加されている。
型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層３２にはＳｉが添加され、Ｐ
型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの層５１およびＰ型ＧａＮの層５
２にはＭｇが添加されているとともに、上記Ｉｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎの層４にはＺｎが添加されている。
【００２０】そして、上記Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎの発光層
４におけるＩｎのＧａに対する組成比（混晶比）を増加
させた場合には、この発光層４から発せられる光の波長
が長くなるとともに、上記Ｚｎの添加量を増加させた場
合には、上記組成比を増加させた場合よりもさらに光の
波長が長くなるという特性を備えている。なお、上記各
層の厚みは、下層側から各層３１、３２、４、５１、５
２のそれぞれの順に、たとえば３μｍ、３００ｎｍ、５
０ｎｍ、３００ｎｍ、１５０ｎｍに設定されている。
４におけるＩｎのＧａに対する組成比（混晶比）を増加
させた場合には、この発光層４から発せられる光の波長
が長くなるとともに、上記Ｚｎの添加量を増加させた場
合には、上記組成比を増加させた場合よりもさらに光の
波長が長くなるという特性を備えている。なお、上記各
層の厚みは、下層側から各層３１、３２、４、５１、５
２のそれぞれの順に、たとえば３μｍ、３００ｎｍ、５
０ｎｍ、３００ｎｍ、１５０ｎｍに設定されている。
【００２１】さらに、上記半導体発光素子１の積層部６
は、そのコーナー部がエッチングによりＮ型ＧａＮの層
３１の表面部分まで除去されており、この層３１の表面
部分にＮ側の電極パッドである導電性透明膜１１が形成
されている。これに対して、上記積層部６の非除去部分
の最上層であるＰ型ＧａＮの層５２の表面部分にＰ側の
電極パッドである導電性透明膜１２が形成されている。
そして、これらの各導電性透明膜１１、１２は、たとえ
ば微量の添加物を含む酸化スズ膜、または酸化スズ膜を
含む酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）によって構成され
る。
は、そのコーナー部がエッチングによりＮ型ＧａＮの層
３１の表面部分まで除去されており、この層３１の表面
部分にＮ側の電極パッドである導電性透明膜１１が形成
されている。これに対して、上記積層部６の非除去部分
の最上層であるＰ型ＧａＮの層５２の表面部分にＰ側の
電極パッドである導電性透明膜１２が形成されている。
そして、これらの各導電性透明膜１１、１２は、たとえ
ば微量の添加物を含む酸化スズ膜、または酸化スズ膜を
含む酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）によって構成され
る。
【００２２】上記の構成を備えた半導体発光素子１の製
造手順は、まず、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いて、サファイア基板２の表面上に、上述の各
成分の単結晶を成長させることにより、Ｎ型半導体層
３、発光層４、およびＰ型半導体層５を形成する。この
後、上記Ｎ側の導電性透明膜１１を形成するために、そ
のコーナー部における所定領域のエッチング処理を行
う。
造手順は、まず、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いて、サファイア基板２の表面上に、上述の各
成分の単結晶を成長させることにより、Ｎ型半導体層
３、発光層４、およびＰ型半導体層５を形成する。この
後、上記Ｎ側の導電性透明膜１１を形成するために、そ
のコーナー部における所定領域のエッチング処理を行
う。
【００２３】次に、蒸着もしくはスパッタリング等とエ
ッチングとの組み合わせによる既知の手法を用いて、上
記Ｎ型ＧａＮ層３１の表面およびＰ型ＧａＮ層５２の表
面に、各電極パッドとしての導電性透明膜１１、１２を
それぞれ形成する。この場合、上記各導電性透明膜１
１、１２とこれらに対応する各半導体層３１、５２との
接触抵抗は所定の低値範囲内（許容範囲内）にあり、オ
ーミック接触がとられている。この場合におけるオーミ
ック接触は、上記導電性透明膜１１、１２と各半導体層
３１、５２との間の合金化、あるいは導電性透明膜１
１、１２の成分の加熱処理による接触抵抗の低抵抗化、
もしくは導電性透明膜１１、１２の下層部分へのイオン
注入などによって実現される。
ッチングとの組み合わせによる既知の手法を用いて、上
記Ｎ型ＧａＮ層３１の表面およびＰ型ＧａＮ層５２の表
面に、各電極パッドとしての導電性透明膜１１、１２を
それぞれ形成する。この場合、上記各導電性透明膜１
１、１２とこれらに対応する各半導体層３１、５２との
接触抵抗は所定の低値範囲内（許容範囲内）にあり、オ
ーミック接触がとられている。この場合におけるオーミ
ック接触は、上記導電性透明膜１１、１２と各半導体層
３１、５２との間の合金化、あるいは導電性透明膜１
１、１２の成分の加熱処理による接触抵抗の低抵抗化、
もしくは導電性透明膜１１、１２の下層部分へのイオン
注入などによって実現される。
【００２４】上記図示例の半導体発光素子１は、最終的
に単一のチップとして得られるたとえば平面視が一辺
０．５ｍｍの正方形状のものであるが、実際の製造に際
しては、所定面積のウエハに対して上記各図に示すよう
な構造のものを複数箇所に一括して形成した後、ダイシ
ングにより複数個の半導体発光素子１に分割することに
より得られる。
に単一のチップとして得られるたとえば平面視が一辺
０．５ｍｍの正方形状のものであるが、実際の製造に際
しては、所定面積のウエハに対して上記各図に示すよう
な構造のものを複数箇所に一括して形成した後、ダイシ
ングにより複数個の半導体発光素子１に分割することに
より得られる。
【００２５】そして、この半導体発光素子１は、サファ
イア基板２の裏面側からも光を発することが可能である
が、この半導体発光素子１の実際の使用態様は、サファ
イア基板２上の最上層のＰ型ＧａＮ層５２が、たとえば
ＬＥＤランプ等の発光デバイスの照射側を指向するよう
にリードフレーム等にボンディングされる。
イア基板２の裏面側からも光を発することが可能である
が、この半導体発光素子１の実際の使用態様は、サファ
イア基板２上の最上層のＰ型ＧａＮ層５２が、たとえば
ＬＥＤランプ等の発光デバイスの照射側を指向するよう
にリードフレーム等にボンディングされる。
【００２６】したがって、図２に示す平面視形態におい
て、Ｐ型ＧａＮ層５２の表面部分を含む斜線を付した箇
所が実質的な発光領域Ｌとなる。この場合、上記Ｐ側の
電極パッドは導電性透明膜１２で構成されているので、
上記Ｐ型ＧａＮ層５２の表面全域が発光領域Ｌとなる。
詳しくは、発光層４から発せられた青色の光は、電極パ
ッドに遮光されることなく、上記Ｐ型ＧａＮ層５２およ
び導電性透明膜１２をも通過して表面側外方に向かって
照射される。
て、Ｐ型ＧａＮ層５２の表面部分を含む斜線を付した箇
所が実質的な発光領域Ｌとなる。この場合、上記Ｐ側の
電極パッドは導電性透明膜１２で構成されているので、
上記Ｐ型ＧａＮ層５２の表面全域が発光領域Ｌとなる。
詳しくは、発光層４から発せられた青色の光は、電極パ
ッドに遮光されることなく、上記Ｐ型ＧａＮ層５２およ
び導電性透明膜１２をも通過して表面側外方に向かって
照射される。
【００２７】これにより、たとえば発光デバイスに反射
皿等を形成しなくても、あるいは反射皿等の反射面を高
反射率の鏡面に仕上げなくても、半導体発光素子１の表
面側から十分な光量が得られることになり、発光デバイ
スの製造作業が簡易化されることになる。また、図２か
らも判断できるように、発光領域Ｌを縮小することなく
導電性透明膜１２の形成領域を十分に広く取れるように
なり、これに伴って、導電性透明膜１２に対してワイヤ
ボンディングを施す場合の位置決め精度上の問題が生じ
なくなる。
皿等を形成しなくても、あるいは反射皿等の反射面を高
反射率の鏡面に仕上げなくても、半導体発光素子１の表
面側から十分な光量が得られることになり、発光デバイ
スの製造作業が簡易化されることになる。また、図２か
らも判断できるように、発光領域Ｌを縮小することなく
導電性透明膜１２の形成領域を十分に広く取れるように
なり、これに伴って、導電性透明膜１２に対してワイヤ
ボンディングを施す場合の位置決め精度上の問題が生じ
なくなる。
【００２８】なお、上記実施例は、透明のサファイア基
板２上に窒化ガリウム系化合物半導体の各層を形成する
ことにより得られる青色発光用の半導体発光素子１に本
願発明を適用したものであるが、これ以外に、公知とな
っている赤色発光用や緑色発光用の半導体発光素子につ
いても同様に本願発明を適用できることは言うまでもな
い。
板２上に窒化ガリウム系化合物半導体の各層を形成する
ことにより得られる青色発光用の半導体発光素子１に本
願発明を適用したものであるが、これ以外に、公知とな
っている赤色発光用や緑色発光用の半導体発光素子につ
いても同様に本願発明を適用できることは言うまでもな
い。
【００２９】
【図１】本願発明の実施例に係る半導体発光素子の積層
構造を示す概略縦断正面図である。
構造を示す概略縦断正面図である。
【図２】上記実施例に係る半導体発光素子の発光領域を
主として示す概略平面図である。
主として示す概略平面図である。
【図３】従来の問題点を示す半導体発光素子の概略平面
図である。
図である。
１ 半導体発光素子 ２ 基板（サファイア基板） ３ Ｎ型半導体層 ４ 発光層 ５ Ｐ型半導体層 ６ 積層部 １１ 導電性透明膜 １２ 導電性透明膜 ３１ Ｎ型半導体層（Ｎ型ＧａＮの層） ５２ Ｐ型半導体層（Ｐ型ＧａＮの層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の片面上に、Ｎ型半導体層、発光
層、およびＰ型半導体層から構成される積層部が形成さ
れ、上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のうち、上記基板か
ら遠く離れている上層側の半導体層の表面露出部には電
極パッドが形成されているとともに、下層側の半導体層
には、上記積層部にエッチングが施されていることによ
り表面露出部が設けられて、この表面露出部にも電極パ
ッドが形成されている、半導体発光素子において、上記基板は、透明なサファイア基板であるとともに、 上記Ｎ型およびＰ型の半導体層のそれぞれの電極パッド
は、ともに 導電性透明膜として構成されており、かつ、 上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との接触は、
上記導電性透明膜と上記上層側の半導体層との合金化、
上記導電性透明膜の加熱処理、および上記導電性透明膜
へのイオン注入のいずれかがなされていることによりオ
ーミック接触とされていることを特徴とする、半導体発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23648294A JP3318698B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23648294A JP3318698B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102550A JPH08102550A (ja) | 1996-04-16 |
| JP3318698B2 true JP3318698B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17001390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23648294A Expired - Fee Related JP3318698B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3318698B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250540A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置 |
| JP3344257B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2002-11-11 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
| JP4203132B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2008-12-24 | シャープ株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| US6614056B1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-09-02 | Cree Lighting Company | Scalable led with improved current spreading structures |
| US6992334B1 (en) * | 1999-12-22 | 2006-01-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices |
| WO2001073858A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group-iii nitride compound semiconductor device |
| TW493287B (en) | 2001-05-30 | 2002-07-01 | Epistar Corp | Light emitting diode structure with non-conductive substrate |
| JP2006066903A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用正極 |
| WO2006011672A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for semiconductor light-emitting device |
| WO2008073385A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices |
| JP5811413B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2015-11-11 | ウシオ電機株式会社 | Ｌｅｄ素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2791448B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1998-08-27 | 日亜化学工業 株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP3333219B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2002-10-15 | 株式会社東芝 | 化合物半導体発光素子 |
| JP2566207Y2 (ja) * | 1992-10-21 | 1998-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 電流注入型窒化ガリウム系発光素子 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23648294A patent/JP3318698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08102550A (ja) | 1996-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3326545B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4777757B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| KR100895452B1 (ko) | 반도체 발광소자용 양전극 | |
| TWI555231B (zh) | 半導體發光元件 | |
| JP5719110B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP4899825B2 (ja) | 半導体発光素子、発光装置 | |
| JP3693468B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US10074767B2 (en) | Light-emitting element | |
| TW531902B (en) | Light emitting device, its manufacturing method, and semiconductor light emitting apparatus | |
| US6586773B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP5276959B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | |
| KR100887139B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
| JP6780083B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US9099627B2 (en) | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device | |
| KR101290836B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그의 제조 방법, 및 발광 다이오드 램프 | |
| TWI336139B (en) | Light emitting diode having enhanced side emitting capability | |
| KR20160016846A (ko) | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 장치 | |
| JP2007258326A (ja) | 発光素子 | |
| JP2003086843A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
| JP3318698B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2006210730A (ja) | 発光素子 | |
| KR20190129454A (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 | |
| JP2005175462A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| EP3882988A1 (en) | Light-emitting diode | |
| JP3746569B2 (ja) | 発光半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |