JP2007103917A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 透明導電性材料のコンタクト電極と前記コンタクト電極より小なるサイズのパッド電極とを有し、フリップ実装される固体素子と、
   前記固体素子が実装される表面の回路パターンと、裏面に形成される外部配線パターンと、前記回路パターンと前記外部配線パターンとを内部にて電気的に接続するビアパターンと、を含む素子搭載基板と、
   前記固体素子を封止する無機封止材料からなる無機封止部と、
   前記固体素子の前記コンタクト電極の前記素子搭載基板側に形成され、前記無機封止材料より小さい屈折率の小屈折率膜と、
   前記固体素子の前記小屈折率膜と前記素子搭載基板との間に形成された気体層と、を有することを特徴とする固体素子デバイス。
2. 前記コンタクト電極は、前記無機封止部と非接触であることを特徴とする請求項１に記載の固体素子デバイス。
3. 前記固体素子の実装面と、前記素子搭載基板の素子実装面との距離が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体素子デバイス。
4. 前記素子搭載基板は、前記回路パターンに前記素子搭載基板と前記固体素子の間への前記無機封止材料の進入を抑制するための突出部が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
5. 前記コンタクト電極は、前記固体素子の成長基板と同等の熱膨張率を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
6. 前記透明導電性材料は、酸化物であることを特徴とする請求項５に記載の固体素子デバイス。
7. 前記透明導電性材料は、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)である請求項６に記載の固体素子デバイス。
8. 前記小屈折率膜は、誘電体層を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
9. 前記誘電体層は、前記固体素子が発する光を散乱反射する材料を含むことを特徴とする請求項８に記載の固体素子デバイス。
10. 前記誘電体層は、ＳｉＯ_２層を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の固体素子デバイス。
11. 前記固体素子は、線状に形成された第１および第２の電極を略矩形状の発光領域を介して対向配置した請求項１から１０のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
12. 前記固体素子は、略矩形状に設けられる発光領域の中央に設けられる第１の電極と、前記発光領域の周辺に設けられる第２の電極とを有する請求項１から１１のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
13. 前記無機封止部は、蛍光体を含む請求項１から１２のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。