JP2005051149A5 - - Google Patents

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Claims (7)

  1. （ａ）集積回路を有する半導体基板の第１の面からの凹部内に導電部を形成すること、
    （ｂ）前記半導体基板を第２の面からの一部を除去して薄くして、前記導電部を前記第１の面から前記第２の面に貫通させること、
    （ｃ）前記半導体基板を切断して、複数の個片を得ること、
    を含み、
    前記（ａ）工程終了後、前記導電部を介して、前記半導体基板の電気的特性を検査する半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ａ）工程で、前記導電部を、最表部にロウ材層を有するように形成する半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ａ）工程で、前記導電部を、最表部に金層を有するように形成する半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程前に、前記検査工程を行う半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、
    （ｃ１）前記半導体基板に補強部材を設けること、
    （ｃ２）前記検査工程を行うこと、
    （ｃ３）前記半導体基板を切断すること、
    を含む半導体装置の製造方法。
  6. 請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記補強部材は、前記半導体基板の前記第１及び第２の面のいずれか一方の面側に貼り付けられるテープと、前記テープの支持体と、を有する半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法によって製造されてなる複数の半導体装置をスタックすることをさらに含む半導体装置の製造方法。
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