DE10259945A1 - Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft Leuchtstoffe und Leuchtstoffgemische mit einer verlängerten Fluoreszenzlebensdauer und wird bei der Herstellung von optoelektronischen Festkörperbauelementen und kompakten Energiesparlampen angewendet. DOLLAR A Erfindungsgemäß werden in einem Silikat-Germanat-Leuchtstoff oder in Aluminat-Leuchtstoffen zusätzliche Lumineszenzzentren eingebaut. Damit wird eine verbesserte Temperaturstabilität des Leuchtstoffes erreicht, die für den Einsatz in lichtemittierenden Elementen sowie insbesondere LED zur Erzeugung von farbigem und/oder weißem Licht von Vorteil sind. Bei einer Betriebstemperatur beim Betreiben von LED von etwa 60 bis 120 DEG C wird eine Effektivitätssteigerung gegenüber herkömmlichen Leuchtstoffen erreicht. Des weiteren zeigen die Leuchtstoffe eine verlängerte Fluoreszenzlebensdauer gegenüber herkömmlichen Leuchtstoffen für LED, bei denen die Fluoreszenzlebensdauer allgemein im Mikrosekundenbereich liegt. Gleichzeitig ist der Silikat-Germanat-Leuchtstoff auf Grund seiner Eigenschaften hervorragend geeignet, in Abhängigkeit von seiner Zusammensetzung sowohl im blauen Spektralbereich bis hin in den orangeroten Spektralbereich des sichtbaren Spektrums zu emittieren. Insbesondere ist er ausgewählt für den Einsatz als Konversionsmittel für blaue und/oder ultraviolette Anregungslichtquellen im Wellenlängenbereich von 300 bis 500 nm, um weißes Licht mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer bei gleichzeitig hoher Effektivität zu erhalten.

Description

  • Die Erfindung betrifft Leuchtstoffe und Leuchtstoffgemische mit einer verlängerten Fluoreszenzlebensdauer und findet bei der Herstellung von optoelektronischen Festkörperbauelementen und kompakten Energiesparlampen Anwendung.
  • Durch Butler, K. H.: "Fluorescent Lamp Phosphors" in Technology and Theory", Pennsylvania Univ. Press University Park (1980) sind Leuchtstoffe für Fluoreszenzlampen bekannt, die sowohl im blauen als auch im kurzwelligen ultravioletten Spektralbereich anregbar sind und im sichtbaren Spektralbereich emittieren. Allerdings ist ihre Verwendung bisher nur in Fluoreszenzlampen und kompakten Energiesparlampen bekannt.
  • Für LED werden sowohl organische als auch anorganische Farbstoffe verwendet. Die organischen Farbstoffe weisen eine nur geringe Stabilität bei geringer Effektivität auf.
  • In WO 98/12757, WO 02/93116 und US 6.252.254 werden jedoch zunehmend anorganische Materialien als Farbkonversionsmittel zur Erzeugung weißen Lichtes beschrieben, wobei diese hauptsächlich dem Leuchtstoffsystem YAG, das aus Yttrium-Aluminium-Granat besteht, zugeordnet werden müssen. Nachteil dieser Leuchtstoffklasse ist die Erzeugung von weißem Licht mit einer niedrigen Farbwiedergabestufe, die beispielsweise bei Kombination einer blauen LED mit diesem gelbemittierenden Leuchtstoff der Farbwiedergabeindex Ra zwischen 70 und 77 und einer Farbwiedergabestufe IIa liegt. Diese unzureichenden Qualitäten bei der Erzeugung von weißem Licht sind darauf zurückzuführen, daß die Ellipsen der Lichtverteilung für weißes Licht bei Farbtemperaturen kleiner 5000 K nicht oder nur unbefriedigend erreicht werden. Allerdings ist der Einsatz des Leuchtstoffsystems YAG auf blaue LED beschränkt. Unterhalb der Farbwellenlänge 460 nm nimmt die Anregbarkeit des Leuchtstoffsystems YAG drastisch ab. Bei Farbwellenlängen von 370 nm bis 400 nm des Arbeitsbereiches der UV-LED ist das Leuchtstoffsystem YAG nur noch geringfügig anregbar.
  • In WO 00/33389 ist das Leuchtstoffsystem Ba2SiO4 : Eu2+ mit einem Emissionsmaximum bei einer Farbwellenlänge von 505 nm beschrieben, welches auch unterhalb der Farbwellenlänge von 500 nm eine gute Eigenschaften zur Stimulation besitzt.
  • Aus WO 00/33390 sind Leuchtstoffmischungen für LED bekannt, die Farbtemperaturen von 3000 bis 6500 K bei einem gleichzeitigen Farbwiedergabeindex Ra von 83–87 hervorbringen.
  • In Kombination mit weiteren Leuchtstoffen, die bevorzugt im roten oder im blauen Spektralbereich emittieren, können die Leuchtstoffe als Mischung zur Erzeugung von farbigem und/oder weißem Licht herangezogen werden. Nachteil aller herkömmlichen Leuchtstoffe, die für LED eingesetzt werden, ist die unzureichende Temperaturcharakteristik wie auch Temperaturstabilität. Diese führt dazu, dass die Effektivität des Leuchtstoffes bei steigender Temperatur, wie sie beim Betreiben von LED auftritt, deutlich abnimmt. Dabei verschiebt sich, wie im Fall des Leuchtstoffsystems YAG, auch die Energieverteilung des emittierenden Lichtes, wobei die Lichtfarbe verändert wird.
  • Ein weiterer Nachteil für einige Anwendungen ist die geringe Fluoreszenzlebensdauer bekannter in LED eingesetzter Leuchtstoffe wie bei Ce- aktivierten YAG und Eu-aktivierten Leuchtstoffen BAM, die aus Barium-Magnesium-Aluminat bestehen. Die typische Fluoreszenzlebensdauer hauptsächlich für Ce- und Eu-aktivierte Leuchtstoffe beträgt wenige Mikrosekunden. Im allerhöchsten Fall kann die Fluoreszenzlebensdauer einige Millisekunden betragen, was dann durch die zusätzliche Dotierung, beispielsweise durch Mangan, hervorgerufen wird.
  • Die Aufgabe der Erfindung sind Leuchtstoffe mit einer verbesserten Temperaturstabilität und damit verbundener verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass durch den Einsatz von ein oder mehreren Co- Aktivatoren aus La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und ähnliche Stoffe zusätzlich zu den gewöhnlich verwendeten Aktivatoren weitere Zentren im Leuchtstoff geschaffen werden, die dazu führen, dass bei den gemessenen höheren Betriebstemperaturen bei LED weniger Energieverlustprozesse im Leuchtstoff selbst auftreten. Durch den gezielten Einbau dieser zusätzlichen Co-Aktivatoren im Leuchtstoff werden weitere und / oder neue Rekombinationszentren geschaffen.
  • Vorteil dieser zusätzlichen Aktivierung ist die Erhöhung der Fluoreszenzlebensdauer auf mehrere Sekunden oder Minuten bis hin zu einigen Stunden. Damit wird die Lichtquelle dem Adaptationsverhalten des menschlichen Auges angepasst, was für Anwendungen speziell auch beim Umgang mit sicherem und gesundem Licht von zunehmender Bedeutung ist.
  • Gemische aus diesen Leuchtstoffen eignen sich, Fluoreszenzlebensdauer mit unterschiedlichen Zeiten zu realisieren. Dadurch wird erfindungsgemäß ein Farbwechsel der LED bei Abschalten der Erregung des Leuchtstoffes möglich.
  • Ein weiterer Vorteil dieser weiteren und neuen Zentren ist, dass Elektronen aus dem angeregten Zustand vorrangig von diesen Zentren eingefangen werden, von denen aus eine strahlende Rekombination mit dem lumineszierenden Ion prinzipiell möglich ist. Diese Elektronen werden dann nicht von sogenannten Killerzentren, das sind Zentren, in denen die Anregungsenergie ungenutzt in Wärme umgewandelt wird und dadurch diese der Lumineszenz verloren geht, aufgefangen.
  • Erfindungsgemäß wird bei einem Leuchtstoff aus Silikat-Germanat mit einer Dotierung von Europium zur Verbesserung der Temperaturstabilität und der Fluoreszenzlebensdauer durch eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel
    M'a M''b (Si1 –z Gez)c (Al, Ga, In)d (Sb, V, Nb, Ta)e O ( a+b+2c+3d/2+5e/2-n/2)Xn : Eux, Ry ein zusätzliches Lumineszenzzentrum hergestellt. Darin sind
    M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ca, Sr, Ba, Zn
    M'' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Mg, Cd, Mn, Be
    R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb
    X = ein Ion von F, Cl, Br zum Ladungsausgleich
    und 0,5 ≤ a ≤ 8, 0 ≤ b ≤ 5, 0 < c ≤ 10, 0 ≤ d ≤ 2, 0 ≤ e ≤ 2, 0 ≤ n ≤ 4, 0 ≤ x ≤ 0,5, 0 ≤ y ≤ 0,5 und 0 < z ≤ 1.
  • Eine Verbesserung der Temperaturstabilität und der Fluoreszenzlebensdauer wird bei einem Leuchtstoff aus Aluminat-Gallat mit einer Dotierung von Europium durch eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel
    M'4(Al, Ga)14(Si, Ge)PO25+2 p : Eux, Ry oder eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel M'(Al, Ga)2(Si, Ge)pO4+2 p : Eux, Ry erzeugt, wobei
    M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Sr, Ba, Ca, Mg, Zn
    R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und
    0 < p ≤ 1, 0 ≤ x ≤ 0,5, 0 ≤ y ≤ 0,5
    sind.
  • Eine Verbesserung der Temperaturstabilität und der Fluoreszenzlebensdauer wird bei einem Leuchtstoff aus Aluminat mit einer Dotierung von Europium durch eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel
    (M',M'', M''')M''''2Al16O27 : Eux , Ry erzeugt, wobei
    M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ba, Sr, Ca
    M'' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Li, Na, K, Rb
    M''' = Dy und
    M'''' = Mg, Mn erzeugt,
    und R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und
    0 < x ≤ 0,5 und 0 ≤ y ≤ 0,5 sind.
  • Zur Verbesserung der Temperaturstabilität und der Fluoreszenzlebensdauer wird bei einem Leuchtstoff aus Erdalkalialuminat-Gallat mit einer Dotierung von Europium eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel
    M'1 – a(Al, Ga)b (Si,Ge)cO1 ,5b+1+3c/2 : Eux, Ry durchgeführt, wobei
    M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ca, Sr, Ba, Mg und
    R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb
    und
    0 < a ≤ 1, 0 ≤ b ≤ 10, 0 ≤ c ≤ 8 0 < x ≤ 0,5, 0 ≤ y ≤ 0,5 sind.
  • Diese Leuchtstoffe wie
    (Ba0 ,9648Sr0,01 Eu0 ,025DY0,0002)2(Si0,98Ge0,02)3O8,0006
    (Ba0,9696Sr0,015Ca0,005Eu0,01Pr0,0004)3(Si0,99Ge0,01)O5,0018
    (Ba0,965Sr0,02Zn0,005Eu0,01)(Si0,97Ge0,03)2(Al0,002Dy0,00003)O5,003045
    (Ba0,905Sr0,07Zn0,005Mg0,005Eu0,015)2Si(Al0,0001 Dy0,0002)O4,00045
    (Ba0,915Sr0,005Zn0,005Eu0,075)3Mg0,99Mn0,01(Si0,998Ge0,002)2(Ga0,0001Dy0,0001)O8,0003
    (Ba0,92Sr0,04Zn0,01Ca0,01Eu0,02)2Mg(Si0,9Ge0,1)2(Ga0,0001Dy0,0002)O7,00045
    (Ba0,8K0,05Dy0,05Eu0,1)Mg2Al16O27
    (Ba0,15Sr0,8Eu0,05)4Al12,5Ga1,49996Dy0,00004Si0,005O25,0075
    (Ba0,47Sr0,5Eu0,03)Al1,5997Ga0,4Dy0,0003Si0,004O4,006
    werden erfindungsgemäß in der Schicht zur Erzeugung von farbigem bis weißem Licht bei LED oder kompakten Energiesparlampen verwendet.
  • Auch sind Leuchtstoffmischung aus dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff aus Silikat – Germanat und/oder einem oder mehreren der erfindungsgemäßen Leuchtstoffen aus Aluminat-Gallat als Schicht zur Verbesserung der Temperaturstabilität und der Fluoreszenzlebensdauer bei LED und kompakten Energiesparlampen geeignet.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Befreiung der Elektronen aus diesen Zentren bei gleichzeitiger Lumineszenz unter Zuhilfenahme der Wärmeenergie möglich ist, die beim Betreiben von LED vom Chip selbst zur Verfügung gestellt wird. Die ohnehin entstehende Wärme wird effektiv umgesetzt.
  • Damit wird eine verbesserte Temperaturstabilität des Leuchtstoffes erreicht, die für den Einsatz in lichtemittierenden Elementen sowie insbesondere LED zur Erzeugung von farbigem und/oder weißem Licht von Vorteil sind. Bei einer Betriebstemperatur beim Betreiben von LED von etwa 60 bis 120 °C wird eine Effektivitätssteigerung gegenüber herkömmlichen Leuchtstoffen erreicht. Desweiteren zeigen die Leuchtstoffe eine verlängerte Fluoreszenzlebensdauer gegenüber herkömmlichen Leuchtstoffen für LED, bei denen die Fluoreszenzlebensdauer allgemein im Mikrosekundenbereich liegt. Gleichzeitig ist der Leuchtstoff aus Silikat-Germanat auf Grund seiner Eigenschaften hervorragend geeignet, in Abhängigkeit von seiner Zusammensetzung sowohl im blauen Spektralbereich bis hin in den orangeroten Spektralbereich des sichtbaren Spektrums zu emittieren. Insbesondere ist er ausgewählt für den Einsatz als Konversionsmittel für blaue und/oder ultraviolette Anregungslichtquellen im Wellenlängenbereich von 300 – 500 nm, um weißes Licht mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer bei gleichzeitig hoher Effektivität zu erhalten.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die Befreiung der Elektronen aus diesen Zentren zusätzlich zu den normalen vorhandenen Anregungszuständen zur Verfügung stehen, wodurch bei Temperaturanstieg beim Betreiben der Anregungsquelle eine Effektivitätszunahme hervorgerufen wird.
  • Dieses Prinzip kann angewendet werden für Leuchtstoffe, die vom blauen bis hin zum roten Spektralbereich emittieren.
  • Gleichzeitig kann durch den Einsatz des Leuchtstoffes aus Silikat-Germanat sowohl allein als auch in Kombination mit Leuchtstoffsystemen aus Aluminat-Gallat oder anderen Leuchtstoffen sowohl farbiges als auch weißes Licht mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer durch Anregung mit Hilfe von blauen und/oder ultravioletten LED erzeugt werden. Dabei bewirkt sowohl das Germanium im Silikat als auch das Gallium im Aluminatgitter eine geringfügige Gitteraufweitung, die sowohl zu einer leichten Verschiebung des Emissionslichtes führt als auch die Fluoreszenzlebensdauer beeinflußt. Das so erhaltene Licht zeichnet sich durch hohe Fluoreszenzlebensdauer, hohe Temperaturstabilität und hohe Lichtqualität aus.
  • Die Erfindung soll nachstehend durch Herstellungsbeispiele näher erläutert werden: Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.
  • In Tab. 1 sind dazu einige der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe mit einer verlängerten Fluoreszenzlebensdauer mit ihrer relativer Leuchtdichte bei verschiedenen Temperaturen dargestellt.
    Figure 00060001
    Tab. 1
  • In der ersten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,9648Sr0,01Eu0,025Dy0,0002)2(Si0,98Ge0,02)3O8,0006 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, Eu2O3, Dy2O3, SiO2 und GeO2 sind.
  • Präparation:
  • Seine Ausgangsstoffe in oxidischer Form oder aus Stoffen, die in die Oxide überführt werden können, werden im angegebenen stöchiometrischen Verhältnis gemischt und je nach Reaktionsbedingungen bei einer Temperatur von 1220 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 4 Stunden lang in einem Korundtiegel geglüht. Das Endprodukt wird mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 487 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der zweiten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,9696Sr0,015Ca0,005Eu0,01Pr0,0004)3(Si0,99Ge0,01)O5,0018 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, CaCO3, Eu2O3, Pr6O11, SiO2 und GeO2 sind.
  • Präparation:
  • Nach intensivem mehrstündigen Mischen der Ausgangsstoffe in stöchiometrischem Verhältnis wird die Mischung bei einer Temperatur von 1245 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 3 Stunden lang in einem Korundtiegel geglüht. Der entstehende Glühkuchen wird zerkleinert, mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 589 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der dritten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,965Sr0,02Zn0,005Eu0,01)(Si0,97Ge0,03)2(Al0,002Dy0,00003)O5,003045 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, ZnO, Eu2O3, SiO2, GeO2, Al2O3 und Dy2O3 sind:
  • Präparation:
  • Die Ausgangsstoffe werden in stöchiometrischem Verhältnis eingewogen und mehrere Stunden bis zur Homogenität gemischt. Die Mischung wird bei Zimmertemperatur in der Ofen gebracht und 4 Stunden lang bei einer Temperatur von 1220 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch geglüht. Das Glühprodukt wird zerkleinert, wird mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 509 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der vierten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,905Sr0,07Zn0,005Mg0,005Eu0,015)2Si(Al0,0001Dy0,0002)O4,00045 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, ZnO, Eu2O3, SiO2, Dy2O3 und Al2O3 sind.
  • Präparation:
  • Die angegebenen Ausgangsstoffe werden im oben angegebenen stöchiometrischen Verhältnis gemischt. Die Mischung wird bei der Temperatur von 1220 °C unter reduzierenden Bedingungen vorgeglüht. Nach Zerkleinerung des Glühgutes wird ein zweiter Glühprozeß unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch bei einer Temperatur von 1220 °C angeschlossen. Die zweistündige Zweitglühung ergibt ein homogenes Endprodukt, welches dann mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt wird. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 445 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der fünften Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,915Sr0,005Zn0,005Eu0,075)3Mg0,99Mn0,01(Si0,998Ge0,002)2(Ga0,0001 Dy0,0001)O8,0003 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, ZnO, Eu2O3, MgO, MnCO3, SiO2, GeO2, Dy2O3 und Ga2O3 sind.
  • Präparation:
  • Nach guter Durchmischung der Ausgangsstoffe schließt sich ein Glühprozess an, der entsprechend der Reaktionsbedingungen bei der Temperatur von 1225 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 3 Stunden lang durchgeführt wird. Das Endprodukt wird zerkleinert, mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 543 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der sechsten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,92Sr0,04Zn0,01Ca0,01Eu0,02)2Mg(Si0,9Ge0,1)2(Ga0,0001Dy0,0002)O7,00045 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, SrCO3, ZnO, CaCO3, Eu2O3, MgO, SiO2, GeO2, Dy2O3 und Ga2O3 sind.
  • Präparation:
  • Nach erfolgter intensiver Durchmischung der Ausgangsstoffe in stöchiometrischem Verhältnis schließt sich ein Glühprozess bei der Temperatur von 1235 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch mit einer Zeitdauer von 4 Stunden an. Das Endprodukt wird zerkleinert, mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 548 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der siebten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit der Zusammensetzung (Ba0,8K0 ,05Dy0,05Eu0,1)Mg2Al16O27 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaCO3, K2CO3, Dy2O3, Eu2O3, MgO und Al2O3 sind.
  • Präparation:
  • Nach stöchiometrischer Einwaage der Ausgangsstoffe wird die erhaltene Mischung, die zusätzlich Flussmittel AIF3 enthält, bei der Temperatur von 1420 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 2 Stunden lang geglüht. Das Glühprodukt wird zerkleinert, mehrmals mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 452 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • Die relative Emissionsintensität (rel. Int.) des Leuchtstoffes (Ba0,8K0,05Dy0,05Eu0,1)Mg2Al16O27 ist in 1 in Abhängigkeit von der Wärmetemperatur im Bereich von 100 K bis 900 K dargestellt. Der Leuchtstoff weist eine relative Intensität von größer 0,8 im Temperaturbereich von 200 K bis etwa 600 K auf.
  • In der achten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit folgender Zusammensetzung (Ba0,15Sr0 ,8Eu0,05)4Al12,5Ga1,49996Dy0,00004Si0,005O25,0075 beschrieben, dessen Ausgangsstoffe BaC03, SrCO3, Eu2O3, Al2O3, Ga2O3, SiO2 und Dy2O3 sind.
  • Präparation:
  • Nach Einwaage der stöchiometrischer Mengen der angegebenen Ausgangsstoffe wird die homogene Mischung unter Beigabe des Flussmittels Borsäure bei einer Temperatur von 1420 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 2 Stunden lang in einem Korundtiegel geglüht. Anschließend wird das erhaltene Glühprodukt zerkleinert und nochmals intensiv gemischt und einem nochmaligen Glühprozess bei gleichen Bedingungen unterzogen. Das dann erhaltene Endprodukt wird zerkleinert, mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Leuchtstoffverbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 496 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In der neunten Zeile der Tab. 1 ist der Leuchtstoff mit folgender Zusammensetzung (Ba0,47Sr0,5Eu0,03)Al1,5997Ga0,4Dy0,0003Si0,004O4,006 beschrieben, dessen Ausgangsstoffen BaCO3, SrCO3, Eu2O3, Al2O3, Ga2O3, SiO2 und Dy203 sind.
  • Präparation:
  • Die Ausgangsstoffe werden im stöchiometrischen Verhältnis unter Zugabe der Flussmittel Borsäure und Ammoniumchlorid gemischt und bei einer Temperatur von 1420 °C unter reduzierender Atmosphäre in einem Stickstoff/Wasserstoffgemisch 2 Stunden lang geglüht. Der Glühprozess wird nach Zerkleinerung und Mischung des Glühkuchens wiederholt. Das Endprodukt wird zerkleinert, mit Wasser gewaschen, getrocknet und gesiebt. Die erhaltene Verbindung besitzt ein Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 523 nm mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer.
  • In 2 sind die Regenbogenfarben im Emissionsspektrum der nicht dargestellten Lichtquelle 1 aufgezeigt. Die Lichtquelle 1 ist aus dem Gemisch der Leuchtstoffe
    (Ba0,8K0 ,05Dy0,05Eu0,1)Mg2Al16O27, Ba0,965Sr0,02Zn0,005Eu0, 01)(Si0,97Ge0,03)2(Al0,002Dy0,00003)O5,003045 und
    (Ba0,9696Sr0,015Ca0,005Eu0,01 Pr0,0004)3(Si0,99 Ge0,01)O5,0018 hergestellt. Die relative Emissionsintensität (rel. Int.) bei der Farbe Ultraviolett bei der Wellenlänge 380 nm beträgt 0,04, bei der Farbe Blau bei der Wellenlänge 490 nm beträgt sie 0,034, bei der Farbe Grün bei der Wellenlänge 508 nm beträgt sie 0,02, bei der Farbe gelb bei der Wellenlänge 560 nm beträgt sie 0,024 und bei der Farbe Rot bei der Wellenlänge 610 nm beträgt sie 0,02.
  • Nach Abschalten der Anregungsenergie bei der Lichtquelle 1 strahlt die Lichtquelle noch ein gelbliches Licht mit einer relativen Emissionsintensität (rel. Int.) von 0,0375 im Emissionsmaximum bei der Farbwellenlänge von 580 nm aus, welches in 3 dargestellt ist.

Claims (10)

  1. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer, dadurch gekennzeichnet, dass sie zusätzlich zu den Aktivatoren ein oder mehrere Co- Aktivatoren aus La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und ähnliche Stoffe als weitere Lumineszenzzentren zur Verbesserung der Temperaturstabilität des Leuchtstoffs besitzen.
  2. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff aus Silikat-Germanat mit einer Dotierung von Europium zur Erhöhung der Temperaturstabilität eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel M'a M''b (Si1_z Gez)c (Al, Ga, In)d (Sb, V, Nb, Ta)eO( a+b+2c+3d/2+5e/2–n/2) Xn: Eux , Ry besitzt, wobei M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ca, Sr, Ba, Zn M'' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Mg, Cd, Mn, Be R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er ,Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb X = ein Ion von F, Cl, Br zum Ladungsausgleich und 0,5 ≤ a ≤ 8 0 ≤ b ≤ 5 0 < c ≤ 10 0 ≤ d v 2 0 ≤ e ≤ 2 0 ≤ n ≤ 4 0 ≤ x ≤ 0,5 0 ≤ y ≤ 0,5 0 < z ≤ 1 sind.
  3. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff aus Aluminat-Gallat mit einer Dotierung von Europium zur Erhöhung der Temperaturstabilität eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel M'4(Al,Ga)14(Si, Ge)pO25+2p : Eux, Ry besitzt, wobei M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Sr, Ba, Ca, Mg, Zn R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und 0 < p ≤ 1 sind, oder eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel M'' (Al, Ga) 2(Si, Ge)pO4 +2 p : Eux, Ry besitzt, wobei M'' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Sr, Ba, Ca, Mg, Zn R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er ,Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und 0 < ≤ 1 0 ≤ x ≤ 0,5 0 < y ≤ 0,5 sind.
  4. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff aus Aluminat mit einer Dotierung von Europium zur Erhöhung der Temperaturstabilität eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel (M', M'', M''')M'''' 2Al16O27 : Eux , Ry besitzt, wobei M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ba, Sr, Ca M'' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Li, Na, K, Rb M''' = Dy M'''' = Mg, Mn und R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und 0 < x ≤ 0,5 0 ≤ y ≤ 0,5 sind.
  5. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff aus Erdalkalialuminat-Gallat mit einer Dotierung von Europium zur Temperaturstabilitätserhöhung eine zusätzliche Dotierung entsprechend der Summenformel M'1– a(Al, Ga)b(Si,Ge)cO1,5b+1+3c/2 : Eux, RY besitzt, wobei M' = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe Ca, Sr, Ba, Mg und R = ein oder mehrere Elemente aus der Reihe La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Sn, Sb und 0 < a ≤ 1 0 ≤ b ≤ 10 0 ≤ c ≤ 8 0 < x ≤ 0,5 0 ≤ y ≤ 0,5 sind.
  6. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass sie allein oder als Mischung von mehreren Leuchtstoffen zur Anwendung kommen.
  7. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass ihre Anwendung als Emissionsschicht bei der Herstellung von LED erfolgt.
  8. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass sie in der Schicht zur Erzeugung von farbigem bis weißem Licht bei LED eingesetzt sind.
  9. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Erzeugung eines Farbwechsels bei der Strahlenemission bei Abschalten der Erregungsenergie der emittierenden Schicht bei LED Anwendung finden.
  10. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie allein oder als Gemisch mehrerer Leuchtstoffe bei der Herstellung der Emissionsschicht in kompakten Energiesparlampen eingesetzt sind.
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Priority Applications (12)

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EP03780952A EP1577365A4 (de) 2002-12-20 2003-12-19 Leuchtkörper und damit ausgestatteteoptische vorrichtung
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KR1020057011590A KR100803852B1 (ko) 2002-12-20 2003-12-19 발광체 및 이것을 이용한 광장치
US10/539,267 US7382033B2 (en) 2002-12-20 2003-12-19 Luminescent body and optical device including the same
CN2007101996518A CN101220273B (zh) 2002-12-20 2003-12-19 发光体以及使用其的光学设备
AU2003289463A AU2003289463A1 (en) 2002-12-20 2003-12-19 Luminescent body and optical device including the same
PCT/JP2003/016379 WO2004056939A1 (ja) 2002-12-20 2003-12-19 発光体およびこれを用いた光デバイス
CN2003801069358A CN1729268B (zh) 2002-12-20 2003-12-19 发光体以及使用其的光学设备
TW092136426A TW200424286A (en) 2002-12-20 2003-12-22 Luminophors and optical device using the same
JP2006356659A JP4276255B2 (ja) 2002-12-20 2006-12-28 発光体およびこれを用いた光デバイス

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101921591B (zh) * 2009-06-16 2013-09-18 海洋王照明科技股份有限公司 绿光发光材料及其制备方法

Families Citing this family (281)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004082036A1 (ja) * 2003-03-10 2004-09-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. 固体素子デバイスおよびその製造方法
JP2005209794A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
JP4358713B2 (ja) * 2004-09-09 2009-11-04 株式会社住田光学ガラス 固体素子デバイス
DE102005042778A1 (de) * 2004-09-09 2006-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Optische Festkörpervorrichtung
JP4394036B2 (ja) * 2004-09-09 2010-01-06 豊田合成株式会社 固体素子デバイス
JP4880892B2 (ja) * 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
US20100155753A1 (en) * 2005-02-23 2010-06-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor, light emitting device and white light emitting diode
JP4961887B2 (ja) * 2005-09-07 2012-06-27 豊田合成株式会社 固体素子デバイス
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
JP4822883B2 (ja) * 2006-03-06 2011-11-24 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP2007258466A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Sumita Optical Glass Inc 照明装置及び発光装置
KR100939936B1 (ko) * 2006-06-21 2010-02-04 대주전자재료 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법
WO2007148880A1 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Daejoo Electronic Materials Co., Ltd. Thulium-containing fluorescent substance for white light emitting diode and manufacturing method thereof
US7408204B2 (en) * 2006-08-08 2008-08-05 Huga Optotech Inc. Flip-chip packaging structure for light emitting diode and method thereof
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
JP4314279B2 (ja) 2007-02-01 2009-08-12 株式会社東芝 蛍光体、その製造方法、および発光装置
JP4926789B2 (ja) * 2007-03-31 2012-05-09 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法
CN101465395A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
JP4775403B2 (ja) * 2008-05-09 2011-09-21 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP5310087B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2009135539A (ja) * 2009-03-16 2009-06-18 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子デバイスの製造方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
WO2011033516A1 (en) 2009-09-20 2011-03-24 Viagan Ltd. Wafer level packaging of electronic devices
US9502612B2 (en) 2009-09-20 2016-11-22 Viagan Ltd. Light emitting diode package with enhanced heat conduction
JP5748769B2 (ja) 2009-12-21 2015-07-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ストロンチウムオキシオルトシリケート型の蛍光体を有する発光装置
DE102009059798A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen
TWI452115B (zh) * 2010-04-02 2014-09-11 Wei Hung Lo 用於暖白光固體光源之螢光無機物
CN101838536B (zh) * 2010-04-09 2012-08-22 佛山市南海区大沥朗达荧光材料有限公司 白光led用yag荧光粉及其制造方法
CN102010715B (zh) * 2010-10-21 2013-06-05 罗维鸿 用于暖白光led的荧光粉
CN102468413B (zh) * 2010-11-09 2014-10-29 四川新力光源股份有限公司 一种交流led发光装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2014064541A2 (en) * 2012-10-05 2014-05-01 Mordehai Margalit Light emitting diode package with enhanced heat conduction
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103849394A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 海洋王照明科技股份有限公司 一种镓酸镧钙发光材料及其制备方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20150122360A (ko) * 2014-04-23 2015-11-02 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10217904B2 (en) * 2015-02-03 2019-02-26 Epistar Corporation Light-emitting device with metallized mounting support structure
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN104726097A (zh) * 2015-03-24 2015-06-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种新型黄色荧光粉及其制备方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
CN105778904B (zh) * 2016-05-16 2018-09-25 合肥工业大学 一种铝镓酸盐基荧光材料及其制备方法
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
RU2673287C2 (ru) * 2016-12-20 2018-11-23 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Германат редкоземельных элементов в наноаморфном состоянии
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN108504357B (zh) * 2017-02-28 2021-02-09 江苏师范大学 一种钛铝酸盐基上转换发光材料、制备方法及应用
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
WO2019165211A1 (en) * 2018-02-22 2019-08-29 Bambu Vault Llc Persistent infrared phosphors
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102027444B1 (ko) * 2019-01-25 2019-10-02 나노씨엠에스(주) 근적외선에 의해 여기되는 근적외선 발광체 및 그의 제조방법
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11710760B2 (en) * 2019-06-21 2023-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
CN110752283A (zh) * 2019-10-12 2020-02-04 华南理工大学 一种宽带近红外led器件
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117304922B (zh) * 2023-11-29 2024-03-08 西安建筑科技大学 一种可调控陷阱的超长余辉材料及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19620631A1 (de) * 1995-05-29 1996-12-05 Nichia Kagaku Kogyo Kk Nachleuchtlampe
EP0877070A1 (de) * 1996-01-22 1998-11-11 Kasei Optonix, Ltd. Photostimulierbarer phosphor
US5839718A (en) * 1997-07-22 1998-11-24 Usr Optonix Inc. Long persistent phosphorescence phosphor
US6010644A (en) * 1997-05-09 2000-01-04 Kabushiki Kaisha Ohara Long-lasting phosphor
US6284156B1 (en) * 1998-11-19 2001-09-04 Kabushiki Kaisha Ohara Long-lasting phosphor, powdered long-lasting phosphor and method for manufacturing the powdered long-lasting phosphor
DE10057881A1 (de) * 2000-11-21 2002-05-23 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8701924A (nl) * 1987-08-17 1989-03-16 Philips Nv Luminescerend met eu3+ geactiveerd silikaat, luminescerend scherm, voorzien van een dergelijk silikaat en lagedrukkwikdampontladingslamp, voorzien van een dergelijk scherm.
IT1229159B (it) * 1989-04-07 1991-07-22 Minnesota Mining & Mfg Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, pannello e fosfori per la memorizzazione dell'immagine di una radiazione.
EP0415469B1 (de) 1989-09-01 1993-11-24 Agfa-Gevaert N.V. Leuchtstoffherstellung
JP3257942B2 (ja) 1996-01-22 2002-02-18 化成オプトニクス株式会社 蓄光性蛍光体
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10112557A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いた表示装置
CN2310388Y (zh) * 1997-08-14 1999-03-10 陈兴 发光二极管
TW413956B (en) * 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
JP3268761B2 (ja) * 1998-08-18 2002-03-25 株式会社リード 耐熱・耐候性に優れた高輝度・長残光性アルミン酸塩蓄光体
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
JP4077170B2 (ja) 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
TWI282357B (en) 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP2005068169A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sumitomo Chemical Co Ltd Ｅｕ付活蛍光体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19620631A1 (de) * 1995-05-29 1996-12-05 Nichia Kagaku Kogyo Kk Nachleuchtlampe
EP0877070A1 (de) * 1996-01-22 1998-11-11 Kasei Optonix, Ltd. Photostimulierbarer phosphor
US6010644A (en) * 1997-05-09 2000-01-04 Kabushiki Kaisha Ohara Long-lasting phosphor
US5839718A (en) * 1997-07-22 1998-11-24 Usr Optonix Inc. Long persistent phosphorescence phosphor
US6284156B1 (en) * 1998-11-19 2001-09-04 Kabushiki Kaisha Ohara Long-lasting phosphor, powdered long-lasting phosphor and method for manufacturing the powdered long-lasting phosphor
DE10057881A1 (de) * 2000-11-21 2002-05-23 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101921591B (zh) * 2009-06-16 2013-09-18 海洋王照明科技股份有限公司 绿光发光材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101752492A (zh) 2010-06-23
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CN101220273A (zh) 2008-07-16
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CN101752492B (zh) 2014-09-03
CN1729268A (zh) 2006-02-01
KR20050109460A (ko) 2005-11-21
TW200424286A (en) 2004-11-16

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