JPH10112557A - 発光装置及びそれを用いた表示装置 - Google Patents

発光装置及びそれを用いた表示装置

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JPH10112557A
JPH10112557A JP26645096A JP26645096A JPH10112557A JP H10112557 A JPH10112557 A JP H10112557A JP 26645096 A JP26645096 A JP 26645096A JP 26645096 A JP26645096 A JP 26645096A JP H10112557 A JPH10112557 A JP H10112557A
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JP
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light
led chip
fluorescent substance
light emitting
afterglow
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Shinji Kumeta
眞次 久米田
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Nichia Chemical Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本願発明は、ＬＥＤチップからの発光の少なく
とも一部を変換して発光させる蛍光物質を有し使用環境
によらず高輝度、高効率且つ残光性を有する発光装置及
びそれを用いた表示装置に関する。 【解決手段】本願発明は、発光層が窒化ガリウム系化合
物半導体であるＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの
発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍
光物質と、を有する発光装置であって、前記ＬＥＤチッ
プの主発光ピークが３６０ｎｍから５３０ｎｍ内である
と共に、前記蛍光物質が２価のユーロピウムで付活され
化学組成式が、（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢ
m）2Ｏ3の発光装置である。但し、組成式中のＭは２価
金属であり、Ｑは共付活剤である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、バックライト光源、
ＬＥＤ表示器、照光式スイッチ及び各種インジケータな
どに利用される発光装置に係わり、特に発光素子である
ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を変換して発
光させる蛍光物質を有し使用環境によらず高輝度、高効
率且つ残光性を有する発光装置及びそれを用いた表示装
置に関する。
【０００２】
【従来技術】今日、トランシーバー、カメラ、ポケベ
ル、ポータブルラジオ、ビデオデッキやノート型パソコ
ンなどの携帯用電子機器の発達に伴い操作性や視認性向
上のために種々の表示装置が設けられている。この表示
の一つに液晶装置を利用したものがあり、暗所において
も使用できるようバックライトが設けられてある。この
ようなバックライトは、携帯用電子機器用のバックライ
トはその消費電力を低下させればさせるほど使用時間な
どが増えるなどのメリットがあるため、特に低消費電力
且つ高輝度に発光することが求められる。このような、
バックライト光源の一つにＬＥＤチップからの光源を面
状などに発光させることによって高輝度に発光させるも
のがある。ＬＥＤチップは、小型で効率が良く鮮やかな
色の発光をする。また、半導体素子であるため球切れな
どの心配がない。初期駆動特性が優れ、振動やON／OFF
点灯の繰り返しに強いという特徴を利用したバックライ
ト光源などとすることができる。
【０００３】一方、消防法施行令と全国各都市の火災防
止条例などで、劇場、旅館など人の多く集まる場所に誘
導灯の設置が義務づけられている。地震、火災などの災
害やその他の突発事故により、常用の電源が断たれた場
合、自動的に予備電源に切り替わり２０分以上の点灯が
必要とされる。このような誘導灯にも高輝度低消費電力
であるＬＥＤチップの特性を生かした表示器とすること
もできる。
【０００４】しかしながら、ＬＥＤチップを用いて形成
させたバックライトなどは半導体発光素子であり、低消
費電力とはいえ電池電力を消費する。そのため電池電源
の蓄電量が少ない場合において、より長く駆動させるた
めには大きな負荷となる場合がある。また、災害時に表
示器の予備電源が破壊され、あるいは給電回路が破線な
どすると消灯してしまう場合もある。したがって、電力
が少ない場合や給電回路などが停止した場合において
も、十分な明るさを表示できる表示器が求められてい
る。
【０００５】
【発明が解決する課題】このような要請に沿う表示装置
として、発光ダイオードと、それによって励起される蛍
光物質とを有する表示装置が考えられる。
【０００６】しかしながら、ＬＥＤチップは半導体の組
成や構造などによって種々の発光波長を有するものがあ
る。同様に、ＬＥＤチップによって励起される蛍光物質
も、蛍光染料、蛍光顔料さらには有機、無機化合物や残
光性を有するものなど様々なものが挙げられる。
【０００７】また、ＬＥＤチップ周辺に近接して蛍光物
質を配置する場合は、太陽光よりも約３０倍から４０
倍、場合によってはそれ以上にも及ぶ強照射強度の光線
にさらされる。特に、発光素子であるＬＥＤチップを高
エネルギーバンドギャップを有する半導体を用い蛍光物
質の変換効率向上や蛍光物質の使用量を減らした場合に
おいては、ＬＥＤチップから発光した主発光が可視光域
にあるといっても光エネルギーが必然的に高くなる。ま
た、紫外線領域を発光する場合もあり、発光強度を更に
高め長期に渡って使用すると、蛍光物質自体が劣化しや
すい。同様にＬＥＤチップの近傍に設けられた蛍光物質
は、ＬＥＤチップの昇温や外部環境からの加熱など高温
にもさらされる。さらに、発光装置の１種である発光ダ
イオードは一般的に樹脂モールドに被覆されてはいるも
のの外部環境からの水分の進入などを完全に防ぐことや
製造時に付着した水分を完全に除去することはできな
い。蛍光物質によっては、このような水分が発光素子か
らの高エネルギー光や熱によって蛍光物質の劣化を促進
する場合もある。また、蛍光物質が劣化すると蛍光物質
が黒ずみ光の外部取り出し効率が低下するものや著しく
残光性が短くなる場合がある。更には、残光性を示さな
くなる場合もある。したがって、本願発明は上記課題を
解決し、より高輝度、長時間の使用環境下においても発
光光率の低下が極めて少なく残光性を有する発光装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明は、発光層が窒
化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップと、該Ｌ
ＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変
換して発光する蛍光物質と、を有する発光装置であっ
て、前記ＬＥＤチップの主発光ピークが３６０ｎｍから
５３０ｎｍ内であると共に、前記蛍光物質が２価のユー
ロピウムで付活され化学組成式が、（Ｍ1-p-qＥｕ
pＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢm）2Ｏ3である発光装置であ
る。（但し、０．０００１≦ｐ≦０．５、０．０００１
≦ｑ≦０．５、０．５≦ｎ≦１０、０≦ｍ≦０．５、
０．０００２≦ｐ＋ｑ≦０．７５、組成式中のＭはＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎからなる２価金属の群
より選ばれた少なくとも１種であり、Ｑは共付活剤であ
りＭｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕからなる群より選ば
れた少なくとも１種である。）
【０００９】また、マウント・リードのカップ内に配置
させたＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップと導電性ワイヤ
ーを用いて電気的に接続させたインナー・リードと、前
記カップ内に充填させたコーティング部材と、該コーテ
ィング部材、ＬＥＤチップ、導電性ワイヤー及びマウン
ト・リードとインナー・リードの少なくとも一部を被覆
するモールド部材と、を有する発光ダイオードであっ
て、前記ＬＥＤチップが窒化ガリウム系化合物半導体で
あり、且つ前記コーティング部材が２価のユーロピウム
で付活され化学組成式が（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ
（Ａｌ1-mＢm）2Ｏ3である蛍光物質を含有する透光性樹
脂である発光ダイオードである。（但し、０．０００１
≦ｐ≦０．５、０．０００１≦ｑ≦０．５、０．５≦ｎ
≦１０、０≦ｍ≦０．５、０．０００２≦ｐ＋ｑ≦０．
７５、組成式中のＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺ
ｎからなる２価金属の群より選ばれた少なくとも１種で
あり、Ｑは共付活剤でありＭｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及び
Ｌｕからなる群より選ばれた少なくとも１種である。）
【００１０】さらに、上述の発光装置を２以上に配置し
た表示器と、該表示器と電気的に接続させた駆動回路
と、を有する表示装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本願発明者は、種々の実験の結
果、光エネルギーが比較的高いＬＥＤチップからの発光
の少なくとも一部を蛍光物質によって波長変換させる発
光装置において、特定の半導体及び蛍光物質を選択する
ことにより高輝度、且つ長時間の使用時における光効率
や残光性の低下を防止できることを見出し本願発明を成
すに至った。
【００１２】即ち、発光装置に用いられる蛍光物質とし
ては、 １．耐光性に優れていることが要求される。特に、半導
体発光素子などの微小領域から強放射されるために太陽
光の約３０倍から４０倍にもおよぶ強照射にも十分耐え
る必要がある。２．発光素子近傍に配置されるため温度
特性が良好であること。３．発光装置の利用環境に応じ
て耐候性があること４．発光装置の光、熱などによって
も残光性が低下しないことなどの特徴を有することが求
められる。
【００１３】これらの条件を満たすものとして本願発明
は、発光素子の発光層に高エネルギーバンドギャップを
有する窒化ガリウム系化合物半導体素子を、蛍光物質と
して（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢm）2Ｏ3を
用いる。これにより発光素子から放出された可視光域に
おける高エネルギー光を長時間近傍で高輝度に照射した
場合であっても発光輝度や残光性の低下が極めて少ない
発光装置とすることができるものである。
【００１４】具体的な発光装置の一例として、チップタ
イプＬＥＤを図２に示す。チップタイプＬＥＤの筐体２
０４内に窒化ガリウム系半導体を用いたＬＥＤチップ２
０２をエポキシ樹脂などを用いて固定させてある。導電
性ワイヤー２０３として金線をＬＥＤチップ２０２の各
電極と筐体に設けられた各電極２０５とにそれぞれ電気
的に接続させてある。(Ｓｒ0.952Ｅｕ0.03Ｄｙ0.015Ｔ
ｍ0.003)Ｏ・(Ａｌ0.988Ｂ0.012)2Ｏ3蛍光物質をエポキ
シ樹脂中に混合分散させたものをＬＥＤチップ、導電性
ワイヤーなどを外部応力などから保護するモールド部材
２０１として均一に硬化形成させる。このような発光装
置に電力を供給させることによってＬＥＤチップ２０２
を発光させる。ＬＥＤチップ２０２からの発光と、その
発光によって励起された蛍光物質からの発光との混色光
が発光される。ＬＥＤチップを消灯後には蛍光物質から
の残光のみによって発光可能な発光装置とすることがで
きる。以下、本願発明の構成部材について詳述する。
【００１５】（蛍光物質）本願発明に用いられる蛍光物
質としては、半導体発光層から発光された電磁波により
励起されて発光する蛍光物質をいう。具体的な蛍光物質
としては、（Ｍ1- p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢm）2
Ｏ3である。使用形態としては、種々のものが挙げられ
る。具体的には、蛍光物質のバルク層内などにＬＥＤチ
ップを閉じこめ蛍光物質層にＬＥＤチップからの光が透
過する開口部を１乃至２以上有する構成の発光装置とし
ても良い。また、蛍光物質の粉体をＬＥＤチップを被覆
する樹脂や硝子中に含有させＬＥＤチップからの光が透
過する程度に薄く形成させても良い。さらには、複数の
発光ダイオードを配置させた発光ダイオード間の周辺部
材中に混合させても良い。蛍光物質の粒径、蛍光物質と
樹脂などとの比率や塗布、充填量を種々調整すること及
び発光素子の発光波長を選択することにより種々の色調
や残光性を選択することができる。
【００１６】さらに、蛍光物質の含有分布は、混色性や
耐久性などにも影響する。すなわち、蛍光物質が含有さ
れたコーティング部やモールド部材などの表面側からＬ
ＥＤチップに向かって蛍光物質の分布濃度が高い場合
は、外部環境からの水分などの影響をより受けにくく水
分による劣化を抑制しやすい。他方、蛍光物質の含有分
布をＬＥＤチップからモールド部材表面側に向かって分
布濃度が高くなると外部環境からの水分の影響を受けや
すいがＬＥＤチップからの発熱、照射強度などの影響が
より少なく蛍光物質の劣化を抑制することができる。こ
のような、蛍光物質の分布は、蛍光物質を含有する部
材、形成温度、粘度や蛍光物質の形状、粒度分布などを
調整させることによって種々形成させることができる。
したがって、使用条件などにより蛍光物質の分布濃度
を、種々選択することができる。
【００１７】本願発明に利用される蛍光物質は、ＬＥＤ
チップと接する或いは近接して配置された場合において
も十分な耐光性有する。また、ＬＥＤチップからの放熱
が大きい場合は、ｎが１．５から３が特に好ましい。本
願発明の残光性蛍光物質に導入する付活剤及び共付活剤
は、蛍光色及び残光輝度に大きく影響する。したがっ
て、用途に応じて、それぞれ次に示すような範囲に調整
することができる。
【００１８】即ち、付活剤のＥｕの濃度ｐについては、
蛍光物質１モルに対し、母体のＳｒを０．０００１モル
以上、０．５モル以下置換する範囲に調整することが望
ましい。これは０．０００１モルより少ないと光吸収が
悪くなり、その結果残光輝度が低下する傾向にあるから
である。逆に、０．５モルよりも多くなると、濃度消光
を起こし残光輝度が低下する傾向にある。ｐの範囲が、
０．００１≦ｐ≦０．０６であることにより、より残光
輝度が高くすることができる。
【００１９】共付活剤を導入することによりＥｕの発光
は残光性を示すようになる。共付活剤としてＭｎ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕからなる群より選ばれた少く
なくとも一種が有効である。
【００２０】Ｄｙは蛍光物質の母体である２価金属Ｍ
が、特にＳｒの場合に残光性向上に効果的であり、Ｄｙ
濃度ｑの濃度範囲は０．０００５以上、０．０３以下の
範囲が好ましい。同様に、Ｎｄは蛍光物質の母体である
２価金属Ｍが、特にＣａの場合に残光輝度向上に特に効
果があり、Ｎｄ濃度ｑの範囲は０．０００５以上、０．
０３以下の範囲が好ましい。これら共付活剤Ｄｙ、Ｎｄ
に、他の第２に共付活剤を付活することにより相乗効果
を発揮することができる。
【００２１】具体的には、第一の共付活剤としてＤｙを
選択する場合、第２の共付活剤のＭｎ濃度ｑの好ましい
範囲は０．０００１以上、０．０６以下で、更に好まし
いのは０．０００５以上、０．０２以下の範囲である。
また、第一の共付活剤としてＤｙを選択する場合、第２
の共付活剤のＴｍ濃度ｑの好ましい範囲は０．０００３
以上、０．０２以下で、更に好ましいのは０．０００４
以上、０．０１以下の範囲である。同様に、第一の共付
活剤としてＤｙを選択する場合、第２の共付活剤のＬｕ
濃度ｑの好ましい範囲は０．０００１以上、０．０６以
下で、更に好ましいのは０．０００４以上、０．０４以
下の範囲である。第一の共付活剤としてＤｙを選択する
場合、第２の共付活剤のＮｂ濃度ｑの好ましい範囲は
０．０００１以上、０．０８以下で、更に好ましいのは
０．０００３以上、０．０４以下の範囲である。第一の
共付活剤としてＤｙを選択する場合、第２の共付活剤の
Ｙｂ濃度ｑの好ましい範囲は０．０００２以上、０．０
４以下で、更に好ましいのは０．０００３以上、０．０
１以下の範囲である。第一の共付活剤としてＤｙを選択
する場合、第２の共付活剤のＺｒ濃度ｑの好ましい範囲
は０．００２以上、０．７０以下である。第一の共付活
剤としてＤｙを選択する場合、第二の共付活剤のＥｒ濃
度ｑの好ましい範囲は０．０００１以上、０．０３以下
である。更に好ましいのは０．０００５以上、０．０２
以下の範囲である。第一の共付活剤としてＤｙを選択す
る場合、第２の共付活剤のＰｒ濃度ｑの好ましい範囲は
０．０００１以上、０．０４以下である。更に好ましい
のは０．０００５以上、０．０３以下の範囲である。
【００２２】第一の共付活剤としてＮｄを導入する場
合、第２の共付活剤のＴｍ濃度ｑの好ましい範囲は０．
０００１以上、０．０６以下で、更に好ましいのは０．
０００５以上、０．０２以下の範囲である。第一の共付
活剤としてＮｄを導入する場合、第２の共付活剤のＰｒ
濃度ｑの好ましい範囲は０．０００１以上、０．０６以
下で、更に好ましいのは０．０００５以上、０．０２以
下の範囲である。第一の共付活剤としてＮｄを以下導入
する場合、第２の共付活剤のＨｏ濃度ｑの好ましい範囲
は０．０００１以上、０．０６以下で、更に好ましいの
は０．０００５以上、０．０２以下の範囲である。さら
に又、第一の共付活剤としてＮｄを以下導入する場合、
第２の共付活剤のＤｙ濃度ｑの好ましい範囲は０．００
０１以上、０．０６以下で、更に好ましいのは０．００
０５以上、０．０２以下の範囲である。
【００２３】残光性蛍光物質の母体組成について、アル
ミニウムの一部をホウ素で置換することもできる。この
場合、残光特性をさらに大きく改善させることもでき
る。したがって、本願発明に用いられる蛍光物質にはホ
ウ素がアルミニウムの総モル数の０１モルから０．５モ
ル置換する範囲が好ましく、より好ましくは、０．００
５モルから０．２５モルになる範囲であり、最も好まし
いのは、０．０５モル付近である。ホウ素を導入するに
は、アルミニウムをそれに見合う量だけ差し引いて仕込
むことが好ましい。
【００２４】本願発明に用いられる残光性蛍光物質は、
原料として例えばＳｒＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3
のような金属酸化物、或いはＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、Ｂ
ａＣＯ3のような高温で焼成することで容易に酸化物に
なるような化合物を選択することが好ましい。このよう
な化合物として炭酸塩の他には硝酸塩、シュウ酸塩、水
酸化物などがある。また、ホウ素化合物としてはホウ酸
あるいはアルカリ土類のホウ酸塩が使用でき、特に、ホ
ウ酸が好ましい。原料の純度は残光輝度に大きく影響
し、９９．９％以上であることが好ましく、９９．９９
％以上であることがさらに好ましい。これらを混合した
原料を、還元雰囲気下１２００℃以上１６００℃以下の
温度範囲で焼成し、焼成品を粉砕、篩することで蛍光物
質を得ることができる。尚、原料の混合比率は、目的の
組成を得る為の理論量を混合することで決定できる。
【００２５】本願発明に用いられる蛍光物質は基本的に
付活剤の２価のＥｕによる強い発光を呈するが、２価の
Ｅｕは可視光から紫外域の広範囲に吸収がある。従っ
て、窒化ガリウム系化合物半導体を用いても十分に高効
率発光が可能である。また、共付活剤として、Ｍｎ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕからなる群より選ばれた少な
くとも１種を蛍光物質の母体にドープさせることで残光
現象が現れる。
【００２６】残光性蛍光物質においてホウ素を含有させ
るとアルミネートの結晶性を良好にし、発光中心と捕獲
中心を安定化させることで残光時間、残光輝度をさらに
改善させることもできる。また、ホウ素は同時にフラッ
クスとして働き蛍光物質の結晶成長を促進する効果をも
有する。
【００２７】２価金属、付活剤、共付活剤の酸化物の総
モル数とアルミナ及びホウ酸の総モル数がほぼ１：１す
なわちｎ＝１である場合、Ｘ線回折により解析した結
果、結晶構造はＳｒＡｌ2Ｏ4型の単斜晶系となり、波長
５２０ｎｍにピークのある緑色発光を示す。また、２価
金属、付活剤、共付活剤の酸化物の総モル数とアルミナ
及びホウ酸の総モル数を１：２すなわちｎ＝２に仕込み
焼成した場合、ホウ素の置換が１モル％程度の低濃度で
は、仕込み組成から生成すべきＳｒＡｌ4Ｏ7の構造を示
すが、ホウ素がこれよりも高濃度では、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ
25とＳｒＡｌ12Ｏ1 9の混合物となる。すなわち、ホウ素
を含有することにより、結晶構造が変化し、残光性を向
上させることもできる。同様に、ｎ＝１．７５の時、Ｓ
ｒ4Ａｌ14Ｏ25となり、耐熱性などをより向上させるこ
ともできる。このような組成は、使用目的、ＬＥＤチッ
プからの発光スペクトルや蛍光物質の励起スペクトルを
考慮して選択させることが好ましい。
【００２８】即ち、母体組成を特定範囲に調整すること
により、発光色は青色、青緑色、緑色と多様に変化させ
ることができる。また、母体組成へのホウ素含有によ
り、結晶構造の安定化、粒子成長を促進でき、その結果
として残光の高輝度化が図れる。さらに、第一の共付活
剤と第二の共付活剤の組み合わせにより、残光輝度をさ
らに高輝度化でき、特にＺｒを第二の共付活剤に選択し
た場合、発光色調も変化させることができる。
【００２９】本願発明の発光装置において、蛍光物質は
２種類以上の（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ
1-mＢm）2Ｏ3蛍光物質を混合させてもよい。ＭやＱの元
素や含有量が異なる２種類以上の（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）
Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢm）2Ｏ3蛍光物質を混合させて発光波
長成分を増やすこともできる。これにより、種々の発光
色が選択できる発光装置とすることもできる。また、そ
れぞれ異なる樹脂に混合させた多層膜とさせ、半導体発
光素子によって励起させることもできる。
【００３０】（ＬＥＤチップ１０２、２０２、４０２、
５０２）本願発明に用いられるＬＥＤチップとは、（Ｍ
1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1 -mＢm）2Ｏ3蛍光物質を
効率良く励起できる窒化物系化合物半導体が挙げられ
る。発光素子であるＬＥＤチップは、ＭＯＣＶＤ法等に
より基板上に一般式ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ（但し、０
≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ＜１）等の窒化物系化合物半導体
を発光層として形成させる。半導体の構造としては、Ｍ
ＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構
造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げ
られる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長
を種々選択することができる。また、半導体活性層を量
子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多
重量子井戸構造とすることもできる。
【００３１】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガ
リウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いるこ
とが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ
等のバッファー層を形成しその上にＰＮ接合を有する窒
化ガリウム系半導体を形成させる。窒化ガリウム系半導
体は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。
発光効率を向上させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導
体を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。
一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ
型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ等をドープさせる。窒化ガリウム系化合物半導体は、
Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいた
めＰ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線
照射やプラズマ照射等によりアニールすることでＰ型化
させることが好ましい。エッチングなどによりＰ型半導
体及びＮ型半導体の露出面を形成させた後、半導体層上
にスパッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形
状の各電極を形成させる。
【００３２】次に、形成された半導体ウエハー等をダイ
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして
窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップを形成
させることができる。
【００３３】本願発明の発光装置において効率よく発光
及び残光させる場合は、蛍光物質との励起波長等を考慮
して発光素子の発光波長は３６０ｎｍ以上５３０ｎｍ以
下が好ましく、３８０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好
ましい。また、樹脂で形成させたモールド部材やコーテ
ィング材の劣化やＬＥＤチップ及び蛍光物質の混色を考
慮して、発光装置の特性をより向上させるためには、４
００ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。本願発
明の残光性を有する発光装置の発光スペクトルを図３に
示す。４１０ｎｍ付近にピークを持つ発光がＬＥＤチッ
プからの発光であり、５２０ｎｍ付近にピークを持つ発
光がＬＥＤチップによって励起された蛍光物質の発光で
ある。なお、４００ｎｍ未満の発光波長は、紫外線域を
含むため蛍光物質からの発光のみの単色性を有すること
となる。
【００３４】（導電性ワイヤー１０３、２０３、４０
３）導電性ワイヤー１０３、２０３、４０３としては、
ＬＥＤチップ１０２、２０２、５０２の電極とのオーミ
ック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよい
ものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／
ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましくは０．
５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。また、作業性
などを考慮して導電性ワイヤーの直径は、好ましくは、
Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。このような導
電性ワイヤーとして具体的には、金、銅、白金、アルミ
ニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤ
ーが挙げられる。このような導電性ワイヤーは、各ＬＥ
Ｄチップの電極と、インナー・リード及びマウント・リ
ードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容易
に接続させることができる。
【００３５】（マウント・リード１０５）マウント・リ
ード１０５としては、ＬＥＤチップ１０２を配置させる
ものであり、ダイボンドダーなどで積載するのに十分な
大きさがあれば良い。また、ＬＥＤチップを複数設置し
マウント・リードをＬＥＤチップの共通電極として利用
する場合においては、十分な電気伝導性とボンディング
ワイヤー等との接続性が求められる。また、マウント・
リード上のカップ内にＬＥＤチップを配置すると共に蛍
光物質を内部に充填させる場合は、近接して配置させた
別の発光ダイオードからの光により疑似点灯することを
防止することができる。
【００３６】ＬＥＤチップ１０２とマウント・リード１
０５のカップとの接着は熱硬化性樹脂などによって行う
ことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、フェースダウ
ンＬＥＤチップなどによりマウント・リードと接着させ
ると共に電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カ
ーボンペースト、ＩＴＯペースト、金属バンプ等を用い
ることができる。さらに、発光ダイオードの光利用効率
を向上させるためにＬＥＤチップが配置されるマウント
・リードの表面を鏡面状とし、表面に反射機能を持たせ
ても良い。この場合の表面粗さは、０．１Ｓ以上０．８
Ｓ以下が好ましい。また、マウント・リードの具体的な
電気抵抗としては３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、よ
り好ましくは、３μΩ−ｃｍ以下である。また、マウン
ト・リード上に複数のＬＥＤチップを積置する場合は、
ＬＥＤチップからの発熱量が多くなるため熱伝導度がよ
いことが求められる。具体的には、０．０１ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好ましくは ０．５ｃ
ａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅、メタ
ライズパターン付きセラミック等が挙げられる。
【００３７】（インナー・リード１０６）インナー・リ
ード１０６としては、マウント・リード１０５上に配置
されたＬＥＤチップ１０２と接続された導電性ワイヤー
１０３との接続を図るものである。マウント・リード上
に複数のＬＥＤチップを設けた場合は、各導電性ワイヤ
ー同士が接触しないよう配置できる構成とする必要があ
る。具体的には、マウント・リードから離れるに従っ
て、インナー・リードのワイヤーボンディングさせる端
面の面積を大きくすることなどによってマウント・リー
ドからより離れたインナー・リードと接続させる導電性
ワイヤーの接触を防ぐことができる。導電性ワイヤーと
の接続端面の粗さは、密着性を考慮して１．６Ｓ以上１
０Ｓ以下が好ましい。インナー・リードの先端部を種々
の形状に形成させるためには、あらかじめリードフレー
ムの形状を型枠で決めて打ち抜き形成させてもよく、或
いは全てのインナー・リードを形成させた後にインナー
・リード上部の一部を削ることによって形成させても良
い。さらには、インナー・リードを打ち抜き形成後、端
面方向から加圧することにより所望の端面の面積と端面
高さを同時に形成させることもできる。
【００３８】インナー・リードは、導電性ワイヤーであ
るボンディングワイヤー等との接続性及び電気伝導性が
良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩ
−ｃｍ以下である。これらの条件を満たす材料として
は、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッ
キしたアルミニウム、鉄、銅等が挙げられる。
【００３９】（コーティング部１０１、５０１）本願発
明に用いられるコーティング部１０１、５０１とは、モ
ールド部材１０４とは別にマウント・リードのカップに
設けられるものでありＬＥＤチップの発光を変換する残
光性蛍光物質が含有されるものである。コーティング部
の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シ
リコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好
適に用いられる。また、蛍光物質と共に着色顔料、着色
染料や拡散剤を含有させても良い。着色顔料や着色染料
を用いることによって、色味を調整させることもでき
る。また、拡散剤を含有させることによってより指向角
を増やすこともできる。具体的な拡散剤としては、チタ
ン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪
素等が好適に用いられる。
【００４０】（モールド部材１０４、４０４）モールド
部材１０４は、発光ダイオードの使用用途に応じてＬＥ
Ｄチップ１０２、導電性ワイヤー１０３、蛍光物質が含
有されたコーティング部１０１などを外部から保護する
ために設けることができる。モールド部材は、硝子や樹
脂を用いて形成させることができる。また、蛍光物質を
含有させることによって視野角を増やすことができる
が、モールド部材に拡散剤を含有させることによってＬ
ＥＤチップ１０２からの指向性を緩和させ視野角をさら
に増やすことができる。更にまた、モールド部材１０４
を所望の形状にすることによってＬＥＤチップからの発
光を集束させたり拡散させたりするレンズ効果を持たせ
ることができる。従って、モールド部材１０４は複数積
層した構造でもよい。具体的には、凸レンズ形状、凹レ
ンズ形状さらには、発光観測面側から見て楕円形状やそ
れらを複数組み合わせたものが挙げられる。
【００４１】モールド部材１０４の具体的材料として
は、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンな
どの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いら
れる。また、拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化
チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いら
れる。さらに、拡散剤に加えてモールド部材中にも蛍光
物質を含有させることもできる。したがって、蛍光物質
はモールド部材中に含有させてもそれ以外のコーティン
グ部などに含有させて用いてもよい。また、コーティン
グ部を蛍光物質が含有された樹脂、モールド部材を硝子
などとした異なる部材を用いて形成させても良い。この
場合、生産性良くより水分などの影響が少ない発光ダイ
オードとすることができる。また、屈折率を考慮してモ
ールド部材とコーティング部とを同じ部材を用いて形成
させても良い。
【００４２】（表示装置）本願発明の発光装置をＬＥＤ
表示器に利用した場合の一例として、標識、矢印形状な
ど所望の形状に発光装置を配置させたＬＥＤ表示器の概
略断面構成を図４に示す。図４（Ａ）は、ＬＥＤチップ
４０２の発光面上モールド部材中に均等に残光性蛍光物
質が混合された発光装置を並べたものであり、図４
（Ｂ）は、コーティング部材上にモールド部材４０４を
形成させた発光ダイオードとして形成させた発光装置を
並べたものである。また、図４（Ｃ）は、ＬＥＤチップ
４０２が発光する面の周囲方向のみに長残光性蛍光物質
含有部材４０１を配置させた発光装置を示す。いずれの
発光装置も同様の駆動回路に接続させた表示装置とさせ
ることができる。
【００４３】ＬＥＤ表示器は、駆動回路である点灯回路
などと電気的に接続させる。駆動回路からの出力パルス
によって発光装置を所望に点灯させる表示器とすること
ができる。駆動回路としては、入力されるデータを一時
的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、
Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＲＡＭに記憶されるデータから各発
光装置を所定の明るさに点灯させるための階調信号を演
算する階調制御回路と、階調制御回路の出力信号でスイ
ッチングされて、各発光装置を点灯させるドライバー
と、を備える。階調制御回路は、ＲＡＭに記憶されるデ
ータから発光装置の点灯時間を演算してパルス信号など
として出力する。ここで、発光装置を駆動点灯させる
と、発光装置からの発光色に加えて蛍光物質の発光をも
表示させることができる。次に、発光装置を消灯させる
と、残光性を有する蛍光物質のみの発光色が発光してい
る表示器とさせることができる。それぞれの発光波長を
選択することで色調を変えることもできる。したがっ
て、低消費電力且つ夜間などにおいても注意を引く表示
装置などとすることができる。
【００４４】（面状発光光源）図５は本願発明の発光装
置を利用した面状発光光源を構成した例である。面状発
光光源の場合、蛍光物質をコーティング部や導光板上の
散乱シート５０６に含有させる。或いはバインダー樹脂
と共に散乱シート５０６に塗布などさせシート状５０１
に形成しモールド部材を省略した発光装置とすることも
できる。具体的には、絶縁層及び導電性パターンが形成
された凹部形状の金属基板５０３内にＬＥＤチップ５０
２を固定する。ＬＥＤチップと基板上の導電性パターン
との電気的導通を取った後、蛍光物質をエポキシ樹脂と
混合撹拌しＬＥＤチップ５０２が積載された基板５０３
上に充填させ発光装置を形成させる。こうして形成され
た発光装置は、アクリル性導光板５０４の端面にエポキ
シ樹脂などで固定される。導光板５０４の一方の主面上
には、発光むら防止のため白色散乱剤が含有されたフィ
ルム状の反射部材５０７を配置させてある。同様に、導
光板の裏面側全面や発光装置が配置されていない端面上
にも反射部材５０５を設け発光光率を向上させてある。
これにより、ＬＣＤのバックライトとして十分な明るさ
を得られる面状発光光源とすることができる。
【００４５】液晶表示装置として利用する場合は、導光
板５０４の主面上に透光性導電性パターンが形成された
硝子基板間に注入された液晶装置を介して配された偏光
板により構成させることができる。さらに、携帯用機器
などとして使用する場合は、発光装置、液晶装置と他の
演算手段などとを電池電源に接続させる。また、電池電
源の蓄電残量を検出する検出手段を備えると共に検出さ
れた値とＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎ Ｍｅｍｏｒｙ）など
に記憶させた設定値と比較する比較手段、比較させ所望
値よりも蓄電残量が少ないと判断させた場合には発光装
置に供給する電力を停止する手段と、を備えることがで
きる。これにより電池電源などの残量が一定値以下にな
るとＬＥＤチップに供給する電力を低下させる或いはＬ
ＥＤチップを非点灯とさせることによって、電池電源の
延命させつつ他の電気回路を駆動させることができる。
また、液層表示面は残光性蛍光物質によって効率よく発
光可能であると共に発光色を変化するため電池電源が少
ないことを認識することもできる。この場合、蛍光物質
は散乱シート状或いは導光板の底面上に設けることが好
ましい。
【００４６】液晶表示装置として利用する場合は、外来
光が偏光板などを介して残光性蛍光物質に照射されるた
め外部からの光の励起が５０％以下となる場合がある。
したがって、外来光によっては内部の残光性蛍光物質が
励起されにくい。残光性蛍光体を発光素子によって発光
させることによって効率よく面状発光させることができ
る。すなわち、本願発明は低電力、且つ高輝度に発光可
能な発光装置とさせることができるものである。以下、
本願発明の実施例について説明するが、本願発明は具体
的実施例のみに限定されるものではないことは言うまで
もない。
【００４７】
【実施例】 （実施例１）発光素子として主発光ピークが４１０ｎｍ
のＧａＩｎＮ半導体を用いた。ＬＥＤチップは、洗浄さ
せたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）
ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュム）ガス、窒素ガス
及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣ
ＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させること
により形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣ
ｐ2Ｍｇと、を切り替えることによってＮ型導電性を有
する窒化ガリウム半導体とＰ型導電性を有する窒化ガリ
ウム半導体を形成しＰＮ接合を形成させた。（なお、サ
ファイヤ基板上には、バッファ層を形成させ、Ｐ型半導
体は成膜後４００℃以上でアニールさせてある。）
【００４８】エッチングによりＰＮ各半導体表面を露出
させた後、スパッタリング法により各電極をそれぞれ形
成させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスク
ライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子
としてＬＥＤチップを形成させた。
【００４９】銀メッキした銅製リードフレームの先端に
カップを有するマウント・リード上にＬＥＤチップをエ
ポキシ樹脂でダイボンディングした。ＬＥＤチップの各
電極とマウント・リード及びインナー・リードと、をそ
れぞれ金線でワイヤーボンディングし電気的導通を取っ
た。
【００５０】一方、蛍光物質は、原料として、ＳｒＣＯ
3を０．９５２モル、Ａｌ2Ｏ3を０．９８８モル、Ｅｕ2
Ｏ3を０．０１５モル、Ｄｙ2０3を０．００７５モル、
Ｔｍ 2０3を０．００１５モル及びＨ3ＢＯ3を０．０２４
モルセラミックポットに入れ、ボールミルにより十分に
混合し混合原料（以下原料生粉という）を得る。次に、
原料生粉をアルミナルツボに入れ、還元雰囲気のマッフ
ル炉中で、１４００℃で５時間焼成し蛍光物質焼成品を
得た。次に焼成品を粉砕し、篩を通し、平均粒径１７μ
ｍの(Ｓｒ0.952Ｅｕ0.03Ｄｙ0.015Ｔｍ0.003)Ｏ・(Ａｌ
0.988Ｂ0.012)2Ｏ3蛍光物質を得た。
【００５１】形成された(Ｓｒ0.952Ｅｕ0.03Ｄｙ0.015
Ｔｍ0.003)Ｏ・(Ａｌ0.988Ｂ0.012)2Ｏ3蛍光物質７０重
量部、エポキシ樹脂１２０重量部をよく混合してスリラ
ーとさせた。このスリラーをＬＥＤチップが配置された
マウント・リード上のカップ内に注入させた。注入後、
残光性蛍光物質が含有された樹脂を１３０℃１時間で硬
化させた。こうしてＬＥＤチップ上に厚さ１５０μの残
光性蛍光物質が含有されたコーティング部が形成され
た。なお、コーティング部には、ＬＥＤチップに向かっ
て残光性蛍光物質が徐々に多くしてある。その後、さら
にＬＥＤチップや残光性蛍光物質を外部応力、水分及び
塵芥などから保護する目的でモールド部材として透光性
エポキシ樹脂を形成させた。モールド部材は、砲弾型の
型枠の中に残光性蛍光物質のコーティング部が形成され
たリードフレームを挿入し透光性エポシキ樹脂を混入
後、１５０℃５時間にて硬化させた。
【００５２】こうして得られた残光性を有する発光ダイ
オードを暗所に３時間以上外光を遮断した状態で保存
し、５分間連続点灯させるた。点灯中は淡いブルーグリ
ーンの発光色が得られた。また、発光光率は７．８２
ｌｍ／ｗであった。発光ダイオードを５分間連続点灯さ
せた後消灯させた。消灯後においてもブルーグリーンの
発光色があった。消灯１０分後における残光輝度は、４
２１ｍｃｄ／ｍ2であった。発光ダイオードを連続１０
００時間点灯後に同様の残光輝度を測定したところほと
んど低下していなかった。
【００５３】（比較例１）蛍光物質を(Ｓｒ0.952Ｅｕ
0.03Ｄｙ0.015Ｔｍ0.003)Ｏ・(Ａｌ0.988Ｂ0.012)2Ｏ3か
らＺｎＳ：Ｃｕとした以外は、実施例１と同様にして発
光ダイオードの形成及び耐侯試験を行った。形成された
発光ダイオードは通電直後、実施例１と同様グリーンブ
ルー系の発光が確信されたが輝度が低かった。発光ダイ
オードを５分間連続点灯させた後消灯させた。消灯後に
おいてもブルーグリーンの発光色があった。消灯１０分
後における残光輝度は、３８ｍｃｄ／ｍ2であった。発
光ダイオードを連続１０００時間点灯後に同様の残光輝
度を測定したところ残光性を検出することができなかっ
た。発光ダイオードを解析した結果、ＬＥＤチップ上の
ＺｎＳ：Ｃｕ蛍光物質が劣化していた。
【００５４】（実施例２）本願発明の発光ダイオードを
図４（Ａ）の如きＬＥＤ表示器に利用した。蛍光物質を
(Ｓｒ0.255Ｅｕ0.03Ｄｙ0.015Ｚｒ0.700)Ｏ・１．７５
(Ａｌ0.950Ｂ0.050) 2Ｏ3とした以外は実施例１と同様に
して形成させた発光ダイオードを銅パターンを形成させ
た硝子エポキシ樹脂基板上に、矢印形状に２５６個配置
させた。基板と発光ダイオードとは自動ハンダ実装装置
を用いてハンダ付けを行った。次にフェノール樹脂によ
って形成された筐体内部に配置し固定させた。発光ダイ
オードの先端部を除いて筐体、発光ダイオード、基板の
一部をピグメントにより黒色に着色したシリコンゴムに
よって充填させた。その後、常温、７２時間でシリコン
ゴムを硬化させＬＥＤ表示器を形成させた。このＬＥＤ
表示器と、クロック回路を持った駆動手段と、を電気的
に接続させてＬＥＤ表示装置を構成した。ＬＥＤ表示器
を２分点灯１分消灯を繰り返して駆動させ低電力表示装
置として駆動できることを確認した。
【００５５】
【発明の効果】窒化物系化合物半導体の発光素子と、
（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａｌ1-mＢ m）2Ｏ3蛍光物
質と、を利用した本願発明の請求項１の構成とすること
により長時間高輝度時の使用においても発光効率が高
く、高輝度、長時間の使用においても発光光率や残光性
の低下が極めて少ない発光装置などとすることができ
る。また、点灯時と消灯時で発光色を任意に変化させる
ことも可能な低電力発光装置として使用することもでき
る。
【００５６】また、本願発明の請求項２の構成とするこ
とにより高輝度、長時間の使用においても発光光率や残
光性の低下が極めて少ない発光ダイオードとすることが
できることに加えて、ＬＥＤチップ自体の発光むらを蛍
光物質により分散することができるためより均一な発光
を有する発光ダイオードとすることができる。
【００５７】本願発明の請求項３の構成とすることによ
り、屋外など直射日光にさらされるような場所に用いら
れるＬＥＤ表示器においても残光性を有し且つ、視認角
度によって色むらの少ない低電力ＬＥＤ表示装置とする
ことができる。
【００５８】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本願発明の発光装置の模式的断面図で
ある。
【図２】図２は、本願発明の他の発光装置の模式的断面
図である。
【図３】図３は、本願発明の発光スペクトルの一例を示
した図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ本願
発明の発光装置を表示装置に利用した模式的断面図であ
る。
【図５】図５は、本願発明の発光装置を利用したＬＥＤ
表示装置の模式図である。
【符号の説明】
１０１、４０１、５０１・・・蛍光物質が含有されたコ
ーティング部 １０２、２０２、４０２、５０２・・・ＬＥＤチップ １０３、４０３、２０３・・・導電性ワイヤー １０４、４０４・・・モールド部材 １０５・・・マウント・リード １０６・・・インナー・リード ２０１・・・蛍光物質が含有されたモールド部材 ２０４・・・筐体 ２０５・・・筐体に設けられた電極 ４０５・・・外部と接続される電極 ５０３・・・金属製基板 ５０４・・・導光板 ５０５、５０７・・・反射部材 ５０６・・・散乱シート

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発光層が窒化ガリウム系化合物半導体であ
    るＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの発光の少なく
    とも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質と、を
    有する発光装置であって、 前記ＬＥＤチップの主発光ピークが３６０ｎｍから５３
    ０ｎｍ内であると共に、前記蛍光物質が２価のユーロピ
    ウムで付活され化学組成式が、（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ
    ・ｎ（Ａｌ1-mＢm）2Ｏ3であることを特徴とする発光装
    置。 但し、 ０．０００１≦ｐ≦０．５、 ０．０００１≦ｑ≦０．５、 ０．５≦ｎ≦１０、 ０≦ｍ≦０．５、 ０．０００２≦ｐ＋ｑ≦０．７５、 組成式中のＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから
    なる２価金属の群より選ばれた少なくとも１種であり、
    Ｑは共付活剤でありＭｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇ
    ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕか
    らなる群より選ばれた少なくとも１種である。
  2. 【請求項２】マウント・リードのカップ内に配置させた
    ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップと導電性ワイヤーを用
    いて電気的に接続させたインナー・リードと、前記カッ
    プ内に充填させたコーティング部材と、該コーティング
    部材、ＬＥＤチップ、導電性ワイヤー及びマウント・リ
    ードとインナー・リードの少なくとも一部を被覆するモ
    ールド部材と、を有する発光ダイオードであって、 前記ＬＥＤチップが窒化ガリウム系化合物半導体であ
    り、且つ前記コーティング部材が２価のユーロピウムで
    付活され化学組成式が（Ｍ1-p-qＥｕpＱq）Ｏ・ｎ（Ａ
    ｌ1-mＢm）2Ｏ3である蛍光物質を含有する透光性樹脂で
    あることを特徴とする発光ダイオード。 但し、 ０．０００１≦ｐ≦０．５、 ０．０００１≦ｑ≦０．５、 ０．５≦ｎ≦１０、 ０≦ｍ≦０．５、 ０．０００２≦ｐ＋ｑ≦０．７５、 組成式中のＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから
    なる２価金属の群より選ばれた少なくとも１種であり、
    Ｑは共付活剤でありＭｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇ
    ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕか
    らなる群より選ばれた少なくとも１種である。
  3. 【請求項３】請求項１記載の発光装置を２以上配置した
    表示器と、該表示器と電気的に接続させた駆動回路と、
    を有する表示装置。
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