JP3972216B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3972216B2 JP3972216B2 JP2005503500A JP2005503500A JP3972216B2 JP 3972216 B2 JP3972216 B2 JP 3972216B2 JP 2005503500 A JP2005503500 A JP 2005503500A JP 2005503500 A JP2005503500 A JP 2005503500A JP 3972216 B2 JP3972216 B2 JP 3972216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- light
- semiconductor
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 217
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 55
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 313
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 53
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 39
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 11
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- -1 AlGaInP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
また、発光層から支持基板側に放出された光を金属反射膜によって反射させることができるので、高い発光効率を得ることができる。
しかし、前記文献1に記載の半導体発光素子では、複数の製造プロセス中の種々の熱処理に起因して、金属反射膜とこれに隣接する発光半導体領域との間に反応が生じ、その界面における反射率が低下することがあった。このため、期待されたほどには、発光効率の高い半導体発光素子を歩留り良く生産することができなかった。
本発明に従う半導体発光素子は、発光に寄与する複数の化合物半導体層11,12,13を順次に積層したものであって、光を取り出すための一方の主面15とこの一方の主面15と反対側の他方の主面16とを有している発光半導体領域2と、
前記発光半導体領域2の一方の主面15に接続された電極3と、
前記発光半導体領域2の他方の主面16の一部に配置され且つ前記発光半導体領域2にオーミック接触しているオーミックコンタクト領域4と、
前記発光半導体領域2の他方の主面16における前記オーミックコンタクト領域4が配置されていない部分の少なくとも一部に配置され、且つ前記発光半導体領域2で発光した光を透過させる機能を有し且つ前記発光半導体領域2と金属との反応を阻止又は抑制する機能を有している光透過層20と、
前記オーミックコンタクト領域4及び前記光透過層20を介して前記発光半導体領域2の他方の主面16に対向配置され且つ前記オーミックコンタクト領域4にオーミック接合され且つ前記発光半導体領域2から発生した光を反射する機能を有している金属光反射層5と
を備えている。
本発明における半導体発光素子は、完成した発光素子のみでなく、中間製品としての発光チップであってもよい。
また、前記光透過層20は、SiO2,SiO,MgO,In2O3,ZrO2,SnO2,Al2O3,TiO2,ZnO及びTaOから選択された1種以上の無機系酸化物、又は透光性ポリイミド樹脂から成ることが望ましい。
また、前記光透過層20は、3nm〜1μmの範囲の厚みを有することが望ましい。
また、光透過層20は、量子力学的トンネル効果を得ることができる厚みを有することが望ましい。
また、前記オーミックコンタクト領域4は前記発光半導体領域2の他方の主面16に分散配置された多数の島状部分、又は格子状領域、又はストライプ状領域から成ることことが望ましい。
また、前記発光半導体領域2はこの他方の主面16に露出しているGa系化合物半導体層11を有し、前記オーミックコンタクト領域4は金属材料とGaとの合金層から成ることが望ましい。なお、前記Ga系化合物半導体層11は、導電型決定不純物をそれぞれ含む、
AlxGayIn1-x-yP、ここで、x,yは0≦x<1、0<y≦1、0<x+y≦1を満足する数値、から成る化合物半導体層、
AlxGayIn1-x-yAs、ここで、x,yは0≦x<1、0<y≦1、0<x+y≦1を満足する数値、から成る化合物半導体層、及び
AlxGayIn1-x-yN、ここで、x,yは0≦x<1、0<y≦1、0<x+y≦1を満足する数値、から成る化合物半導体
から選択された1つであることことが望ましい。
また、前記金属光反射層5は、前記オーミックコンタクト領域4よりも反射率の大きい金属層であることが望ましい。
また、前記金属光反射層5はアルミニウム層であることが望ましい。
また、前記半導体発光素子は、更に、前記金属光反射層5に結合された導電性支持基板8を有していることが望ましい。
また、前記導電性支持基板8は不純物を含むシリコン支持基板であり、更に、前記シリコン支持基板に接続された別の電極9を有することが望ましい。
また、前記半導体発光素子は、
発光に寄与する複数の化合物半導体層(11,12,13)を順次に積層したものであって、光を取り出すための一方の主面(15)とこの一方の主面と反対側の他方の主面(16)とを有している発光半導体領域(2)を用意する第1の工程と、
前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)の一部にオーミックコンタクト領域(4)を形成し、且つ前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)の残部の少なくとも一部に光透過性を有し且つ前記発光半導体領域(2)と金属との反応を阻止又は抑制する機能を有している光透過層(20)を形成する第2の工程と、
前記オーミックコンタクト領域(4)及び前記光透過層(20)を介して前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)に対向配置され且つ前記オーミックコンタクト領域(4)にオーミック接合され且つ前記発光半導体領域(2)から発生した光を反射する機能を有している金属光反射層(5)を形成する第3の工程と
を備えて製造することが望ましい。
また、前記発光半導体領域2を用意する前記第1の工程は、
化合物半導体基板30を用意する工程と、
前記化合物半導体基板30の上に発光に寄与する複数の化合物半導体層11,12,13を順次にエピタキシャル成長させる工程と、
前記化合物半導体基板30を除去する工程と
を有していることが望ましい。
また、前記発光半導体領域2はこの他方の主面16に露出しているGa系化合物半導体層11を有し、且つ前記第2の工程は、
前記発光半導体領域2の前記他方の主面16の一部に遷移金属層17を形成する工程と、
前記発光半導体領域2の前記Ga系化合物半導体層11に前記遷移金属層17を介して拡散させることが可能な金属材料を含む層18を前記遷移金属層17の上に形成する工程と、
前記遷移金属層17及び前記金属材料を含む層18を伴なった前記発光半導体領域2に、前記Ga系化合物半導体層11を構成する元素と前記金属材料との共晶点よりも低い温度の加熱処理を施して前記金属材料を前記遷移金属層17を介して前記Ga系化合物半導体層11に導入して前記Ga系化合物半導体層11を構成する元素と前記金属材料との合金層から成り、且つ光を透過させることが可能な厚みを有しているオーミックコンタクト領域4を形成する工程と、
前記遷移金属層17及び前記金属材料を含む層18を除去する工程と
を有していることが望ましい。
また、前記半導体発光素子の製造方法は、更に、前記金属光反射層に導電性支持基板を結合させる工程を有していることが望ましい。
また、本発明の好ましい実施形態に従う製造方法によれば、遷稜金属層17の働きによって所望のオーミックコンタクト領域4を良好且つ容易且つ生産性良く形成することができる。即ち、遷移金属層17は化合物半導体を構成する元素を固相分解する機能及び半導体表面を清浄化する機能を有するため、遷移金属層17を介して発光半導体領域2と金属材料層18とを加熱すると、比較的低温(共晶温度以下)で半導体材料と金属材料が固相拡散する。この低温の固相拡散によれば、オ−ミックコンタクト領域4が薄く形成され且つ金属光反射層5を液化して半導体材料との合金化を促す作用を有する金属材料(例えば、Ge)を含まないオ−ミックコンタクト領域4が得られる。このため、オ−ミックコンタクト領域4の光吸収が少なくなる。
半導体発光素子1は、発光ダイオードを構成するものであって、図1に概略的に示すように、発光に寄与する複数の化合物半導体層を含む発光半導体領域2と、第1の電極としてのアノード電極3と、オーミックコンタクト領域4と、金属光反射層5と、第1及び第2の接合金属層6、7と、導電性支持基板としてのシリコン支持基板8と、第2の電極としてのカソード電極9と、電流ブロック層10と、本発明に従う光透過層20とから成る。なお、前記発光半導体領域2を主半導体領域又は発光機能領域と呼ぶことができる。
化学式 Alx Gay In1-x-y P、
ここで、x,yは0≦x<1、
0<y≦1、
0<x+y≦1を満足する数値、
から成る3−5族化合物半導体にn型不純物(例えばSi)をドーピングしたものであることが望ましい。上記化学式における、Al(アルミニウム)の割合xは好ましくは0.15〜0.45、より好ましくは0.2〜0.4である。また、Ga(ガリウム)の割合yは好ましくは0.15〜0.35、より好ましくは0.4〜0.6である。上記化学式に従う3−5族化合物半導体は少なくともGa(ガリウム)とP(リン)とを含み、必要に応じてIn(インジウム)を含む。n型クラッド層11のn型不純物の濃度は5×1017cm-3以上であることが望ましい。このn型クラッド層11に含まれるGaはオーミックコンタクト領域4の形成に寄与する。
なお、図1のn型クラッド層11の位置に化学式AlxGayIn1-x-yPで示すことができる3−5族化合物半導体から成るn型コンタクト層を設け、このn型コンタクト層と活性層12との間にn型クラッド層を設けることができる。n型コンタクト層とn型クラッド層との両方を設ける時には、これ等の両方が第1の化合物半導体層として機能する。なお、n型コンタクト層を設ける時には、n型クラッド層の材料をn型コンタクト層の材料と別にすることができる。
化学式 AlxGayIn1-x-yP、
ここで、x,yは0≦x≦1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1
を満足する数値、
から成るp型の3−5族化合物半導体から成る。この実施形態では、活性層12に、p型クラッド層13よりも低い濃度でp型不純物がドープされている。しかし、活性層12にn型不純物をドープすること、又は導電型決定不純物をドープしないことも可能である。図1にはn型クラッド層11と活性層12とp型クラッド層13とからなるダブルヘテロ接合構造の発光領域が示されている。従って、活性層12が単一の層で示されているが、この単一の活性層12の代わりに周知の多重量子井戸(MQW:Multi-Quantum-Well)構造、又は単一量子井戸(SQW:Single-Quantum-Well )構造の活性層を設けることができる。
活性層12の上に形成されたp型クラッド層13は、
化学式AlxGayIn1-x-y P、
ここでx,yは0≦x≦1、
0≦y≦1、
0≦x+y≦1
を満足する数値、
で示すことができるp型の3−5族化合物半導体からことが望ましい。上記化学式におけるAlの割合xは好ましくは0.15〜0.5の範囲に設定される。p型クラッド層13のp型不純物(例えばZn)の濃度は例えば5×1017cm-3以上に決定される。
電流拡散層14の中央上部に配置された電流ブロック層10は絶縁層から成る。この電流ブロック層10は発光半導体領域2の中央部に順方向電流が集中して流れることを防止する。
アノード電極3は例えば、Cr(クロム)層とAu(金)層との複合層から成り、電流拡散層14と電流ブロック層10との上に配置され、電流拡散層14にオーミック接触している。また、アノード電極3は順方向電流を均一に流すために基板2の主面15に対して垂直な方向から見て網目又は格子状に形成されている。なお、アノード電極3を光透過性電極とすることもできる。
オーミックコンタクト領域4は発光半導体領域2の他方の主面16に分散配置されている。即ち、発光半導体領域2の他方の主面16から見てn型クラッド層11に島状に埋め込まれた状態に各オーミックコンタクト領域4が形成されている。従って、発光半導体領域2の他方の主面16には、各オーミックコンタクト領域4とこれ等の間のn型クラッド層11との両方が露出する。
各オーミックコンタクト領域4は実質的にGaとAuのみから成る合金層即ち混合層から成り、n型クラッド層11及び光反射層5に対してオーミック接触している。GaAu合金層から成る各オーミックコンタクト領域4は、好ましくは20〜1000オングストロームの厚さに形成される。オーミックコンタクト領域4の厚みが20オングストロームよりも薄くなると、良好にオーミック接触をとることができなくなり、その厚みが1000オングストロームを越えると、オーミックコンタクト領域4の光透過性が悪くなる。
AuGa合金層から成るオ−ミックコンタクト領域4の光吸収率は、前記文献1のAuGeGa合金層の光吸収率よりも小さく、AuGa合金層から成るオーミックコンタクト領域4の光透過率は、前記文献1のAuGeGa合金層の光透過率よりも大きい。即ち、前記文献1のAuGeGa合金層は、光透過を阻害するGe(ゲルマニウム)を含み且つ2000オングストローム以上の厚さを有するので、前記文献1のオーミックコンタクト領域では、オ−ミックコンタクト領域によって多くの光が吸収され、オ−ミックコンタクト領域を透過する光もほとんどない。これに対して、本実施形態のオーミックコンタクト領域4はGeを含まないAuGa合金層から成り且つ20〜1000オングストロームの比較的薄い厚さを有するので、光透過率が従来のAuGeGaよりも大きくなる。なお、本願での光透過率、光吸収率及び光反射率は活性層12から放射された光に対するものである。
特性線Bに示す従来のGe(ゲルエニウム)が含まれているオーミックコンタクト領域の場合には、300℃の熱処理で反射率が約30%であり、特性線Aの本発明の実施形態に従うGeを含まない場合には、300℃の熱処理で反射率が約60%である。従って、本発明の実施形態によってオーミックコンタクト領域4と金属光反射層5とからなる複合化された反射部分の反射率が約30%向上している。図9の特性線Aによれば熱処理温度が低いほど反射率が高くなっている。しかし、熱処理温度が低くなり過ぎると、オーミックコンタクト領域4とn型クラッド層11との間の接触抵抗が大きくなる。この接触抵抗を2×10-4Ωcm2以下に抑えるためには、熱処理温度を好ましくは250〜340℃、より好ましくは290〜330℃とする。
遷移金属層17は、熱処理時にn型クラッド層11を構成しているAlGaInPを各元素に分解し、各元素を動き易くする作用、及びn型クラッド層11の表面を清浄化する作用を有する。遷移金属層17の上記作用によってGaとAuとの共晶点よりも低い温度の熱処理によってAuがn型クラッド層11に拡散し、GaとAuとの合金化層又は混合層から成るオーミックコンタクト領域4が極薄く形成される。
次に、図7に示すように発光半導体領域2の他方の主面16、即ちn型クラッド層11の露出表面とオーミックコンタクト領域4の表面との両方を覆うように厚み1〜10μm程度のAl層から成る金属光反射層5を真空蒸着法で形成し、赤外線ランプ等で短時間の熱処理を施す。これにより、導電性を有する金属光反射層5がオーミックコンタクト領域4にオーミックに接合され且つn型クラッド層11に隣接する光透過層20にも接合される。Alから成る金属光反射層5はn型クラッド層11に対して絶縁性の光透過層20を介して接合されるので、半導体発光素子1の順方向電流はn型クラッド層11から金属光反射層5に向かって流れない。金属光反射層5に隣接するオーミックコンタクト領域4の表面モオロジーが良いので、金属光反射層5の平坦性が良い。
次に、図8に示す不純物を含むSi基板から成る導電性基板8の一方の主面にAuから成る第2の接合金属層7を真空蒸着したものを用意し、第1及び第2の金属接合層6,7を加圧接触させ、300℃以下の温度の熱処理を施してAuを相互に拡散させることによって第1及び第2の金属接合層6,7を貼り合わせて発光半導体領域2と導電性を有するシリコン支持基板8とを一体化する。
次に、図1に示すように発光半導体領域2の一方の表面15上に電流を阻止するための電流ブロック層10及びアノード電極3を形成し、導電性支持基板8の下面にカソート電極9形成して半導体発光素子1を完成させる。
(1) 金属光反射層5と発光半導体領域2との間に絶縁性の光透過層20が形成されているため、製造プロセス中の種々の熱処理工程を経る過程において金属反射層5と発光半導体領域2との間に生じる合金化反応を阻止又は抑制することができる。もし、合金化部分が生じると、金属反射層5における反射率が低下するが、本実施形態ではこのような問題が生じない。このため、金属光反射層5の論理的な反射率に基づいて算出される高い発光効率を有する発光素子を、容易に且つ高い歩留まりで生産することができる。
(2) オーミックコンタクト領域4は光吸収性の大きいGeを含まず且つ極めて薄く形成されているので、オーミックコンタクト領域4と金属光反射層5とから成る反射部分の光反射率が高い値(例えば60%)を有する。このため、活性層12から金属光反射層5側に放出された光の多くが発光半導体領域2の一方の表面15側に戻され、発光効率が高くなる。
(3) オーミックコンタクト領域4と光反射層5とから成る反射部分の光反射率が大きくなるので、所定の光出力を得る時に発光半導体領域2の他方の主面16の面積に占めるオーミックコンタクト領域4の面積の割合を従来よりも増大させることができる。オーミックコンタクト領域4の面積が増大すると、半導体発光素子1の順方向抵抗が減少し、順方向電圧降下及び電力損失が低減し、発光効率が向上する。本実施形態に従う赤色発光ダイオードの最大発光効率は、電流容度40A/cm2において、47 lm/W(ルーメン/ワット)であった。
(4) 遷移金属層17を介してAu層18からAuをn型クラッド層11に拡散することによって、共晶点よりも低い温度でAuGaから成るオーミックコンタクト領域4を容易に形成することができる。
(5) オーミックコンタクト領域4の表面モフオロジーが良くなるので、導電性シリコン支持基板8の貼り合せを良好に達成することができる。
図10及び図11の半導体発光素子1aは、絶縁性の光透過層20の配置形態を変形し、この他は図1及び図2と同一に形成したものである。この第2の実施形態では、n型クラッド層11に網状又は格子状の凹部が設けられ、光透過層20の厚み方向における一部が上記凹部の中に配置され、残部はn型クラッド層11から突出している。図10及び図11の半導体発光素子1aによっても図1の半導体発光素子1と同一の効果を得ることができる。
(1) 発光半導体領域2の機械的強度が十分な場合は、図1及び図10のシリコン支持基板8を省くことができる。この場合には金属光反射層5がカソード電極として機能する。
(2) 図2においてオーミックコンタクト領域4の平面的に見た分布パターンを四角形の島状にしたが、円形島状、又は格子状、又はストライプ状等に変形することができる。オーミックコンタクト領域4を格子状に変形する時には、図2のn型クラッド層11の代わりにオーミックコンタクト領域4を格子状に配置し、図2のオーミックコンタクト領域4の代わりにn型クラッド層11を島状に配置する。
(3) オーミックコンタクト領域4とn型クラッド層11との間及び光透過層20とn型クラッド層11との間に、AlGaInPから成るn型コンタクト層、又はn型バッフア層、又はこれ等の両方を設けることができる。
(4) オーミックコンタクト領域4をAuGa以外のAuGeGa等の別の材料で形成することができる。この別の材料が光透過性を有すればこの厚さを20〜1000オーグストロームに制限することによって、オーミックコンタクト領域4と金属光反射層5とから成る反射部分の光反射率が比較的高くなり、発光効率を向上させることができる。
(5) 金層18を別の金属の層とすることができる。この別の金属はGaと合金化することが可能材料から選ばれる。
(6) シリコン支持基板8の代りに金属支持基板を設けることができる。
(7)前記遷移金属層(17)層をCr以外の、Ti、Ni、Sc、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn,Beから選択された少なくとも1種を含む層、Au層とCr層とAu層との複合層、Cr層とNi層とAu層との複合層、及びCr層とAuSi層とAu層との複合層から選択された1つとすることができる。
2 発光半導体領域
4 オーミックコンタクト領域
5 金属光反射層
20 光透過層
Claims (16)
- 発光に寄与する複数の化合物半導体層(11,12,13)を順次に積層したものであって、光を取り出すための一方の主面(15)とこの一方の主面(15)と反対側の他方の主面(16)とを有している発光半導体領域(2)と、
前記発光半導体領域(2)の一方の主面(15)に接続された電極(3)と、
前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)の一部に配置され且つ前記発光半導体領域(2)にオーミック接触しているオーミックコンタクト領域(4)と、
前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)における前記オーミックコンタクト領域(4)が配置されていない部分の少なくとも一部に配置され、且つ前記発光半導体領域(2)で発光した光を透過させる機能を有し且つ前記発光半導体領域(2)と金属との反応を阻止又は抑制する機能を有している光透過層(20)と、
前記オーミックコンタクト領域(4)及び前記光透過層(20)を介して前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)に対向配置され且つ前記オーミックコンタクト領域(4)にオーミック接合され且つ前記発光半導体領域(2)から発生した光を反射する機能を有している金属光反射層(5)と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記光透過層(20)は、電気絶縁性を有する膜であることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記光透過層(20)は、SiO2,SiO,MgO,In2O3,ZrO2,SnO2,Al2O3,TiO2,ZnO及びTaOから選択された1種以上の無機系酸化物、又は透光性ポリイミド樹脂から成ることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記光透過層(20)は、3nm〜1μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 光透過層(20)は、量子力学的トンネル効果を得ることができる厚みを有することを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記オーミックコンタクト領域(4)は前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)に分散配置された多数の島状部分、又は格子状領域から成ることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記発光半導体領域(2)はこの他方の主面(16)に露出しているGa系化合物半導体層(11)を有し、前記オーミックコンタクト領域(4)は金属材料とGaとの合金層から成ることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記Ga系化合物半導体層(11)は、
化学式 Alx Gay In1-x-y P、
ここで、x,yは0≦x<1、
0<y≦1、
0<x+y≦1を満足する数値、
から成る3−5族化合物半導体に導電型決定不純物をドーピングしたものであることを特徴とする請求項7に従う半導体発光素子。 - 前記金属光反射層(5)は、前記オーミックコンタクト領域(4)よりも反射率の大きい金属層であることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記金属光反射層(5)はアルミニウム層であることを特徴とする請求項9に従う半導体発光素子。
- 更に、前記金属光反射層(5)に結合された導電性支持基板(8)を有していることを特徴とする請求項1に従う半導体発光素子。
- 前記導電性支持基板(8)は不純物を含むシリコン支持基板であり、更に、前記シリコン支持基板に接続された別の電極(9)を有することを特徴とする請求項11に従う半導体発光素子。
- 発光に寄与する複数の化合物半導体層(11,12,13)を順次に積層したものであって、光を取り出すための一方の主面(15)とこの一方の主面と反対側の他方の主面(16)とを有している発光半導体領域(2)を用意する第1の工程と、
前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)の一部にオーミックコンタクト領域(4)を形成し、且つ前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)の残部の少なくとも一部に光透過性を有し且つ前記発光半導体領域(2)と金属との反応を阻止又は抑制する機能を有している光透過層(20)を形成する第2の工程と、
前記オーミックコンタクト領域(4)及び前記光透過層(20)を介して前記発光半導体領域(2)の他方の主面(16)に対向配置され且つ前記オーミックコンタクト領域(4)にオーミック接合され且つ前記発光半導体領域(2)から発生した光を反射する機能を有している金属光反射層(5)を形成する第3の工程と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光半導体領域(2)を用意する前記第1の工程は、
化合物半導体基板(30)を用意する工程と、
前記化合物半導体基板(30)の上に発光に寄与する複数の化合物半導体層(11,12,13)を順次にエピタキシャル成長させる工程と、
前記化合物半導体基板(30)を除去する工程と
を有していることを特徴とする請求項13に従う半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光半導体領域(2)はこの他方の主面(16)に露出しているGa系化合物半導体層(11)を有し、
前記第2の工程は、
前記発光半導体領域(2)の前記他方の主面(16)の一部に遷移金属層(17)を形成する工程と、
前記発光半導体領域(2)の前記Ga系化合物半導体層(11)に前記遷移金属層(17)を介して拡散させることが可能な金属材料を含む層(18)を前記遷移金属層(17)の上に形成する工程と、
前記遷移金属層(17)及び前記金属材料を含む層(18)を伴なった前記発光半導体領域(2)に、前記Ga系化合物半導体層(11)を構成する元素と前記金属材料との共晶点よりも低い温度の加熱処理を施して前記金属材料を前記遷移金属層(17)を介して前記Ga系化合物半導体層(11)に導入して前記Ga系化合物半導体層(11)を構成する元素と前記金属材料との合金層から成り、且つ光を透過させることが可能な厚みを有しているオーミックコンタクト領域(4)を形成する工程と、
前記遷移金属層(17)及び前記金属材料を含む層(18)を除去する工程と
を有していることを特徴とする請求項13に従う半導体発光素子の製造方法。 - 更に、前記金属光反射層に導電性支持基板を結合させる工程を有していることを特徴とする請求項13に従う半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003063198 | 2003-03-10 | ||
JP2003063198 | 2003-03-10 | ||
PCT/JP2004/002834 WO2004082033A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-03-05 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004082033A1 JPWO2004082033A1 (ja) | 2006-06-15 |
JP3972216B2 true JP3972216B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=32984425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005503500A Expired - Fee Related JP3972216B2 (ja) | 2003-03-10 | 2004-03-05 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7498609B2 (ja) |
JP (1) | JP3972216B2 (ja) |
CN (1) | CN1759491B (ja) |
TW (1) | TWI230473B (ja) |
WO (1) | WO2004082033A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170023521A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964884B2 (en) * | 2004-10-22 | 2011-06-21 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
CN100372137C (zh) * | 2005-05-27 | 2008-02-27 | 晶能光电(江西)有限公司 | 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法 |
KR100691177B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광소자 |
JP2007067198A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光素子 |
CN100375303C (zh) * | 2005-10-27 | 2008-03-12 | 晶能光电(江西)有限公司 | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 |
EP1821347B1 (en) * | 2006-02-16 | 2018-01-03 | LG Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same |
TWI288979B (en) | 2006-02-23 | 2007-10-21 | Arima Optoelectronics Corp | Light emitting diode bonded with metal diffusion and manufacturing method thereof |
JP4935136B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
WO2007120799A2 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Medox Exchange, Inc. | Dynamic binding of access and usage rights to computer-based resources |
TWI370555B (en) * | 2006-12-29 | 2012-08-11 | Epistar Corp | Light-emitting diode and method for manufacturing the same |
TWI395344B (zh) * | 2007-02-15 | 2013-05-01 | Epistar Corp | 發光二極體與其製造方法 |
US7821061B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-10-26 | Intel Corporation | Silicon germanium and germanium multigate and nanowire structures for logic and multilevel memory applications |
CN101276863B (zh) * | 2007-03-29 | 2011-02-09 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
JP5346443B2 (ja) | 2007-04-16 | 2013-11-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE102007022947B4 (de) * | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
TWI452716B (zh) * | 2007-06-08 | 2014-09-11 | Formosa Epitaxy Inc | Gallium nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof |
US8237183B2 (en) | 2007-08-16 | 2012-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
JP5065936B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8243766B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-08-14 | Michael Huff | Means for improved implementation of laser diodes and laser diode arrays |
TWI418056B (zh) * | 2007-11-01 | 2013-12-01 | Epistar Corp | 發光元件 |
CN101483211B (zh) * | 2008-01-11 | 2015-08-12 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
US7935546B2 (en) * | 2008-02-06 | 2011-05-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measurement and control of photomask to substrate alignment |
US7989834B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-08-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
TWI389355B (zh) * | 2009-01-05 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 發光半導體裝置 |
JP5493624B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及び電子機器 |
KR20110096680A (ko) * | 2010-02-23 | 2011-08-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
CN102792469A (zh) * | 2010-03-09 | 2012-11-21 | 申王均 | 透明发光二极管晶片组件及其制造方法 |
TWI437738B (zh) | 2010-10-06 | 2014-05-11 | Huga Optotech Inc | 半導體發光元件 |
US9082935B2 (en) * | 2012-11-05 | 2015-07-14 | Epistar Corporation | Light-emitting element and the light-emitting array having the same |
JP5584331B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
TWI604633B (zh) * | 2013-11-05 | 2017-11-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
JP5981493B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-08-31 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
TWI565098B (zh) * | 2015-06-10 | 2017-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光元件 |
TWI652372B (zh) | 2015-06-30 | 2019-03-01 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體發光裝置及其形成方法 |
CN105355740B (zh) * | 2015-10-19 | 2017-09-22 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
CN107359223B (zh) * | 2017-07-17 | 2019-02-05 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
CN107482098B (zh) * | 2017-09-20 | 2023-05-09 | 南昌大学 | 一种薄膜led芯片结构 |
US10804438B2 (en) * | 2017-10-18 | 2020-10-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145520A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3645994B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2005-05-11 | 三菱電線工業株式会社 | GaN系半導体発光素子 |
JP3981797B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2007-09-26 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2002217450A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
-
2004
- 2004-03-02 TW TW093105393A patent/TWI230473B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-05 JP JP2005503500A patent/JP3972216B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-05 CN CN2004800062695A patent/CN1759491B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-05 WO PCT/JP2004/002834 patent/WO2004082033A1/ja active Application Filing
-
2005
- 2005-09-08 US US11/222,369 patent/US7498609B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170023521A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
KR102425124B1 (ko) | 2015-08-24 | 2022-07-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1759491B (zh) | 2010-12-08 |
WO2004082033A1 (ja) | 2004-09-23 |
JPWO2004082033A1 (ja) | 2006-06-15 |
US20060001032A1 (en) | 2006-01-05 |
TWI230473B (en) | 2005-04-01 |
CN1759491A (zh) | 2006-04-12 |
TW200419831A (en) | 2004-10-01 |
US7498609B2 (en) | 2009-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3972216B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US7183586B2 (en) | Semiconductor element and manufacturing method for the same | |
JP4043461B2 (ja) | フリップチップ用窒化物半導体発光素子 | |
KR100586949B1 (ko) | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 | |
TWI305425B (ja) | ||
JP5732140B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
US8748903B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element | |
TWI274429B (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6780083B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2005277372A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4164689B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2007281037A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US6946372B2 (en) | Method of manufacturing gallium nitride based semiconductor light emitting device | |
JP4831107B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI230472B (en) | Semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof | |
JP2010074182A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4174581B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
WO2005027232A1 (ja) | GaN系発光ダイオード | |
JP2004221112A (ja) | 酸化物半導体発光素子 | |
JP4108439B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
JP2014110300A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP6888651B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2024080988A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
JP2003197964A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070516 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |