JP6637704B2 - 発光素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた受発光モジュール - Google Patents
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(1)平面視略四角形状の発光素子であって、支持基板と、該支持基板上に形成された、表面が発光積層体形成領域および、該発光積層体形成領域と離隔した第1導電型電極形成領域を含む導電層と、前記発光積層体形成領域上に形成された、第1導電型半導体層、発光層および第2導電型半導体層をこの順に備える発光積層体と、前記発光積層体の前記第2導電型半導体層表面上に形成された、該第2導電型半導体層と同じ導電型の第2導電型電極と、前記第1導電型電極形成領域上に形成された、前記第1導電型半導体層と同じ導電型の第1導電型電極と、を有し、
前記第1導電型電極と前記発光積層体との間で溝部を構成し、該溝部を介して前記発光積層体と前記第1導電型電極とが対面し、該第1導電型電極が、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記発光積層体の側光の全部および前記少なくとも一辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光を遮蔽し、前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、前記発光積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上であることを特徴とする発光素子。
前記第1導電型電極形成工程において、前記第1導電型電極と前記積層体との間で構成される溝部を介して、前記積層体と前記第1導電型電極とが対面し、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記積層体の側光の全部および前記少なくとも1辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光が前記第1導電型電極によって遮蔽され、前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、前記積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上となるように前記第1導電型電極を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
前記除去工程の後、前記第1領域側の前記積層体と、前記第2領域側の前記積層体とは離隔し、前記第1導電型電極形成工程において、前記第1導電型電極と前記第1領域側の前記積層体との間で構成される溝部を介して、前記第1領域側の前記積層体と前記第1導電型電極とが対面し、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記第1領域側の前記積層体の側光の全部および前記少なくとも1辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光が前記第1導電型電極によって遮蔽され、前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、前記積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上となるように前記第1導電型電極を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
図1(A),(B)に示すように、本発明の第1実施形態に従う発光素子100は、平面視略四角形状である。発光素子100は、支持基板10と、支持基板10上に形成された、表面が発光積層体形成領域RLおよび、発光積層体形成領域RLと離隔した第1導電型電極形成領域REを含む導電層20と、発光積層体形成領域RL上に形成された、第1導電型半導体層31、発光層32および第2導電型半導体層33をこの順に備える発光積層体30と、発光積層体30の第2導電型半導体層33表面に形成された第2導電型電極40と、第1導電型電極形成領域RE上に形成された、第1導電型電極50と、を有する。なお、第1導電型電極50は、第1導電型半導体層31と同じ導電型であり、第2導電型電極40は、第2導電型半導体層33と同じ導電型であり、第1導電型半導体層31と、第2導電型半導体層33とは導電型が異なる。例えば第1導電型半導体層31がn型の場合、第2導電型半導体層はp型となる。同様に、第1導電型半導体層31がp型の場合、第2導電型半導体層はn型となる。各層および各電極は、半導体発光素子(LED)において用いられる一般的な材料から構成することができ、発光積層体30により放射される光の波長も、発光素子100の用途に応じて各層の材料を適宜選択することによって、赤外光、可視光および紫外光のいずれとすることもできる。
次に、これまで説明してきた本発明の第1実施形態に従う発光素子100の製造方法の一実施形態を、図6を用いて説明する。なお、図1〜5では、ダイシング用の取りしろを二点鎖線で表記したが、簡単のため図6および後述の図7では表記しない。平面視略四角形状である発光素子100の製造方法は、成長用基板90(図6(A))上に、第2導電型半導体層33、発光層32および第1導電型半導体層31を順次形成してなる積層体30を形成する工程(図6(B))と、第1導電型半導体層31上に導電層20を形成する工程(図6(C))と、導電層20および支持基板10を接合する工程(図6(D))と、成長用基板90を剥離する工程(図6(E))と、積層体30の表面を第1領域R1および第2領域R2に区画し、第2領域R2における積層体30の全部を、導電層20が露出するまで除去する除去工程(図6(F))と、該除去工程の後、積層体30の第2導電型半導体層33上に、第2導電型半導体層33と同じ導電型の第2導電型電極40を形成する第2導電型電極形成工程と、前記露出した導電層20の第1導電型電極形成領域RE上に、第1導電型半導体層31と同じ導電型の第1導電型電極50の少なくとも一部を形成する第1導電型電極形成工程(図6(G)〜(H))と、を有する。なお、ここでいう積層体30の表面を第1領域R1および第2領域R2に「区画する」とは、積層体30の表面を所定の領域に二分することを意味し、他の領域は含まないものとする。
本発明の一実施形態に従う受発光モジュールは、前述の発光素子と、受光素子とを有し、前記発光素子の前記遮蔽される前記一辺の側に、前記受光素子が配置されることを特徴とする。例えば、透光性基板上に回路を形成し、回路の一方に前述の発光素子の第1導電型電極と第2導電型電極の位置を合わせて半田等を用いて実装し、回路の他方に受光素子を実装する。これにより透光性基板を透過して出射した発光素子の光が、対象物に反射して透光性基板に入射し、受光素子によって検出されることになる。本発明の特徴部によって、透光性基板の回路を形成する側においては、発光素子と受光素子との間の誤作動防止措置が発光素子自体に備えられているため、発光素子と受光素子との間の遮光構造は不要であり、より小型の受発光モジュール設計が可能となる。
20 導電層
30 発光積層体(積層体)
31 第1導電型半導体層(p層)
32 発光層
33 第2導電型半導体層(n層)
40 第2導電型電極(n型電極)
50 第1導電型電極(p型電極)
90 成長用基板
100 発光素子
L 側光
RL 発光積層体形成領域
RE 第1導電型電極形成領域
T 溝部
Claims (9)
- 平面視略四角形状の発光素子であって、
支持基板と、
該支持基板上に形成された、表面が発光積層体形成領域および、該発光積層体形成領域と離隔した第1導電型電極形成領域を含む導電層と、
前記発光積層体形成領域上に形成された、第1導電型半導体層、発光層および第2導電型半導体層をこの順に備える発光積層体と、
前記発光積層体の前記第2導電型半導体層表面上に形成された、該第2導電型半導体層と同じ導電型の第2導電型電極と、
前記第1導電型電極形成領域上に形成された、前記第1導電型半導体層と同じ導電型の第1導電型電極と、を有し、
前記第1導電型電極と前記発光積層体との間で溝部を構成し、該溝部を介して前記発光積層体と前記第1導電型電極とが対面し、該第1導電型電極が、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記発光積層体の側光の全部および前記少なくとも一辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光を遮蔽し、
前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、
前記発光積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上であることを特徴とする発光素子。 - 前記第1導電型電極は、前記第1導電型電極形成領域上に形成された、前記第1導電型半導体層と同種の第1層と、前記発光層と同種の第2層と、前記第2導電型半導体層と同種の第3層と、をこの順に備える構造体と接し、
前記構造体の上面と前記導電層とを電気的に接続し、
前記構造体の少なくとも一部を被覆する金属部である、請求項1に記載の発光素子。 - 前記第1導電型電極が前記構造体の全部を被覆する、請求項2に記載の発光素子。
- 前記発光積層体形成領域が平面視凸形状であり、前記第1導電型電極形成領域が平面視凹形状である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記第1導電型電極上にはんだが設けられる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記導電層は導電体および絶縁体からなるパターン形状を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 平面視略四角形状の発光素子の製造方法であって、
成長用基板上に、第2導電型半導体層、発光層および第1導電型半導体層を順次形成してなる積層体を形成する工程と、
前記第1導電型半導体層上に導電層を形成する工程と、
前記導電層および支持基板を接合する工程と、
前記成長用基板を剥離する工程と、
前記積層体の表面を第1領域および第2領域に区画し、前記第2領域における前記積層体の全部を、前記導電層が露出するまで除去する除去工程と、
該除去工程の後、前記積層体の前記第1領域上に、前記第2導電型半導体層と同じ導電型の第2導電型電極を形成する第2導電型電極形成工程と、
前記露出した前記導電層の第1導電型電極形成領域上に、前記第1導電型半導体層と同じ導電型の第1導電型電極の少なくとも一部を形成する第1導電型電極形成工程と、を有し、
前記第1導電型電極形成工程において、前記第1導電型電極と前記積層体との間で構成される溝部を介して、前記積層体と前記第1導電型電極とが対面し、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記積層体の側光の全部および前記少なくとも1辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光が前記第1導電型電極によって遮蔽され、前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、前記積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上となるように前記第1導電型電極を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 平面視略四角形状の発光素子の製造方法であって、
成長用基板上に、第2導電型半導体層、発光層および第1導電型半導体層を順次形成してなる積層体を形成する工程と、
前記第1導電型半導体層上に導電層を形成する工程と、
前記導電層および支持基板を接合する工程と、
前記成長用基板を剥離する工程と、
前記積層体の表面を第1領域および第2領域に区画し、前記第2領域における前記積層体の一部を前記導電層が露出するまで除去する除去工程と、
該除去工程の後、前記第1領域側の前記積層体の前記第2導電型半導体層上に、該第2導電型半導体層と同じ導電型の第2導電型電極を形成する第2導電型電極形成工程と、
前記露出した前記導電層の第1導電型電極形成領域上に、前記第1導電型半導体層と同じ導電型の第1導電型電極を、前記第2領域側の前記積層体の少なくとも一部を被覆して形成する第1導電型電極形成工程と、を有し、
前記除去工程の後、前記第1領域側の前記積層体と、前記第2領域側の前記積層体とは離隔し、
前記第1導電型電極形成工程において、前記第1導電型電極と前記第1領域側の前記積層体との間で構成される溝部を介して、前記第1領域側の前記積層体と前記第1導電型電極とが対面し、前記平面視略四角形状の外縁の四辺のうち前記第1導電型電極形成領域に隣接する少なくとも一辺に向かう前記第1領域側の前記積層体の側光の全部および前記少なくとも1辺以外の辺の一部に向かう前記発光積層体の側光が前記第1導電型電極によって遮蔽され、前記第1導電型電極の高さは、前記発光積層体の前記導電層からの高さよりも高く、前記積層体の上面の、前記第1導電型電極側の端部における、前記第1導電型電極への仰角θが30度以上となるように前記第1導電型電極を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子と、受光素子とを有し、
前記発光素子の前記側光が遮蔽される側に、前記受光素子が配置されることを特徴とする受発光モジュール。
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