TWI471955B - 半導體封裝件及其製法 - Google Patents

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TWI471955B
TWI471955B TW101146817A TW101146817A TWI471955B TW I471955 B TWI471955 B TW I471955B TW 101146817 A TW101146817 A TW 101146817A TW 101146817 A TW101146817 A TW 101146817A TW I471955 B TWI471955 B TW I471955B
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Hung Jen Lee
Shu Ming Chang
Tsang Yu Liu
Yen Shih Ho
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Xintec Inc
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Claims (21)

  1. 一種半導體封裝件，係包括：一晶片，係具有第一部份與第二部份，該第二部份係設於該第一部份上，且具有至少一通孔以外露出部分之該第一部份，又該第一部份及/或第二部份具有微機電系統(MEMS)，其中，該晶片之第一部份具有連通該通孔而未貫穿該第一部份之凹處；以及止蝕層，係形成於該第一部份與第二部份之間、及外露於該通孔中的第一部份之表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括基板，係設於該第一部份相對設置該第二部份之一側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該基板表面具有電性連接墊。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該晶片之第一部份藉由凸塊設於該基板上，使該第一部份與該基板之間具有間距。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該基板係為晶片結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中，該止蝕層係設於該凹處上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體封裝件，其中，該凹處具有底部及側壁，且該止蝕層係設於該凹處之底部或側壁上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括 設於該通孔上之保護層，使該通孔與該凹處形成密封空間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括封蓋該通孔之保護層。
  10. 一種半導體封裝件之製法，係包括：提供一具有第一部份與第二部份之晶圓，該晶圓具有形成於該第一與第二部份間之止蝕層，其中，該第一部份或/及第二部份具有微機電系統(MEMS)；蝕刻該第二部份以形成至少一通孔，令該止蝕層之部分表面外露出該通孔；移除該通孔中之止蝕層，令該第一部份之部分表面外露出該通孔；移除該通孔中之部分第一部份，以於該第一部份上形成未貫穿該第一部份之凹處，使該凹處具有底部；以及形成保護層於該第二部份上，以封蓋該通孔。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，復包括先將該第一部份設於一基板上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法，其中，該基板係為晶圓結構。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法，其中，該第一部份藉由凸塊設於該基板上，使該第一部份與該基板之間具有間距。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法， 其中，於該基板上設置該第一部份時，該基板表面上具有電性連接墊，且該第一部份具有位於該電性連接墊上方之覆蓋部。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體封裝件之製法，復包括移除該覆蓋部及其上之止蝕層與第二部份，以外露出該電性連接墊。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之半導體封裝件之製法，其中，該第一部份之設於該基板上之一側具有位於該覆蓋部上之缺口。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，復包括：於形成該保護層後，該通孔與該凹處形成密封空間。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，其中，該凹處具有底部及側壁，且該止蝕層形成於該凹處之底部及側壁上，又該第二部份具有凸處，該凸處位於該凹處中，且該通孔位置係對應於該凸處。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體封裝件之製法，復包括於形成該保護層後，令該通孔與該凹處形成密封空間。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之半導體封裝件之製法，復包括當形成該保護層前，移除該凹處中之止蝕層。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之半導體封裝件之製法，其中，移除該凹處中之止蝕層後，於該凹處之底部或側壁上具有該止蝕層。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9570398B2 (en) * 2012-05-18 2017-02-14 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same
CN104140072B (zh) * 2013-05-09 2016-07-13 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法
CN103466541B (zh) * 2013-09-12 2016-01-27 上海矽睿科技有限公司 晶圆级封装方法以及晶圆

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06203712A (ja) * 1993-01-08 1994-07-22 Seiko Instr Inc 絶対圧型半導体圧力センサ
US6836366B1 (en) * 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
TWI237619B (en) * 2004-07-07 2005-08-11 Univ Tsinghua Suspending MEMS of variety of structure, and fabrication thereof
US20060152111A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Allison Robert C Micro-electrical-mechanical device and method of making same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798283A (en) * 1995-09-06 1998-08-25 Sandia Corporation Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry
US6794271B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge
US20080296708A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 General Electric Company Integrated sensor arrays and method for making and using such arrays
US7847387B2 (en) * 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method
US7781238B2 (en) * 2007-12-06 2010-08-24 Robert Gideon Wodnicki Methods of making and using integrated and testable sensor array
US8227285B1 (en) * 2008-06-25 2012-07-24 MCube Inc. Method and structure of monolithetically integrated inertial sensor using IC foundry-compatible processes
SE534510C2 (sv) * 2008-11-19 2011-09-13 Silex Microsystems Ab Funktionell inkapsling
TW201114003A (en) * 2008-12-11 2011-04-16 Xintec Inc Chip package structure and method for fabricating the same
US8536671B2 (en) * 2010-06-07 2013-09-17 Tsang-Yu Liu Chip package
JP2013538446A (ja) * 2010-07-26 2013-10-10 富士フイルム株式会社 湾曲圧電膜を有するデバイスの形成

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06203712A (ja) * 1993-01-08 1994-07-22 Seiko Instr Inc 絶対圧型半導体圧力センサ
US6836366B1 (en) * 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
TWI237619B (en) * 2004-07-07 2005-08-11 Univ Tsinghua Suspending MEMS of variety of structure, and fabrication thereof
US20060152111A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Allison Robert C Micro-electrical-mechanical device and method of making same

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