JP2009152569A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性に優れた、太陽電池に代表される光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板に接合させた単結晶半導体層の表面にパルスレーザビームを照射して、該単結晶半導体層の表面を凹凸化させることを要旨とする。支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。結晶半導体層の表面に凹凸構造があることにより光の反射が押さえられ、入射した光を閉じ込める効果を奏する。それにより、単結晶半導体層の厚さが、０．１μｍ〜１０μｍ以下であっても入射光の光路長が実質的に増大し、光の吸収量を増やすことができる。
【選択図】図２

Description

単結晶又は多結晶半導体を用いた光電変換装置の製造方法に関する。
太陽電池の全世界生産量は、２００５年において１，７５９ＭＷが報告されており、対前年度比で１４７％の増加である。この太陽電池の生産量の大部分は、単結晶シリコン太陽電池又は多結晶シリコン太陽電池で占められている。
シリコン半導体は、太陽電池産業だけでなく、メモリやマイクロプロセッサーなどの半導体産業でも広く使われる資源である。そのため、太陽電池の生産量が年々増加するにつれ、シリコンの原料である多結晶シリコンの供給不足と、それによるシリコンウエハの価格の高騰が産業界の問題となっている。
ところで、シリコンを材料とする結晶系太陽電池は、太陽光を吸収するために１０μｍ程度の厚さがあれば十分であるが、実際のシリコンウエハは２００μｍから３００μｍ程度の厚さを有している。つまり、結晶系太陽電池では光電変換に必要な厚さよりも１０倍以上厚く形成されていることになり、シリコンウエハを有効利用しているとは言い難い状況にある。極端に言えば、シリコンウエハの殆どは太陽電池の形状を維持するための構造体として機能しているにすぎない。
上記のように、十分厚いシリコンウエハを使いながらも、結晶系太陽電池では入射光を有効利用するために光閉じこめ用の表面凹凸構造が設けられている。表面凹凸構造は、ＮａＯＨ、ＫＯＨなどアルカリ溶液のエッチング速度がシリコンの結晶面方位によって違う性質を利用して形成している。しかし、アルカリ溶液のエッチングでは理想的な表面凹凸構造を形成するのは難しいことから、レーザ加工技術と化学エッチングを組み合わせた方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−２５８２８５号公報
上記のように、太陽電池の生産量は、原材料である多結晶シリコンの生産量に律速されている。すなわち、生産能力に余裕があっても、原材料が足りなくなって、供給が需要に追いつかないといった問題が顕在化している。或いは、シリコンウエハの調達コストが増大して、太陽電池の生産工場の収益を悪化させることが問題となっている。
このような状況に鑑み、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性に優れた、太陽電池に代表される光電変換装置の製造方法を提供することを目的の一とする。
本発明は光電変換装置に係り、支持基板に接合させた単結晶半導体層の表面にパルスレーザビームを照射して、該単結晶半導体層の表面を凹凸化させることを要旨とする。
この光電変換装置の製造方法には、次に示す処理が含まれている。一面に一導電型の第１不純物半導体層、該第１不純物半導体層に接する電極、及び質量が水素分子よりも重い水素のクラスターイオンを７０％以上含むイオンビームを一面から注入することによって形成される損傷層を有する単結晶半導体基板と、絶縁表面を有する支持基板と、を接合層を介して接着する。熱処理を行い、損傷層を劈開させ、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離し、支持基板上に単結晶半導体層を残存させる。単結晶半導体層の劈開面に、不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。単結晶半導体層の劈開面側に、一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成する。
その後、第２不純物半導体層の上に、一導電型の第３不純物半導体層、非単結晶半導体層及び一導電型とは逆の導電型の第４不純物半導体層を堆積する場合も含む。
本発明によれば、支持基板上に接合した単結晶半導体層に、酸素を含む雰囲気中でレーザビームを照射することにより、該単結晶半導体層の表面を凹凸化することができる。それにより、単結晶半導体層の表面反射率を低減することができる。この単結晶半導体層を光電変換層とすることで、光閉じ込め効果が発揮され、変換効率を向上させることができる。
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
（実施形態１）
単結晶半導体基板から薄い単結晶半導体層を分離して、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁性の支持基板に該単結晶半導体層を転置して光電変換装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
図１は本形態に係る光電変換装置１０の平面図を示す。この光電変換装置１０は、支持基板１０１上に固着された単結晶半導体層１０６に光が入射することで光電効果を発現する。単結晶半導体層１０６には、内蔵電界を形成するための不純物半導体層が形成されている。単結晶半導体層１０６としては、代表的には単結晶シリコンが適用される。また、単結晶半導体層１０６に代えて多結晶半導体層を適用することができる。この場合、多結晶シリコンが適用される。
図１では、単結晶半導体層１０６の表面側に、網状の第２補助電極１１４が設けられ、裏面側に第１電極（平面図では表示されない）が設けられている。第１補助電極１１３は裏面に設けられる第１電極と接続する電極である。本形態の光電変換装置１０は、絶縁表面を有する支持基板１０１に単結晶半導体層１０６が接着される構成なので、正極とそれに対する負極の電極は、支持基板１０１の同じ面に配設されている。
図１のＡ−Ｂ切断線に対応する光電変換装置１０の断面構造を図２に示す。図２は、支持基板１０１に単結晶半導体層１０６が接合された光電変換装置を示す。支持基板１０１は絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板であり、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板が適用される。
支持基板１０１と単結晶半導体層１０６の間には絶縁層１０２が設けられている。絶縁層１０２と単結晶半導体層１０６の間には第１電極１０３が設けられている。絶縁層１０２は支持基板１０１と接合しており、さらに第１電極１０３と密着していることにより、単結晶半導体層１０６が支持基板１０１上に固定される。絶縁層１０２は、支持基板１０１と接合するために、平滑面を有し親水性表面を有している絶縁膜で形成される。
単結晶半導体層１０６は、代表的には単結晶シリコンが適用される。また、単結晶半導体層に代えて多結晶半導体層（代表的には多結晶シリコン）を適用することもできる。一導電型の第１不純物半導体層１０７と、一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層１０８は、所定の元素を単結晶半導体層１０６に添加することにより形成される。第１不純物半導体層１０７をｐ型とする場合、第２不純物半導体層１０８はｎ型であり、その逆の選択も可能である。ｐ型不純物元素としては硼素などの元素周期表第１３族の元素が適用され、ｎ型不純物元素としてはリン、砒素など元素周期表第１５族の元素が適用される。不純物元素の添加は、イオン注入若しくはイオンドーピングで行うことができる。本明細書では、イオン注入とはイオン化したガスを質量分離して半導体に注入する方式を指し、イオンドーピングとはイオン化したガスを質量分離せず半導体に注入する方式をいう。
単結晶半導体層１０６に第１不純物半導体層１０７と第２不純物半導体層１０８を形成することにより内蔵電界が形成され、光照射により起電力を発生させることができる。すなわち、単結晶半導体層１０６に第１不純物半導体層１０７と第２不純物半導体層１０８でユニットセル（以下、第１ユニットセル１０４ともいう）を形成していることになる。なお、単結晶半導体層１０６にｐ型若しくはｎ型の単結晶半導体が適用される場合、第１不純物半導体層１０７は省略することが可能である。
単結晶半導体層１０６は単結晶半導体基板を薄片化して形成される。例えば、単結晶半導体基板として単結晶シリコンウエハを用い、所定の深さに水素イオンを高濃度に注入し、その後、熱処理を行って表層の単結晶シリコン層を分離する水素イオン注入分離法で単結晶半導体層１０６を形成する。また、ポーラスシリコン上に単結晶半導体をエピタキシャル成長させた後、ポーラスシリコン層をウオータージェットで劈開して分離する方法を適用しても良い。単結晶半導体基板として、代表的には単結晶シリコンウエハが適用される。単結晶半導体層１０６の厚さは０．１μｍ以上、１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下とする。単結晶半導体層１０６として単結晶シリコン半導体を適用する場合には、エネルギーギャップが１．１２ｅＶであり、間接遷移型の半導体であることから、太陽光を吸収するためにはこのような厚さが要求される。
単結晶半導体層１０６の表面は凹凸構造を有している。この凹凸構造は、最大高低差（Ｐ−Ｖ）で３００ｎｍ〜５００ｎｍの値を有している。なお、ここでいう山谷の最大高低差とは、山頂と谷底の高さの差を示す。また、ここでいう山頂と谷底とはＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている「山頂」「谷底」を三次元に拡張したものであり、山頂とは指定面の山において最も標高の高いところ、谷底とは指定面の谷において最も標高の低いところと表現される。この単結晶半導体層１０６の表面における凹凸構造は、酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射することにより調整されている。
第１電極１０３は、単結晶半導体層１０６の周辺端部領域で第１補助電極１１３と接触し、第２補助電極１１４は第２不純物半導体層１０８と接触している。この構成により、単結晶半導体層１０６の凹凸構造を有する面から光が入射することにより、第１電極１０３（第１補助電極１１３）と第２補助電極１１４の間に起電力が発生する。このとき、単結晶半導体層１０６の表面に凹凸構造があることにより光の反射が押さえられ、単結晶半導体層１０６に入射した光を閉じ込める効果を奏する。それにより、単結晶半導体層１０６の厚さが、０．１μｍ以上、１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下であっても入射光の光路長が実質的に増大し、光の吸収量を増やすことができる。すなわち、単結晶半導体層１０６に形成された凹凸構造は、光電変換装置１０の変換効率を向上させる作用を奏する。
図３はタンデム型光電変換装置２０を示す。図２で示す第１ユニットセル１０４上に第２ユニットセル１０５を積層したものである。第２ユニットセル１０５は、非単結晶半導体層１０９を用いて作製される。非単結晶半導体層１０９は、代表的には非晶質半導体である非晶質シリコンが適用される。また、非晶質シリコンに代えて非晶質シリコンゲルマニウムを適用してもよいし、非単結晶半導体層１０９に微結晶半導体層（代表的には微結晶シリコン）を適用することも可能である。一導電型の第３不純物半導体層１１０と、一導電型とは逆の導電型の第４不純物半導体層１１１は所定の不純物元素を含んで形成された非晶質半導体層又は微結晶半導体層で作製される。代表的には、所定の不純物元素を含んだ非晶質シリコン又は微結晶シリコンであり、その他、所定の不純物元素を含んだ非晶質シリコンカーバイトが適用される。第３不純物半導体層１１０をｐ型とする場合、第４不純物半導体層１１１はｎ型であり、その逆の選択も可能である。
非単結晶半導体層１０９は、半導体材料ガスを含む反応性ガスを電磁エネルギーにより分解して形成する。半導体材料ガスとしては、シラン若しくはジシランに代表されるシリコンの水素化物であり、その他シリコンのフッ化物又はシリコンの塩化物によるガスを用いる。このような半導体材料ガス、又は半導体材料ガスに水素、不活性ガスを混合して反応性ガスとして用いる。非単結晶半導体層１０９は、この反応性ガスを用い、電磁エネルギーとして、１０ＭＨｚから２００ＭＨｚの高周波電力を印加して薄膜の形成を行うプラズマＣＶＤ法により形成する。電磁エネルギーとしては、高周波電力に代えて１ＧＨｚから５ＧＨｚ、代表的には２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力を印加しても良い。第３不純物半導体層１１０及び第４不純物半導体層１１１も同様にプラズマＣＶＤ法で形成されるものであり、前記した反応性ガスに、ｐ型化する場合には不純物としてジボランを、ｎ型化する場合には不純物としてフォスフィンを添加して成膜を行う。非単結晶半導体層１０９として、代表的には非晶質シリコン層が適用される。非単結晶半導体層１０９の厚さは５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とする。非単結晶半導体層１０９として非晶質シリコン半導体を適用する場合には、エネルギーギャップが１．７５ｅＶであり、この厚さにすることで、６００ｎｍよりも短い波長領域の光を吸収して光電変換することができる。
第２ユニットセル１０５の非単結晶半導体層１０９において、微結晶半導体層（代表的には微結晶シリコン層）を適用することもできる。微結晶半導体層を形成するために用いられる代表的な半導体材料ガスは、シラン（ＳｉＨ４）であり、その他にもジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）が適用される。また、シラン（ＳｉＨ４）にジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）、テトラフルオロシラン（ＳｉＦ４）などを適宜混合して用いても良い。この半導体材料ガスを水素若しくはフッ素、水素若しくはフッ素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることで微結晶半導体層をプラズマＣＶＤ法で作製する。希釈率は１０倍〜３０００倍の範囲で半導体材料ガスを希釈することが好ましい。成膜は、概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの減圧下で生成されるグロー放電プラズマで成膜が行われる。プラズマを形成するための電力は１０ＭＨｚから２００ＭＨｚの高周波電力又は、高周波電力に代えて１ＧＨｚから５ＧＨｚ、代表的には２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力が印加される。また、半導体材料ガス中に、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）などの炭化物気体、ゲルマン（ＧｅＨ４）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などのゲルマニウム化気体を混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。微結晶半導体層は格子歪みを有し、該格子歪みにより光学特性が、単結晶シリコンの間接遷移型から直接遷移型に変化する。少なくとも１０％の格子歪みにより、光学特性が直接遷移型に変化するが、局部的な歪みが存在することにより、直接遷移と間接遷移の混在した光学特性を呈する。微結晶シリコン層では、エネルギーギャップが概略１．４５ｅＶであり、単結晶シリコンよりもエネルギーギャップが広がるので、６００ｎｍよりも短い波長領域の光を吸収して光電変換することができる。
本形態の光電変換装置は、第２電極１１２側から光を入射する構成である。第２電極１１２は、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化亜鉛などの透明導電材料を用いて形成する。第１電極１０３は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルから選択された金属材料で形成する。また、第１電極１０３は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタルの窒化物層を有し、該窒化物層が第１不純物半導体層１０７と接触する構成とする。半導体層と金属層の間に金属窒化物を介在させることにより、密着性を向上させることができる。
第２ユニットセル１０５は、単結晶半導体層１０６の凹凸表面上に形成されることにより、その凹凸構造の影響を受けて、第２電極１１２の表面も凹凸化される。第２電極１１２の表面が凹凸化されていることにより、入射光の反射が低減する。すなわち、光入射側から下層に位置する単結晶半導体層１０６の凹凸構造と互いに作用しあって、第１ユニットセル１０４と第２ユニットセル１０５に光閉じ込め効果を発現させることができる。この効果により、タンデム型光電変換装置２０の変換効率を向上させることができる。
図４は、エネルギーギャップ１．１２ｅＶの単結晶半導体層１０６を有する第１ユニットセル１０４と、エネルギーギャップ１．７５ｅＶの非単結晶半導体層１０９を有する第２ユニットセル１０５を用いた場合のエネルギーバンド図を示す。光入射側にエネルギーギャップの広い非単結晶半導体層１０９を有する第２ユニットセル１０５が位置しており、その後方にエネルギーギャップの狭い単結晶半導体層１０６を有する第１ユニットセル１０４が配置している。なお、第１不純物半導体層１０７と第３不純物半導体層１１０はｐ型半導体、第２不純物半導体層１０８と第４不純物半導体層１１１はｎ型半導体の場合を示している。
図４のバンドモデル図で示すように光を吸収して励起された電子はｎ型半導体側に流れ、ホールはｐ型半導体側に流れる。その結果、第１ユニットセル１０４と第２ユニットセル１０５の接続部では、第１ユニットセル１０４側の電子及び第２ユニットセル側のホールがトラップされる形になる。この場合、第２不純物半導体層１０８と第３不純物半導体層１１０の接合界面に再結合中心が形成されるようにして、この接合界面で再結合電流が流れるようにする。第２不純物半導体層１０８は単結晶半導体であり、その上に第３不純物半導体層１１０として、非晶質半導体層又は微結晶半導体層をプラズマＣＶＤ法などで堆積することにより、接合界面で再結合電流が流れるような接合を形成することができる。
図３のタンデム型の光電変換装置によれば、単結晶半導体層１０６で形成される第１ユニットセル１０４をボトムセルとして用いることで、８００ｎｍ以上の長波長光の吸収をして光電変換することが可能となり、光電変換効率の向上に寄与する。この場合、単結晶半導体層１０６が１０μｍ以下と薄層化されていることにより、光生成キャリアの再結合による損失を低減することができる。この場合において、光入射側から下層に位置する単結晶半導体層１０６の凹凸構造と互いに作用しあって、第１ユニットセル１０４と第２ユニットセル１０５に光閉じ込め効果を発現させることができる。この効果により、タンデム型光電変換装置２０の変換効率を向上させることができる。
（実施形態２）
次に、実施の形態１において示す図１のＡ−Ｂ切断線に対応する断面構造として、図２の場合を前提として光電変換装置１０の製造方法について説明する。
図５（Ａ）に示す半導体基板１１５は円形の単結晶半導体基板より略四辺形に切り出されたものである。半導体基板１１５は、代表的には単結晶シリコンであって、表面が鏡面研磨されたものが好ましい。保護膜１１６は酸化シリコン又は窒化シリコンで形成することが好ましく化学気相成長法により形成する。
半導体基板１１５の一面に一導電型の第１不純物半導体層１０７を形成する。例えば、一導電型の不純物として硼素を添加して、第１不純物半導体層１０７をｐ型に形成する。第１不純物半導体層１０７は、本形態の光電変換装置において、光入射側と反対側の面に配置され、裏面電界（ＢＳＦ：Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）を形成する。硼素の添加は、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、三フッ化硼素（ＢＦ３）をソースガスとして、生成されたイオンを質量分離しないで電界で加速して、生成されるイオン流を基板に照射するイオンドーピング装置を用いて行う。
図５（Ｂ）は、保護膜１１６を除去して、第１不純物半導体層１０７上に第１電極１０３を形成している。第１電極１０３は耐熱性金属で形成することが好ましい。耐熱性金属としては、チタン、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属材料が適用される。これらの金属材料の窒化物を第１不純物半導体層１０７に接して形成し、さらに該金属層を積層して第１電極１０３を二層構造としても良い。金属窒化物を形成することで、第１電極１０３の密着性を向上させることができる。第１電極１０３は真空蒸着法又はスパッタリング法で形成する。
図５（Ｃ）は、第１電極１０３が形成された面から、水素イオンを含むイオンビームを半導体基板１１５に照射して、損傷層１１７を形成する段階を示している。水素イオンは、好ましくはＨ３ ＋に代表されるようなクラスターイオンを打ち込んで、表面から一定の深さの領域に損傷層１１７を形成する。損傷層１１７の深さは、イオンの加速エネルギーによって制御される。損傷層１１７の深さにより半導体基板１１５から分離される単結晶半導体層の厚さが決まるので、クラスターイオンを加速する電界強度はそのことを考慮して決められる。損傷層１１７は半導体基板１１５の表面から１０μｍ未満の深さ、すなわち５０ｎｍ以上１００００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍから５０００ｎｍの深さに損傷層を形成することが好ましい。第１電極１０３を通してクラスターイオンを半導体基板１１５に打ち込むことで、イオンの照射により表面が損傷を受けてしまうことを防止することができる。
水素イオンであるＨ３ ＋イオンに代表されるようなクラスターイオンの注入は、水素プラズマを生成し、該プラズマ中に生成されるイオンを質量分離せず、そのまま電界で加速することにより注入するイオンドーピング装置を用いて行うことができる。イオンドーピング装置を用いることにより、面積の大きい半導体基板１１５に対しても容易に行うことができる。
図９は、イオンドーピング装置の構成を示す。イオン源２００では質量の異なる複数種のイオンが生成される。イオン源２００にはガス供給部２０４から水素等の所定のガスが供給される。イオン源２００に水素等が導入された後、イオン源２００のフィラメント２０１に電圧を印加してアーク放電を発生させる。これにより、水素がイオン化して、質量の異なる複数種のイオンが生成される。
イオン源２００で生成されたイオンは、引出し電極系２０５によってイオンビームを形成する。イオンビームは載置台２０６に置かれた半導体基板１１５に照射される。イオンビームに含まれるイオン種の割合は載置台２０６の近傍に設けられた質量分析管２０７によって計量される。質量分析管２０７によって計数されたイオン密度は質量分析計２０８で信号変換され、その結果を電源制御部２０３にフィードバックさせるようにしても良い。電源制御部２０３はイオン密度の計数結果に従って、フィラメント電源２０２を制御することができる。
ガス供給部２０４から供給された水素等のガスは、イオンドーピング装置のチャンバー内を流れる。イオン源２００に供給された水素は、式（１）の反応によりイオン化する。
Ｈ２＋ｅ− → Ｈ２ ＋＋２ｅ− −Ｑ （Ｑ＝１５．３９ｅＶ） （１）
イオンドーピング装置のチャンバー内の圧力は１×１０−２Ｐａから１×１０−１Ｐａであり、電離度があまり高くないことからＨ２ ＋イオンより原料ガスであるＨ２が多く存在している。従って、イオン源で生成されたＨ２ ＋イオンは、引出し電極系２０５で引き出されるまでにＨ２と反応し、式（２）の反応が起こる。
Ｈ２ ＋＋Ｈ２ → Ｈ３ ＋＋Ｈ ＋Ｑ （Ｑ＝１．４９ｅＶ） （２）
Ｈ３ ＋は、Ｈ＋及びＨ２ ＋よりも安定な分子として存在するため、Ｈ２と衝突する割合が高ければＨ３ ＋が多量に生成されることになる。このことは、質量分析管２０７を用いて載置台２０６に照射されるイオンビームの質量分析結果を見れば明らかである。イオン種Ｈ＋、Ｈ２ ＋、Ｈ３ ＋の総量に対してＨ３ ＋イオンの割合は７０％以上となっている。それにより、クラスターイオンであるＨ３ ＋を多量に発生させたイオンビームを基板に照射することで、Ｈ＋、Ｈ２ ＋を注入するよりも水素原子の注入効率が向上し、ドーズ量が少なくても水素を半導体基板１１５に高濃度に注入することができる。
クラスターイオンとしてＨ３ ＋の割合を高めておくことで、損傷層１１７には１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の水素を含ませることが可能である。半導体基板１１５に形成される損傷層１１７は結晶構造が失われ微小な空孔が形成され、多孔質構造となっている。そのため、比較的低温（６００℃以下）の熱処理によって損傷層１１７に形成された微小な空洞の体積変化が起こり、損傷層１１７に沿って単結晶半導体層を分離することができる。
図５（Ｄ）は、第１電極１０３上に絶縁層１０２を形成する段階を示す。絶縁層１０２は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜で形成する。絶縁層１０２は平滑で親水性の表面を有するものであれば良い。絶縁層１０２の平滑性でいえば、平均面粗さＲａ値が１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であることが好ましい。なお、ここでいう平均面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものである。
平滑面を有し親水性表面を形成できる絶縁層としては、水素を含有する酸化シリコン、水素を含有する窒化シリコン、酸素と水素を含有する窒化シリコン、水素を含有する酸化窒化シリコン、水素を含有する窒化酸化シリコン等を適用することができる。
なお、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、濃度範囲として酸素が５５〜６５原子％、窒素が０．５〜２０原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、濃度範囲として酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜５０原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％の範囲で含まれるものをいう。
水素を含有する酸化シリコンとしては、例えば有機シランを用いた化学気相成長法により作製される酸化シリコンが好ましい。有機シランを用いて形成された絶縁層１０２として、酸化シリコン膜を用いることによって、支持基板と転置用半導体層との接合を強固にすることができるためである。有機シランとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
水素を含有する窒化シリコンは、シランガスとアンモニアガスを用いたプラズマＣＶＤ法により作製することができる。前記ガスに水素が加えられていても良い。酸素と水素を含有する窒化シリコンは、シランガスとアンモニアガスと亜酸化窒素ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で作製することができる。いずれにしても、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法により、シランガス等を原料ガスとして用いて作製される酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンであって水素が含まれるものであれば適用することができる。絶縁層１０２の成膜温度は、単結晶半導体基板に形成した損傷層１１７から水素が脱離しない温度として、３５０℃以下の成膜温度が推奨される。
図６（Ａ）は支持基板１０１と半導体基板１１５とを接着する段階を示す。この接着は、平滑であり親水性表面を有する絶縁層１０２が支持基板１０１に密着することによりなされる。この接合は、水素結合やファン・デル・ワールス力が作用している。接合は、半導体基板１１５及び支持基板１０１の表面の水酸基や水分子が接着剤として働くことによって起きる。熱処理によって、水分子が拡散し、残留成分のシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）同士が水素結合で結合する。さらにこの接合部は、水素が抜けることでシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が形成されることで共有結合になり、半導体基板１１５と支持基板１０１の接合が強固なものとなる。なお、支持基板１０１の接着面にも、バリア層１１８として窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などを形成しておいても良い。バリア層１１８を形成することで、支持基板１０１からの不純物汚染を防止することができる。
図６（Ｂ）は、加熱処理により損傷層１１７を劈開して半導体基板１１５を支持基板１０１から分離する段階を示す。加熱処理の温度は絶縁層１０２の成膜温度以上、支持基板１０１の耐熱温度以下で行うことが好ましい。例えば４００℃から６００℃の加熱処理を行うことにより、損傷層１１７に形成された微小な空洞の堆積変化が起こり、その領域に沿って劈開する。絶縁層１０２は支持基板１０１と接着しているので、支持基板１０１には単結晶半導体層１０６と第１電極１０３が残存する。このとき、単結晶半導体層１０６の厚さは、損傷層の深さにほぼ対応し、５０ｎｍ以上１００００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍから５０００ｎｍの厚さに形成される。以上の工程により、支持基板１０１上に絶縁層１０２により固定された単結晶半導体層１０６を設けることができる。
図７（Ａ）は、結晶欠陥の残留する単結晶半導体層１０６の修復と、表面に凹凸構造を形成するために、単結晶半導体層１０６の劈開面にレーザ処理をする段階を示している。レーザビームを単結晶半導体層１０６の劈開面に照射することで、単結晶半導体層１０６の少なくとも劈開面側は溶融し固相状態の下層部を種結晶として、その後の冷却過程で再単結晶化する。その過程で単結晶半導体層１０６の表面を凹凸化させることができる。
このレーザ処理は酸素を含む雰囲気中で、パルスレーザビームを単結晶半導体層１０６の劈開面に照射することにより行われる。このレーザ処理のとき、少なくともレーザビームの照射領域は、２５０℃から６００℃の温度に加熱されていることが好ましい。照射領域を加熱しておくことで、レーザビームの照射による溶融時間を長くすることができ、表面の凹凸化と同時に結晶欠陥の修復を効果的に行うことができる。レーザビームは単結晶半導体層１０６の劈開面側を溶融させるものの、支持基板１０１は殆ど加熱されないので、ガラス基板のような耐熱性の低い支持基板を用いることが可能になる。また、第１電極１０３は耐熱性金属で形成されているので、上記温度で加熱されても単結晶半導体層１０６に悪影響を及ぼすことがない。当該耐熱性金属と第１不純物半導体層１０７の界面ではシリサイドが形成され、より電流が流れ易くなる。
単結晶半導体層１０６の表面を凹凸化させるレーザ処理は、窒素又はアルゴンに代表される不活性気体に酸素が０．１体積％から２５体積％含まれる雰囲気中で行う。また、窒素又はアルゴンに代表される不活性気体に酸素若しくは酸化物気体が０．１体積％から５０体積％含まれる雰囲気中で行ってもよい。酸化物気体としては、二酸化炭素、亜酸化窒素などが適用可能である。その他、上記雰囲気に代えて、空気中、好ましくは乾燥空気中で行っても良い。
パルスレーザビームは、光源（レーザ発振器）として、エキシマレーザ（ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ））、ＹＡＧ、ＹＶＯ４レーザに代表される固体レーザ（第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）第４高調波（２６６ｎｍ））を用いる。例えば、波長３０８ｎｍのエキシマレーザビームを照射する場合には、発振周波数５〜５０Ｈｚ、エネルギー密度１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２、線状ビームのオーバーラップ割合を８０〜９８％として、単結晶半導体層１０６を処理する。
また、パルスレーザビームの波長と照射回数を制御することにより、規則性のある凹凸構造を単結晶半導体層１０６の表面に形成することができる。例えば、波長３０８ｎｍのエキシマレーザビームを、３５０ｍＪ／ｃｍ２〜４５０ｍＪ／ｃｍ２として、同じ領域に、パルス幅１０ｎｓｅｃ〜３０ｎｓｅｃで繰り返し周波数が１０Ｈｚ〜５０Ｈｚのパルスレーザビームを２０回〜５０回照射することで、凸部が格子状に整列した凹凸構造を形成することができる。この凸部の整列間隔は照射するパルスレーザビームの波長を選択することによって制御することができる。例えば、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを照射することで、凸部のピッチを概ね３０８ｎｍとすることができる。また、波長５２７ｎｍのＹＬＦレーザを用いると凸部のピッチは概ね５２７ｎｍとなり、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波（発振波長：５３２ｎｍ）を用いると凸部のピッチは概ね５３２ｎｍとすることができる。
レーザ処理を行うためのレーザ処理装置の一例を図１０を参照して説明する。レーザ処理装置は、レーザ発振器２１０、レーザ光を細い線状ビームに集光伸張させる光学系２１１、レーザ照射領域の雰囲気を制御するガス噴射筒２１２、該ガス噴射筒２１２に雰囲気制御ガスを供給するガス供給部２１３、流量制御部２１４、ガス加熱部２１５、支持基板１０１を浮遊させ搬送する基板ステージ２２２、基板の両端を支持して搬送するガイドレール２２３、基板ステージ２２２に浮遊用にガスを供給するガス供給部２１６を備えている。
レーザ発振器２１０は、その発振波長が、紫外光域乃至可視光域にあるものが選択される。レーザ発振器２１０は、パルス発振型のＡｒＦ、ＫｒＦ又はＸｅＣｌエキシマレーザ、或いはＮｄ：ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザなどの固体レーザで、繰り返し周波数１ＭＨｚ以下、パルス幅１０ｎ秒以上５００ｎ秒以下のものが好ましい。例えば、繰り返し周波数１０Ｈｚ〜３００Ｈｚ、パルス幅１０〜３０ｎｓｅｃ、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザを用いる。
光学系２１１はレーザ光を集光及び伸張して、被照射面に断面形状が線状となるレーザビームを形成する。線状ビームを形成する光学系２１１は、シリンドリカルレンズアレイ２１７、シリンドリカルレンズ２１８、ミラー２１９、ダブレットシリンドリカルレンズ２２０により構成される。レンズの大きさにもよるが、長手方向は１００ｍｍ〜７００ｍｍ、短手方向は１００μｍ〜５００μｍ程度の線状レーザ光を照射することが可能である。
線状に集光されたレーザビームはガス噴射筒２１２の光導入窓２２１を通して支持基板１０１に照射される。ガス噴射筒２１２は支持基板１０１と近接して配置されている。ガス噴射筒２１２にはガス供給部２１３から窒素等の不活性ガスと酸素を含むガスが供給されている。当該ガスはガス噴射筒２１２の支持基板１０１に面した開口部から噴出する。ガス噴射筒２１２の開口部は、光導入窓２２１から入射したレーザビームが支持基板１０１に照射されるように、線状レーザビームの光軸に合わせて配置されている。ガス噴射筒２１２の開口部から噴射する酸化性気体により、レーザビームの照射領域の雰囲気制御を行う。
ガス噴射筒２１２に供給する窒素等の不活性ガスと酸素を含むガスは、ガス加熱部２１５を２５０℃から７００℃に制御することにより、支持基板１０１のレーザビームの照射面の温度を１００℃から６００℃に制御でき、上記のようにレーザビームの照射による溶融時間を制御することができる。
基板ステージ２２２には、ガス供給部２１６から空気又は窒素が流量制御部２１４を通して供給される。ガス供給部２１６から供給される気体は、基板ステージ２２２の上面から、支持基板１０１の下面を吹き付けるように噴出させて、該支持基板１０１を浮遊させる。支持基板１０１は両端がガイドレール２２３上を動くスライダ２２４に載せられて搬送されるが、基板ステージ２２２側からガスが吹き付けられることにより、湾曲せずに浮遊した状態で搬送することができる。本形態のレーザ処理装置では、支持基板１０１の上面にガス噴射筒２１２から窒素ガスが噴出するので、その裏側からもガスを吹き付けることにより、支持基板１０１の撓みを防ぐことができる。このような基板ステージ２２２の構成は、一辺が５００ｍｍを超え、厚さが１ｍｍ以下の支持基板を処理する場合に有効である。例えば、６００ｍｍ×７２０ｍｍ乃至７３０ｍｍ×９２０ｍｍで厚さが０．７ｍｍ以下の支持基板を処理することができる。
基板ステージ２２２は、レーザ照射部近傍と、それ以外の領域に区画されていても良い。基板ステージ２２２のレーザ照射部近傍では、ガス加熱部２１５により加熱された窒素ガスを吹き付けるようにしても良い。それにより、支持基板１０１を加熱することができる。
なお、図１０で示すレーザ処理装置は一例であり、レーザビーム照射時の雰囲気を窒素等の不活性ガスと酸素を含む雰囲気に制御できるものであれば他の構成を適用することもできる。例えば、レーザビームを導入可能な窓を備えた密閉可能な処理室に支持基板を保持し、該処理室に窒素等の不活性ガスと酸素を含むガスを導入して雰囲気制御しても良い。
図７（Ｂ）は、単結晶半導体層１０６に第１不純物半導体層１０７とは逆の導電型の不純物元素を添加して、第２不純物半導体層１０８を形成する。例えば、リン又は砒素を添加して第２不純物半導体層１０８をｎ型に形成する。この場合、先の工程でレーザ処理により表面の結晶欠陥が修復されているので、第２不純物半導体層１０８の不純物濃度を精密に制御することができる。すなわち、レーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を処理し、その後、不純物領域を形成することにより、不純物濃度を高濃度化することができ、浅い接合を形成することができる。それにより、光生成キャリアの収集効率の高い光電変換装置を得ることができる。
図７（Ｃ）は、単結晶半導体層１０６の端部をエッチングして第１電極１０３を露出させる段階を示している。エッチングは単結晶半導体層１０６にマスクを形成し、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）などのガスを用いてドライエッチングを行う。
図８（Ａ）は、第１電極１０３に接する第１補助電極１１３と、第２不純物半導体層１０８上の第２補助電極１１４を形成する段階を示している。第１補助電極１１３は図７（Ｃ）でエッチングにより露出した第１電極１０３に接触するように形成する。第２補助電極１１４は、図１の平面図で示すように櫛型又は格子状の電極である。第１補助電極１１３及び第２補助電極１１４は、アルミニウム、銀、鉛錫（半田）などで形成すれば良い。例えば、銀ペーストを用いてスクリーン印刷法で形成する。
その後、図８（Ｂ）で示すように、パッシベーション膜を兼ねた反射防止膜１１９を形成する。反射防止膜１１９は、窒化シリコン膜で形成することが好ましく、窒化シリコンと窒化酸化シリコンの積層膜で形成しても良い。
このようにして図１で示す光電変換装置１０を製造することができる。本工程によれば、異種材料間の接合技術と、レーザ処理技術を用いることにより、７００℃以下（好適には５００℃以下）のプロセス温度で１０μｍ以下の単結晶半導体層を有する光電変換装置を製造することができる。すなわち、耐熱温度が７００℃以上の大面積ガラス基板に、単結晶半導体層を設けた光電変換装置を製造することができる。単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層を分離することにより得られるが、当該単結晶半導体基板は繰り返し利用することができるので資源を有効に利用することができる。なお、同様の工程により第２ユニットセルを作製することで、図３に示すタンデム型光電変換装置を製造することができる。
（実施形態３）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１１に示す。図１１において、（Ａ）保護膜１１６を形成して第１不純物半導体層１０７を半導体基板１１５の一面に形成した後、（Ｂ）保護膜１１６をそのまま残して損傷層１１７を形成する。その後、（Ｃ）保護膜１１６を除去して第１電極１０３を形成する。本形態の工程によれば保護膜１１６を有効に利用することができる。すなわち、保護膜１１６を損傷層１１７形成後に除去することで、半導体基板１１５の表面の接合表面を平坦なものとすることができる。保護膜１１６は５０ｎｍから２００ｎｍの厚さで設けることが好ましい。また、第１不純物半導体層１０７を通して水素のクラスターイオンが打ち込まれる損傷層１１７を形成することにより、第１不純物半導体層１０７の水素化を兼ねることができる。
（実施形態４）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１２に示す。図１２において、（Ａ）半導体基板１１５の一面に第１電極１０３を形成し、（Ｂ）第１電極１０３を通して一導電型の不純物元素を添加して第１不純物半導体層１０７を形成する。そして、（Ｃ）第１電極１０３を通して水素のクラスターイオンを打ち込み損傷層１１７を形成する。本工程では、第１電極１０３の形成後にイオンドーピングを行うことにより、第１電極１０３をイオンドーピングにおける損傷防止層として利用することができる。それによりイオンドーピングのために保護膜を形成する工程を省略することができる。
（実施形態５）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１３に示す。図１３において、（Ａ）半導体基板１１５の一面に第１電極１０３を形成し、（Ｂ）第１電極１０３を通して水素のクラスターイオンを打ち込み損傷層１１７を形成する。そして、（Ｃ）第１電極１０３を通して一導電型の不純物元素を添加して第１不純物半導体層１０７を形成する。本工程では、第１電極１０３を最初に形成することにより、第１電極１０３をイオンドーピングにおける損傷防止層として利用することができる。本形態では、イオンドーピングのために保護膜を形成する工程を省略することができる。
（実施形態６）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１４に示す。図１４において、（Ａ）保護膜１１６を形成して水素のクラスターイオンを半導体基板１１５の一面に打ち込んで損傷層１１７を形成し、（Ｂ）保護膜１１６をそのまま残して第１不純物半導体層１０７を形成する。そして、（Ｃ）保護膜１１６を除去して第１電極１０３を形成する。本工程は保護膜１１６をイオンドーピング時の損傷防止膜として、さらに第１不純物半導体層１０７を形成するときのドーピング深さを調節する膜として有効に利用している。また、損傷層１１７を形成した後に、第１不純物半導体層１０７を形成することにより、該第１不純物半導体層１０７の不純物濃度を高濃度化することができ、浅い接合を形成することができる。それにより、裏面電界（ＢＳＦ：Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）効果を発現させ、光生成キャリアの収集効率を高めることができる。
（実施形態７）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１５に示す。図１５において、（Ａ）保護膜１１６を形成して水素のクラスターイオンを打ち込み損傷層１１７を形成し、（Ｂ）保護膜１１６を除去して第１電極１０３を形成する。そして、（Ｃ）第１電極１０３を通して一導電型の不純物元素を添加して第１不純物半導体層１０７を形成する。第１電極１０３を通して第１不純物半導体層１０７を形成することにより、第１不純物半導体層１０７の厚さを制御することが容易となる。
（実施形態８）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１６に示す。支持基板１０１上に単結晶半導体層１０６を接着し（図６（Ｂ））、図１６（Ａ）で示すように結晶欠陥の残留する単結晶半導体層１０６の修復と、表面に凹凸構造を形成するレーザ処理を行う。そして図１６（Ｂ）で示すように、単結晶半導体層１０６に第１不純物半導体層１０７とは逆の導電型の不純物元素を添加して第２不純物半導体層１０８を形成する。その後、図１６（Ｃ）に示すように第２不純物半導体層１０８上に反射防止膜１１９を形成する。
その後、図１７（Ａ）で示すように、単結晶半導体層１０６の端部をエッチングして第１電極１０３を露出させ、図１７（Ｂ）で示すように第１補助電極１１３及び第２補助電極１１４を形成する。第２補助電極１１４は反射防止膜１１９上に形成し、その後、絶縁破壊電圧を瞬間的に印加することにより第２不純物半導体層１０８と導通をとることができ、補助電極として機能させることができる。
本形態によれば、単結晶半導体層１０６に第２不純物半導体層１０８を形成した後にパッシベーション膜としても機能する反射防止膜１１９を形成することで、表面再結合速度を低くすることができ、光電変換装置の変換効率を高めることができる。
本形態は、実施形態２〜７と自由に組み合わせることができる。
（実施形態９）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１８に示す。支持基板１０１上に単結晶半導体層１０６を接着した後（図６（Ｂ））、図１８（Ａ）において示すように、結晶欠陥の残留する単結晶半導体層１０６の修復と、表面に凹凸構造を形成するレーザ処理を行う。その後、図１８（Ｂ）で示すように反射防止膜１１９を形成し、図１８（Ｃ）で示すように第２不純物半導体層１０８を形成する。本形態によれば、第２不純物半導体層１０８の形成前にレーザ処理を行うので、レーザビームの照射による溶融領域を単結晶半導体層１０６の内部まで広げることができ、再単結晶化による欠陥修復の効果をより高めることができる。
その後、図７（Ｃ）のように単結晶半導体層１０６の周辺部をエッチングして第１電極１０３を露出させ、第１補助電極１１３及び第２補助電極１１４を形成すれば良い。第２補助電極１１４は反射防止膜１１９上に形成されるが、絶縁破壊電圧を瞬間的に印加してバーンインコンタクトを形成することにより電極として機能させることができる。
本形態は、実施形態２〜７と自由に組み合わせることができる。
（実施形態１０）
本形態は、実施形態２と異なる製造工程を図１９に示す。支持基板１０１上の単結晶半導体層１０６にレーザ処理を行い、再単結晶化と表面に凹凸構造を形成する。そして図１９（Ａ）で示すように、単結晶半導体層１０６を覆うように絶縁層１２０を形成する。そして、図１９（Ｂ）で示すように、絶縁層１２０に開口部を形成して単結晶半導体層１０６を露出させ、その開口部に第２不純物半導体層１０８を形成する。その後、図１９（Ｃ）で示すように、絶縁層１２０と単結晶半導体層１０６を貫通し第１電極１０３に達する開口部を形成し、第１補助電極１１３及び第２補助電極１１４を形成する。さらに反射防止膜１１９を形成する。本形態のように、単結晶半導体層１０６の内側に開口部を形成して第１電極１０３と導通する第１補助電極１１３を形成することにより、光電変換装置の小型化を図ることができる。
本形態は、実施形態２〜７と自由に組み合わせることができる。
（実施形態１１）
実施形態１〜１０により製造される光電変換装置を用いた太陽光発電モジュールの一例を図２０（Ａ）に示す。この太陽光発電モジュール３０は、支持基板１０１に設けられた単結晶半導体層１０６により光電変換装置１０が構成されている。単結晶半導体層１０６には光電変換機能を発現させる第１不純物半導体層、第２不純物半導体層などが形成されている。
第１補助電極１１３は単結晶半導体層１０６の裏面側に形成されている第１電極と接続する電極であり、第２補助電極１１４は櫛形又は格子状の電極である。第１補助電極１１３と第２補助電極１１４は支持基板１０１の一面に形成され、支持基板１０１の端部領域でコネクタ用の第１裏面電極１２１と第２裏面電極１２２とそれぞれ接続する。図２０（Ｂ）は、Ｃ−Ｄ切断線に対応する断面図であり、支持基板１０１の貫通口を通して第１補助電極１１３と第２補助電極１１４が第１裏面電極１２１と第２裏面電極１２２とそれぞれ接続している。
このように、支持基板１０１に単結晶半導体層１０６を接合して光電変換装置１０を形成することにより、太陽光発電モジュールの薄型化を図ることができる。なお、本形態において、光電変換装置１０に代えて、図３で示すタンデム型光電変換装置２０を適用しても良い。
（実施形態１２）
図２１は太陽光発電モジュール３０を用いた太陽光発電システムの一例を示す。一又は複数の太陽光発電モジュール３０の出力電力は、充電制御回路１２３により蓄電池１２４を充電する。蓄電池１２４の充電量が多い場合には、負荷１２５に直接出力される場合もある。
蓄電池１２４として電気二重層キャパシタを用いると、充電に化学反応を必要とせず、急速に充電することができる。また、化学反応を利用する鉛蓄電池などに比べ、寿命を約８倍、充放電効率を１．５倍に高めることができる。負荷１２５としては、蛍光灯、発光ダイオード、エレクトロルミネッセンスパネルなどの照明、小型の電子機器など、さまざまな用途に応用することができる。
光電変換装置の構成を示す平面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 タンデム型光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 タンデム型光電変換装置の動作を説明するエネルギーバンド図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 イオンドーピング装置の構成を説明する図。 レーザ処理装置の構成を説明する図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 光電変換装置の製造工程を説明する断面図。 （Ａ）太陽光発電モジュールの構成を説明する平面図。（Ｂ）切断線Ｃ−Ｄによる図２０（Ａ）の断面図。 太陽光発電システムの一例を説明する図。
符号の説明
１０ 光電変換装置
２０ タンデム型光電変換装置
３０ 太陽光発電モジュール
１０１ 支持基板
１０２ 絶縁層
１０３ 第１電極
１０４ 第１ユニットセル
１０５ 第２ユニットセル
１０６ 単結晶半導体層
１０７ 第１不純物半導体層
１０８ 第２不純物半導体層
１０９ 非単結晶半導体層
１１０ 第３不純物半導体層
１１１ 第４不純物半導体層
１１２ 第２電極
１１３ 第１補助電極
１１４ 第２補助電極
１１５ 半導体基板
１１６ 保護膜
１１７ 損傷層
１１８ バリア層
１１９ 反射防止膜
１２０ 絶縁層
１２１ 第１裏面電極
１２２ 第２裏面電極
１２３ 充電制御回路
１２４ 蓄電池
１２５ 負荷
２００ イオン源
２０１ フィラメント
２０２ フィラメント電源
２０３ 電源制御部
２０４ ガス供給部
２０５ 引出し電極系
２０６ 載置台
２０７ 質量分析管
２０８ 質量分析計
２１０ レーザ発振器
２１１ 光学系
２１２ ガス噴射筒
２１３ ガス供給部
２１４ 流量制御部
２１５ ガス加熱部
２１６ ガス供給部
２１７ シリンドリカルレンズアレイ
２１８ シリンドリカルレンズ
２１９ ミラー
２２０ ダブレットシリンドリカルレンズ
２２１ 光導入窓
２２２ 基板ステージ
２２３ ガイドレール
２２４ スライダ

Claims (6)

  1. 一面に一導電型の第１不純物半導体層、前記第１不純物半導体層に接する電極、及び質量が水素分子よりも重い水素のクラスターイオンを７０％以上含むイオンビームを一面から注入することによって形成される損傷層を有する単結晶半導体基板と、絶縁表面を有する支持基板と、を接合層を介して接着し、
    熱処理を行うことにより、前記損傷層を劈開させ、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離し、前記支持基板上に前記単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を除去し、
    不活性気体及び酸素を含む雰囲気中で、前記単結晶半導体層の劈開面にパルスレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層の表面を凹凸化し、
    前記単結晶半導体層の劈開面側に、前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成すること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
  2. 請求項１において、
    前記第２不純物半導体層の上に、前記一導電型の第３不純物半導体層、非単結晶半導体層、及び前記一導電型とは逆の導電型の第４不純物半導体層を堆積すること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
  3. 請求項１又は２において、
    前記不活性気体及び酸素を含む雰囲気における酸素濃度は、０．１体積％乃至２５体積％であること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記パルスレーザビームの照射時に照射領域の前記単結晶半導体層が、２５０℃から６００℃の温度に加熱されていること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記クラスターイオンが、Ｈ３ ＋であること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記損傷層は、前記単結晶半導体基板の表面から１０μｍ未満の深さに形成されること
    を特徴とする光電変換装置の製造方法。
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