JP2005072554A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. ダイシングライン近傍の半導体チップ上に第１の絶縁膜を介して形成された複数の第１の配線と、
   前記第１の配線上を含む前記半導体チップ上に接着剤を介して接着された支持板と、
   前記支持板が接着されていない面の前記半導体チップから前記第１の配線を露出し、かつ前記ダイシングラインに達するように穿設された複数の開口部と、
   前記開口部を介して前記第１の配線に接続される第２の配線とを具備することを特徴とする半導体装置。
2. 前記ダイシングラインに相当する半導体チップの端部には、前記半導体チップから支持板まで達する切り込みが入っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記切り込みを覆うように保護膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２の配線の所望位置に、導電端子が形成されていることを特徴とする請求項１、２、３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 複数の半導体チップを含む半導体基板の第１の面上に形成され、前記複数の半導体チップの境界近傍に配置された第１の配線上を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
   第２の面より前記半導体基板の一部を選択的に除去して、前記第１の配線の下部にある絶縁膜を露出するように開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 複数の半導体チップを含む半導体基板の第１の面上に形成され、前記複数の半導体チップの境界近傍に配置された第１の配線上を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
   第２の面より前記半導体基板の一部を選択的に除去して、前記第１の配線の下部にある絶縁膜を露出する開口部を形成する工程と、
   前記半導体基板の第２の面上に、前記第１の配線に接続される第２の配線を形成する工程と、
   前記半導体基板の第２の面上に、前記境界に沿って切り込みを入れる工程と、
   切り込みに沿ってダイシングを行い、各々の前記半導体チップを分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記絶縁膜を露出する開口部を形成する工程の前に、前記半導体基板の第２の面を研削する工程を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記絶縁膜を露出する開口部を形成する工程の後に、前記半導体基板の第２の面に第２の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第２の絶縁膜を形成する工程の後に、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜をエッチングして、前記第１の配線を露出させる工程を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記第１の配線は、前記半導体チップの境界を挟んで一対となるように配置されており、前記開口部は、前記一対の第１の配線毎に非連続的に存在することを特徴とする請求項５、６、７、８、９のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記ダイシング時に除去される領域の幅は、第１の配線の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記切り込みを入れる工程では、支持板まで切り込みが入るように加工することを特徴とする請求項６、７、８、９、１０、１１のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記切り込みを保護膜で覆う工程を有し、前記ダイシングでは、前記保護膜及び前記支持体のみが切削されることを特徴とする請求項６、７、８、９、１０、１１、１２のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。