JP2005175462A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体発光素子1は、n型半導体層15と活性層16とp型半導体層17と第1、第2及び第3の補助層13,14,18とオーミックコンタクト層19とを含む半導体領域2を有する。半導体領域2の光取り出し面として機能する一方の主面11の中央にカソード電極8が接続されている。半導体領域2の他方の主面12に導電性を有する光透過膜3を介して金属光反射膜4が結合されている。金属反射膜4には第1及び第2の接合金属層5,6を介してシリコン支持基板7が結合されている。シリコン支持基板7にアノード電極9が接続されている。光透過膜3は金属光反射膜4と半導体領域2との間の合金化を抑制する。これにより、金属光反射膜4の反射率が良好に保たれ且つカソード電極8とアノード電極9との間の順方向電圧が低くなる。
【選択図】 図1
Description
また、発光層から導電性支持基板側に放出された光をAlから成る金属反射膜によって良好に反射させることができる。
発光のための複数の半導体層を有し且つ光を取り出すための一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有する半導体領域と、
前記半導体領域の一方の主面側の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
前記半導体領域の他方の主面にオーミック接触し且つ導電性を有し且つ前記半導体領域で発生した光に対する透過性を有している光透過膜と、
前記光透過膜を覆うように配置され且つ前記半導体領域で発生した光を反射する機能を有している金属光反射膜と、
前記光透過膜又は前記金属光反射膜に対して電気的に接続された第2の電極と
備えていることを特徴とする半導体発光素子に係わるものである。
本発明における半導体発光素子は、完成した発光素子のみでなく、中間製品としての発光チップであってもよい。
また、前記半導体領域の前記他方の主面に露出する半導体層はヒ素(As)を含む化合物半導体から成ることが望ましい。ガリウムヒ素(GaAs)、アルミニウムガリウムヒ素(AlGaAs)等のAsを含む化合物半導体は、光透過膜と良好に低抵抗性接触する。この結果、低い動作電圧をより確実に得ることができる。
前記光透過膜は光透過性を有する金属酸化物からなることが望ましい。
前記光透過膜は、In2O3即ち酸化インジウム又は三酸化二インジウムとSnO2即ち酸化錫又は酸化第二錫との混合物(以下、ITOと言う。)、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛(ZnO)(以下、AZOと言う。)、フッ素がドープされた酸化錫(SnO2)(以下、FTOと言う。)、ZnO即ち酸化亜鉛、SnO即ち酸化錫又は酸化第一錫、ZnSe即ち亜鉛セレン、及びGaO即ち酸化ガリウムから選択された少なくとも1つから成ることが望ましい。これらの材料から成る光透過膜は金属反射膜及び半導体領域と良好に低抵抗性接触すると共に、光透過性に優れ、光の減衰を抑制して半導体領域で発生した光を金属光反射膜側及びこれとは逆の方向に良好に導くことができ、且つ金属光反射膜の金属の半導体領域側への拡散を良好に抑制する機能を有する。
前記光透過膜は、10nm〜1μmの厚みを有していることが望ましい。10nm以上の厚みを有する光透過膜は、金属光反射膜と半導体領域との反応即ち半導体と金属との相互拡散を抑制する機能を有し、これらの界面に光吸収の大きい合金層が形成されることを防止する。また、前記光透過膜の厚みを1μm以下に制限すると、前記光透過膜における光の減衰が少なくなり、外部量子効率を向上することができる。
前記金属光反射膜は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、及び銅(Cu)から選択された少なくとも1つを含む層であることが望ましい。これ等の金属膜で形成された金属光反射膜は、光透過膜との界面に良好な光反射面を形成する。即ち、Al膜及びAg膜から成る金属光反射膜は、短波長から長波長までの比較的広い波長領域の可視光に対して良好な反射特性を有する。また、Cu膜及びAu膜から成る金属光反射膜は、比較的長波長の可視光に対し良好な反射特性を有する。
前記半導体発光素子は、更に、前記金属光反射膜に結合された導電性支持基板を有していることが望ましい。前記半導体発光素子が導電性支持基板を有していると、前記半導体領域、前記光透過膜及び前記金属光反射膜の安定的な機械的支持が達成される。
前記第2の電極は前記導電性支持基板に結合され、前記導電性支持基板と前記金属光反射膜とを介して前記光透過膜に電気的に接続されていることが望ましい。これにより、前記第2の電極の形成が容易になる。
前記半導体領域は前記他方の主面に露出するコンタクト層を有していることが望ましい。また、前記コンタクト層の厚みT及び屈折率n1が
T=(2m+1)×(λ/4n1)±λ/8n1
n1=(n2×n3)1/2×0.8〜(n2×n3)1/2×1.2
ここで、mは0又は1又は2のいずれかの値、
n2は前記光透過膜の屈折率、
n3は前記半導体領域において前記コンタクト層に接している層の屈折率、
λは前記半導体領域から発生する光の波長、
に決定されていることが望ましい。なお、上記コンタクト層の屈折率n1を示す式は、屈折率n1が(n2×n3)1/2×0.8から0.8〜(n2×n3)1/2×1.2の範囲であることが望ましいことを意味している。コンタクト層の厚みTと屈折率n1とをこのように設定すると、光透過膜と金属光反射膜との間で反射した光がコンタクト層と光透過膜との界面で全反射することを防止できる。この結果、光透過膜と金属光反射膜との界面で反射した光を半導体領域の一方の主面側に良好に導くことができる。
前記半導体発光素子を製造するための方法は、
半導体基板を用意する工程と、
半導体基板上に発光のための複数の半導体層を有し且つ光を取り出すための一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有する半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域の他方の主面にオーミック接触し且つ導電性を有し且つ前記半導体領域で発生した光に対する透過性を有している光透過膜を形成する工程と、
前記半導体領域で発生した光を反射する機能を有している金属光反射膜を前記光透過膜の上に形成する工程と、
導電性を有している支持基板を前記金属光反射膜に接合する工程と、
前記半導体基板を除去する工程と、
前記半導体領域の一方の主面側の半導体層に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記支持基板に第2の電極を形成する工程と
を有していることが望ましい。これにより、前記半導体発光素子を容易に形成することができる。
また、前記特許文献1の半導体発光素子に比べて、金属光反射膜がオーミックコンタクトしている領域の面積を増大させることができる。このようにオーミックコンタクト領域の面積を増大させると、発光時における電流通路の抵抗が小さくなり、順方向電圧が低下し、電力損失が小さくなり、発光効率が向上する。
ダブルヘテロ接合型発光ダイオードのための半導体領域2において発光のために最も重要な部分はn型半導体層15と活性層16とp型半導体層17である。従って、半導体領域2のn型の第1の補助層13とn型の第2の補助層14とp型の第3の補助層18とp型コンタクト層19との全て又は一部を省略することができる。また、ダブルヘテロ接合型としない場合には活性層16を省くこともできる。従って、半導体領域2は少なくともn型半導体層15とp型半導体層17とを含むものであれば良い。
この発光素子1は、活性層16から放射された光を半導体領域2の一方の主面11側から取り出すように構成されている。
次に、発光素子1の各部を詳しく説明する。
AlxGayIn1-x-yP
ここで、x,yは0≦x≦1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1を満足する数値、
で示すことができる材料であることが望ましい。しかし、活性層16をAlxGayIn1-x-yN等の別の3−5族化合物半導体で構成することもできる。
この実施形態では、活性層16に、導電型決定不純物が添加されていない。しかし、活性層16にp型クラッド層17よりも低い濃度でp型不純物を添加すること、又はn型半導体層15よりも低い濃度でn型不純物を添加することも可能である。また、図1では図示を簡略化するために活性層16が単一の層で示されているが、実際には、周知の多重量子井戸(MQW:Multi-Quantum-Well)構造、又は単一量子井戸(SQW:Single-Quantum-Well )構造を有する。
Alx Gay In1-x-y P
ここで、x,yは0≦x<1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1を満足する数値、
で示すことができる材料であることが望ましい。活性層16で発生した光を外部に良好に取り出すためにn型半導体層15のAlの割合xは活性層16のAlの割合xよりも大きい値を有し、好ましくは0.15〜0.45、より好ましくは0.2〜0.4である。また、Gaの割合yは好ましくは0.05〜0.35、より好ましくは0.1〜0.3である。n型半導体層15のn型不純物の濃度は5×1017cm-3以上であることが望ましい。n型半導体層15のバンドギャップは活性層16のバンドギャップよりも大きい。
なお、n型半導体層15をAlxGayIn1-x-yN等の別の3−5族化合物半導体で構成することもできる。
AlxGayIn1-x-y P
ここでx,yは0≦x≦1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1を満足する数値、
で示すことができる材料であることが望ましい。活性層16で発生した光を外部に良好に取り出すためにp型半導体層17のAlの割合xは活性層16のAlの割合xよりも大きい値を有し、好ましくは0.15〜0.5の範囲に設定される。p型半導体層17のp型不純物の濃度は例えば5×1017cm-3以上に決定される。p型半導体層17のバンドギャップは活性層16のバンドギャップよりも大きい。
なお、p型半導体層17をAlxGayIn1-x-yN等の別の3−5族化合物半導体で構成することもできる。
AlxGayIn1-x-yP
ここで、x,yは0≦x≦1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1を満足する数値、
で示すことができる3−5族化合物半導体にn型不純物を添加したものから成る。
なお、第1の補助層13をAlxGayIn1-x-yN等の別の3−5族化合物半導体で構成することもできる。
コンタクト層19の厚みをT、屈折率をn1、光透過膜3の屈折率をn2、第3の補助層18の屈折率をn3、活性層16から発生する光の波長をλとした時、コンタクト層19の厚みT及び屈折率をn1を次の条件を満足するように決定することが望ましい。
T=(2m+1)×(λ/4n1)±λ/8n1
ここで、mは0又は1又は2のいずれかの値である。
n1=(n2×n3)1/2×0.8〜(n2×n3)1/2×1.2
コンタクト層19の厚みTと屈折率n1とをこのように設定すると、光透過膜3と金属光反射膜4との間で反射した光がコンタクト層19と光透過膜3との界面で全反射することを防止できる。この結果、光透過膜3と金属光反射膜4との界面で反射した光を半導体領域2の一方の主面11側に良好に導くことができる。
光透過膜3の厚みは10nm〜1μmであることが望ましい。光透過膜3の厚みを10nm以上にすると、金属光反射膜4と半導体領域2との合金化を良好に抑制することができる。また、光透過膜3の厚みを1μm以下に制限すると、光透過膜3における光の減衰が少なくなり、外部量子効率を向上することができる。光透過膜3は半導体領域2の他方の主面12の全面に形成することが最も望ましいが、しかし他方の主面12の50〜100%の範囲に形成することもできる。
(1) 金属光反射膜4と半導体領域2との間に導電性を有する光透過膜3が形成されているため、製造プロセス中の種々の熱処理工程において金属反射膜4と半導体領域2との間に生じる合金化反応を阻止又は抑制することができる。もし、合金化部分が生じると、反射率が低下するが、本実施形態ではこのような問題が生じない。このため、高い発光効率を有する発光素子を、容易に且つ高い歩留まりで生産することができる。
(2)光透過膜3はスパッタリング又CVD又は蒸着等によって金属酸化物を被着させることによって形成されているので、金属光反射膜4及び半導体領域2に対して合金化反応が抑制又は阻止された状態でオーミック接触する。従って、光透過膜3のオーミック接触部分における光吸収が少なくなり且つ抵抗が小さくなり、発光効率の低減及び動作電圧の増大を抑制することができる。
(3) 光透過膜3及び金属光反射膜4は半導体領域2の他方の主面12の実質的に全部に対向しているのでオーミック接触面積が大きくなり、半導体発光素子1に順方向電圧が印加された時のアノード電極9とカソード電極8との間の抵抗を減少させることができる。
(4)コンタクト層19を半導体領域2の他方の主面12の実質的に全部に設けるので、コンタクト層19を部分的に設ける前記特許文献1の半導体発光素子に比べて半導体領域2の他方の主面12の平坦性が良くなり、シリコン支持基板7の貼り合せを良好に達成することができる。
(5)コンタクト層19を部分的に設けることが不要になるので、コンタクト層19を部分的に設けるためのパターニングが不要になり、製造工程が簡素化される。
(1) 半導体領域2又は2aの機械的強度が十分な場合は、図1及び図3の支持基板7又は7aを省くことができる。この場合には金属光反射層4がカソード電極として機能する。
(2)半導体領域2又は2aの各層13,14,15,17,18,19の導電型を実施例と逆にすることができる。
2,2a 半導体領域
3 光透過膜
4 金属光反射層
5,6 第1及び第2の接合金属層
7 シリコン支持基板
8 カソード電極
9 アノード電極
15 n型半導体層
16 活性層
17 p型半導体層
13,14,18 第1、第2及び第3の補助層
19 オーミックコンタクト層
Claims (10)
- 発光のための複数の半導体層を有し且つ光を取り出すための一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有する半導体領域と、
前記半導体領域の一方の主面側に配置された半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
前記半導体領域の他方の主面にオーミック接触し且つ導電性を有し且つ前記半導体領域で発生した光に対する透過性を有している光透過膜と、
前記光透過膜を覆うように配置され且つ前記半導体領域で発生した光を反射する機能を有している金属光反射膜と、
前記光透過膜又は前記金属光反射膜に対して電気的に接続された第2の電極と
備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記半導体領域の前記他方の主面に露出する半導体層はAsを含む化合物半導体から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記光透過膜は光透過性を有する金属酸化物から成ることを特徴する請求項1又は2記載の半導体発光素子。
- 前記光透過膜は、酸化インジウムと酸化錫との混合物(ITO)、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛(AZO)、フッ素がドープされた酸化錫(FTO)、ZnO、SnO、ZnSe、及びGaOから選択された少なくとも1つから成ることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体発光素子。
- 前記光透過膜は、10nm〜1μmの厚みを有していることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4記載の半導体発光素子。
- 前記金属光反射膜は、Al、Ag、Au、及びCuから選択された少なくとも1つを含む層であることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4又は5記載の半導体発光素子。
- 更に、前記金属光反射膜に結合された導電性支持基板を有していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記第2の電極は前記導電性支持基板に結合され、前記導電性支持基板と前記金属光反射膜とを介して前記光透過膜に電気的に接続されていることを特徴とする請求項7記載の半導体発光素子。
- 前記半導体領域は前記他方の主面に露出するコンタクト層を有し、
前記コンタクト層の厚みT及び屈折率をn1が
T=(2m+1)×(λ/4n1)±λ/8n1
n1=(n2×n3)1/2×0.8〜(n2×n3)1/2×1.2
ここで、mは0又は1又は2のいずれかの値、
n2は前記光透過膜の屈折率、
n3は前記半導体領域において前記コンタクト層に接している層の屈折率、
λは前記半導体領域から発生する光の波長、
に決定されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体発光素子。 - 半導体基板を用意する工程と、
半導体基板上に発光のための複数の半導体層を有し且つ光を取り出すための一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有する半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域の他方の主面にオーミック接触し且つ導電性を有し且つ前記半導体領域で発生した光に対する透過性を有している光透過膜を形成する工程と、
前記半導体領域で発生した光を反射する機能を有している金属光反射膜を前記光透過膜の上に形成する工程と、
導電性を有している支持基板を前記金属光反射膜に接合する工程と、
前記半導体基板を除去する工程と、
前記半導体領域の一方の主面側の半導体層に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記支持基板に第2の電極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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