JP4358713B2 - 固体素子デバイス - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 121
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005690 GdF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000929049 Xenopus tropicalis Derriere protein Proteins 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る固体素子デバイスとしての発光装置を示し、同図中、(a)は発光装置の縦断面図、(b)は光源であるGaN系LED素子の側面図である。
この発光装置1の製造方法について、以下に説明する。まず、ビアホール3Aを有したガラス含有Al2O3基板3を用意し、ガラス含有Al2O3基板3の表面に回路パターンに応じてWペーストをスクリーン印刷する。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る固体素子デバイスとしての発光装置を示し、同図中、(a)は発光装置の平面図、(b)は(a)A−A断面図、(c)は下部ガラスの斜視図である。
次に、第2の実施の形態における発光装置1の製造方法について説明する。まず、銅を材料とし、表面に銀めっき処理が施された一対のリード19を備えた図示しないリードフレームを用意する。次に、リード19のリードカップ部19BにGaN系LED素子2をマウントする。GaN系LED素子2は、無機透明接着剤によってリードカップ部19Bの底面191に接着される。次に、一対のリード19とGaN系LED素子2の電極とを、ワイヤ10で電気的に接続する。
上記した第2の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
3A、ビアホール 4、回路パターン 5、スタッドバンプ
6、ガラス封止部 6A、上面 6B、側面 7、封止体 10、ワイヤ
19、リード 19B、リードカップ部 20、基板 21、バッファ層
22、n型層 23、発光する素子を含む層 24、p型層 25、p電極
26、n電極 35、シリコン樹脂コート 60A、上部ガラス 60B、下部ガラス
60C、リード収容溝 190、傾斜面 191、底面
Claims (12)
- 固体素子と、
前記固体素子に対して電力の受供給を行うセラミック基板と、
前記固体素子を封止し、P2O5を45〜50wt%、ZnOを15〜35wt%含有するP2O5−ZnO系からなりガラス転位温度が350〜400℃の低融点ガラスによって設けられるガラス封止部とを有し、
前記低融点ガラスは、P 2 O 5 :45〜50wt%、Li 2 O:3〜6wt%、MgO:0〜3.5wt%、CaO:0〜10wt%、SrO:0〜15wt%、BaO:0〜30wt%、ZnO:15〜35wt%、ZrO 2 :0〜1wt%、Nb 2 O 5 :0〜1.5wt%、およびAl 2 O 3 :0〜5wt%の範囲からなり、RO(R:Mg、Ca、Sr、Ba、Zn)の合計が38〜49wt%であり、
前記セラミック基板と前記ガラス封止部につき、熱膨張率が高い方の部材に対する低い方の部材の熱膨張率の比が0.85以上であることを特徴とする固体素子デバイス。 - 前記低融点ガラスは、屈伏点が375〜450℃であることを特徴とする請求項1に記載の固体素子デバイス。
- 前記低融点ガラスは、熱膨張率が10.0〜14.0×10−6/℃であることを特徴とする請求項1または2に記載の固体素子デバイス。
- 前記低融点ガラスは、アッベ数が59.0〜64.0であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記低融点ガラスは、屈折率が1.58〜1.62であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、フリップ実装されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記セラミック基板は、前記固体素子をマウントする側に設けられる第1の導電パターンと、その裏面側に設けられる第2の導電パターンと、およびその両側を電気的に接続する第3の導電パターンとを有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記ガラス封止部は、表面に耐湿、耐酸、耐アルカリ性を付与するコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、光学素子であり、かつ、前記ガラス封止部は透光性材料であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記光学素子は、発光素子であることを特徴とする請求項9に記載の固体素子デバイス。
- 前記光学素子は、受光素子であることを特徴とする請求項9に記載の固体素子デバイス。
- 前記ガラス封止部は、表面を樹脂でオーバーモールドされていることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004263098A JP4358713B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 固体素子デバイス |
DE102005042778A DE102005042778A1 (de) | 2004-09-09 | 2005-09-08 | Optische Festkörpervorrichtung |
CNB2005101025153A CN100444360C (zh) | 2004-09-09 | 2005-09-08 | 固态光学器件 |
US11/220,777 US7470926B2 (en) | 2004-09-09 | 2005-09-08 | Solid-state optical device |
US12/292,262 US7667223B2 (en) | 2004-09-09 | 2008-11-14 | Solid-state optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004263098A JP4358713B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 固体素子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080317A JP2006080317A (ja) | 2006-03-23 |
JP4358713B2 true JP4358713B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=36159525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004263098A Expired - Fee Related JP4358713B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 固体素子デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4358713B2 (ja) |
CN (1) | CN100444360C (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4924012B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5619533B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN103951252B (zh) * | 2014-05-08 | 2016-03-16 | 宁波大学 | 稀土离子掺杂的LiBaI3微晶玻璃及其制备方法 |
KR102464029B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2022-11-07 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5227995B2 (ja) * | 1971-08-18 | 1977-07-23 | ||
US5122484A (en) * | 1991-05-23 | 1992-06-16 | Corning Incorporated | Zinc phosphate low temperature glasses |
US5137851A (en) * | 1991-06-11 | 1992-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
US5281560A (en) * | 1993-06-21 | 1994-01-25 | Corning Incorporated | Non-lead sealing glasses |
JPH08102553A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Rohm Co Ltd | 素子封止型発光デバイス |
DE19803936A1 (de) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2000072473A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-07 | Ohara Inc | 低融点ガラス、および封着用組成物 |
JP4262818B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2009-05-13 | 株式会社東芝 | 鉄−ニッケル系合金部材およびガラス封止部品 |
JP2001261369A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス組成物 |
JP2002094123A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
US7151064B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-12-19 | Sumita Optical Glass, Inc. | Optical glass suitable for mold forming |
US6777358B2 (en) * | 2002-07-25 | 2004-08-17 | Nortel Networks Limited | Sealing glass composition |
JP2004095580A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE10259945A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer |
-
2004
- 2004-09-09 JP JP2004263098A patent/JP4358713B2/ja not_active Expired - Fee Related
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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