JP2010027741A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイシング前の支持基板に形成された溝に沿って、支持基板の劈開面と平行な破断面が生じることを抑止する。
【解決手段】電子デバイス10Dが形成された半導体基板10の表面に、接着剤層13を介して支持基板14を貼り合わせる。この支持基板14では、ダイシングラインDL1,DL2が、支持基板14の表面に垂直な劈開面、即ち第5の劈開面C、及びそれと直交する第6の劈開面Dに対して平行とはならない。次に、半導体基板10に設けられた開口部10Aの内側を通って、ダイシングラインDL1,DL2に沿って、支持基板14の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝17を形成する。この溝17は、第5の劈開面C及び第6の劈開面Dに対して平行とはならない。さらに、諸工程を経た後、半導体基板10から支持基板14に至る各層からなる積層体を、ダイシングラインDL1,DL2に沿ってダイシングする。
【選択図】図3
【解決手段】電子デバイス10Dが形成された半導体基板10の表面に、接着剤層13を介して支持基板14を貼り合わせる。この支持基板14では、ダイシングラインDL1,DL2が、支持基板14の表面に垂直な劈開面、即ち第5の劈開面C、及びそれと直交する第6の劈開面Dに対して平行とはならない。次に、半導体基板10に設けられた開口部10Aの内側を通って、ダイシングラインDL1,DL2に沿って、支持基板14の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝17を形成する。この溝17は、第5の劈開面C及び第6の劈開面Dに対して平行とはならない。さらに、諸工程を経た後、半導体基板10から支持基板14に至る各層からなる積層体を、ダイシングラインDL1,DL2に沿ってダイシングする。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体基板の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成し、その後の工程でダイシングを行う半導体装置及びその製造方法に関する。
近年、新たなパッケージ技術として、チップサイズパッケージ(Chip Size Package)が注目されている。チップサイズパッケージは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージである。
以下に、チップサイズパッケージの1つであるBGA型の半導体装置の構成例について説明する。図10に示すように、電子デバイス110Dが形成された半導体基板110の表面に、絶縁膜111を介してパッド電極112を形成する。この半導体基板110の表面に対向して、接着剤層113を介して、単結晶シリコンからなる支持基板114を貼り合わせる。その後、ダイシングラインDLに沿って半導体基板110に開口部110Aを形成する。次に、半導体基板110の裏面から開口部110A内を覆って絶縁膜115を形成する。そして、パッド電極112の一部を露出させ、その露出したパッド電極112と接続して半導体基板110の裏面に延びる配線116を、絶縁膜115上に形成する。
その後、その開口部110Aの内側のダイシングラインDLに沿って、支持基板114の表面から、該表面に垂直な方向の途中に至る溝117を形成する。次に、半導体基板110の裏面から溝117内を覆って、保護膜118を形成する。そして、保護膜118に設けた開口部を通して配線116と接続したバンプ電極119を形成する。この半導体装置を電子機器に組み込む際には、各バンプ電極119をプリント基板等の回路基板(不図示)上の配線パターン(不図示)に接続することで、電子デバイス110Dと、回路基板上に搭載された外部回路(不図示)とを電気的に接続している。
なお、BGA型の半導体装置については、特許文献1に記載されている。
特開2008−130768号公報
しかしながら、上述した半導体装置の製造方法では、支持基板114に溝117を形成する際に、溝117の先端の延長線上の支持基板114の領域114Aに、ダイシングブレード(不図示)の接触による応力によって亀裂が延びて、支持基板14を分離する破断面114Cが生じる場合があった。また、ダイシングブレードの接触による応力以外にも、溝117を形成する工程、及び溝117を形成した後の工程において支持基板114に生じる何らかの応力、例えばハンドリング時の応力によっても、支持基板114の溝117に沿って上記破断面114Cが生じる場合があった。
この破断面114Cの発生は、ダイシングラインDL及びそれに直交する不図示のダイシングラインが、シリコンの結晶格子構造、即ち面心立方格子構造における劈開面に対して平行に延びており、それらのダイシングラインDLに沿って溝117が延びているために起こるものと考えられる。
これにより、本来ならば、この時点ではダイシングされないはずの支持基板114が、ダイシングラインDLに沿って実質的にダイシングされてしまい、溝117形成後に必要とされていた保護膜118やバンプ電極119の形成が行えなくなっていた。結果として、半導体装置の歩留まりが低下していた。
本発明の主な特徴は以下の通りである。本発明の半導体装置の製造方法は、電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、単結晶半導体からなる支持基板を、接着剤層を介して、半導体基板上に貼り合わせる工程と、半導体基板に開口部を設ける工程と、半導体基板の開口部の内側を通って、半導体基板と対向する支持基板の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成する工程と、半導体基板の裏面から溝を覆う保護膜を形成する工程と、溝内の保護膜と支持基板を切削してダイシングを行う工程と、を含み、半導体基板に対向する支持基板の表面上で溝が延びる方向は、該支持基板の少なくとも1つの劈開面と平行でないことを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、単結晶シリコンからなる支持基板を、接着剤層を介して、半導体基板上に貼り合わせる工程と、半導体基板に開口部を設ける工程と、半導体基板の開口部の内側を通って、半導体基板と対向する支持基板の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成する工程と、半導体基板の裏面から溝を覆う保護膜を形成する工程と、溝内の保護膜と支持基板を切削してダイシングを行う工程と、を含み、半導体基板に対向する支持基板の表面は、該支持基板の第1の劈開面であり、第1の劈開面上で溝が延びる方向は、該第1の劈開面に対して垂直な第2の劈開面と平行でないことを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、電子デバイスが形成された半導体基板と、単結晶半導体からなり、半導体基板上に接着剤層を介して貼り合わされ、半導体基板の端よりも外側に延びる支持基板と、半導体基板の裏面から連続して支持基板の側面の一部を覆う保護膜と、を備え、支持基板の側面は、該支持基板の劈開面と平行でないことを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、電子デバイスが形成された半導体基板と、単結晶シリコンからなり、半導体基板上に接着剤層を介して貼り合わされ、半導体基板の端よりも外側に延びる支持基板と、半導体基板の裏面から連続して支持基板の側面の一部を覆う保護膜と、を備え、半導体基板に対向する支持基板の表面は、該支持基板の第1の劈開面であり、該支持基板の側面は、第1の劈開面に対して垂直な第2の劈開面と平行でないことを特徴とする。
本発明によれば、ダイシング前の工程において、支持基板に形成された溝に沿って、支持基板に破断面が生じることを抑止できる。結果として、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図1、図2、及び図5乃至図8は、本実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図であり、ウェハ状の半導体基板10及び支持基板14に形成される複数の半導体装置のうち、1つの半導体装置の形成領域について示している。
また、図3(A)及び図3(B)は本実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す平面図であり、それぞれ、ウェハ状の半導体基板10及び支持基板14を示している。図4は、図3の半導体基板10及び支持基板14を示す斜視図である。
この半導体装置は、トランジスタ等の電子デバイス10Dが形成された半導体基板10上に、単結晶シリコンからなる支持基板14が貼り合された半導体装置である。以下に、この半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図1に示すように、例えば単結晶シリコンからなる約100〜700μmの膜厚を有した半導体基板10を準備する。半導体基板10の表面には、図3(A)に示すように、ダイシングラインDL1、及びそれと直交するダイシングラインDL2に囲まれる領域に電子デバイス10Dが配置されている。
トランジスタ等の電子デバイス10Dを良好に形成するためには、電子デバイス10Dが形成される半導体基板10の表面は、その半導体基板10の1つの劈開面と平行であることが好ましい。また、ダイシングラインDL1,DL2は、後の工程でダイシングを容易に行うためには、上記劈開面と所定角度で交わる、例えば垂直に交わる他の劈開面に対して平行であることが好ましい。
ここで、劈開面とは、結晶格子構造において原子間の結合力が弱くなる面であり、例えば半導体基板10が単結晶シリコンからなる場合、単結晶シリコンの結晶格子構造である面心立方格子構造において、原子間の結合力が弱くなる面である。この場合、電子デバイス10Dが形成される半導体基板10の表面と平行な劈開面を、第1の劈開面とすると、その第1の劈開面に対して垂直に、半導体基板10の他の劈開面、即ち第2の劈開面A、及びそれと直交する第3の劈開面Bが存在する。第1の劈開面、第2の劈開面A、及び第3の劈開面Bは、対象性を有する結晶面として表現すれば、全て結晶面(100)である。
なお、半導体基板10のダイシングラインDL1,DL2に対するアライメントを容易にするためには、半導体基板10のオリフラは、ダイシングラインDL1に直交するように、即ち、ダイシングラインDL2に平行となるように形成されていることが好ましい。
次に、図1に示すように、半導体基板10の表面に、電子デバイス10Dを覆って、例えば約0.5〜1.5μmの膜厚を有したBPSG膜からなる絶縁膜11を形成する。絶縁膜11上には、電子デバイス10Dと電気的に接続されたパッド電極12を形成する。パッド電極12は、例えば電子デバイス10Dの両端近傍に形成されるが、これ以外の位置に形成されてもよい。以降の説明では、パッド電極12は、電子デバイス10Dの両端近傍に形成されるものとして説明する。
さらに、絶縁膜11上には、パッド電極12を覆って、シリコン窒化膜等からなる不図示のパッシベーション膜を形成する。
その後、図2に示すように、不図示のパッシベーション膜上に、有機樹脂等を含む接着剤の塗布により接着剤層13を形成する。そして、接着剤層13を介して、半導体基板10の表面に対向して、単結晶シリコンからなる支持基板14を貼り合わせる。支持基板14は、約100μm〜800μm、好ましくは約400μmの厚さを有している。
ここで、半導体基板10と対向する支持基板14の表面は、支持基板14の1つの劈開面と平行であるものとする。この劈開面を第4の劈開面とすると、単結晶シリコンの面心立方格子構造に対応して、図3(B)に示すように、第4の劈開面に対して垂直に、支持基板14の他の劈開面、即ち第5の劈開面C、及びそれと直交する第6の劈開面Dが存在する。第4の劈開面、第5の劈開面C、及び第6の劈開面Dは、対象性を有する結晶面として表現すれば、全て結晶面(100)である。
半導体基板10に貼り合わされた支持基板14では、半導体基板10とは異なり、ダイシングラインDL1,DL2が、支持基板14の第5の劈開面C、及びそれと直交する第6の劈開面Dに対して平行とはならないような配置関係を有している。言い換えれば、半導体基板10と対向する支持基板14の表面上において、ダイシングラインDL1,DL2と、第5の劈開面C及び第6の劈開面Dとのなす角θは、0度よりも大きくなっている。具体的には、角θは、約5度〜45度であり、好ましくは約45度である。図の例、及び以降の説明では、角θは、約45度であるものとして説明する。この半導体基板10と支持基板14との関係を斜視図で表すと、図4のようになる。
なお、支持基板14のオリフラは、半導体基板10のオリフラと一致していることが好ましく、ダイシングラインDL1に直交するように、即ち、ダイシングラインDL2に平行となるように形成されることが好ましい。以降の説明では、上記のようなオリフラの構成を前提として説明を行う。
次に、図5に示すように、支持基板14と貼り合わされた半導体基板10に対して裏面研削を行い、その厚さを、例えば10μm〜150μmに至るまで薄くする。さらに、半導体基板10であって、ダイシングラインDL1,DL2上、及びパッド電極12上を含む領域をエッチングして除去する。これにより、半導体基板10に、ダイシングラインDL1,DL2に沿ったストリート状の開口部10Aが形成され、その開口部10A内では絶縁膜11が露出される。
なお、開口部10A内における半導体基板10の側壁は、支持基板14に向かってテーパー状に形成されることが好ましい。これにより、後の工程において半導体基板10及び支持基板14を覆って形成される各層の被覆性が向上する。
次に、図6に示すように、半導体基板10の裏面から開口部10A内を覆って絶縁膜15を形成する。そして、絶縁膜11,15の一部をエッチングしてパッド電極12の一部を露出させ、その露出したパッド電極12と接続して半導体基板10の裏面に延びる配線16を、絶縁膜15上に形成する。
その後、図7に示すように、不図示のダイシングブレード等による切削により、開口部10Aの内側を通るダイシングラインDL1,DL2に沿って、半導体基板10と対向する支持基板14の表面から、その表面に垂直な方向の途中に至る溝17を形成する。図の例では、溝17は、不図示のダイシングブレードにより切削されたものとして説明しているが、これ以外の方法、例えばエッチングやレーザー等による切削によって形成されてもよい。
溝17は、深くなるほど幅が狭くなる形状を有し、約20μm〜100μm、好ましくは約50μmの深さを有している。ここで、ダイシングラインDL1,DL2は、支持基板14の第5の劈開面C、及びそれと直交する第6の劈開面Dに対して平行とはならないように配置されている。このことから、溝17についても、ダイシングラインDL1,DL2と同様に、支持基板14の第5の劈開面C及び第6の劈開面Dに対して平行とはならないように形成される。即ち、半導体基板10と対向する支持基板14の表面上、即ち第4の劈開面上において、溝17の延びる方向と、第5の劈開面C及び第6の劈開面Dとのなす角θは、0度よりも大きくなっている。具体的には、角θは、約5度〜45度であり、好ましくは約45度である。
このように、溝17は支持基板14の第5の劈開面C及び第6の劈開面Dと一致しないため、溝17を形成する際に、溝17の先端の延長線上の支持基板14の領域14Aにおいて、ダイシングブレード(不図示)の接触による応力によって亀裂が延びて、支持基板14を分離する破断面が生じることを抑止できる。また、ダイシングブレードの接触による応力以外にも、溝17を形成する工程、及びその後の工程において支持基板14に生じる何らかの応力、例えばハンドリング時の応力によって、支持基板14の溝17に沿って上記破断面が生じることを抑止できる。
さらにいえば、ダイシングブレードによる切削以外の方法、例えばエッチングやレーザー等による切削によって溝17が形成される場合においても、上記と同様の理由により、溝17を形成する工程、及びその後の工程において支持基板14に何らかの応力が生じたとしても、支持基板14を分離する上記破断面が生じることを抑止できる。
次に、図8に示すように、溝17を形成した後の工程として、半導体基板10の裏面から溝17内を覆って、保護膜18を形成する。そして、保護膜18に設けた開口部を通して配線16と接続したバンプ電極19を形成する。その後、ダイシングラインDL1,DL2に沿って、半導体基板10から支持基板14に至る各層からなる積層体をダイシングして複数の半導体装置に分離する。分離された半導体装置の側面のうち、支持基板14の各側面14Sは、図9の概略の斜視図に示すように、第5の劈開面C及び第6の劈開面Dではない面として形成されている。なお、第4の劈開面は、半導体基板10と対向する支持基板14の表面となっている。
こうして完成した半導体装置では、半導体基板10から支持基板14の側面14Sの一部にかけて、半導体装置の各層の端部を覆うようにして保護膜18が形成されているため、半導体装置の内部に水分が浸入することが抑止され、また、外部からの衝撃や接触によって、半導体装置の端部に、剥離等の損傷が生じることを抑止できる。
また、上記半導体装置の製造方法によれば、ダイシング前の工程において、支持基板14に溝17が形成されたまま切断されない状態を、従来例に比して確実に保持できるため、溝17形成後の工程、即ち上記保護膜18の形成工程等を確実に行うことができる。結果として、半導体装置の信頼性及び歩留まりを向上させることができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
例えば、上記実施形態では、支持基板14の第4の劈開面、第5の劈開面C、及び第6の劈開面Dは、対象性を有する結晶面として表現すれば、全て結晶面(100)であるとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、表面側から裏面側に至る劈開面を有する支持基板を用いるものであれば、その支持基板の各劈開面のうち、少なくともいずれか1つが、対象性を有する結晶面(100)とはならない場合についても適用される。また、半導体基板10に対向する支持基板14の表面が、支持基板14の1つの劈開面、即ち第4の劈開面に対して平行でない場合にも、本発明は適用される。さらにいえば、支持基板14は、表面側から裏面側に至る劈開面を有するものであれば、シリコン以外の半導体からなるものであってもよい。
また、上記実施形態では、電子デバイス10Dが形成される半導体基板10はシリコンからなるものとしたが、本発明はこれに限定さない。即ち、本発明は、電子デバイス10Dが形成される半導体基板として、シリコン以外の半導体、例えばガリウム及びヒ素を含む化合物半導体からなる半導体基板を用いた場合についても適用される。
また、上記実施形態では、溝17は支持基板14に形成されるもとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、ダイシング前の工程において、シリコンからなる半導体基板に、その表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成し、その状態を保持したまま他の工程を経て、その後ダイシングが行なわれるものであれば、支持基板以外の半導体基板に溝が形成される半導体装置及びその製造方法に対しても、本発明は適用される。
この場合においても、半導体基板に溝を形成する際に、溝の先端の延長線上の半導体基板の領域において、ダイシングブレード(不図示)の接触による応力によって亀裂が延びて破断面が生じることを抑止できる。また、ダイシングブレードの接触による応力以外にも、溝を形成する工程、及びその後の工程において半導体基板に生じる何らかの応力、例えばハンドリング時の応力によって、半導体基板の溝に沿って上記破断面が生じることを抑止できる。
さらにいえば、ダイシングブレードによる切削以外の方法、例えばエッチングやレーザー等による切削によって溝が形成される場合においても、上記と同様の理由により、溝を形成する工程、及びその後の工程において半導体基板に何らかの応力が生じたとしても、上記破断面が生じることを抑止できる。
10,110 半導体基板 10D,110D 電子デバイス
10A,110A 開口部 11,15,111,115 絶縁膜
12,112 パッド電極 13,113 接着剤層
14,114 支持基板 14S 支持基板の側面
16,116 配線 17,117 溝
18,118 保護膜 19,119 バンプ電極
114C 破断面 DL,DL1,DL2 ダイシングライン
10A,110A 開口部 11,15,111,115 絶縁膜
12,112 パッド電極 13,113 接着剤層
14,114 支持基板 14S 支持基板の側面
16,116 配線 17,117 溝
18,118 保護膜 19,119 バンプ電極
114C 破断面 DL,DL1,DL2 ダイシングライン
Claims (6)
- 電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、
単結晶半導体からなる支持基板を、接着剤層を介して、前記半導体基板上に貼り合わせる工程と、
前記半導体基板に開口部を設ける工程と、
前記半導体基板の前記開口部の内側を通って、前記半導体基板と対向する前記支持基板の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面から前記溝を覆う保護膜を形成する工程と、
前記溝内の前記保護膜と前記支持基板を切削してダイシングを行う工程と、を含み、
前記半導体基板に対向する前記支持基板の表面上で前記溝が延びる方向は、該支持基板の少なくとも1つの劈開面と平行でないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、
単結晶シリコンからなる支持基板を、接着剤層を介して、前記半導体基板上に貼り合わせる工程と、
前記半導体基板に開口部を設ける工程と、
前記半導体基板の前記開口部の内側を通って、前記半導体基板と対向する前記支持基板の表面から該表面に垂直な方向の途中に至る溝を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面から前記溝を覆う保護膜を形成する工程と、
前記溝内の前記保護膜と前記支持基板を切削してダイシングを行う工程と、を含み、
前記半導体基板に対向する前記支持基板の表面は、該支持基板の第1の劈開面であり、前記第1の劈開面上で前記溝が延びる方向は、該第1の劈開面に対して垂直な第2の劈開面と平行でないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の劈開面上で前記溝が延びる方向と、前記第2の劈開面とのなす角は、5度〜45度であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 電子デバイスが形成された半導体基板と、
単結晶半導体からなり、前記半導体基板上に接着剤層を介して貼り合わされ、前記半導体基板の端よりも外側に延びる支持基板と、
前記半導体基板の裏面から連続して前記支持基板の側面の一部を覆う保護膜と、を備え、
前記支持基板の側面は、該支持基板の劈開面と平行でないことを特徴とする半導体装置。 - 電子デバイスが形成された半導体基板と、
単結晶シリコンからなり、前記半導体基板上に接着剤層を介して貼り合わされ、前記半導体基板の端よりも外側に延びる支持基板と、
前記半導体基板の裏面から連続して前記支持基板の側面の一部を覆う保護膜と、を備え、
前記半導体基板に対向する前記支持基板の表面は、該支持基板の第1の劈開面であり、該支持基板の側面は、前記第1の劈開面に対して垂直な第2の劈開面と平行でないことを特徴とする半導体装置。 - 前記支持基板の側面と、前記第2の劈開面とのなす角は、5度〜45度であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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US12/500,735 US7964960B2 (en) | 2008-07-16 | 2009-07-10 | Semiconductor device having non parallel cleavage planes in a substrate and supporting substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008185190A JP2010027741A (ja) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP4401181B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-01-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5010247B2 (ja) | 2006-11-20 | 2012-08-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5301108B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-09-25 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
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TWI375321B (en) * | 2007-08-24 | 2012-10-21 | Xintec Inc | Electronic device wafer level scale packages and fabrication methods thereof |
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- 2008-07-16 JP JP2008185190A patent/JP2010027741A/ja active Pending
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2009
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