JP5092419B2 - GaN系発光ダイオード素子 - Google Patents
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(1)GaN系半導体層と、該GaN系半導体層上に形成された透光性導電膜と、該透光性導電膜上に形成されたパッド電極および絶縁保護膜と、を有するGaN系発光ダイオード素子であって、前記パッド電極は、前記透光性導電膜に接する第1パッド電極膜と、該第1パッド電極膜上に形成された第2パッド電極膜とを有しており、前記絶縁保護膜は、前記透光性導電膜上から前記第1パッド電極膜上にかけて連続するように形成されているとともに、その一部が、前記第1パッド電極膜と前記第2パッド電極膜との間に挟まれていることを特徴とする、GaN系発光ダイオード素子。
(2)前記第1パッド電極膜の厚さが前記第2パッド電極膜の厚さよりも小さい、前記(1)に記載のGaN系発光ダイオード素子。
(3)前記第1パッド電極膜の厚さが0.5μm以下である、前記(1)または(2)に記載のGaN系発光ダイオード素子。
(4)前記パッド電極の厚さが1μm以上である、前記(1)〜(3)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(5)素子を平面視したとき、前記第1パッド電極膜の面積が前記第2パッド電極膜の面積よりも小さい、前記(1)〜(4)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(6)前記パッド電極が、前記透光性導電膜に接する透光性の密着層と、その上に形成された反射層とを有する、前記(1)〜(5)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(7)前記第1パッド電極膜が、前記絶縁保護膜に接する密着層と、その下に形成された反射層とを有する、前記(1)〜(6)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(8)前記第2パッド電極膜が、前記絶縁保護膜に接する密着層と、その上に形成されたボンディング層とを有する、前記(1)〜(7)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(9)前記第1パッド電極膜の直下において前記透光性導電膜の一部が除去され、該第1パッド電極膜の下面の一部が前記GaN系半導体層に接している、前記(1)〜(8)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(10)前記第1パッド電極膜が電流拡散のためのアーム部を有する、前記(1)〜(9)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(11)前記GaN系半導体層は、n電極が形成されたn型層と、該n型層に積層されたp型層とを含んでおり、前記透光性導電膜は該p型層上に、かつ、該n電極と同一面側に形成されており、前記第1パッド電極膜が帯状に形成されている、前記(1)〜(9)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(12)前記n電極と前記n型層とがオーミック接触する領域が帯状とされており、該帯状の領域と前記帯状の第1パッド電極膜とが略平行である、前記(11)に記載のGaN系発光ダイオード素子。
(13)前記透光性導電膜が導電性酸化物膜を含む、前記(1)〜(12)のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
(14)前記透光性導電膜がITO膜を含む、前記(13)に記載のGaN系発光ダイオード素子。
(GaN系半導体層の形成)
直径2インチ、厚さ400μmのC面サファイア基板61を準備し、その表面上に、通常のMOVPE法を用いて、GaN低温バッファ層を20nm、GaN層62aを1.5μm、n型コンタクト層62bを2μm、活性層62cを72nm(障壁層10nm+井戸層3nm+障壁層10nm+井戸層3nm+障壁層10nm+井戸層3nm+障壁層10nm+井戸層3nm+障壁層20nm)、p型クラッド層62dを50nm、p型コンタクト層62eを100nmの膜厚で、この順に成長させて積層し、ウェハを作製した。得られたウェハを、窒素雰囲気中、700℃にてアニールし、p型クラッド層62dおよびp型コンタクト層62eを低抵抗化した。
電子ビーム蒸着法を用いて、p型コンタクト層62e上に透光性導電膜64とするためのITO膜を400nmの膜厚で形成した。形成後、エッチングにより不要部分を除去することにより、このITO膜を所定形状にパターニングした。
透光性導電膜64を形成したウェハの表面に所定形状のマスクを形成し、マスクの上からエッチングを行って、n型コンタクト層62bの一部を露出させた。次に、露出したn型コンタクト層62bの表面上および透光性導電膜64上に、厚さ100nmのTiW層と厚さ100nmのAu層と厚さ30nmのTi層をこの順に形成して積層し、第1下部電極膜63−1と第1パッド電極膜65−1とを同時に形成した。これらの電極膜は、リフトオフ法によって、直径90μmの円形に成形した。TiW層の成膜に用いた方法はRFスパッタ法で、ターゲットには三菱マテリアル株式会社製のTi−Wターゲット(品名:W−10wt%Tiターゲット)を用い、スパッタガスにはアルゴン(Ar)を用いた。Au層とTi層の形成は電子ビーム蒸着法により行ったが、スパッタリング法を用いることも可能である。次に、プラズマCVD法を用いて、GaN系半導体層62を形成した側のウェハ表面全体を覆うように、酸化ケイ素からなる膜厚200nmの絶縁保護膜66を形成した。次に、絶縁保護膜66上に所定形状のマスクを形成したうえで、テトラフルオロメタン(CF4)をエッチングガスに用いた反応性イオンエッチング(RIE)を行って絶縁保護膜66の一部を除去し、第1下部電極膜63−1上および第1パッド電極膜65−1上に直径70μmの円形の開口部を形成した。このRIE工程では、これらの電極膜の最上層として形成したTi層をも除去し、Ti層の下に形成したAu層を上記円形の開口部に露出させた。次に、第1下部電極膜63−1上および第1パッド電極膜65−1上に、Au層とで絶縁保護膜66の一部を挟むようにして、膜厚30nmのTi層と膜厚1.5μmのAu層をこの順に形成して積層し、第2下部電極膜63−2と第2パッド電極膜65−2とを形成した。Ti層とAu層の形成には電子ビーム蒸着法を用いたが、スパッタリング法を用いることも可能である。
電極形成の後、サファイア基板61の裏面を研削および研磨して、その厚さを80μmまで落としたうえ、通常のスクライビング法を用いてウェハを分割し、350μm角のチップ状のGaN系LED60を得た。
本発明者等は、ITO膜に接するTiW層を有するパッド電極が、ITO膜に対して極めて良好な密着性を示すことを見い出したことから、更に、次の発明を開示する。
(1a)導電性酸化物膜と、該導電性酸化物膜上に形成されたパッド電極とを備える半導体素子において、該パッド電極が該導電性酸化物膜に接するTiW層を有することを特徴とする、半導体素子。
(2a)前記TiW層の厚さが0.001μm〜1μmである、前記(1a)に記載の半導体素子。
(3a)前記TiW層が、W−Tiターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、前記(1a)または(2a)に記載の半導体素子。
(4a)前記W−TiターゲットのTi含有量が90wt%である、前記(3a)に記載の半導体素子。
(5a)前記パッド電極が前記TiW層上に積層された金属層を有する前記(1a)〜(4a)のいずれかに記載の半導体素子。
(6a)前記パッド電極が、前記TiW層上に表面層として積層された、Au層、Al層、Sn層、Sn合金層または白金族元素層を有する、前記(5a)に記載の半導体素子。
(7a)発光素子である、前記(1a)〜(6a)のいずれかに記載の半導体素子。
(8a)前記TiW層が透光性を示す厚さに形成されるとともに、前記パッド電極が、該TiW層上に形成された、該TiW層よりも光反射性に優れた金属層を有する、前記(7a)に記載の半導体素子。
(9a)前記光反射性に優れた金属層が、Ag、Alまたは白金族元素から選ばれる金属、または、該金属を主成分とする合金で形成されている、前記(8a)に記載の半導体素子。
(10a)前記導電性酸化物膜が非晶質である、前記(7a)〜(9a)のいずれかに記載の半導体素子。
(11a)前記導電性酸化物膜が多結晶質であるとともに、研磨により平坦化された表面を有しており、前記パッド電極が該平坦化された表面上に形成されている、前記(7a)〜(10a)のいずれかに記載の半導体素子。
(12a)前記導電性酸化物膜がITO膜である、前記(1a)〜(11a)のいずれかに記載の半導体素子。
(13a)前記導電性酸化物膜がGaN系半導体層上に形成されている、前記(1a)〜(12a)のいずれかに記載の半導体素子。
(14a)前記GaN系半導体層は、オーミック電極が形成されたn型層と、該n型層に積層されたp型層とを含んでおり、前記導電性酸化物膜が該p型層上に、かつ、該オーミック電極と同一面側に形成されており、該オーミック電極と前記パッド電極の断面構造が同一である、前記(13a)に記載の半導体素子。
なお、上記(1a)〜(14a)の発明にいうTiW層とは、実質的にチタン(Ti)とタングステン(W)のみからなる合金(ただし、発明の効果に影響しない限度で不純物を含有するものを含む)で形成された層をいう。
11、21、31、41、51、61 基板
12、22、32、42、52、62 GaN系半導体層
13、23、33、43、53、63 下部電極
14、24、34、44、54、64 透光性導電膜
15、25、35、45、55、65 パッド電極
16、26、36、46、56、66 絶縁保護膜
Claims (11)
- GaN系半導体層と、該GaN系半導体層上に形成された透光性導電膜と、該透光性導電膜上に形成されたパッド電極および絶縁保護膜と、を有するGaN系発光ダイオード素子であって、
前記GaN系半導体層は、n電極が形成されたn型層と、該n型層に積層されたp型層とを含んでおり、
前記透光性導電膜は該p型層上に、かつ、該n電極と同一面側に形成されており、
前記パッド電極は、前記透光性導電膜に接する第1パッド電極膜と、該第1パッド電極膜上に形成された第2パッド電極膜とを有しており、
前記第1パッド電極膜は帯状に形成されており、
前記絶縁保護膜は、前記透光性導電膜上から前記第1パッド電極膜上にかけて連続するように形成されているとともに、その一部が、前記第1パッド電極膜と前記第2パッド電極膜との間に挟まれており、
前記第2パッド電極膜と前記透光性導電膜とは前記絶縁保護膜によって接触を妨げられており、
前記n電極と前記n型層とがオーミック接触する領域は前記絶縁保護膜によって帯状に制限されており、該帯状に制限された領域と前記帯状の第1パッド電極膜とが略平行であることを特徴とする、GaN系発光ダイオード素子。 - 前記第1パッド電極膜の厚さが前記第2パッド電極膜の厚さよりも小さい、請求項1に記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記第1パッド電極膜の厚さが0.5μm以下である、請求項1または2に記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記パッド電極の厚さが1μm以上である、請求項1〜3のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 素子を平面視したとき、前記第1パッド電極膜の面積が前記第2パッド電極膜の面積よりも小さい、請求項1〜4のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記パッド電極が、前記透光性導電膜に接する透光性の密着層と、その上に形成された反射層とを有する、請求項1〜5のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記第1パッド電極膜が、前記絶縁保護膜に接する密着層と、その下に形成された反射層とを有する、請求項1〜6のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記第2パッド電極膜が、前記絶縁保護膜に接する密着層と、その上に形成されたボンディング層とを有する、請求項1〜7のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記第1パッド電極膜の直下において前記透光性導電膜の一部が除去され、該第1パッド電極膜の下面の一部が前記GaN系半導体層に接している、請求項1〜8のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記透光性導電膜が導電性酸化物膜を含む、請求項1〜9のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード素子。
- 前記透光性導電膜がITO膜を含む、請求項10に記載のGaN系発光ダイオード素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007014370A JP5092419B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | GaN系発光ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007014370A JP5092419B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | GaN系発光ダイオード素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012128434A Division JP2012191232A (ja) | 2012-06-05 | 2012-06-05 | GaN系発光ダイオード素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182050A JP2008182050A (ja) | 2008-08-07 |
JP5092419B2 true JP5092419B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=39725711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007014370A Expired - Fee Related JP5092419B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | GaN系発光ダイオード素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5092419B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5115425B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-01-09 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2010153581A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ |
KR100999756B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
JPWO2011071100A1 (ja) | 2009-12-11 | 2013-04-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光素子を用いた発光装置および電子機器 |
KR101039937B1 (ko) | 2010-04-28 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템 |
JP5095785B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5721501B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-05-20 | 京セラ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6225453B2 (ja) | 2012-05-24 | 2017-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
TWI570955B (zh) | 2013-01-10 | 2017-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
JP2015195244A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法 |
JP2016219503A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社アルバック | 半導体装置及びその製造方法、並びに実装デバイス |
JP6501845B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-17 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250540A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置 |
JPH1187772A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用の電極 |
JP3462720B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2003-11-05 | 三洋電機株式会社 | n型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法 |
JP2004079785A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードチップと発光ダイオード |
JP4385590B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-12-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4547933B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2010-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
EP1708284B1 (en) * | 2004-01-20 | 2017-03-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device |
WO2006082687A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN系発光ダイオードおよび発光装置 |
JP4956902B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2012-06-20 | 三菱化学株式会社 | GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置 |
KR100638813B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 플립칩형 질화물 반도체 발광소자 |
JP2008171997A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Rohm Co Ltd | GaN系半導体発光素子 |
-
2007
- 2007-01-24 JP JP2007014370A patent/JP5092419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008182050A (ja) | 2008-08-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090710 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111005 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120605 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |