JP4926789B2 - 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1に開示された発明は、セラミック製の基板上に形成された2つの電極に対してマイクロバンプを介して発光素子のn側電極及びp側電極をそれぞれ接合したことを特徴とするものである。
このような構造によれば、ボンディングワイヤを必要とするパッケージに比べて、発光素子実装後の高さを低くしてパッケージ全体の小型化及び薄型化を図ることができる。
このような構成の発光素子実装用多層配線基板においては、熱伝導率の大きい材料である銅によって形成される発光素子実装用電極が放熱性を高めるように作用する。また、セラミック製の絶縁層は、合成樹脂製の場合に比べて耐光性及び放熱性に優れるという作用を有する。さらに、発光素子実装用電極が絶縁層に接触する面積よりもニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積の方が狭いため、発光素子実装用電極の絶縁層に対する接合強度が低下するおそれがない。
上記構成の発光素子実装用多層配線基板においては、表面研磨によって発光素子実装用電極の平坦性が容易に確保されるという作用を有する。そして、従来の高価な金属等と高価な設備や装置を用いた薄膜法や蒸着法によって発光素子実装用電極を形成する場合に比べて、発光素子実装用配線基板が安価なものとなる。また、発光素子実装用電極の平坦性が確保されると、接合材を厚く形成する必要がなくなるため、材料コストが削減されるとともに、発光素子と発光素子実装用電極との間の熱伝導性の低下が防止される。
上記構成の発光素子実装用多層配線基板においては、請求項2記載の発明よりもさらに電極の平坦性が容易に確保される。これにより、放熱性の維持及び製造コストの削減等の請求項2記載の発明の作用がより一層発揮される。
このような発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、ニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積が絶縁層に印刷される銅ペーストの面積よりも狭いため、絶縁層に対する発光素子実装用電極の接合強度が低下するおそれがない。また、高放熱、耐光性、微細配線、平坦性を有する発光素子実装用多層配線基板の製造方法が提供される。
このような発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、絶縁層の最外表面に銅ペーストの印刷・焼成によって形成される発光素子実装用電極の平坦性が容易に確保される。
図1は本実施例の発光素子収納用パッケージの構成を説明するための断面模式図である。また、図2(a)及び(b)はそれぞれ本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の平面図及び正面図である。
図1に示すように、発光素子収納用パッケージ13は、積層セラミック基板2の両面に発光素子実装用電極4a,4bと端子部5a,5bが形成された発光素子実装用多層配線基板1の上面に発光素子9を気密に封止する反射リング14が接合され、その上部を覆うように集光レンズ(図示せず)が取り付けられた構造となっている。そして、積層セラミック基板2はセラミックを主成分とする絶縁層6と、タングステン又はモリブデンなどの高融点金属を主成分とする導体層7が交互に積層された構造となっている。また、絶縁層6には貫通孔が穿設され、貫通孔の内部にはタングステン又はモリブデンなどの高融点金属が充填されて、いわゆるビア8が形成されている。
また、発光素子実装用電極4a,4bと導体層7の間、各導体層7の間及び導体層7と端子部5a,5bの間は、ビア8によって互いに電気的に接続されている。そして、発光素子9は発光素子実装用電極4a,4bに対して、AuSn、半田、異方性フィルム又は金バンプなどから形成される接続用バンプ10などの接合材を介してフリップチップ実装されている。従って、発光素子9は接続用バンプ10と発光素子実装用電極4a,4bとビア8と導体層7を介して端子部5a,5bに対して電気的に接続されている。
なお、積層セラミック基板2の表面にビア8が露出する部分にはニッケルメッキ(図示せず)が施されている。すなわち、ビア8の内部に充填されたタングステン又はモリブデンなどの高融点金属と発光素子実装用電極4a,4bの間には、ニッケルメッキが介在している。一般に、ニッケルに対する銅の接合力は弱いため、発光素子実装用電極4a,4bと上記ニッケルメッキとの間の接合強度を確保することは容易でない。しかしながら、後述するように銅はセラミックに対して強固に接合される。そして、本実施例の場合、発光素子実装用電極4a,4bは0.4mm×0.7mmの矩形状であり、ビア8を形成する貫通孔は断面が直径0.1mmの円形である。すなわち、発光素子実装用電極4a,4bが上記ニッケルメッキと接触する面積は上記貫通孔の断面積と略等しいため、セラミックを主成分とする絶縁層6と接触する面積に比べて狭い。従って、積層セラミック基板2に対する発光素子実装用電極4a,4bの接合強度は低下し難い。なお、ビア8を形成する貫通孔の端縁からニッケルメッキがはみ出して形成されている場合でも、一般に、ビア8の上部を形成するニッケルメッキが発光素子実装用電極4a,4bに接触する面積は上記のようにビア8を形成する貫通孔の断面積と略等しいものと考えることができる。
図3は本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の製造手順を示す工程図であり、図4(a)乃至(e)は本実施例の製造方法を説明するための発光素子実装用多層配線基板の縦断面を示す模式図である。なお、図1に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
ステップS10では積層セラミック基板2を成形する。まず、アルミナ(Al2O3)の粉末に焼結助剤としてシリカ(SiO2)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)などの粉末を添加・調整した原料粉末にポリビニルブチラール(PVB)等の有機バインダとエタノール(C2H5OH)等の分散剤とジオクチフタレート等の可塑剤を加えた後、ボールミル等を用いて混合してスラリー化する。次に、このスラリーをドクターブレード法等によってシート状に成形(以下、グリーンシートという。)した後、所定の箇所に打ち抜き金型やNCパンチングマシーン等を用いて位置決め孔やビア8用の貫通孔を穿設する。なお、貫通孔の断面積は後述のステップS12において絶縁層6の上面に印刷される銅ペーストの面積よりも狭いものとする。さらに、スクリーン印刷によってタングステン等の高融点金属粉末の導体性ペーストをこの貫通孔の内部に充填するとともに、グリーンシートの表面に導体層7を形成する。そして、導体層7が形成された複数枚のグリーンシートを重ね合わせるとともに、加熱及び加圧を行って一体化する。また、必要に応じて、カッター刃、金型等の方法によりグリーンシートの表裏に格子状のブレーク溝を加工する。次に、グリーンシートの積層体を高温焼成炉内に入れて、窒素及び水素の還元性雰囲気中で加熱して有機バインダや分散剤を除去した後、焼結させる。このとき、導体層7は絶縁層6の上面や内層に焼き付けられる。これにより、図4(a)に示すような積層セラミック基板2が形成される。
さらに、ステップS12では図4(b)に示すように、積層セラミック基板2の表面に銅ペースト11の印刷・焼成を行って、導体層3a,3bを形成する。まず、積層セラミック基板2の表面にステンレスメッシュを用いたベタ印刷によって銅ペースト11を10〜30μmの厚さで一回乃至複数回塗布する。そして、積層セラミック基板2を100℃程度で加熱して、銅ペースト11の塗布面を乾燥させる。次に、銅ペースト11を塗布した積層セラミック基板9を窒素又はアルゴンの雰囲気中、900℃の温度条件で加熱する。これにより、銅ペースト11の表面にCu−O共晶液相が生成され、積層セラミック基板2に対する接合強度が高まる。
ステップS13はバフ研磨工程である。すなわち、ステップS12において積層セラミック基板2の表面に形成された導体層3a,3bの表面をバフ研磨によって平滑化する。この研磨処理によりポアやピンホール等が無くなり、導体層3a,3bの表層部は緻密化される。
Claims (5)
- 発光素子を表面に実装する多層配線基板がセラミックを主成分とする複数の絶縁層と、銅を主成分として前記絶縁層の最外表面に形成される発光素子実装用電極と、タングステン又はモリブデンを主成分として前記複数の絶縁層の間に形成される導体層と、前記絶縁層に穿設される貫通孔に前記タングステン又は前記モリブデンが充填されて前記発光素子実装用電極と前記導体層又は前記導体層同士を電気的に接続するビアと、このビアが前記絶縁層の表面に露出する部分に施されるニッケルメッキを備え、このニッケルメッキと前記発光素子実装用電極との接触面積は前記発光素子実装用電極が前記絶縁層に接触する面積よりも狭いことを特徴とする発光素子実装用多層配線基板。
- 前記発光素子実装用電極は前記絶縁層の外表面に銅ペーストを印刷・焼成した後、フォトリソ法によりパターンが形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の発光素子実装用多層配線基板。
- 前記絶縁層は外表面が研磨されて平滑化されたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子実装用多層配線基板。
- 貫通孔を有する複数枚のセラミックグリーンシートのそれぞれにタングステン又はモリブデンを主成分とする導体ペーストを印刷するとともに前記貫通孔に前記導体ペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、この積層体を還元性雰囲気中で焼成してセラミックからなる絶縁層、前記タングステン又は前記モリブデンからなる導体層及び前記貫通孔内に充填された前記タングステン又は前記モリブデンからなるビアを有する積層セラミック基板を形成する工程と、積層セラミック基板の表面に露出する前記ビアの上部にニッケルメッキを施す工程と、前記絶縁層の最外表面に前記ニッケルメッキを覆って銅ペーストを印刷する工程と、この銅ペーストを焼成して導体層を形成する工程と、前記導体層にレジスト膜を形成するとともに、その一部を覆って露光し、所定のパターンに現像する工程と、前記導体層をエッチングする工程と、レジスト膜を除去して発光素子実装用電極を形成する工程とを備え、前記ニッケルメッキと前記発光素子実装用電極との接触面積は前記銅ペーストが前記絶縁層に印刷される面積よりも狭いことを特徴とする発光素子実装用多層配線基板の製造方法。
- 前記銅ペーストを印刷する前記工程の前に、前記絶縁層の最外表面を研磨して平滑化する工程を備えることを特徴とする請求項4記載の発光素子実装用多層配線基板の製造方法。
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JP5255476B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2013-08-07 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック配線基板の製造方法 |
JP2011114318A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Kyocera Kinseki Corp | 素子搭載部材ウエハの製造方法及び素子搭載部材の製造方法 |
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JP2001257473A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
DE10259945A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer |
JP2005057095A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Noritake Co Ltd | セラミック多層回路基板 |
JP4277275B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2009-06-10 | 日立金属株式会社 | セラミック積層基板および高周波電子部品 |
JP2005310935A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
JP4659421B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-30 | 株式会社トクヤマ | 発光素子収納用パッケージの製造方法 |
JP2007067326A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2008159731A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 電子部品実装用基板 |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
US11574778B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-02-07 | Darfon Electronics Corp. | Illuminated keyswitch structure and illuminating module thereof |
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