JP5008299B2

JP5008299B2 - 半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JP5008299B2
Application number: JP2005347120A
Authority: JP
Inventors: 芳隆道前; 直人楠本
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-11-30
Filing date: 2005-11-30
Publication date: 2012-08-22
Anticipated expiration: 2025-11-30
Also published as: JP2007157787A

Description

本発明は、剥離法を利用した半導体装置の作製方法に関する。

従来の薄型の半導体装置の作製方法には、耐熱性の高い基板と薄膜集積回路と間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して薄膜集積回路を剥離し、接着剤を用いて薄膜集積回路に別途用意した可撓性基板を貼りあわせる例がある（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−２２９０９８号公報

上記の手法等により貼りあわせた薄膜集積回路と可撓性基板とを、複数に分断したチオップを図１２に示す。チップ５５は、図１２に示すように、分離された側面５１において、薄膜集積回路５２と接着剤５３との界面が露出される。薄膜集積回路５２と接着剤５３との密着性が低い場合、当該界面から水分等が浸入しやすく、薄膜集積回路５２から可撓性基板５４が剥れるという問題がある。また、可撓性基板が剥れると薄膜集積回路が露出してしまし、水分によって、薄膜集積回路が正常な動作をしないという問題が生じる。

そこで本発明は、防水性を有し、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。

本発明は、基板上に複数の薄膜集積回路を有する素子形成層を形成し、素子形成層の一方の面上に粘着部材を貼り合わせ、基板から素子形成層を剥離し、素子形成層及び粘着部材を分断して、粘着部材を伴う薄膜集積回路を複数形成し、薄膜集積回路の他方の面に第１の可撓性基板を貼りあわせ、薄膜集積回路の一方の面から粘着部材を剥離し、薄膜集積回路の一方の面及び第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りあわせることを要旨とする。また、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板が接する領域において、分断することを要旨とする。

また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に複数の薄膜集積回路を有する素子形成層を形成し、素子形成層の一方の面上に粘着部材を貼り付け、基板と粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、素子形成層及び粘着部材を分断して、分断された粘着部材を伴う薄膜集積回路を複数形成し、薄膜集積回路の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離し、薄膜集積回路の一方の面に第２の可撓性基板を接着することを特徴とする薄膜集積回路を有するシートの作製方法である。

また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に複数の薄膜集積回路を有する素子形成層を形成し、素子形成層の一方の面上に粘着部材を貼り付け、基板と粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、素子形成層及び粘着部材を分断して、分断された粘着部材を伴う薄膜集積回路を複数形成し、薄膜集積回路の他方の面に、粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離し、薄膜集積回路の一方の面及び第１の可撓性基板に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着することを特徴とする薄膜集積回路を有するシートの作製方法である。

なお、一対の第１のローラーを用いて薄膜集積回路の他方の面に第１の可撓性基板を接着してもよい。また、一対の第１のローラーの一方には、ヒータが設けられていてもよい。また、一対の第２のローラーを用いて薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離してもよい。また、一対の第３のローラーを用いて薄膜集積回路の一方の面に第２の可撓性基板を接着してもよい。また、一対の第３のローラーの一方には、ヒータが設けられていることを特徴とする薄膜集積回路を有するシートの作製方法。

また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に複数の薄膜集積回路を有する素子形成層を形成し、素子形成層の一方の面上に粘着部材を貼り付け、基板と粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、素子形成層及び粘着部材を分断して、分断された粘着部材を伴う薄膜集積回路を複数形成し、薄膜集積回路の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離し、薄膜集積回路の一方の面に第２の可撓性基板を接着し、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に複数の薄膜集積回路を有する素子形成層を形成し、素子形成層の一方の面上に粘着部材を貼り付け、基板と粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、素子形成層及び粘着部材を分断して、分断された粘着部材を伴う薄膜集積回路を複数形成し、薄膜集積回路の他方の面に、粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離し、薄膜集積回路の一方の面に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着し、第１の可撓性基板、第１の接着剤、第２の接着剤、及び第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

なお、一対の第４のローラーを用いて薄膜集積回路の他方の面に第１の可撓性基板を接着してもよい。また、一対の第４のローラーの一方には、ヒータが設けられていてもよい。また、一対の第５のローラーを用いて薄膜集積回路から分断された粘着部材を剥離してもよい。また、一対の第６のローラーを用いて薄膜集積回路の一方の面に第２の可撓性基板を接着してもよい。また、一対の第６のローラーの一方には、ヒータが設けられていてもよい。

本発明により、薄膜集積回路を挟持する第１の可撓性基板と第２の可撓性基板とが、薄膜集積回路の外側（周辺部）において接着し、薄膜集積回路を囲むため、薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接着する接着部材との界面が露出されない。第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板は密着性が高いため、界面から水分が浸入することを抑制することが可能である。即ち、薄膜集積回路を挟持する複数の可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。また、可撓性基板を用いているため、薄型の半導体装置を作製することが可能である。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる形態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

本実施の形態では、本発明の複数の作製工程を連続的に行う貼り合わせ装置（ラミネート装置、封止装置ともいう。）を用いて、半導体装置または複数の薄膜集積回路が配列されたシートの作製工程について、図１〜５を用いて説明する。

貼り合わせ装置の構成について、図１を参照して説明する。

貼り合わせ装置は、基板１２３を収納するカセット２０２と、基板１２３を搬送する移送手段２０３を有する。また、粘着シート２０８が巻かれている供給用のローラー２０７と、粘着シート２０８の移動を制御すると共に、基板１２３上に薄膜集積回路１２１を粘着シート２０８に貼り付けるローラー２１０と、粘着シート２０８の移動を制御するローラー２１０と、粘着シート２０８を巻き取る回収用のローラー２１９とを有する。また、第１の可撓性基板２１２が巻かれている供給用のローラー２１１と、第１の可撓性基板２１２の移動を制御するローラー２２４とを有する。また、第２の可撓性基板２２２が巻かれている供給用のローラー２２１を有する。また、貼りあわせられた第１の可撓性基板２１２、薄膜集積回路１２１、及び第２の可撓性基板２２２を巻き取る回収用のローラー２３０を有する。

粘着シート２０８の移動を制御するローラー２１０と回収用のローラー２１９との間においては、薄膜集積回路１２１に、第１の可撓性基板２１２を圧着するための一対のローラー２１５、２１６と、第１の可撓性基板２１２に圧着された薄膜集積回路１２１と粘着部材１２２とを剥離する一対のローラー２１７、２１８が設けられる。

また、粘着部材１２２から剥離された薄膜集積回路１２１を第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２で封止するための、一対のローラー２２３、２２４が、一対のローラー２１７、２１８と、供給用のローラー２２１及び回収用のローラー２３０との間に設けられている。

カセット２０２は、基板供給用のカセットであり、粘着部材１２２を伴う薄膜集積回路１２１が複数設けられた基板１２３がセットされる。移送手段２０３は、薄膜集積回路１２１及び粘着部材１２２が設けられた基板１２３を搬送するものであり、ローラー２１０が回転する速度に合わせて、所定の速度で、基板１２３を搬送する。移送手段２０３は、例えば、ベルトコンベア、複数のローラー、ロボットアームに相当する。移送手段２０３がロボットアームに相当する場合、ロボットアームは、基板１２３をそのまま搬送するか、又は基板１２３が設置されたステージを搬送する。

ローラー２０７、２１０、２１１、２１５、２１６、２１７、２１８、２１９、２２１、２２３、２２４、２３０の各々は、円筒状の回転体であり、例えば、表面の磨かれた円筒状の鋳造品等に相当する。

ローラー２０７、２１０、２１１、２１５、２１６、２１７、２１８、２１９、２２１、２２３、２２４、２３０の各々は、所定の速度で回転する。

次に、貼り合わせ装置の動作について説明する。

ローラー２０７が回転することにより、粘着シート２０８が送り出される。粘着シート２０８はローラー２１０、２１６、２１８を経て、ローラー２１９へ流れる。また、ローラー２０７、２１０、２１６、２１８、２１９が回転することにより、ローラー２１９自体に粘着シート２０８が巻き付けてられていく。つまり、ローラー２１９により、粘着シート２０８が回収される。

ローラー２１１が回転することにより、第１の可撓性基板２１２が送り出される。第１の可撓性基板はローラー２１５、２１７、２２４を経て、ローラー２３０へ流れる。

ローラー２２１が回転することにより、第２の可撓性基板２２２が送り出される。第２の可撓性基板２２２はローラー２２３を経て、ローラー２３０へ流れる。

また、ローラー２１５、２１６が互いに反対方向に回転することにより、第１の可撓性基板２１２に薄膜集積回路１２１が圧着される。また、ローラー２１８、２１９が互いに反対方向に回転することにより、薄膜集積回路１２１から粘着部材１２２が剥離される。また、ローラー２２３、２２４が互いに反対方向に回転することにより、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２によって、薄膜集積回路１２１を封止する。また、ローラー２３０が回転することにより、ローラー２３０自体に薄膜集積回路１２１を封止した第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を巻き付ける。つまり、ローラー２３０により、薄膜集積回路１２１を封止した第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２、即ち薄膜集積回路を有するシートを回収する。

また、貼りあわせられた第１の可撓性基板２１２、薄膜集積回路１２１、及び第２の可撓性基板２２２を巻き取る回収用のローラー２３０の代わりに、図２に示すように、切断手段２３２を有してもよい。この結果、第１の可撓性基板、及び第２の可撓性基板で封止された薄膜集積回路１２１で構成される半導体装置２３３を、個々に分断することができる。切断手段２３２は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置等を適宜用いることができる。

次に、上記構成の貼り合わせ装置を用いて薄膜集積回路を有するシート及び半導体装置を作製する工程について、説明する。

図３に示すように、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に素子形成層１０３を形成し、素子形成層１０３に粘着部材１０４を貼りあわせる。

基板１０１としては、ガラス基板、石英基板の他、金属基板、ステンレス基板、シリコンウエハー等の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。基板１０１として、ガラス基板や、金属基板、ステンレス基板の一表面に絶縁層を形成したものには、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。

剥離層１０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。

剥離層１０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

剥離層１０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。

剥離層１０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。

タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。Ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ_２）、ｘが２．５の場合（Ｗ_２Ｏ_５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ_４Ｏ_１１）、ｘが３の場合（ＷＯ_３）などがある。

また、上記の工程によると、基板１０１に接するように剥離層１０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１０２を設けてもよい。

素子形成層１０３は、絶縁層と、絶縁層上に形成される複数の薄膜集積回路で構成される。絶縁層は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素等が挙げられる。また、絶縁層を積層で形成する場合、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。また、剥離層１０２上に絶縁層を形成する前に、剥離層表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ_２Ｏプラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って酸化物層を形成してもよい。

薄膜集積回路は、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、容量素子等の素子を適宜用いて形成される。

また、薄膜集積回路は、アンテナ、整流回路、保持容量、低電圧回路等の電源回路、復調回路、クロック生成・補正回路、コード認識及び判定回路、メモリコントローラ、メモリ、符号化回路、変調回路、ＣＰＵインターフェースなどの演算処理手段（所謂ＣＰＵとしての機能を奏する。）等のいずれか複数の回路を構成する。なお、このような薄膜集積回路を有する半導体装置は、非接触でデ−タの伝送が可能な半導体装置として機能する。

また、薄膜集積回路は、画素部、走査線駆動回路、信号線駆動回路、コントロ−ラ、演算処理手段、メモリ、電源回路、音声処理回路、送受信回路、バッテリー、アンテナ、整流回路、保持容量、低電圧回路等の電源回路等のいずれか複数の回路を構成する。なお、このような薄膜集積回路を有する半導体装置は、表示装置として機能する。特に、アンテナ、整流回路、保持容量、低電圧回路等の電源回路を有することにより非接触で伝送されたデ−タの表示が可能な表示装置として機能する。

また、剥離層１０２及び素子形成層１０３として、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、代表的にはＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙｉｍｐｌａｎｔｅｄｏｘｙｇｅｎ）基板を用いても良い。代表的には、シリコンウエハーを剥離層１０２とし、シリコンウエハー上の酸化珪素層及びその上に形成される単結晶シリコンで形成されるＭＯＳトランジスタを有する層を素子形成層１０３としてもよい。この場合、図３（Ｂ）において、研削研磨装置や、エッチング剤を用いて、シリコンウエハーを除去して、剥離層１０２から素子形成層１０３を分離することができる。

また、剥離層１０２、及び素子形成層１０３として、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、代表的にはＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙｉｍｐｌａｎｔｅｄｏｘｙｇｅｎ）基板を用いても良い。代表的には、シリコンウエハーを剥離層１０２とし、シリコンウエハー上の酸化珪素層を絶縁層及びその上に形成される単結晶シリコンで形成されるＭＯＳトランジスタを有する層を素子形成層１０３としてもよい。この場合、図１（Ｂ）において、研削研磨装置や、エッチング剤を用いて、シリコンウエハーを除去して、剥離層１０２から素子形成層１０３を分離することができる。

粘着部材１０４は、光可塑型粘着フィルム、熱可塑型粘着フィルム、圧着フィルム等を用いることができる。尚、フィルムの代わりに、テープ、シート、基板等を適宜用いることができる。さらには、粘着部材の代わりに、静電気力や吸着力により素子形成層１０３の表面にテープ、シート、基板等の部材を着設してもよい。

ここでは、粘着部材１０４として、圧着フィルムを用いる。

次に、図３（Ｂ）に示すように、剥離層１０２と素子形成層１０３との間で分離し、基板１０１から素子形成層１０３を剥離する。

剥離方法として、剥離層１０２を有する基板１０１及び素子形成層１０３を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把持具で引き剥がすことや、ローラーを回転させる分離処理）である。

また、剥離方法として、基板１０１に透光性を有する基板を用い、剥離層１０２に水素を含む非晶質珪素層を用い、基板１０１側からのレーザ光を照射して剥離層１０２非晶質珪素膜に含まれる水素を気化させて、基板１０１と剥離層１０２との間で剥離する方法を用いることができる。

また、基板１０１を機械的に研磨し除去する方法や、基板１０１をＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板１０１を除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層１０２を用いなくともよい。

また、粘着部材１０４を素子形成層１０３に貼りあわせる前に、素子形成層に開口部を形成し、該開口部にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層１０２をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、素子形成層１０３に粘着部材１０４を貼りあわせて、基板１０１から素子形成層１０３を剥離する方法を用いることができる。

また、粘着部材１０４を素子形成層１０３に貼りあわせる前に、素子形成層に開口部を形成し、該開口部にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層１０２の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、素子形成層１０３に粘着部材１０４を貼りあわせて、基板１０１から素子形成層１０３を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。

ここでは、図３（Ｂ）に示すように、物理的手段により、剥離層１０２と素子形成層１０３との間で分離し、基板１０１から素子形成層１０３を剥離する。

次に、図３（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、素子形成層１０３及び粘着部材１０４を分断し、複数の薄膜集積回路１２１を形成する。なお、薄膜集積回路１２１には、分離された粘着部材１２２が付着する。

素子形成層１０３及び粘着部材１０４を分断する方法としては、レーザカット法、ダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。レーザカット法を用いる場合は、素子形成層１０３または粘着部材１０４が吸収可能なレーザ光を選択することが好ましい。素子形成層１０３及び粘着部材１０４を分断する場合、ダイシングシート上に素子形成層１０３を設置した後、上記いずれかの方法を用いて素子形成層１０３及び粘着部材１０４を分断しても良い。

ここでは、レーザ光１１１を素子形成層１０３及び粘着部材１０４に照射して、複数の薄膜集積回路１２１を形成する。

次に、図３（Ｅ）に示すように、薄膜集積回路１２１を基板１２３上に配列する。このとき、薄膜集積回路１２１が基板１２３側に面するように配列する。基板１２３は、薄膜集積回路１２１を設置することが可能なものを適宜用いればよく、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、プラスチック基板等を適宜用いることができる。さらには、基板１２３に凸状の仕切りを設けてもよい。なお、凸状の仕切りは、薄膜集積回路１２１を配列させるためのものであるため、特に基板から突出している必要はない。このため、凸状の仕切りの代わりに、格子状に配置された粘着シートを用いてもよい。

薄膜集積回路１２１を配列した基板１２３を図１に示すような、ストック室２０２にセットする。次に、ストック室２０２から移送手段２０３上に基板１２３を設ける。

次に、図４（Ａ）に示すように、ローラー２０７から送り出される粘着シート２０８に、ローラー２１０を用いて基板１２３上の薄膜集積回路１２１及び粘着部材１２２を貼り付ける。ローラー２１０の圧力、ローラー２１０と基板１２３との間隔、ローラー２１０の回転速度、移送手段２０３の移動速度を適宜調節することで、基板１２３から、粘着部材１２２を介して粘着シート２０８表面に薄膜集積回路１２１を貼り付けることができる。

粘着シート２０８の表面には、粘着層２０９が設けられている。このため、粘着層２０９に粘着部材１２２を貼り付けることができる。

なお粘着シート２０８の代わりに、粘着層を有さないシートを用いてもよい。この場合、粘着部材１２２を介して、シートに薄膜集積回路１２１を貼り付けることができる。

次に、図１及び図４（Ｂ）に示すように、ローラー２１１から送り出される第１の可撓性基板２１２と、粘着シート２０８に貼り付けられた薄膜集積回路１２１とを、一対のローラー２１５、２１６の間を通過させる。ここで、ローラー２１５、２１６による加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、第１の可撓性基板２１２に薄膜集積回路１２１を貼り付ける。一対のローラー２１５、２１６の間隔及び一対のローラー２１５、２１６の回転速度を適宜調節することで、第１の可撓性基板２１２に薄膜集積回路１２１を貼り付けることができる。

ここでは、第１の可撓性基板２１２の表面（薄膜集積回路１２１が貼り付けられる側）に、熱可塑性材料で形成される層２１４が設けられ、且つローラー２１５にヒータが設けられている。この結果、ローラー２１５内のヒータにより、第１の可撓性基板２１２表面の熱可塑性材料で形成される層２１４の一部２１３が加熱され、可塑化し接着剤として機能し、薄膜集積回路１２１を第１の可撓性基板２１２に貼り付けることが可能である。なおローラー２１５と共にローラー２１６にもヒータを設けてもよい。

第１の可撓性基板２１２としては、代表的には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板や繊維質な材料からなる紙と、熱可塑性材料で形成される層として接着性有機樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）とが、積層された基板を用いることができる。

次に、一対のローラー２１７、２１８により、薄膜集積回路１２１から粘着部材１２２を剥離する。即ち、粘着シート２０８上に貼りつけられた粘着部材１２２と、第１の可撓性基板２１２上に貼り付けられた薄膜集積回路１２１との界面において、剥離する。ここでは、それぞれローラー２１７、２１８を支点として粘着シート２０８と第１の可撓性基板２１２とが離れる方向にそれぞれを移動することで、粘着部材１２２と、薄膜集積回路１２１とを剥離することができる。また、ここでは、一対のローラー２１７、２１８は、第１の可撓性基板の熱可塑性材料で形成される層２１４で加熱された一部２１３を室温に冷却し、熱可塑性材料を硬化し、第１の可撓性基板２１２と薄膜集積回路１２１の密着性を高めている。

この結果、第１の可撓性基板２１２上に、薄膜集積回路１２１のみを貼り付けた状態となる。

次に、図１及び図４（Ｃ）に示すように、ローラー２２１から送り出される第２の可撓性基板２２２と、薄膜集積回路１２１が貼りつけられた第１の可撓性基板２１２とを、一対のローラー２２３、２２４間を通過させる。ローラー２２３、２２４により加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。この結果、薄膜集積回路１２１が貼り付けられた第１の可撓性基板２１２と、ローラー２２１に巻きつけられた第２の可撓性基板２２２とを、一対のローラー２２３、２２４により貼りつけることができる。

ローラー２２３、２２４の間隔、ローラー２２３、２２４の回転速度を適宜調節することで、薄膜集積回路１２１を第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２で貼りあわせることができる。

第１の可撓性基板２１２の表面（薄膜集積回路１２１が貼り付けられる側）に、熱可塑性材料で形成される層を設け、第２の可撓性基板２２２表面（薄膜集積回路１２１が貼り付けられる側）にも、熱可塑性材料で形成される層を設け、且つ一対のローラー２２３、２２４にヒータを設ける。この結果、一対のローラー２２３、２２４内のヒータにより、第１の可撓性基板２１２表面の熱可塑性材料で形成される層２２８の一部２２６と、第２の可撓性基板２２２の表面の熱可撓性基板材料で形成させる層２２７の一部２２５とが加熱され、可塑化し接着剤として機能する。また、一対のローラー２２３、２２４で加圧されているため、薄膜集積回路１２１を第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２に接着すると共に、薄膜集積回路１２１が無い領域では、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を接着させることが可能である。

第２の可撓性基板２２２としては、第１の可撓性基板２１２に示される基板を適宜選択することができる。

なお、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２として、ここでは、熱可塑性材料で形成される層を有する可撓性基板を用い、ローラー２１５、２２３、２２４としてヒータを有するローラーを用いたが、これに限定されない。例えば、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２として、光可塑性材料で形成される層を有する可撓性基板を用い、ローラー２１５、２２３、２２４として発光するローラーを用いてもよい。

以上の工程により、薄膜集積回路の周囲を可撓性基板で封止することができる。また、薄膜集積回路を有するシートを形成することができる。

この後、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板が接着する領域において、分断しても良い。この結果、図４（Ｄ）に示すように、周囲が可撓性基板で封止された薄膜集積回路を有する半導体装置２３１を作製することが可能である。このような半導体装置は、薄膜集積回路が外気に曝されることを回避することが可能であり、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。

次に、表面に熱可塑性材料で形成される層を有する第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２の代わりに、接着層を有する第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を用いる形態について、図５を用いて説明する。

図５（Ａ）に示すように、図４（Ｂ）で示す工程の代わりに、一対のローラー２１６、２１５により、粘着シート２０８に貼りあわせられた薄膜集積回路１２１の表面に、接着層２４１を有する第１の可撓性基板２１２を貼り付ける。この場合、一対のローラー２１６、２４５の圧着により接着層２４１に薄膜集積回路１２１を貼りあわせることが可能である。このため、ローラー２１５にヒータを設ける必要はないため、装置の簡素化が可能である。

なお、粘着シート２０８の表面（粘着部材１２２が貼り付けられる側）の粘着層２０９の粘着力または粘着部材１２２より、第１の可撓性基板２１２の表面に設けられた接着層２４１の粘着力の方が高いことが好ましい。この結果、後の工程において、薄膜集積回路１２１と粘着部材１２２の界面で剥離し、第１の可撓性基板２１２上に薄膜集積回路１２１を残存させ、粘着部材１２２を粘着シート２０８に残存させることができる。

次に、図５（Ｂ）に示すように、図４（Ｃ）で示す工程の代わりに、一対のローラー２２３、２２４によって、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を貼りあわせる。この場合、第２の可撓性基板２２２の表面に接着層２４２が設けられることが好ましい。この結果、第１の可撓性基板２１２と第２の可撓性基板２２２の接着力を高めることが可能である。なお、第２の可撓性基板２２２には接着層が設けられていなくとも、第１の可撓性基板２１２に設けられた接着層２４１によって、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を接着することが可能である。

この後、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２の接着されたを分断することで、図５（Ｃ）に示すような半導体装置２３１を作製することができる。

また、この場合、一対のローラー２２３、２２４の圧着により、接着層２４１、２４２で薄膜集積回路１２１を接着し、薄膜集積回路１２１が無い領域においては接着層２４１、２４２で第１の可撓性基板２１２に第２の可撓性基板２２２を接着することが可能である。このため、ローラー２２３、２２４にヒータを設ける必要がないため、装置の簡素化が可能である。

次に、薄膜集積回路１２１にアンテナとして機能する導電層が形成されず、第１の可撓性基板２１２または第２の可撓性基板２２２にアンテナとして機能する導電層が設けられる形態について、図５を用いて説明する。

当該形態の場合、図５において、薄膜集積回路１２１の表面に接続端子を設け、第１の可撓性基板２１２または第２の可撓性基板２２２の表面にアンテナとして機能する導電層を設け、接着層２４１または接着層２４２に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを設ける。また、薄膜集積回路１２１と、第１の可撓性基板２１２と、第２の可撓性基板２２２とを上記貼りあわせ装置を用いて貼りあわせる。

この結果、薄膜集積回路１２１の表面に設けられる接続端子と、第１の可撓性基板２１２に設けられるアンテナとして機能する導電層とを、接着層２４１に分散される導電性粒子を介して電気的に接続させた薄膜集積回路を有するシート、及び半導体装置を作製することが可能である。または、薄膜集積回路１２１の表面に設けられる接続端子と、第２の可撓性基板２２２に設けられるアンテナとして機能する導電層とを、接着層２４２に分散される導電性粒子を介して電気的に接続させた半導体装置を作製することが可能である。

異方性導電接着剤の代表例としては、分散した導電性粒子（粒径が、数ｎｍ〜数十μｍ、好ましくは３〜７μｍ程度）を含有する接着性樹脂であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成される。また、これらの元素の多層構造を有する粒子でも良い。更には、樹脂で形成された粒子の表面に、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成される薄膜が形成された導電性粒子を用いてもよい。

また、異方性導電フィルムは、上記導電性粒子が分散された接着フィルムである。なお、導電性粒子が膜厚方向に分散されている。

次に、粘着シート２０８に薄膜集積回路１２１及び粘着部材１２２を効率よく貼り付けることが可能な形態について図６を用いて説明する。なお、図６は、図１、２に示す貼りあわせ装置において、基板１２３周辺を拡大した図である。

図６に示すように、粘着部材１２２によりシート２５１に薄膜集積回路１２１を貼り付けた後、基板１２３に当該シート２５１を設置する。この場合、基板側に薄膜集積回路１２１が面させ、ローラー２１０及び粘着シート２０８側にシート２５１を面させることが好ましい。

次に、移送手段２０３を動かし、ローラー２０７、２１０を回転させて、粘着シート２０８の粘着層に薄膜集積回路１２１が貼り付けられたシート２５１を貼り付けることが可能である。この結果、ローラー２１０において粘着シート２０８がシート２５１に接する面積が増大するため、効率よく粘着シート２０８にシート２５１を貼り付けることが可能である。即ち、粘着シート２０８に効率よく薄膜集積回路１２１を貼り付けることが可能である。

このようにシート２５１用いることで、数ｍｍ角〜数十ｍｍ角程度の微小な大きさの薄膜集積回路をも粘着シート２０８に効率よく貼り付けることが可能である。

上記の貼り合わせ装置を用いて、複数の工程を連続的に行うことにより、作製時間を短縮させて、生産性を向上させながら信頼性の高い半導体装置を作製することができる。また、生産性を向上させることにより、作製費用の低減を図ることができる。

本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図９を参照して説明する。

本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。

アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。

アンテナとして２０１１の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図１０（Ａ）に示すように、方形コイル状２７１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図１０（Ｂ）に示すように方形ル−プ状２７２や円形ル−プ状とすることができる。

また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図１０（Ｃ）に示すように直線型ダイポ−ル状２７３や曲線型ダイポ−ル状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。

電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回２０２３からなる。

ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、各コード認識及び判定回路２０３３と、メモリ２０３８からデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７とを有する。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。

メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥｒａｓａｂｌｅａｎｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９を示す。

各コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄｏｆｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔｏｆｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃｒｅｄｕｎｄａｎｃｙｃｈｅｃｋ）機能も含む。

本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を図７、８を用いて説明する。

図７（Ａ）に示すように、基板９０１上に剥離層９０２を形成し、剥離層９０２上に絶縁層９０３を形成し、絶縁層９０３上に薄膜トランジスタ９０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層９０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極９０６を形成する。

ここでは、基板９０１としてはガラス基板を用いる。剥離層９０２としては、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍのタングステン層を形成する。つぎに、剥離層の表面にＮ_２Ｏプラズマを照射した後、絶縁層９０３として、厚さ２００ｎｍの酸化珪素層、厚さ５０ｎの窒化酸化珪素層、厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素層をそれぞれＣＶＤ法により順に形成する。

薄膜トランジスタ９０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極で構成される。

半導体層は、結晶構造を有する半導体層である。厚さ６６ｎｍの非晶質珪素膜に連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射して結晶構造を有する半導体膜を形成する。この後、フォトリソグラフィー工程により形成されたレジストマスクを用いて選択的に結晶構造を有する半導体膜をエッチングして、結晶構造を有する半導体層を形成する。

ゲート絶縁層としては、ＣＶＤ法により厚さ４０ｎｍの酸化珪素層を形成する。

ゲート電極としては、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル層及び厚さ３７０ｎｍのタングステン層を順にスパッタリング法を用いて積層させて形成する。

薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層９０５は、５０ｎｍの酸化窒化珪素層、厚さ１００ｎｍの窒化珪素層、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素層を、それぞれＣＶＤ法を用いて順に形成する。

ソース電極及びドレイン電極９０６は、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層をスパッタリング法により順に形成した後、フォトリソグラフィー工程により形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして形成する。

なお、薄膜トランジスタ９０４と同時に、図９に示すマスクＲＯＭ２０３９を形成することができる。マスクＲＯＭは複数のトランジスタで形成する。その際、トランジスタの例えばドレイン領域と接続する配線用のコンタクトホ−ルを開口するか開口しないかによってデ−タを書き込むことが可能であり、例えば開口する場合は１（オン）、開口しない場合は０（オフ）のデ−タ（情報）を、メモリセルに書き込むことが可能である。

層間絶縁層９０５上に形成されるフォトレジスト（図示しない。）を露光する工程において、ステッパなどの露光装置を用いてレチクル（フォトマスク）を通して露光する工程の前又は後に、上記コンタクトホ−ルが開口される領域上のフォトレジストに電子ビ−ム又はレ−ザ−を照射する。その後、通常どおり現像、エッチング、フォトレジストの剥離などの工程をおこなう。こうすることで、レチクル（フォトマスク）を交換せずに、電子ビ−ム又はレ−ザ−の照射領域を選択するのみで、上記コンタクトホ−ルを開口するパタ−ンと開口しないパタ−ンをつくり分けることができる。すなわち、電子ビ−ム又はレ−ザ−の照射領域を選択することで、製造時において、半導体装置毎に異なるデ−タが書き込まれたマスクＲＯＭを作製することが可能となる。

このようなマスクＲＯＭを用いて、製造時に半導体装置ごとの固有識別子（ＵＩＤ：ＵｎｉｑｕｅＩｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）等を形成することが可能となる。

次に、図７（Ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ９０４、層間絶縁層９０５、ソース電極及びドレイン電極９０６を覆う絶縁層９０７を形成し、絶縁層９０７を介してソース電極またはドレイン電極９０６に接続する導電層９０８を形成する。次に、導電層９０８上に厚さ５〜２０μｍの導電層９０９を形成する。

絶縁層９０７は、感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光及び現像をしてソース電極及びドレイン電極９０６の一部を露出する。次に、３００℃で加熱し焼成して厚さ１．５μｍの絶縁層９０７を形成する。導電層９０８としては、厚さ２００ｎｍのチタン層をスパッタリング法を用いた形成した後、フォトリソグラフィー工程により形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして形成する。

次に、印刷法により銀粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層９０９を形成する。なお、導電層９０８及び導電層９０９はアンテナとして機能する。

なお、導電層９０８をニッケル層で形成した後、基板をＣｕを含むメッキ液に浸して、メッキ法により導電層９０９を形成してもよい。Ａｇは高価であるので、Ｃｕを用いてメッキ法により導電層９０９を形成することで、コスト削減が可能である。

次に、図７（Ｃ）に示すように、絶縁層９０７、導電層９０８、導電層９０９上に厚さ５〜１０μｍの有機樹脂で形成される絶縁層９１１を形成し、絶縁層９１１に粘着部材９１３を貼り付ける。絶縁層９１１は封止材として機能し、外部から薄膜トランジスタ９０４への不純物の侵入を防ぐことができる。また、絶縁層９１１を設けることにより、後の剥離工程において薄膜トランジスタ９０４、アンテナとして機能する導電層９０８、９０９が形成される層において亀裂が入ることを防止することができ、歩留まりを向上させることができる。ここでは、エポキシ樹脂をスピンコート法により塗布し、１６０℃で３０分加熱して絶縁層９１１を形成する。また、粘着部材９１３としては、熱可塑性樹脂で形成されるシートを用いる。

ここでは、絶縁層９０３から絶縁層９１１までの積層体を素子形成層９１２とする。

次に、図７（Ｄ）に示すように、剥離層９０２及び絶縁層９０３の界面において分離して、剥離層９０２を有する基板９０１及び素子形成層９１２を物理的手段により剥離する。本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層９１２を剥離する方法を用いる。本実施例において、物理的手段とは、基板９０１表面に粘着層を設け固定し、粘着部材９１３にローラーを押しつけながら回転させて、ローラーに粘着部材９１３を貼り付けると共に、剥離層９０２と絶縁層９０３との間で分離させることができる。

次に、図７（Ｅ）に示すように、素子形成層９１２の薄膜集積回路が形成される領域の周辺部において、絶縁層９０３から粘着部材９１３を切断する。ここでは、分離された素子形成層９１２を薄膜集積回路９２２と示し、分離された粘着部材９１３を粘着部材９２３と示す。また、薄膜集積回路９２２と粘着部材９２３を積層体９２１と示す。

本実施例では、絶縁層９０３から粘着部材９１３の一部にレーザ光を照射して、絶縁層９０３から粘着部材９１３の一部を除去する。レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第４高調波（波長２６６ｎｍ）を照射する。

こののち、基板９３１に積層体９２１を配列させる。

次に、図１または図２に示すような、貼りあわせ装置を用いて薄膜集積回路９２２に第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板を貼りあわせる。具体的な工程を以下に示す。

図８（Ａ）に示すように、基板９３１に配列された積層体９２１を移送手段で移送する。次に、供給用のローラーから送り出される粘着シート２０８に、ローラー２１０を用いて積層体９２１を貼り付ける。粘着シート２０８の表面には粘着層２０９が形成される。ローラー２１０の圧力、ローラー２１０と基板１２３との間隔、ローラー２１０の回転速度、移送手段２０３の移動速度を適宜調節することで、粘着シート２０８表面に、積層体９２１を貼り付けることができる。

次に、図８（Ｂ）に示すように、供給用のローラーから送り出される第１の可撓性基板２１２と、粘着シート２０８に貼り付けられた積層体９２１とを、一対のローラー２１４、２１５の間を通過させる。ローラー２１４、２１５による加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、第１の可撓性基板２１２に積層体９２１を貼り付ける。

ここでは、第１の可撓性基板２１２表面（薄膜集積回路９２２が貼り付けられる側）に、熱可塑性材料で形成される層が設けられ、且つ一対のローラー２１５にヒータが設けられている。この結果、一対のローラー２１５内のヒータにより、第１の可撓性基板２１２表面の熱可塑性材料で形成される層の一部２１３が加熱され、可塑化し接着剤として機能し、積層体９２１を第１の可撓性基板２１２に貼り付けることが可能である。

次に、一対のローラー２１７、２１８により、積層体９２１の薄膜集積回路９２２から粘着部材９２３を剥離する。即ち、粘着シート２０８上に貼りつけられた粘着部材９２３と、第１の可撓性基板２１２上に貼り付けられた薄膜集積回路９２２との界面において、剥離する。ここでは、それぞれローラー２１７、２１８を支点として粘着シート２０８と第１の可撓性基板２１２とが離れる方向にそれぞれを移動することで、粘着部材９２３と、薄膜集積回路９２２とを剥離することができる。また、ここでは、一対のローラー２１７、２１８は、第１の可撓性基板の熱可塑性材料を室温に冷却し、熱可塑性材料を硬化して、第１の可撓性基板２１２と薄膜集積回路９２２の密着性を高めている。

この結果、第１の可撓性基板２１２上に、薄膜集積回路９２２のみを貼り付けた状態となる。

次に、図８（Ｃ）に示すように、供給用ローラーから送り出される第２の可撓性基板２２２と、薄膜集積回路９２２が貼りつけられた第１の可撓性基板２１２とを、一対のローラー２２３、２２４間を通過させる。ローラー２２３、２２４により加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。この結果、薄膜集積回路９２２が貼り付けられた第１の可撓性基板２１２と、供給用ローラーから送り出される第２の可撓性基板２２２とを、一対のローラー２２３、２２４により貼りつけることができる。

第２の可撓性基板２２２表面（薄膜集積回路９２２が貼り付けられる側）に、熱可塑性材料で形成される層を設け、且つ一対のローラー２２３、２２４にヒータを設けてもよい。この結果、一対のローラー２２３、２２４内のヒータにより、第１の可撓性基板２１２表面の熱可塑性材料で形成される層２４１の一部９２６と、第２の可撓性基板２２２の表面の熱可撓性基板材料で形成させる層２４２の一部９２５とが加熱され、可塑化し接着剤として機能する。また、一対のローラー２２３、２２４で加圧されているため、薄膜集積回路９２２を第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２に接着すると共に、薄膜集積回路９２２が無い領域では、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２を接着させることが可能である。

第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２としては、熱可塑性樹脂層を有するＰＥＴフィルムを用いる。

また、第１の可撓性基板２１２及び第２の可撓性基板２２２が接着する領域を分断することにより、非接触でデータの伝送が可能であり、且つ信頼性の高い半導体装置を作製することができる。

上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１１（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１１（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１１（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図１１（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図１１（Ｅ）、図１１（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。

本実施例の半導体装置２０は、プリント基板に実装したり、表面に貼ったり、埋め込んだりして、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置２０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置２０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。

貼り合わせ装置を示した断面図である。貼り合わせ装置を示した断面図である。半導体装置の作製工程を示した断面図である。半導体装置の作製工程を示した断面図である。半導体装置の作製工程を示した断面図である。貼り合わせ装置を示した断面図である。半導体装置の作製工程を示した断面図である。半導体装置の作製工程を示した断面図である。半導体装置の構造を示した図である。アンテナの構造を示した図である。半導体装置の応用例を示した図である。半導体装置の構造を示した断面図である。

Claims

基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に、前記粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面及び前記第１の可撓性基板に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着し、
前記第１の可撓性基板及び前記第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に、前記粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面及び前記第１の可撓性基板に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着し、
前記第１の可撓性基板、前記第１の接着層、前記第２の接着層、及び前記第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
一対の第１のローラーを用いて前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項５において、
前記一対の第１のローラーの一方には、ヒータが設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
一対の第２のローラーを用いて前記粘着部材を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
一対の第３のローラーを用いて前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項８において、
前記一対の第３のローラーの一方には、ヒータが設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記複数の素子形成層は、薄膜集積回路を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。