JP2005311333A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 絶縁基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
   前記薄膜集積回路上に前記薄膜集積回路を押さえる手段を形成し、
   前記薄膜集積回路を押さえる手段及び前記複数の薄膜集積回路の境界に開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
   前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定した状態で、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去し、
   前記薄膜集積回路を、接着面を備える第１の基体へ転置した後、前記絶縁基板を分離し、
   前記第１の基体の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える第２の基体へ前記薄膜集積回路を転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
2. 請求項１において、前記剥離層を形成しない領域により、前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
3. 請求項１において、前記薄膜集積回路を押さえる手段により、前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
4. 絶縁基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
   前記薄膜集積回路上に前記薄膜集積回路を押さえる手段を形成し、
   前記薄膜集積回路を押さえる手段及び前記複数の薄膜集積回路の境界に選択的に開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
   前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって前記絶縁基板を分離し、
   前記薄膜集積回路を、接着面を備える第１の基体へ転置し、
   前記第１の基体の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える第２の基体へ前記薄膜集積回路を転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
5. 請求項４において、前記選択的に形成された開口部により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
6. 請求項４において、前記薄膜集積回路を押さえる手段により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の基体はシリコン系樹脂、又はフッ素系樹脂を有することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
8. 絶縁基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
   前記複数の薄膜集積回路の境界に第１の開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
   前記複数の薄膜集積回路上に、第２の開口部が設けられたアンテナ用基板を配置し、
   前記第１の開口部及び前記第２の開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去して前記絶縁基板を分離し、かつ前記複数の薄膜集積回路は前記アンテナ用基板に固定された状態となっており、
   前記アンテナ用基板に固定された薄膜集積回路を、前記アンテナ用基板の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える基体へ転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
9. 請求項８において、前記第２の開口部が設けられた第１の基体により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
10. 請求項８または９において、前記第１の基体はフレキシブル基板からなることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、前記薄膜集積回路を押さえる手段は、接着面を備える支持基体であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記複数の薄膜集積回路の境界に選択的に開口部を形成し、前記複数の薄膜集積回路間に接続領域を形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、０．２μｍ以下の膜厚を有する半導体膜を有するように前記薄膜集積回路を形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
14. 請求項１３において、レーザ照射により前記半導体膜を結晶化することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。