JP3687379B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄型ＩＣチップやそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
厚さが０．７６ｍｍの従来のＩＣカードに関しては、例えば「電子情報通信ハンドブック」（株式会社オーム社、社団法人電子情報通信学会ハンドブック委員会編集、１９９０年４月３０日第１版、第６０３頁〜第６０４頁）に開示されている。 従来のクレジットカード等に用いられている０．７６ｍｍ厚のＩＣカードには２００μｍまたはそれ以上の厚さを有するＩＣチップが用いられており、曲げ応力に弱いという問題がある。この対策としてはＩＣチップへの曲げ応力が加わらないなような補強メタル板が用いられている。このため、ＩＣカードをこれ以上薄くすることが困難である。
【０００３】
曲げに対する強度の他、使い勝手や携帯性を高めるために、搭載するＩＣチップやカード基板の厚さを薄くしたＩＣカードが特開平７―９９２６７号公報で提案されている。本公報では薄型ＩＣチップをＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを用いて作成している。通常のバルクウエハを用い、その表面をテープで保護してスピンエッチングにより薄型ＩＣチップを製造する方法は、例えば特開平８−３１６１９４号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＩＣチップを薄くすることにより、曲げ応力に対する強度を向上することが可能になるが、特開平８−３１６１９４号公報に記載のスピンエッチング方法で薄膜化した場合、数十μｍの厚さまでは容易にＩＣチップを取り扱えるが、それ以下の厚さになるとダイシング用テープからのＩＣチップの剥離が難しく、取り扱いが困難になる。
【０００５】
また、特開平７―９９２６７号公報に記載のＳＯＩウエハを用いることにより、厚さが均一のＩＣチップを容易に得られるが、その取り扱いやダイシングに関する具体的な記載がない。また、薄型ＩＣチップではダメージ層、特にダイシング時に発生する機械的なダメージ層が存在すると曲げたときに割れが発生することがある。
【０００６】
本発明の目的は、薄型ＩＣチップの扱いが容易で生産歩留まりの向上が可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、薄型ＩＣチップへのダメージが少なく、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、安価な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、薄型ＩＣチップを用いた信頼性の高い薄型半導体装置、特にＩＣカードを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、薄型ＩＣチップを製造するにあたり、集積回路素子が形成された半導体基板表面に補強板を固着した後、当該半導体基板裏面側を所定の厚さだけ除去することにより達成される。集積回路素子が形成された半導体膜が薄くなっても補強板があるため強度が保たれ取り扱いが容易である。
【００１１】
上記他の目的は、複数の集積回路素子が形成された薄膜化された半導体膜から薄型ＩＣチップを個々に分離するにあたり、薬液を用いたウエットエッチング或いはドライエッチングを行うことにより達成される。ウエットエッチング或いはドライエッチングとすることによりダイシングと異なり機械的なダメージが入らない。なお、加工時間に関して、対象となる半導体膜が薄いため実用上は問題にならない。
【００１２】
上記他の目的は、薄型ＩＣチップと配線基板とを異方導電性接着剤を用いて固着することにより達成される。これにより材料費やプロセスの簡略化が図れる。
【００１３】
更に上記他の目的は、第１の面に形成された電極取り出しパッドと前記パッド下部に形成され第１の面に対して裏側の第２の面まで貫通する開孔部とを有する薄型ＩＣチップと、配線が形成された第１の基板とを有し、導電粒子を含む異方導電性接着剤により前記配線は前記開孔部を介して前記パッドと電気的に接続されている半導体装置により達成される。
【００１４】
上記目的は、前記薄型ＩＣチップの第１の面側に前記薄型ＩＣチップに対する補強板を配置することにより、より効果的に達成される。これにより、特に点応力に対する薄型ＩＣチップの耐性が向上する。
【００１５】
上記目的は、前記薄型ＩＣチップを挟み込むように第１及び第２の補強板を配置することにより、より効果的に達成される。
【００１６】
上記目的は前記半導体装置を非接触型とすることにより、より効果的に達成できる。非接触型とすることにより信号や電源用の接触端子の劣化がなくなる。
【００１７】
上記目的は、薄型ＩＣチップの厚さを１０μｍ以下とすることにより、より効果的に達成される。これにより、実用上用いられる厚さ（０．７６ｍｍ〜０．１ｍｍ）を有するカード基板等の薄型基板よりも薄型ＩＣチップの方が曲がり易くなり、薄型基板よりも薄型ＩＣチップの曲がり応力に対する耐性が高まる。
【００１８】
上記目的は、パッド下部に設けられた開孔部の内部表面を絶縁膜で被うことにより、より効果的に達成される。これにより、異方導電性接着剤に含まれる導電粒子とＩＣチップを構成する半導体膜とのショートを防止する効果がある。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１を用いて、集積回路素子が形成された半導体ウエハから複数の薄型ＩＣチップに分離する工程について一実施例を説明する。本実施例では、ダイシングではなく、薄型ＩＣチップ間の領域を薬液によりエッチングすることが特徴である。薬液としては例えば異方性のエッチング液である水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いることができる。
【００２０】
図１は本発明の方法により薄型ＩＣチップを分離した単結晶半導体ウエハの要部断面図を示している。集積回路が形成されたシリコン膜１２の裏面側には開孔部を有する第１の絶縁膜１１が、また表面側には第２の絶縁膜１３が設けられている。第１及び第２の絶縁膜は異方性エッチング液に対する耐性がある。異方性エッチング液を用いて表面が（１００）面のシリコン膜１２をエッチングすると第１の絶縁膜１１の開孔部の領域において、側壁が（１１１）面となるようにシリコン膜がエッチングされる。シリコン膜１２の表面は第１の絶縁膜の開孔端をエッチングストッパ層にしてエッチングされる。また、シリコン膜１２の表面側は第２の絶縁膜１３がエッチングストッパとなるため自己制御的にエッチングが止まる。異方性エッチング液としては、ＫＯＨの他、ヒドラジンやアンモニアなどの薬液を使用することができる。このように薬液を用いてシリコン膜１２をエッチングにより分離することにより、ダイシング等で問題となる機械的なダメージの発生がなく、応力に対する耐性が向上する。なお、符号１４はあらかじめ貼付られた補強メタル膜であり、カット部１６で切断される。補強メタル膜１４のカット方法はダイシングまたシャ−リング（せん断力を利用した切断）又はエッチングなどで行うことができる。補強メタル膜１４は支持シート１５にあらかじめ取り付けられており、チップを分離するまで補強メタル膜１４に貼り付けておくことにより、ハンドリングが容易になる。第２の絶縁膜は化学気相成長（ＣＶＤ）法、塗布法により形成したシリコン酸化膜を用いることができる。また第１の絶縁膜はシリコンオンインシュレータウエハの内層の酸化膜を用いることができる。なお薬液としては、半導体膜に対して絶縁膜のエッチング速度が小さければ（１／１０以下）実用上用いることができる。又、ドライエッチングを用いることもできる。
【００２１】
なお、薄型ＩＣチップを構成する半導体層の厚さを１０μｍ以下とすることにより実用的な時間で分離が可能となるが、１〜０．０５μｍの厚さとすることが望ましい。
【００２２】
図２は前述した方法により半導体ウエハから分離した薄型ＩＣチップをカード状基板に取り付けた半導体装置の要部断面図を示す。図２で、２３は薄型ＩＣチップ、２２は集積回路用メタルパッド、２１は薄型ＩＣチップ用の補強メタル膜、２５はパッド２２の下部で薄型ＩＣチップに設けられた開孔部、２７はカード基板、２６はカード基板状に設けられた配線パターン、２４は導電性粒子、２８は薄型ＩＣチップ２３や補強メタル膜２１をカード基板２７に固定するための接着剤となる樹脂である。
【００２３】
なお、補強メタル膜２１はメタルパッド２２と絶縁性接着剤により固定されている。薄型ＩＣチップ２３の裏面側（パッド２２の無い側）にはシリコン酸化膜が形成されている。パッド２２は導電粒子２４により、開孔部（スルーホール）２５を介して、配線パターン２６に接続されている。なお、異方導電性接着剤の主成分である樹脂２８を熱硬化させならが、薄型ＩＣチップを強く押しつけることによりカード基板上の配線パターン２６と薄型ＩＣチップ上のパッドとを接続することができる。
【００２４】
補強メタル膜２１は、シリコンオンインシュレータウエハのシリコンウエハの主面側（パッド形成側）に接着されており、これによりシリコンウエハの厚さを１μｍ以下まで薄くしても、薄型ＩＣチップのハンドリングが容易に行える。このとき、薄型ＩＣチップ表面側に存在する配線に電気的に接続されたパッドとの接続は、裏面から開孔されたスル−ホールにより行うことができる。このスルーホールは、薄型ＩＣチップを構成する半導体層が薄いので容易に形成できる。特に、半導体層の厚さは１μｍ以下が望ましい。この構造は３次元デバイスをスタック的に接続するときにも有効である。
【００２５】
補強メタル膜２１の上部に上カバーシートを形成することにより、 ＩＣカード等の薄膜半導体装置とすることができる。
【００２６】
前述した薄型ＩＣチップを搭載したＩＣカードの平面図を図３に示す。ＩＣカード３１は補強メタル付き薄型ＩＣチップ３３と配線３２から形成されている。このときこの配線はアンテナとしての役割を有するコイルであり、近距離から５メートルといった遠距離まで電池なしに通信することが可能である。ＩＣカードは通常人手によってハンドリングされるので過酷な使用状態が予想される。また、薄型、例えば厚さが０．５ミリ以下のＩＣカードでは、紙と同じようなフレキシブル性が要求される。このようなＩＣカードにおいても、ＳＯＩウエハを用いることにより半導体層の厚さが１０μｍ〜０．０５μｍの薄型ＩＣチップを使用することにより前記要求を満たすことができる。更に必要に応じて５０〜２００μｍの補強メタル膜を薄型ＩＣチップの片面または両サイドに接着すれば極めて機械的強度に強く、信頼性の高いＩＣカードを得ること可能となる。なお、補強用のメタルとしてはステンレスが加工する上で望ましいが、タングステンやチタン等を用いることができる。
【００２７】
次に、集積回路を作製したＳＯＩウエハを補強メタル膜に取り付け、その後パッド下部の開孔を形成する工程について図４を用いて説明する。
【００２８】
図４（ａ）は補強メタル膜４１に表面配線メタル（パッド）４２とシリコン層４３と支持シリコン基板４５ではさんだ酸化膜４４をもつＳＯＩウエハを接着剤で貼付た後の要部断面図を示す。ここで、パッドはアルミニウムで形成したが、他に銅を用いることができる。シリコン層の厚さは０．５μｍとした。なお、図示していないがパッド４２と補強メタル膜４１との間には絶縁膜（シリコン酸化膜）が設けられている。また、シリコン層４３には集積回路素子が形成されている。次に、支持シリコン基板４５をエッチングで除去し、酸化膜４４を露出させた工程直後の断面図を図４（ｂ）に示す。支持シリコン基板４５のエッチングは、例えばスピンエッチングにより行う。これにより、補強メタル膜は薬液に触れること無く支持シリコン基板をエッチングすることができる。その後、図４（ｃ）に断面図を示すように、パッド４２に対応した開孔部を有するレジスト膜パターン４６を形成する。次に、図４（ｄ）に断面図を示すように、エッチッグによってシリコン層にスルーホール４７を形成する。特にバンプ工程を経ることなくこのまま異方導電性接着剤で、基板に接続することが可能となるので、工数低減に効果をもたらすことが出来る。この場合、異方導電性接着剤中に含まれる導電性粒子としては、その直径がスルーホールの直径よりも小さく、且つシリコン層の厚さよりも大きいものが選ばれる。スルーホール中に導電性材料を埋め込むことにより、また薄いシリコン層とすることにより小さな粒径の導電性粒子を用いることができる。なお、ＳＯＩウエハを使うことにより、シリコン層を薄くできるので、裏面から表面のパターンチェックができ、ホトレジの時の位置あわせが可能である。
【００２９】
本発明に係る半導体装置の他の例を図５を用いて説明する。ここでは、薄型ＩＣチップをカード以外の基板に搭載した例を示す。
【００３０】
図５において、５４が薄型ＩＣチップ、５５が補強メタル膜、５３はモジュール基板、５１はノズル、５２は冷却水を示す。補強メタル膜５５は熱伝導のよい接着剤で薄型チップ５４に接着されており、これらがモジュール基板５３の上に異方導電性接着剤で複数接続される。補強メタル５５の上からノズル５１を通して、冷却水５２を供給し、冷却する。これにより、冷却効率にすぐれたモジュールを構成することができる。なお、空冷とすることにより設備を簡略化できる。モジュール基板を熱伝導度のよいメタル系または炭化シリコン（ＳｉＣ）またはアルミナイトライドなどを用いれば更に放熱のよいハードウエアシステムを構成することが可能となる。特に、発熱量の多いＣＭＯＳを用いたロジック回路搭載のＩＣチップをＳＯＩウエハを用いて薄型ＩＣチップとすることにより、チップを効率よく冷却することができ、大幅な性能向上を図ることができる。
【００３１】
次に、パッドへのコンタクト用スルーホールの形成に関する別の方法について図６を用いて説明する。
【００３２】
図６で、６１はパッドに対するコンタクト用スルーホール（開孔部）、６２がパッド、１１〜１６は図１と同様である。開孔部６１はシリコン層１２のエッチングにより表面メタル（パッド）６２まで開けられている。このエッチングはチップ分離のエッッチングと共用することができて工数低減を図ることが可能である。このとき水酸化カリウムを用いるとアルミニウム等の金属はエッチングされてしまうので、ドライエッチを用いて加工することが望ましい。
【００３３】
その後、薄型ＩＣチップとして分離し、ＩＣカード等の薄型半導体装置を製造できる。
【００３４】
本実施例では、薄型ＩＣチップを配線基板に取り付けるときに用いる他の異方導電性接着剤について説明する。
【００３５】
図７において、２３が薄型ＩＣチップ、２２がパッド、２１が補強メタル、２７が配線基板、２６は配線基板上の配線パターンである。
【００３６】
ここで用いた異方導電性接着剤に含まれる導電粒子２４は、その表面に絶縁膜７１が設けられている。そのため、導電粒子２４はコンタクト用スルーホール２５の側壁に接触部７２があってもこの絶縁膜によってシリコンとのショ−トを防ぐことができる。一方、この絶縁膜は基板側の配線やパッドで押される上部及び下部では破壊される。これにより、表面配線メタル（パッド）２２とはチップメタル接続部７３で接続し、配線パタ−ン２６とは基板メタル接続部７４で接続して、上下の電極の接続が可能となる。
【００３７】
ここで用いた導電粒子について図８を用いて更に説明する。
【００３８】
図８に示すように、導電粒子２４の周囲には絶縁膜７１が被覆されている。なお、このような粒子自体は公知である。導電粒子は銀、金、銅などが用いられる。直径は１ミクロンから１５ミクロン程度である。絶縁膜はプラスチック樹脂が用いられ接触により表面の被覆がとれる材料が使用される。
【００３９】
なお、導電粒子が絶縁膜７１を有しない場合であっても導電粒子の含有量を少なく制御する、或いはコンタクト用スルーホールの内面に絶縁膜を形成する等によりショートを防ぐことができる。スルーホールの内面に絶縁膜を形成した構成を図１６に示す。符号１６１が当該絶縁膜である。この側壁絶縁膜は、例えば全面に絶縁膜を形成した後、異方性ドライエッチングを行うことにより（いわゆる、サイドウオールとして）形成することができる。
【００４０】
次に、薄型ＩＣチップの平面図の一例を図９に示す。
【００４１】
図９において、２３が薄型ＩＣチップ、２２がパッド、２５がスルーホール、２１が補強メタルである。図９のＡとＡ’ラインの断面図を示したものが、図２である。
【００４２】
図１０は、補強メタル２１とパッド２２との絶縁をこれらを互いに接着する接着剤により行う例を示す。絶縁膜１０１は補強メタル２１側に塗布された接着剤が硬化したものである。この絶縁膜１０１はチップの表面配線メタル２２が複数ある場合において、補強メタルによりショートすることを防ぐものである。この接着剤としては、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００４３】
ＳＯＩウエハにおいて、シリコン層が数十μｍと厚い場合には補強メタルが無くても薄型ＩＣチップを比較的容易に扱うことができる。図１１を用いてこのような薄型ＩＣチップを用いた場合の薄型ＩＣチップの配線基板への取り付け法について図１１で説明する。
【００４４】
図１１において、１１１がシリコン層、１１２がパッド、１１３はシリコン酸化膜、１１４が配線基板、１１５が配線基板上の配線パターン、１１７が異方導電性接着剤を構成する樹脂、１１６が導電粒子である。シリコン層１１１表面には、パッド１１２が半導体プロセスによってパタ−ニングされて形成されている。シリコン層１１１の裏面にはＳＯＩウエハの内層である酸化膜１１３が残された状態で付着している。ＳＯＩウエハの裏面側の支持シリコン基板は除去されている。カード基板１１４の表面にはカード基板電極１１５があって導電粒子１１６によって薄型ＩＣチップの表面メタル（パッド）とカード基板電極が接続されている。導電粒子は接着樹脂１１７の中に分散されている。この図はＳＯＩウエハによって薄くなったチップがフェ−スダウンで異方導電性接着剤によって接続した薄型ＩＣカードの実施例を示している。補強メタルを形成する工程が無いため工程が簡略化される。また、ＳＯＩウエハからの薄型ＩＣチップの分離は水酸化カリウム等の化学薬液を使用しており、シリコン層が薄い場合に比べて分離するためのエッチング時間が長くなるもののダイシング等で問題となるダメージがシリコン層に発生せず、曲げに強い薄型ＩＣチップ更に薄型半導体装置を提供できる。
【００４５】
次に、通常のバルクウエハを用いて薄型ＩＣチップを製造する方法について図１２を用いて説明する。
【００４６】
図１２において、１２２はシリコン基板、１２１はパッド、１２３が補強メタル、１２４は接着剤である。図１２（ａ）は、チップ電極（パッド）１２１がシリコン基板１２２上に形成された工程後の断面図である。シリコン基板はＳＯＩではないバルクウエハである。次に、図１２（ｂ）に示すように補強メタル１２３を接着剤１２４で接続する。その後図１３（ｃ）に示すように、シリコン基板の裏面をエッチングによって薄くする。なお、１２５は基板を薄膜化したシリコン層である。エッチングはドライまたウエットエッチである。このように精度よくエッチングで薄くすることによりメタルを剥がさずにシリコンの薄型の効果が活用できる。エッチングに際し、補強メタル膜がエッチング雰囲気に曝されないよう耐エッチング性の保護膜で保護するか、又は補強メタル膜のエッチング速度がシリコン基板よりも小さなエッチング方法を用いる。シリコン層１２５の裏面にシリコン酸化膜を形成した後のシリコン層裏面の穴開けは図４と同様の工程で行うことができる。本方法により、ＳＯＩウエハよりも安価なバルクウエハを使用することができる。
【００４７】
次に、補強メタル膜の分離法を説明する。
【００４８】
図１３において、符号１３１はメタル膜の分離溝である。符号１１から１５は図１で示したものと同じである。補強メタル膜１４をエッチングし、分離溝１３１を形成することによって高い精度でかつ狭い溝でメタルを分離することが可能となる。エッチング液としては過酸化水素を、エッチングマスクとしてはシリコン膜やシリコン酸化膜を用いることができる。例えば、過酸化水素を用いてタングステン膜をエッチングする場合、エッチング速度として１０〜２０μｍ／ｍｉｎが可能である。
【００４９】
次に、薬液を用いて薄型ＩＣチップを分離する方法を用いることにより、従来のダイシング法に比べてシリコンウエハ上でのチップ間の距離を小さくできることを図１４を用いて説明する。
【００５０】
図１４において、１４１は有効チップ部、１４２はダイシング分離ライン、１４３はエッチングによる分離ラインである。図１４（ａ）は従来の配置構成を示す平面図であって、有効チップ部１４１は半導体が機能的に働く部分であり、ダイシング分離ラインはブレードの幅とチッピングによってきまり、５０ミクロン以下にすることは困難である。図１４（ｂ）は本発明の配置図であって、エッチングによる分離ライン１４３は集積回路素子が形成されている半導体層の厚さにもよるが、１ミクロン以下まで低減することが可能である。このことによって、ウエハからのチップの取得数を向上し経済性を向上させることが可能となる。
【００５１】
次に、薄型ＩＣチップの補強をより強固にするための例を図１５を用いて説明する。
【００５２】
図１５において、符号１５１は下側の補強メタル膜であり、符号２１から２８は図２と同様である。下側に設けられた補強メタル１５１が配線基板２７の下に配置することによって、薄型チップを補強メタルで挟み込む構造であり、両面からの機械的応力（特に点圧応力）に対する強度を向上することができる。また、薄型ＩＣチップをカードの厚さ方向における中立面に配置しやすくなるため曲げ応力に対する機械的信頼性を向上することが可能となる。この場合、下側補強メタルを上側補強メタルよりも薄くすることが望ましい。補強メタル膜２１及び１５１を挟んで上及び下カバーシートを形成して薄型半導体装置とすることができる。
【００５３】
【発明の効果】
薄型ＩＣチップを薬液を用いてウエハから分離するので、ダイシングの場合と異なり薄型ＩＣチップを構成する半導体層へのダメージが少ない薄型ＩＣチップを製造できる。このようにして製造された薄型ＩＣチップは曲げ応力に対する耐性が向上する。更に、このチップを用いることにより曲げ応力に強い薄膜半導体装置を提供できる。
【００５４】
集積回路素子が形成された半導体ウエハの表面に補強メタルを接着してから半導体ウエハの裏面を除去することにより、薄型ＩＣチップの取り扱いが容易に行え、製造歩留まりが向上する。なお、この補強メタルは薄型半導体装置に搭載された後は薄型ＩＣチップを点圧応力から保護する働きを有し、薄型半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００５５】
特に、ＳＯＩウエハを用いることにより、厚さが均一で且つ薄い薄型ＩＣチップを得ることができるので特性が均一で信頼性の高い薄型ＩＣチップ及び薄型半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄型ＩＣチップの製造工程を示す要部断面図である。
【図２】本発明に係る薄型半導体装置の要部断面図である。
【図３】本発明に係るＩＣカードの平面図である。
【図４】本発明に係る薄型ＩＣチップの製造工程を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の要部断面図である。
【図６】本発明に係る薄型ＩＣチップの製造工程を示す要部断面図である。
【図７】本発明に係る薄型半導体装置の要部断面図である。
【図８】本発明に係る導電粒子の断面図である。
【図９】本発明に係る薄型薄型ＩＣチップの平面図である。
【図１０】本発明に係る薄型半導体装置の要部断面図である。
【図１１】本発明に係る薄型半導体装置の要部断面図である。
【図１２】本発明に係る薄型ＩＣチップの製造工程を示す要部断面図である。
【図１３】本発明に係る薄型ＩＣチップの製造工程を示す要部断面図である。
【図１４】従来と本発明での薄型ＩＣチップの分離ラインの違いを示すための半導体ウエハの要部平面図である。
【図１５】本発明に係る薄型半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明に係る薄型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１１…第１の絶縁膜、１２…シリコン膜、１３…第２の絶縁膜、１４…補強メタル、１５…支持シート、１６…カット部、２１…補強メタル、２２…表面配線メタル（パッド）、２３…裏面酸化膜付き薄型シリコン膜、２４…導電粒子、２５…スルーホール、２６…配線パタ−ン、２７…配線基板、２８…樹脂、３１…ＩＣカード、３２…配線、３３…メタル付きＩＣチップ、４１…補強メタル、４２…表面配線メタル（パッド）、４３…シリコン膜、４４…酸化膜、４５…支持シリコン基板、４６…レジスト膜パターン、４７…スルーホール、５１…ノズル、５２…冷却水、５３…モジュール基板、５４…薄型チップ、５５…メタル膜、６１…開孔部、６２…表面メタル（パッド）、７１…絶縁膜、７２…サイド接触部、７３…チップメタル接続部、７４…基板メタル接続部、１０１…絶縁膜、１１１…シリコン膜、１１２…表面メタル（パッド）、１１３…酸化膜、１１４…カード基板、１１５…カード基板電極、１１６…導電粒子、１１７…接着樹脂、１２１…チップ電極（パッド）、１２２…シリコン基板、１２３…補強メタル、１２４…接着剤、１２５…エッチングにより薄くなったシリコン膜、１３１…エッチングによる分離溝、１４１…有効チップ部、１４２…ダイシング分離ライン、１４３…エッチイングによる分離ライン、１５１…下側のメタル、１６１…サイド絶縁膜。

Claims (6)

1. 半導体からなる支持基板と前記支持基板上に設けられた絶縁膜と前記絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、前記半導体膜に複数の集積回路素子が形成された半導体基板を準備する工程と、
   前記集積回路素子上部に金属膜を固着する工程と、
   前記支持基板を除去する工程と、
   前記複数の集積回路素子を複数の薄型ＩＣチップに分離するための溝パターンを前記絶縁膜に形成する工程と、
   前記溝パターンに基づき前記半導体膜をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記エッチングは薬液によるものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記エッチングは前記溝パターンを有する絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜をドライッチングによりエッチングするものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体膜は、０．０５〜１０μｍの範囲の膜厚を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 外部端子となるパッドを備えた複数の集積回路素子が形成された半導体基板を準備する工程と、
   前記集積回路素子上部に金属膜を固着する工程と、
   前記半導体基板を裏面側から除去して薄膜化する工程と、
   薄膜化された前記半導体基板の裏面に絶縁膜を形成する工程と、
   前記複数の集積回路素子を複数の薄型ＩＣチップに分離するための溝パターンを前記絶縁膜に形成する工程と、
   前記溝パターンに基づき、薄膜化された前記半導体基板をエッチングする工程と、
   配線が形成された配線基板の配線側と薄型ＩＣチップの前記パッド側とを対向させて導電粒子を含む異方導電性接着剤で接着する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体基板は、５０〜１００μｍの範囲の膜厚にまで薄膜化されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

Images