JP2015032690A - 積層ウェーハの加工方法 - Google Patents
積層ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015032690A JP2015032690A JP2013161277A JP2013161277A JP2015032690A JP 2015032690 A JP2015032690 A JP 2015032690A JP 2013161277 A JP2013161277 A JP 2013161277A JP 2013161277 A JP2013161277 A JP 2013161277A JP 2015032690 A JP2015032690 A JP 2015032690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- laminated
- laminated wafer
- modified
- separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Abstract
【解決手段】第二ウェーハ(13)上に第一ウェーハ(11)を積層させて積層ウェーハ(17)を形成する積層ウェーハ形成ステップ(ST3)と、該積層ウェーハ形成ステップを実施する前または後に、第一ウェーハの内部にレーザービーム(L)の集光点(L1)を位置付けてレーザービームを照射しつつ集光点に対して第一ウェーハを水平方向に相対移動させて該第一ウェーハの内部に改質面(11c)を形成する改質面形成ステップ(ST5)と、積層ウェーハ形成ステップと改質面形成ステップとを実施した後、改質面を境界に第一ウェーハの一部を積層ウェーハから分離する分離ステップ(ST6)と、を備える構成とした。
【選択図】図3
Description
11a 表面
11b 裏面
11c 改質面
13 第二ウェーハ
13a 表面
13b 裏面
15 酸化膜
17 積層ウェーハ
19 半導体膜
19a 分離面
21 分離ウェーハ
21a 分離面
2 加工装置
4 チャックテーブル
4a 保持面
6 レーザービーム照射機構
8 分離機構
8a 吸着面
10 研磨機構
12 スピンドル
14 マウント
16 研磨パッド
L レーザービーム
L1 集光点
ST1 ウェーハ準備ステップ
ST2 絶縁膜形成ステップ
ST3 積層ウェーハ形成ステップ
ST4 熱処理ステップ
ST5 改質面形成ステップ
ST6 分離ステップ
ST7a 第一改質領域除去ステップ(改質領域除去ステップ)
ST8b 第二改質領域除去ステップ
Claims (3)
- 第二ウェーハ上に第一ウェーハが積層された積層ウェーハの加工方法であって、
第二ウェーハ上に第一ウェーハを積層させて積層ウェーハを形成する積層ウェーハ形成ステップと、
該積層ウェーハ形成ステップを実施する前または後に、該第一ウェーハの内部にレーザービームの集光点を位置付けて該レーザービームを照射しつつ該集光点に対して該第一ウェーハを水平方向に相対移動させて該第一ウェーハの内部に改質面を形成する改質面形成ステップと、
該積層ウェーハ形成ステップと該改質面形成ステップとを実施した後、該改質面を境界に該第一ウェーハの一部を該積層ウェーハから分離する分離ステップと、を備えたことを特徴とする積層ウェーハの加工方法。 - 前記改質面は所定の厚みを有し、
前記分離ステップを実施した後、該積層ウェーハの該改質面側に研削、研磨、エッチングの少なくともいずれかを施して該積層ウェーハに残存する改質領域を除去する改質領域除去ステップを更に備えたことを特徴とする請求項1に記載の積層ウェーハの加工方法。 - 前記分離ステップで該積層ウェーハから分離された該第一ウェーハの一部は、第三ウェーハ上に積層されて積層ウェーハを構成することを特徴とする請求項1または2に記載の積層ウェーハの加工方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013161277A JP2015032690A (ja) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 積層ウェーハの加工方法 |
TW103123328A TW201511104A (zh) | 2013-08-02 | 2014-07-07 | 積層晶圓之加工方法 |
US14/445,608 US9543189B2 (en) | 2013-08-02 | 2014-07-29 | Laminated wafer processing method |
KR1020140097017A KR20150016115A (ko) | 2013-08-02 | 2014-07-30 | 적층 웨이퍼의 가공 방법 |
DE102014215187.2A DE102014215187B4 (de) | 2013-08-02 | 2014-08-01 | Verfahren zum Bearbeiten eines geschichteten Wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013161277A JP2015032690A (ja) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 積層ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015032690A true JP2015032690A (ja) | 2015-02-16 |
Family
ID=52342163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013161277A Pending JP2015032690A (ja) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 積層ウェーハの加工方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9543189B2 (ja) |
JP (1) | JP2015032690A (ja) |
KR (1) | KR20150016115A (ja) |
DE (1) | DE102014215187B4 (ja) |
TW (1) | TW201511104A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019239892A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、改質装置及び基板処理システム |
JP2020136442A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法 |
JPWO2020213479A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ||
WO2021010284A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2022002312A (ja) * | 2018-04-27 | 2022-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
KR20220032081A (ko) | 2019-07-10 | 2022-03-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 분리 장치 및 분리 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6472347B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353152A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
WO2011070855A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2012038932A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法 |
JP2013149717A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
JP3809733B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
JP2001015721A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Canon Inc | 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法 |
US6323108B1 (en) * | 1999-07-27 | 2001-11-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication ultra-thin bonded semiconductor layers |
JP2005311199A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
JP5384284B2 (ja) | 2009-10-09 | 2014-01-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5875122B2 (ja) | 2011-02-10 | 2016-03-02 | 信越ポリマー株式会社 | 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材 |
-
2013
- 2013-08-02 JP JP2013161277A patent/JP2015032690A/ja active Pending
-
2014
- 2014-07-07 TW TW103123328A patent/TW201511104A/zh unknown
- 2014-07-29 US US14/445,608 patent/US9543189B2/en active Active
- 2014-07-30 KR KR1020140097017A patent/KR20150016115A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-08-01 DE DE102014215187.2A patent/DE102014215187B4/de active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353152A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
WO2011070855A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2012038932A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法 |
JP2013149717A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022002312A (ja) * | 2018-04-27 | 2022-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP7149393B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JPWO2019239892A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2021-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、改質装置及び基板処理システム |
CN112236842A (zh) * | 2018-06-12 | 2021-01-15 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法、改性装置以及基板处理系统 |
WO2019239892A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、改質装置及び基板処理システム |
JP7085623B2 (ja) | 2018-06-12 | 2022-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP2020136442A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法 |
JP7221076B2 (ja) | 2019-02-18 | 2023-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法 |
JPWO2020213479A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ||
JP7129558B2 (ja) | 2019-04-19 | 2022-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
KR20220032081A (ko) | 2019-07-10 | 2022-03-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 분리 장치 및 분리 방법 |
WO2021010284A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPWO2021010284A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | ||
KR20220035442A (ko) | 2019-07-18 | 2022-03-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 및 처리 방법 |
JP7344965B2 (ja) | 2019-07-18 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150037962A1 (en) | 2015-02-05 |
TW201511104A (zh) | 2015-03-16 |
US9543189B2 (en) | 2017-01-10 |
KR20150016115A (ko) | 2015-02-11 |
DE102014215187A1 (de) | 2015-02-05 |
DE102014215187B4 (de) | 2024-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015032690A (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
TWI240965B (en) | Semiconductor wafer dividing method and apparatus | |
JP6454606B2 (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
JP5967211B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP6396852B2 (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
TWI595561B (zh) | Method of manufacturing hybrid substrate and hybrid substrate | |
JP6396853B2 (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
JP2007165769A (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
JP6168143B2 (ja) | ハイブリッド基板の製造方法 | |
JP2009033123A5 (ja) | ||
JP6049571B2 (ja) | 窒化物半導体薄膜を備えた複合基板の製造方法 | |
JP6007688B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013089722A (ja) | 透明soiウェーハの製造方法 | |
TW201901789A (zh) | 晶圓加工方法 | |
JPWO2014017368A1 (ja) | Sos基板の製造方法及びsos基板 | |
JP2011151070A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012038932A (ja) | 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法 | |
JP2019009191A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2008235776A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP6710463B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
WO2023032833A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2022191043A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2010135662A (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
JP2018014458A (ja) | 円形基板の製造方法 | |
JP2009289809A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171003 |