JP4926789B2 - 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子が実装される多層配線基板とその製造方法に関し、特に発光素子の実装部の平坦性が良好であって、内層及び表層に微細な導体配線パターンを形成することが可能な発光素子実装用多層配線基板とその製造方法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）などの発光素子は、例えば、セラミックなどからなるパッケージ（以下、発光素子収納用パッケージという。）の内部に収納された状態で各種基板に実装される。近年、これらの基板が組み込まれる装置は小型化する傾向にあり、発光素子収納用パッケージに対しても小型化及び薄型化の要求が高まっている。また、発光素子を実装した基板を組み込んだ装置は、ますます高性能化する傾向にあり、それに伴って、発光素子からの発熱による発光効率の低下を抑えるための放熱性や耐光性の要求が高まっている。さらには、発光素子を実装した基板を組み込んだ上記装置には、一般照明等としての用途もあり、安価なものが求められている。そこで、これらの要求を満たすパッケージを実現するために、様々な研究や開発が行われており、それに関して幾つかの発明や考案が既に開示されている。

例えば、特許文献１には、「半導体発光装置」という名称で、基板に対して半導体発光素子をフリップチップ実装することによって全体の薄型化を可能とする半導体発光装置に関する発明が開示されている。
特許文献１に開示された発明は、セラミック製の基板上に形成された２つの電極に対してマイクロバンプを介して発光素子のｎ側電極及びｐ側電極をそれぞれ接合したことを特徴とするものである。
このような構造によれば、ボンディングワイヤを必要とするパッケージに比べて、発光素子実装後の高さを低くしてパッケージ全体の小型化及び薄型化を図ることができる。

特開２００４−２６６１２４号公報

しかしながら、上述の従来技術である特許文献１に開示された発明においては、発光素子を実装する電極部が高価な金属等と高価な設備や装置を用いた薄膜法や蒸着法で形成されるので、パッケージが高価なものになるとともに、発光素子からの発熱を電極部から放熱させるには限界があった。また、発光素子を実装する電極部の平坦性が良好でないことから、例えば、複数のパッケージをまとめて製造することを目的として１枚の配線基板に複数の電極を形成するような場合には、各発光素子の発光方向が一致せず、製品の品質が安定しないという課題があった。さらに、１枚の基板に発光素子が実装される、いわゆるシートアレイタイプのパッケージを製造する場合には、発光素子を実装する電極部の平坦性の確保が容易でないことから、同一パッケージ内に収納される発光素子の発光方向がふぞろいとなり、その結果、発光効率が低下するという課題があった。なお、発光素子を実装する個数の多少によらず、発光素子を実装する電極部に凹凸があるなどして平坦性が確保できない場合には、発光素子が所望の姿勢で電極部に接合されるように、発光素子と電極部との間に介在するＡｕバンプ等からなる接合材を厚く形成して電極部の凹凸を吸収する必要がある。しかし、この場合、多くの接合材が必要となるため、材料コストがアップする。また、接合材が厚くなると、発光素子と電極部との間の熱伝導性が悪化するため、発光素子からの発熱を速やかに電極部へ逃がすことが困難となる。これにより、発光素子の発光効率が低下する。

本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、発光素子が実装される多層配線基板であって、発光素子を実装する電極部の平坦性が良好であり、かつ、表層及び内層に微細な導体配線パターンを形成することが可能で、放熱性に優れる安価な発光素子実装用多層配線基板とその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１記載の発明である発光素子実装用多層配線基板は、発光素子を表面に実装する多層配線基板がセラミックを主成分とする複数の絶縁層と、銅を主成分として絶縁層の最外表面に形成される発光素子実装用電極と、タングステン又はモリブデンを主成分として複数の絶縁層の間に形成される導体層と、絶縁層に穿設される貫通孔にタングステン又はモリブデンが充填されて発光素子実装用電極と導体層又は導体層同士を電気的に接続するビアと、このビアが前記絶縁層の表面に露出する部分に施されるニッケルメッキを備え、このニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積は発光素子実装用電極が絶縁層に接触する面積よりも狭いことを特徴とするものである。
このような構成の発光素子実装用多層配線基板においては、熱伝導率の大きい材料である銅によって形成される発光素子実装用電極が放熱性を高めるように作用する。また、セラミック製の絶縁層は、合成樹脂製の場合に比べて耐光性及び放熱性に優れるという作用を有する。さらに、発光素子実装用電極が絶縁層に接触する面積よりもニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積の方が狭いため、発光素子実装用電極の絶縁層に対する接合強度が低下するおそれがない。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発光素子実装用多層配線基板において、発光素子実装用電極は絶縁層の外表面に銅ペーストを印刷・焼成した後、フォトリソ法によりパターンが形成されたものであることを特徴とするものである。
上記構成の発光素子実装用多層配線基板においては、表面研磨によって発光素子実装用電極の平坦性が容易に確保されるという作用を有する。そして、従来の高価な金属等と高価な設備や装置を用いた薄膜法や蒸着法によって発光素子実装用電極を形成する場合に比べて、発光素子実装用配線基板が安価なものとなる。また、発光素子実装用電極の平坦性が確保されると、接合材を厚く形成する必要がなくなるため、材料コストが削減されるとともに、発光素子と発光素子実装用電極との間の熱伝導性の低下が防止される。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発光素子実装用多層配線基板において、絶縁層は外表面が研磨されて平滑化されたものであることを特徴とするものである。
上記構成の発光素子実装用多層配線基板においては、請求項２記載の発明よりもさらに電極の平坦性が容易に確保される。これにより、放熱性の維持及び製造コストの削減等の請求項２記載の発明の作用がより一層発揮される。

請求項４に記載の発明である発光素子実装用多層配線基板の製造方法は、貫通孔を有する複数枚のセラミックグリーンシートのそれぞれにタングステン又はモリブデンを主成分とする導体ペーストを印刷するとともに貫通孔に導体ペーストを充填する工程と、セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、この積層体を還元性雰囲気中で焼成してセラミックからなる絶縁層、タングステン又はモリブデンからなる導体層及び貫通孔内に充填されたタングステン又はモリブデンからなるビアを有する積層セラミック基板を形成する工程と、積層セラミック基板の表面に露出するビアの上部にニッケルメッキを施す工程と、絶縁層の最外表面にニッケルメッキを覆って銅ペーストを印刷する工程と、この銅ペーストを焼成して導体層を形成する工程と、導体層にレジスト膜を形成するとともに、その一部を覆って露光し、所定のパターンに現像する工程と、導体層をエッチングする工程と、レジスト膜を除去して発光素子実装用電極を形成する工程とを備え、ニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積は銅ペーストが絶縁層に印刷される面積よりも狭いことを特徴とするものである。
このような発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、ニッケルメッキと発光素子実装用電極との接触面積が絶縁層に印刷される銅ペーストの面積よりも狭いため、絶縁層に対する発光素子実装用電極の接合強度が低下するおそれがない。また、高放熱、耐光性、微細配線、平坦性を有する発光素子実装用多層配線基板の製造方法が提供される。

請求項５に記載の発明は、請求項４記載の発光素子実装用多層配線基板の製造方法において、銅ペーストを印刷する工程の前に、絶縁層の最外表面を研磨して平滑化する工程を備えることを特徴とするものである。
このような発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、絶縁層の最外表面に銅ペーストの印刷・焼成によって形成される発光素子実装用電極の平坦性が容易に確保される。

本発明の請求項１に記載の発光素子実装用多層配線基板によれば、発光素子を実装して照明装置を製造する場合、装置の小型化を図ることができるとともに、温度上昇に起因する故障や発光効率の低下を防ぐことができる。また、発光素子実装用電極を剥がれ難くして高品質の照明装置とすることが可能である。

また、本発明の請求項２に記載の発光素子実装用多層配線基板では、発光素子実装用電極に対して発光素子を所望の姿勢で正確に接合することが可能である。従って、照明装置を製造する場合、発光効率のバラツキを低減して品質を向上させることができる。また、発光素子実装用電極の製造コストや接合材の材料コストを削減するとともに、発光素子からの発熱を発光素子実装用電極から効率よく逃がすことができる。

本発明の請求項３に記載の発光素子実装用多層配線基板においては、請求項２記載の発明による効果がさらに容易に、かつ、確実に発揮される。

本発明の請求項４に記載の発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、発光素子を実装して照明装置を製造する場合、絶縁層からの発光素子実装用電極の剥離を防いで製品の品質を安定させることが可能である。また、高放熱、耐光性、微細配線、平坦性に優れた発光素子実装用多層配線基板を製造することが可能である。

本発明の請求項５に記載の発光素子実装用多層配線基板の製造方法によれば、発光素子実装用電極に対して発光素子を所望の姿勢で正確に実装することができる。従って、発光効率の製造バラツキが少ない高品質の照明装置を量産することが可能である。

以下に、本発明の最良の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板とその製造方法の実施例について説明する。

本実施例の発光素子実装用多層配線基板の構造について図１及び図２を用いて説明する。
図１は本実施例の発光素子収納用パッケージの構成を説明するための断面模式図である。また、図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の平面図及び正面図である。
図１に示すように、発光素子収納用パッケージ１３は、積層セラミック基板２の両面に発光素子実装用電極４ａ，４ｂと端子部５ａ，５ｂが形成された発光素子実装用多層配線基板１の上面に発光素子９を気密に封止する反射リング１４が接合され、その上部を覆うように集光レンズ（図示せず）が取り付けられた構造となっている。そして、積層セラミック基板２はセラミックを主成分とする絶縁層６と、タングステン又はモリブデンなどの高融点金属を主成分とする導体層７が交互に積層された構造となっている。また、絶縁層６には貫通孔が穿設され、貫通孔の内部にはタングステン又はモリブデンなどの高融点金属が充填されて、いわゆるビア８が形成されている。
また、発光素子実装用電極４ａ，４ｂと導体層７の間、各導体層７の間及び導体層７と端子部５ａ，５ｂの間は、ビア８によって互いに電気的に接続されている。そして、発光素子９は発光素子実装用電極４ａ，４ｂに対して、ＡｕＳｎ、半田、異方性フィルム又は金バンプなどから形成される接続用バンプ１０などの接合材を介してフリップチップ実装されている。従って、発光素子９は接続用バンプ１０と発光素子実装用電極４ａ，４ｂとビア８と導体層７を介して端子部５ａ，５ｂに対して電気的に接続されている。
なお、積層セラミック基板２の表面にビア８が露出する部分にはニッケルメッキ（図示せず）が施されている。すなわち、ビア８の内部に充填されたタングステン又はモリブデンなどの高融点金属と発光素子実装用電極４ａ，４ｂの間には、ニッケルメッキが介在している。一般に、ニッケルに対する銅の接合力は弱いため、発光素子実装用電極４ａ，４ｂと上記ニッケルメッキとの間の接合強度を確保することは容易でない。しかしながら、後述するように銅はセラミックに対して強固に接合される。そして、本実施例の場合、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは０．４ｍｍ×０．７ｍｍの矩形状であり、ビア８を形成する貫通孔は断面が直径０．１ｍｍの円形である。すなわち、発光素子実装用電極４ａ，４ｂが上記ニッケルメッキと接触する面積は上記貫通孔の断面積と略等しいため、セラミックを主成分とする絶縁層６と接触する面積に比べて狭い。従って、積層セラミック基板２に対する発光素子実装用電極４ａ，４ｂの接合強度は低下し難い。なお、ビア８を形成する貫通孔の端縁からニッケルメッキがはみ出して形成されている場合でも、一般に、ビア８の上部を形成するニッケルメッキが発光素子実装用電極４ａ，４ｂに接触する面積は上記のようにビア８を形成する貫通孔の断面積と略等しいものと考えることができる。

加えて、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは、積層セラミック基板２の表面にビア８の上部を形成するニッケルメッキが露出する部分の外側を全周に亘って取り囲むように構成し、発光素子実装用電極４ａ，４ｂを上記ニッケルメッキが露出した部分を越えて、接合強度の強い絶縁層６に対して切れ目なく接合したので、ニッケルメッキと発光素子実装用電極４ａ，４ｂとの接合強度が弱くとも、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは絶縁層６から剥がれ難くなっている。

上述の発光素子収納用パッケージ１３は、生産性を高めるため、通常、複数の発光素子９が実装された発光素子実装用多層配線基板１を個片分割することにより製造される。この場合、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、発光素子実装用多層配線基板１は矩形状の積層セラミック基板２の両面に銅ペーストの印刷・焼成によって発光素子実装用電極４ａ，４ｂ及び端子部５ａ，５ｂが形成された構造となる。なお、図２（ａ）には発光素子実装用電極４ａ，４ｂのみが示され、端子部５ａ，５ｂは示されていないが、端子部５ａ，５ｂは発光素子実装用電極４ａ，４ｂが形成された面と反対側の面に縦横に複数列ずつ区切られて配列されている。また、端子部５ａ，５ｂは、銅ペーストの代わりに、タングステンやモリブデンなどの高融点金属の導体ペーストを印刷及び焼成して形成されたものであっても良い。

このような構造の発光素子実装用多層配線基板１においては、熱伝導率の大きい材料である銅を主成分とする発光素子実装用電極４ａ，４ｂによって放熱性が高められるという作用を有する。また、発光素子実装用多層配線基板１はセラミックを主成分とするため、合成樹脂製の基板に比べて耐光性及び放熱性に優れる上、多層構造であることから内層配線が可能であり、配線設計をする際の自由度が高い。さらに、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは銅ペーストの印刷・焼成によって形成されることから、高価な金属等と高価な設備や装置を用いた薄膜法や蒸着法などの従来の方法に比べて、発光素子実装用配線基板１が安価に形成される。そして、発光素子実装用電極４ａ，４ｂの平坦性が表面研磨によって容易に確保されるため、接合材を厚く形成する必要がない。従って、材料コストが削減されるとともに、発光素子９と発光素子実装用電極４ａ，４ｂとの間の熱伝導性の低下が防止される。また、本実施例の発光素子実装用多層配線基板１を用いることにより、複数の発光素子９を内部に備えた照明装置が容易に製造される。さらに、発光素子実装用多層配線基板１に実装された複数の発光素子９に対して個々に反射リングを設置し、それぞれを個片に分割することによれば、内部に１つの発光素子９を備えた照明装置が一度に多数製造される。

以上説明したように、本実施例の発光素子実装用多層配線基板１においては、発光素子９をフリップチップ実装して照明装置を実装する場合、装置の小型化を図ることが可能である。また、発光素子９からの発熱を発光素子実装用電極４ａ，４ｂから効率よく逃がすことができる。従って、温度上昇に伴う発光素子９の故障や発光効率の低下を防止することが可能である。さらに、発光素子実装用電極４ａ，４ｂに対して発光素子９を所望の姿勢で正確に接合することができる。これにより、製造された照明装置は発光効率のバラツキが少ないものとなる。そして、発光素子実装用電極４ａ，４ｂを積層セラミック基板２に対して十分な強度で接合して品質の高い照明装置を製造することが可能である。また、発光素子実装用電極４ａ，４ｂを安価に形成することができるとともに、接続用バンプ１０等の接合材について材料コストの削減を図ることができる。

次に、本実施例の発光素子実装用多層配線基板１の製造方法について図４を適宜参照しながら図３を用いて説明する。
図３は本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の製造手順を示す工程図であり、図４（ａ）乃至（ｅ）は本実施例の製造方法を説明するための発光素子実装用多層配線基板の縦断面を示す模式図である。なお、図１に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
ステップＳ１０では積層セラミック基板２を成形する。まず、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の粉末に焼結助剤としてシリカ（ＳｉＯ_２）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）などの粉末を添加・調整した原料粉末にポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等の有機バインダとエタノール（Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ）等の分散剤とジオクチフタレート等の可塑剤を加えた後、ボールミル等を用いて混合してスラリー化する。次に、このスラリーをドクターブレード法等によってシート状に成形（以下、グリーンシートという。）した後、所定の箇所に打ち抜き金型やＮＣパンチングマシーン等を用いて位置決め孔やビア８用の貫通孔を穿設する。なお、貫通孔の断面積は後述のステップＳ１２において絶縁層６の上面に印刷される銅ペーストの面積よりも狭いものとする。さらに、スクリーン印刷によってタングステン等の高融点金属粉末の導体性ペーストをこの貫通孔の内部に充填するとともに、グリーンシートの表面に導体層７を形成する。そして、導体層７が形成された複数枚のグリーンシートを重ね合わせるとともに、加熱及び加圧を行って一体化する。また、必要に応じて、カッター刃、金型等の方法によりグリーンシートの表裏に格子状のブレーク溝を加工する。次に、グリーンシートの積層体を高温焼成炉内に入れて、窒素及び水素の還元性雰囲気中で加熱して有機バインダや分散剤を除去した後、焼結させる。このとき、導体層７は絶縁層６の上面や内層に焼き付けられる。これにより、図４（ａ）に示すような積層セラミック基板２が形成される。

ステップＳ１１では、積層セラミック基板２の表面を砥粒研磨によって平滑化する。その後、積層セラミック基板２の表面に露出するビア８に充填されたタングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末の導体性ペーストの上部にニッケルメッキを施す。
さらに、ステップＳ１２では図４（ｂ）に示すように、積層セラミック基板２の表面に銅ペースト１１の印刷・焼成を行って、導体層３ａ，３ｂを形成する。まず、積層セラミック基板２の表面にステンレスメッシュを用いたベタ印刷によって銅ペースト１１を１０〜３０μｍの厚さで一回乃至複数回塗布する。そして、積層セラミック基板２を１００℃程度で加熱して、銅ペースト１１の塗布面を乾燥させる。次に、銅ペースト１１を塗布した積層セラミック基板９を窒素又はアルゴンの雰囲気中、９００℃の温度条件で加熱する。これにより、銅ペースト１１の表面にＣｕ−Ｏ共晶液相が生成され、積層セラミック基板２に対する接合強度が高まる。
ステップＳ１３はバフ研磨工程である。すなわち、ステップＳ１２において積層セラミック基板２の表面に形成された導体層３ａ，３ｂの表面をバフ研磨によって平滑化する。この研磨処理によりポアやピンホール等が無くなり、導体層３ａ，３ｂの表層部は緻密化される。

さらに、ステップＳ１４及びステップＳ１５で導体層３ａ，３ｂに導体配線パターンを形成する。まず、ステップＳ１４において導体層３ａ，３ｂにレジスト膜１２をスピンコート法によって塗布する。そして、フォトリソ手法を用いて、このレジスト膜１２にフォトマスク（図示せず）を接触させて露光し、図４（ｃ）に示すような所定のパターンに現像する。なお、レジスト膜１２の塗布に際しては、スピンコート法に限らず、ロールコート法なども用いることができる。また、レジスト膜１２への露光もコンタクト方式以外に、例えば、プロキシミティ方式などを採用しても良い。次に、ステップＳ１５において導体層３ａ，３ｂに対してエッチングを行う。具体的には、塩化第２鉄あるいは塩化第２銅等を主成分とするエッチング液を用いて導体層３ａ，３ｂをエッチングする。これにより、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜１２が形成されていない部分の導体層３ａ，３ｂが除去される。さらに、導体層３ａ，３ｂ上のレジスト膜１２を剥離液によって除去する。その結果、図４（ｅ）に示すように、導体層３ａ，３ｂは所定の導体配線パターンが形成されて、それぞれ発光素子実装用電極４ａ，４ｂ及び端子部５ａ，５ｂとなる。

このような製造方法においては、積層セラミック基板２の材質がアルミナであるため、ビア８用の貫通孔を穿設する際にレーザー加工等の高価なプロセスを必要としない。また、銅ペースト１１を印刷する前に積層セラミック基板２の表面を研磨することにより、銅ペースト１１の印刷・焼成によって形成される発光素子実装用電極４ａ，４ｂについて平坦性が容易に確保される。さらに、銅ペースト１１は所定の条件下で加熱されて表面にＣｕ−Ｏ共晶液相が生成されるため、積層セラミック基板２に対して強固に接合される。そして、ビア８に充填された高融点金属の上部に形成されたニッケルメッキと発光素子実装用電極４ａ，４ｂとの接触面積は絶縁層６の上面に印刷される銅ペースト１１の面積よりも狭いため、焼成された銅ペースト１１の積層セラミック基板２に対する接合強度が低下し難い。加えて、上記ニッケルメッキに対する銅ペースト１１の接合強度が弱くとも、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは、積層セラミック基板２の表面に上記ニッケルメッキが露出した部分の外側を全周に亘って取り囲むように構成し、発光素子実装用電極４ａ，４ｂを上記ニッケルメッキが露出した部分を越えて、接合強度の強い積層セラミック基板２に対して切れ目なく接合したので、上記ニッケルメッキの露出部分の周囲において銅ペースト１１が積層セラミック基板２に対して強固に接合され、銅ペースト１１から最終的に形成される発光素子実装用電極４ａ，４ｂは積層セラミック基板２から剥がれ難いものとなる。

以上説明したように、本実施例の製造方法においては、積層セラミック基板２を使用しているため、耐光性に優れ、微細配線が可能な発光素子実装用多層配線基板１を製造することができる。また、平坦性に優れた発光素子実装用電極４ａ，４ｂの形成が可能であるため、接合材を薄くして材料コストを削減すると同時に、発光素子９で発生した熱を発光素子実装用電極４ａ，４ｂから効率よく逃がすことができる。さらに、発光素子９を発光素子実装用電極４ａ，４ｂ上に所望の姿勢で正確に実装できるため、発光素子９の発光効率の製造バラツキが少なくなる。また、積層セラミック基板２から発光素子実装用電極４ａ，４ｂが剥がれ難いため、製品の品質が安定する。すなわち、本実施例の製造方法によれば、高品質の照明装置を量産することが可能である。

本発明の発光素子実装用多層配線基板１の材質は上記実施例に示すものに限定されるものではない。例えば、高い放熱性が要求される場合には、絶縁層６としてアルミナよりも放熱性に優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用しても良い。また、発光素子実装用電極４ａ，４ｂ及び端子部５ａ，５ｂの個数や配置及び導体層７の形成パターンについては、図１又は図４に示す場合に限定されるものではなく、適宜変更可能である。さらに、導体層３ａについて所望の平坦性が確保できる場合には、図３のステップＳ１１における積層セラミック基板２の研磨工程を省略しても良い。また、積層セラミック基板２の表面に露出するタングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末の導体性ペーストの上部には、ニッケルメッキの代わりに銅メッキを施しても良い。

本発明の請求項１乃至請求項５に記載された発明は、発光素子がフリップチップ実装される電極部の平坦性及び微細で複雑な配線構造が要求される基板に対して適用可能である。

は本実施例の発光素子収納用パッケージの構成を説明するための断面模式図である。 （ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の平面図及び正面図である。 本発明の実施の形態に係る発光素子実装用多層配線基板の製造手順を示す工程図である。 （ａ）乃至（ｅ）は本実施例の製造方法を説明するための発光素子実装用多層配線基板の縦断面を示す模式図である。

符号の説明

１…発光素子実装用多層配線基板 ２…積層セラミック基板 ３ａ，３ｂ…導体層 ４ａ，４ｂ…発光素子実装用電極 ５ａ，５ｂ…端子部 ６…絶縁層 ７…導体層 ８…ビア ９…発光素子 １０…接続用バンプ １１…銅ペースト １２…レジスト膜 １３…発光素子収納用パッケージ １４…反射リング

Claims (5)

1. 発光素子を表面に実装する多層配線基板がセラミックを主成分とする複数の絶縁層と、銅を主成分として前記絶縁層の最外表面に形成される発光素子実装用電極と、タングステン又はモリブデンを主成分として前記複数の絶縁層の間に形成される導体層と、前記絶縁層に穿設される貫通孔に前記タングステン又は前記モリブデンが充填されて前記発光素子実装用電極と前記導体層又は前記導体層同士を電気的に接続するビアと、このビアが前記絶縁層の表面に露出する部分に施されるニッケルメッキを備え、このニッケルメッキと前記発光素子実装用電極との接触面積は前記発光素子実装用電極が前記絶縁層に接触する面積よりも狭いことを特徴とする発光素子実装用多層配線基板。
2. 前記発光素子実装用電極は前記絶縁層の外表面に銅ペーストを印刷・焼成した後、フォトリソ法によりパターンが形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子実装用多層配線基板。
3. 前記絶縁層は外表面が研磨されて平滑化されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子実装用多層配線基板。
4. 貫通孔を有する複数枚のセラミックグリーンシートのそれぞれにタングステン又はモリブデンを主成分とする導体ペーストを印刷するとともに前記貫通孔に前記導体ペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、この積層体を還元性雰囲気中で焼成してセラミックからなる絶縁層、前記タングステン又は前記モリブデンからなる導体層及び前記貫通孔内に充填された前記タングステン又は前記モリブデンからなるビアを有する積層セラミック基板を形成する工程と、積層セラミック基板の表面に露出する前記ビアの上部にニッケルメッキを施す工程と、前記絶縁層の最外表面に前記ニッケルメッキを覆って銅ペーストを印刷する工程と、この銅ペーストを焼成して導体層を形成する工程と、前記導体層にレジスト膜を形成するとともに、その一部を覆って露光し、所定のパターンに現像する工程と、前記導体層をエッチングする工程と、レジスト膜を除去して発光素子実装用電極を形成する工程とを備え、前記ニッケルメッキと前記発光素子実装用電極との接触面積は前記銅ペーストが前記絶縁層に印刷される面積よりも狭いことを特徴とする発光素子実装用多層配線基板の製造方法。
5. 前記銅ペーストを印刷する前記工程の前に、前記絶縁層の最外表面を研磨して平滑化する工程を備えることを特徴とする請求項４記載の発光素子実装用多層配線基板の製造方法。