JP2003347522A5 - - Google Patents

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Claims (4)

  1. 第1半導体基板および第2半導体基板を含む複数の半導体基板を前記第1半導体基板の結晶方位と前記第2半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第3半導体基板、
    前記第3半導体基板上に形成された絶縁層、
    前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
    前記半導体層に形成された半導体素子、
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  2. 第1半導体基板と前記第1半導体基板の酸素濃度より高い酸素濃度を有する第2半導体基板とを含む複数の半導体基板を前記第1半導体基板の結晶方位と前記第2半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第3半導体基板、
    前記第3半導体基板上に形成された絶縁層、
    前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
    前記半導体層に形成された半導体素子、
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  3. FZ法によって形成された第1半導体基板とCZ法によって形成された第2半導体基板とを含む複数の半導体基板を前記第1半導体基板の結晶方位と前記第2半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第3半導体基板、
    前記第3半導体基板上に形成された絶縁層、
    前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
    前記半導体層に形成された半導体素子、
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  4. 第1半導体基板および前記第1半導体基板の酸素濃度より高い酸素濃度を有する第2半導体基板を含む複数の半導体基板を用意する工程、
    前記第1半導体基板の結晶方位と前記第2半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように前記複数の半導体基板を貼り合わせることにより第3半導体基板を形成する工程
    記第3半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
    前記絶縁膜上に半導体層を形成する工程、および、
    前記半導体層に半導体素子を形成する工程、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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FR2856192B1 (fr) * 2003-06-11 2005-07-29 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de structure heterogene et structure obtenue par un tel procede
JP2007012897A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4648134B2 (ja) * 2005-09-02 2011-03-09 大日本印刷株式会社 Soi基板、荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスク
JP5107539B2 (ja) * 2006-08-03 2012-12-26 新光電気工業株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4888276B2 (ja) * 2007-08-09 2012-02-29 三菱電機株式会社 半導体ウエハ装置
JP5665599B2 (ja) * 2011-02-24 2015-02-04 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
FR2985369B1 (fr) * 2011-12-29 2014-01-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure multicouche sur un support
US9331153B2 (en) * 2013-12-13 2016-05-03 Raytheon Company Methods and structures for forming microstrip transmission lines on thin silicon on insulator (SOI) wafers
JP6617718B2 (ja) * 2014-12-10 2019-12-11 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板処理方法

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