JP4956902B2 - GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置 - Google Patents
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Description
なお、本明細書では、GaN系半導体層を気相成長法により製造する際に、結晶基板が下側にあり、その上にGaN系半導体層が積み重ねられるものとみなして、この上下の区別を、素子構造の説明においても適用する。また、上下方向(結晶基板やGaN系半導体層の厚み方向でもある。)と直交する方向を、横方向と呼ぶ。また、p型GaN系半導体層を単にp型層とも呼び、n型GaN系半導体層を単にn型層とも呼ぶ。
図10に示す素子では、発光層13で発生される光が、結晶基板11の下面側から取り出される。そのため、この素子の実装形式としては、実装用基材の表面に設けられた正負のリード電極に対し、下部電極P11と、上部電極の反射層P12aとを、それぞれ、Au−Snハンダなどで接合することにより固定する、フリップチップ実装が適している。
図10に示す従来のGaN系LEDでは、この透明層P12aの内部に進入した光を、金属製の反射層P12bによって反射し、結晶基板11の方向に向かわせることにより、光取り出し効率を向上させようとしており、そのために、反射層P12bが、光反射性の良好なAg、Al、Rhなどで形成される。
しかしながら、金属製の反射部材による反射には比較的大きな損失が伴うことから、素子内部で多重反射が発生し易い発光ダイオードにおいて、反射部材を構成する金属材料の選択により光取り出し効率を向上させることには限界がある。
(2)前記半導体電極層が、酸化物半導体からなる、前記(1)に記載のGaN系発光ダイオード。
(3)前記酸化物半導体がITOである、前記(2)に記載のGaN系発光ダイオード。
(4)前記半導体電極層が、GaN系半導体からなる、前記(1)に記載のGaN系発光ダイオード。
(5)前記透明絶縁膜がSiO2からなる、前記(1)〜(4)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。
(6)前記反射膜の、発光層で発生される光を反射する部分が、AgまたはAlからなる、前記(1)〜(5)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。
(7) 前記金属電極が、発光層で発生される光を反射する、AgまたはAlからなる部分を有する、前記(1)〜(6)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。
(8)実装用基材と、その表面にフリップチップ実装された、前記(1)〜(7)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオードとを含む、発光装置。
図1は、本発明の実施形態に係るGaN系LEDの構造を示す模式図であり、図1(a)は上面図、図1(b)は図1(a)のX−Y線における断面図である。
図1において、1は結晶基板、2はn型層、3は発光層、4はp型層、P1は下部電極、P2aとP2bは上部電極で、P2aは半導体電極層、P2bは金属電極、Insは透明絶縁膜、Rは反射膜である。図1(a)における破線は、反射膜Rと透明絶縁膜Insの下に隠れている金属電極P2bの輪郭線を示しており、一点鎖線は、反射膜Rの下に隠れている、透明絶縁膜Insに設けられた開口部の輪郭線を表している。
結晶基板1はサファイア基板であり、素子分離後の寸法は、例えば、縦横それぞれ約350μm、厚さ100μmである。
n型層2は、Si(ケイ素)を5×1018cm−3の濃度でドープした、膜厚3μmのGaN層である。
発光層3は、膜厚8nmのGaN障壁層と膜厚2nmのInGaN井戸層を、各10層交互に積層してなる、MQW層である。
p型層4は、下層側から順に、Mg(マグネシウム)を5×1018cm−3の濃度でドープした膜厚30nmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層と、Mgを5×1019cm−3の濃度でドープした膜厚200nmのp型GaNコンタクト層を積層したものである。
下部電極P1は、下層側から順に、膜厚20nmのTi、膜厚100nmのAl、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAu、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAu、膜厚100nmのPt、膜厚400nmのAuを積層し、熱処理したものである。
半導体電極層P2aは、膜厚150nmのITOである。
金属電極P2bは、膜厚100nmのAlである。
透明絶縁膜Insは、膜厚300nmのSiO2である。
反射膜Rは、下層側から順に、膜厚100nmのAl、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAuを積層したものである。この反射膜Rは上部電極に対するボンディング用の電極を兼ねている。
(結晶成長)
結晶基板1として、直径2インチ、厚さ400μmのc面サファイア基板を用い、その成長面上に、MOVPE法など、公知のGaN系半導体結晶の成長方法を適宜用いて、n型層2、発光層3、p型層4を順次形成する。好ましくは、n型層2を成長する前に、結晶基板1の表面に、n型層2の成長温度よりも低温で、GaN、AlGaNなどからなる低温バッファ層を成長する。結晶成長の終了後、必要に応じて、p型層4に添加したMgを活性化するために、不活性ガス雰囲気中にて熱処理を行う。
p型層4の表面全体に、半導体電極層P2aを形成する。ITOからなる半導体電極層P2aの形成には、スパッタリング、真空蒸着、スプレー熱分解、クラスタービーム蒸着、パルスレーザ蒸着、イオンプレーティング、ゾル−ゲル法、レーザアブレーション、その他、公知のITO薄膜の作製法を適宜用いることができる。
図2(a)は、このようにして半導体電極層P2aの形成まで行ったウェハの上面図である。便宜上、ひとつの素子に相当する領域のみを図示しているが、素子分離前の工程はウェハの状態で行われる。図2(b)、図2(c)、図3(d)〜(f)も同様である。
半導体電極層P2aの形成後、その表面に、図2(b)に示すように、Alからなる金属電極P2bを部分的に形成する。金属電極P2bのパターニングは、公知のフォトリソグラフィ技法を用いた、リフトオフ法により行うことができる。リフトオフ法では、まず、半導体電極層P2aの表面全体にフォトレジスト膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ技法を用いて、フォトレジスト膜に、形成しようとする金属電極P2bの形状に開口部を形成し、該開口部に半導体電極層P2aの表面を露出させる。次に、このフォトレジスト膜をマスクとして、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、金属電極P2bの電極膜を形成する。その後、半導体電極層P2aの表面に、前記開口部の形状に形成された電極膜を残して、フォトレジスト膜をリフトオフする。
他の方法として、先に、金属電極P2bの電極膜を半導体電極層P2aの表面に全面的に形成し、その後、フォトリソグラフィ技法により所定形状にパターニングしたフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、不要部分をエッチング除去することにより、金属電極P2bを所定の形状に形成することもできる。
なお、透明絶縁膜Ins、反射膜R、下部電極P1、p側ボンディング電極P2cのパターニングも、同様の方法で行うことができる。
塩素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、半導体電極層P2aの表面側から、半導体電極層P2a、p型層4、発光層3の一部を除去し、図2(c)に示すように、n型層2の表面を露出させる。
図3(d)示すように、金属電極P2bを間に挟んで、半導体電極層P2aの表面に、SiO2からなる透明絶縁膜Insを形成する。図3(d)に示す破線は、透明絶縁膜Insの下に隠れた金属電極P2bの輪郭線であり、図3(e)(f)においても同様である。透明絶縁膜Insの形成には、CVD、スパッタリング、蒸着、ゾル−ゲル法等、公知のSiO2薄膜の作製方法を適宜用いることができる。後工程で、反射膜Rを、金属電極P2bと接触するように形成するために、透明絶縁膜Insには金属電極P2bの表面が露出する開口部が設けられる。
透明絶縁膜Insの表面に、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、図3(e)に示すように、反射膜Rを形成する。反射膜Rは、透明絶縁膜Insに形成された開口部において、金属電極P2bと電気的に接続されるように形成される。図3(e)に示す一点鎖線は、反射膜Rの下に隠れた前記開口部の輪郭線であり、図3(f)においても同様である。
前記ドライエッチング工程で露出されたn型層2の表面に、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、図3(f)に示すように、下部電極P1を形成する。
この後、図示していないが、電極ボンディングのために露出させておく必要のある、下部電極P1および反射膜Rの表面の一部を残して、素子の上面側を、SiO2、Si3N4等からなる、絶縁保護膜で被覆することが好ましい。その際、該絶縁保護膜で被覆しようとする下部電極P1や反射膜Rの表面が、Auのように酸化し難い金属からなる場合には、該絶縁保護膜を形成する前に、該表面に膜厚10nm程度のTi薄膜やNi薄膜を形成しておくと、該絶縁保護膜との密着性が良好となる。
電極と半導体との接触抵抗を低下させるために、ウェハ全体を熱処理し、電極とGaN系半導体との密着を促進させる。このような熱処理は、半導体の表面にオーミック電極を形成する際に行われる通常の処理であり、熱処理の温度と時間は、電極の材料にもよるが、温度は350℃〜900℃、時間は1分間〜60分間とすることができる。
結晶基板1の下面を研削および/または研磨することにより、その厚さを100μm以下となるまで薄くした後、スクライビング、ダイシング、レーザ溶断など、公知の素子分離方法を適宜用いて、素子分離を行う。
以上が、図1に示すGaN系LEDの作製方法である。
半導体電極層P2aの内部に進入する光のうち、透明絶縁膜Insとの界面に約49度よりも大きな入射角で入射する光は、SiO2の屈折率(約1.5)がITOの屈折率の約75%であることから、スネルの法則に従い、この界面で全反射される。従って、p型層4と半導体電極層P2aとの界面で生じる屈折を考慮すると、p型層4から、p型層4と半導体電極層P2aとの界面に、約53度よりも小さな入射角で入射する光が、半導体電極層P2aの内部に進入し、そのうち、該入射角が約36度よりも大きい光は、半導体電極層P2aと透明絶縁膜Insとの界面で全反射されることになる。
発光ダイオードの内部では多重反射が発生し易いという事情から、このような、素子内部での光反射に伴う損失を低減することは、光取り出し効率の改善に大きな効果を有する。
図4において、Sは実装用基材であり、AlN等からなる絶縁性の基板S1の実装面側に、Auからなるリード電極S2、S3のパターンが形成されたものである。GaN系LEDは、上面側を実装用基材Sの実装面に向けて、下部電極P1がリード電極S2に、反射膜Rがリード電極S3に、それぞれ、導電性接合材料Cで接合されることにより固定されている。ここで、導電性接合材料Cは、例えば、Au−Snハンダ等のろう材や、導電体微粒子が樹脂バインダに分散されてなる導電性ペーストである。
結晶基板の下面および/または上面には、発光層で発生される光を散乱させ得る凹凸構造を設けると、素子の光取り出し効率が更に改善される。
いずれの材料で半導体電極層を形成する場合も、p型層との接合障壁が薄くなるように、キャリア濃度は高くすることが望ましい。また、接合界面にAuなどの金属からなる透明または島状の薄膜を介在させるなど、半導体電極層とp型層と接合部の抵抗を低下させるための公知の構造を適宜採用することができる。
金属電極のパターンは、半導体電極層のシート抵抗に応じて、該シート抵抗が高い場合には、半導体電極層の表面上に金属電極の電極膜が密に分散されるように、該シート抵抗が低い場合には、該表面上に該電極膜が疎に分散されるように、形成することが好ましい。これは、半導体電極層のシート抵抗が高い場合には、横方向の電流拡散を金属電極で補う必要性が生じる一方、該シート抵抗が低い場合にはその必要がなく、それよりも光反射性の改善のために、半導体電極層と透明絶縁膜との界面の面積を大きくすることが好ましいためである。
図1に示す素子の下部電極P1は、最上層部分がろう材との濡れ性の良好なAuで形成されているが、このAuが、下層部分に含まれるAlと合金化反応を生じると、下部電極の特性、ひいては素子の特性が劣化する恐れがある。そこで、これを抑制するために、Alの上にAuを直接積層せず、Al層とAu層の間には、高融点金属(W、Mo、Zr、Ti、白金族から選ばれる単体または、それらの合金)のひとつであるPtからなる層を、バリア層として介在させている。
半導体電極層と透明絶縁膜との界面で、屈折率差による反射が十分に生じるように、透明絶縁膜の屈折率は、半導体電極層の屈折率の85%以下とすることが好ましく、80%以下とすることがより好ましく、75%以下とすることが特に好ましい。屈折率が低いSiO2は、半導体電極層の材料によらず、透明絶縁膜の最も好ましい材料のひとつである。
金属電極や反射膜の材料にAgやAlを用いる場合、光反射性の観点からはAgやAlの単体を用いることが好ましいが、化学的安定性や耐熱性を向上させるために各種の元素を添加したAg合金やAl合金も、好適に用い得る。光反射性を大きく損なうことなく、化学的安定性や耐熱性を改善したAg合金やAl合金が、液晶表示装置など、各種のディスプレー装置の配線材料用に開発されているが、そのようなAg合金やAl合金は、金属電極や反射膜の材料として好適に用いることができる。
図6(a)(b)は、このような実施形態に係るGaN系LEDの構造例を示す模式図であり、図6(a)は上面図、図6(b)は図6(a)のX−Y線における断面図である。図6に示す素子では、反射膜Rと下部電極P1とが一体的に形成されているが、それによって素子のp型層側とn型層側が短絡されないように、透明絶縁膜Insの一部が、ドライエッチングにより露出された半導体電極層P2a、p型層4および発光層3の端面を覆うように、延長して形成されている。この実施形態では、透明絶縁膜で隔てられた反射膜と上部電極とが短絡するのを確実に防止するために、透明絶縁膜を、ピンホールが発生し難いプラズマCVD法を用いて形成することが好ましい。
また、図6において、P2cは、上部電極の一部をなすp側ボンディング電極であり、透明絶縁膜Insに設けられた開口部の位置に、金属電極P2bと接触するように形成されている。p側ボンディング電極P2cの材料に特に限定はないが、少なくとも表面部分を、ろう材との濡れ性の良好なAu、Sn、In等で形成することが好ましい。
このような、反射膜と下部電極とを接続または一体化する実施形態は、反射膜の材料にAgを用いる場合に特に適している。Agは光反射性の最も優れた金属であるが、高電位状態に置かれると電気化学的マイグレーションを生じ易いという問題があるのに対し、この実施形態では、反射膜が低電位側の電極である下部電極と接続されるために、この問題が軽減される。
図8(a)において、破線は、反射膜Rと透明絶縁膜Insの下に隠れている金属電極P2bの輪郭線を示している。この金属電極P2bは、その上にp側ボンディング電極P2cが積層された方形の部分と、該方形の部分から伸びた二本のストライプ状の部分とから構成されている。
図9(a)は、結晶基板1の成長面上に、n型層2、発光層3、p型層4が順次成長され、更に、半導体電極層P2a、金属電極P2b、透明絶縁膜Ins、反射膜Rが形成されたところを示す。各部分の構成は、結晶基板を除去しない実施形態において採用し得る構成と同じである。
図9(b)は、反射膜Rの上に、導電性接合材料(図示せず)を介して、保持基板Bが接合されたところを示す。導電性接合材料は、例えば、ろう材や、導電性ペーストである。保持基板Bは、導電性基板であればよく、各種の半導体基板や、金属基板を用いることができる。保持基板Bを接合することにより、結晶基板1を除去した後も、ウェハや素子のハンドリングを通常の方法により行うことができる。保持基板Bを導電性接合材料で接合する代わりに、反射膜Rの表面に、メッキ法によってNiなどの金属の厚膜を堆積させ、これを保持基板Bとして用いることもできる。
図9(c)は、結晶基板1が除去され、露出されたn型層2の表面に、下部電極P1が形成されたところを示す。結晶基板1の除去は、従来公知の技術を用いて行うことができ、例えば、研削・研磨により結晶基板1を摩滅させる方法、レーザリフトオフの技術を用いて結晶基板1をn型層2から剥離させる方法、結晶基板1そのものを、または結晶基板1とn型層2との間に予め形成されたバッファ層(図示せず)を、選択的に溶解することにより、結晶基板1を消失させる、またはn型層2から剥離する方法などが用い得る。結晶基板1の除去により露出されるn型層2の表面は、下部電極P1を形成する前に、必要に応じて研磨やエッチングを行い、清浄化する。その後は、従来公知の方法を用いて、素子分離を行う。
レーザリフトオフの技術を用いると、結晶基板を除去することなく、通常の方法で作製した素子をフリップチップ実装した後、実装された素子から結晶基板を剥離除去することもできる。
2 n型GaN系半導体層
3 発光層
4 p型GaN系半導体層
P1 下部電極
P2a 半導体電極層
P2b 金属電極
P2c p側ボンディング電極
Ins 透明絶縁膜
R 反射膜
Claims (6)
- n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、
前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過する、n型伝導性を示す酸化物半導体からなる半導体電極層と、
前記半導体電極層の表面に部分的に形成され、該半導体電極層の横方向の電流拡散を補う金属電極と、
前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、
前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、
を有するGaN系発光ダイオード。 - 前記酸化物半導体がITOである、請求項1に記載のGaN系発光ダイオード。
- 前記透明絶縁膜がSiO2からなる、請求項1または2に記載のGaN系発光ダイオード。
- 前記反射膜の、発光層で発生される光を反射する部分が、AgまたはAlからなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のGaN系発光ダイオード。
- 前記金属電極が、発光層で発生される光を反射する、AgまたはAlからなる部分を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のGaN系発光ダイオード。
- 前記積層体から前記p型GaN系半導体層および前記発光層が部分的に除去されており、それによって露出したn型GaN系半導体の表面に電極が形成されるとともに、該電極と前記反射膜の少なくとも一部とが電気的に接続されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載のGaN系発光ダイオード。
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Families Citing this family (24)
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JP4738999B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-08-03 | 豊田合成株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
WO2008041770A1 (fr) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE UTILISANT UNE PUCE DE LED AU GaN |
JP5251050B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2013-07-31 | 三菱化学株式会社 | GaN系LEDチップおよび発光装置 |
CN101606246B (zh) | 2006-10-05 | 2012-07-04 | 三菱化学株式会社 | 使用GaN LED芯片的发光器件 |
JP2013145928A (ja) * | 2006-10-05 | 2013-07-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系LEDチップおよび発光装置 |
JP2008112979A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-05-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系LEDチップおよび発光装置 |
JP2008112978A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-05-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系LEDチップおよび発光装置 |
JP4835409B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-12-14 | 豊田合成株式会社 | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 |
JP5092419B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2012-12-05 | 三菱化学株式会社 | GaN系発光ダイオード素子 |
JP5251038B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-07-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009267263A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Kyocera Corp | 発光装置およびその製造方法 |
TWI412161B (zh) * | 2009-11-06 | 2013-10-11 | Semileds Optoelectronics Co | 發光二極體裝置 |
KR101039937B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템 |
TW201210074A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
JP6077201B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2017-02-08 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2014022607A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Rohm Co Ltd | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
CN105340089B (zh) * | 2013-07-03 | 2021-03-12 | 亮锐控股有限公司 | 具有在金属化层之下的应力缓冲层的led |
TWI556470B (zh) * | 2014-09-23 | 2016-11-01 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體 |
JP6637704B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2020-01-29 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 発光素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた受発光モジュール |
JP7049823B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2022-04-07 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US10937928B2 (en) | 2017-11-09 | 2021-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element |
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Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0634007Y2 (ja) * | 1989-11-02 | 1994-09-07 | 住友重機械工業株式会社 | コイル巻取装置 |
JP3497790B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2004-02-16 | 星和電機株式会社 | P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びp型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 |
TW493287B (en) * | 2001-05-30 | 2002-07-01 | Epistar Corp | Light emitting diode structure with non-conductive substrate |
JP4122785B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2003258306A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
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KR100826424B1 (ko) * | 2003-04-21 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
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