JP2009135448A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009135448A5 JP2009135448A5 JP2008270681A JP2008270681A JP2009135448A5 JP 2009135448 A5 JP2009135448 A5 JP 2009135448A5 JP 2008270681 A JP2008270681 A JP 2008270681A JP 2008270681 A JP2008270681 A JP 2008270681A JP 2009135448 A5 JP2009135448 A5 JP 2009135448A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal semiconductor
- semiconductor substrate
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
Claims (10)
- 単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む照射領域全域を溶融して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む照射領域全域を溶融し、
溶融した前記単結晶半導体層は、溶融領域端部より前記溶融領域中央に向かって支持基板の表面と平行な方向で結晶成長して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む第１の照射領域全域を溶融して再単結晶化し、
前記単結晶半導体層に前記レーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向をも含む第２の照射領域全域を溶融して再結晶化し、
前記第１の照射領域と前記第２の照射領域は一部重なることを特徴とする半導体基板の作製方法。 - 請求項１又は２において、前記レーザ光の前記単結晶半導体層における照射領域の形状は矩形であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１又は２において、マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記レーザ光の前記単結晶半導体層における照射領域の形状を複数の矩形とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１乃至５のいずれか一項において、溶融した前記単結晶半導体層は隣接する非溶融領域の前記単結晶半導体層を結晶核として結晶成長することを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記単結晶半導体層を加熱した状態で、前記単結晶半導体層に前記レーザ光を照射して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一項において、前記単結晶半導体基板に前記イオンを添加する方法はイオンドーピング法を用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１乃至８のいずれか一項において、前記支持基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
- 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体基板の作製方法において形成する前記単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008270681A JP2009135448A (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-21 | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007285180 | 2007-11-01 | ||
| JP2008270681A JP2009135448A (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-21 | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009135448A JP2009135448A (ja) | 2009-06-18 |
| JP2009135448A5 true JP2009135448A5 (ja) | 2011-11-10 |
Family
ID=40588499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008270681A Withdrawn JP2009135448A (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-21 | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090117707A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009135448A (ja) |
| KR (1) | KR20090045123A (ja) |
| CN (1) | CN101425456A (ja) |
| TW (1) | TW200943478A (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090004764A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| EP2009687B1 (en) * | 2007-06-29 | 2016-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2010114431A (ja) | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| SG163481A1 (en) | 2009-01-21 | 2010-08-30 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing soi substrate and semiconductor device |
| US8436362B2 (en) * | 2009-08-24 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods |
| KR102480780B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2022-12-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN102648490B (zh) | 2009-11-30 | 2016-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备 |
| KR102462239B1 (ko) | 2009-12-04 | 2022-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9669613B2 (en) | 2010-12-07 | 2017-06-06 | Ipg Photonics Corporation | Laser lift off systems and methods that overlap irradiation zones to provide multiple pulses of laser irradiation per location at an interface between layers to be separated |
| TWI541093B (zh) | 2009-12-07 | 2016-07-11 | Ipg Microsystems Llc | 雷射剝離系統及方法 |
| JP5926887B2 (ja) | 2010-02-03 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| JP5542543B2 (ja) | 2010-06-28 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101762823B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 제조 방법 |
| US8486791B2 (en) | 2011-01-19 | 2013-07-16 | Macronix International Co., Ltd. | Mufti-layer single crystal 3D stackable memory |
| US8735263B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| CN102650051A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 铝或铝合金的壳体及其制造方法 |
| CN102650039A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 铝或铝合金的壳体及其制造方法 |
| CN102677007A (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 铝或铝合金的壳体及其制造方法 |
| FR2993095B1 (fr) * | 2012-07-03 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Detachement d’une couche autoportee de silicium <100> |
| US9406551B2 (en) * | 2012-09-27 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate |
| US9636782B2 (en) | 2012-11-28 | 2017-05-02 | International Business Machines Corporation | Wafer debonding using mid-wavelength infrared radiation ablation |
| US20140144593A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | International Business Machiness Corporation | Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation |
| US9214351B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-12-15 | Macronix International Co., Ltd. | Memory architecture of thin film 3D array |
| TWI610374B (zh) | 2013-08-01 | 2018-01-01 | 格芯公司 | 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑 |
| EP2884498A1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Structural body and x-ray talbot interferometer including the structural body |
| US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
| JP6415692B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2018-10-31 | インテル・コーポレーション | マルチゲート高電子移動度トランジスタおよび製造方法 |
| JP6456228B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | 薄板の分離方法 |
| JP6396854B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 |
| CN107924827B (zh) * | 2015-06-29 | 2022-07-01 | Ipg光子公司 | 用于非晶硅衬底的均匀结晶的基于光纤激光器的系统 |
| US9870940B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming nanosheets on lattice mismatched substrates |
| US10566193B2 (en) * | 2015-08-07 | 2020-02-18 | North Carolina State University | Synthesis and processing of Q-carbon, graphene, and diamond |
| EP3252800A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-06 | Laser Systems & Solutions of Europe | Deep junction electronic device and process for manufacturing thereof |
| WO2018005619A1 (en) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | North Carolina State University | Synthesis and processing of pure and nv nanodiamonds and other nanostructures for quantum computing and magnetic sensing applications |
| CN114115609A (zh) | 2016-11-25 | 2022-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其工作方法 |
| KR102457976B1 (ko) | 2017-06-27 | 2022-10-25 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 |
| KR102361377B1 (ko) | 2017-06-27 | 2022-02-10 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 |
| WO2019003309A1 (ja) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2019004188A1 (ja) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US10679886B2 (en) * | 2017-11-17 | 2020-06-09 | Jsr Corporation | Workpiece treating method, semiconductor device, process for manufacturing the same, and temporary fixing composition for shear peeling |
| CN112292911A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-01-29 | 佳能安内华股份有限公司 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法、程序和存储介质 |
| CN109001179B (zh) * | 2018-08-07 | 2020-10-27 | 东南大学 | 尖端间距可调节的金属V型光栅Fano共振结构 |
| US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
| TWI743539B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 背光模組及其適用的顯示裝置 |
| CN111106029B (zh) * | 2019-12-31 | 2023-02-10 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 一种晶圆快速热处理机台的监控方法 |
| CN115346892A (zh) * | 2021-05-14 | 2022-11-15 | 日扬科技股份有限公司 | 固体结构的加工装置及加工方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4390392A (en) * | 1980-09-16 | 1983-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for removal of minute physical damage to silicon wafers by employing laser annealing |
| JP3204986B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2001-09-04 | ザ トラスティース オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス |
| US6534380B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-03-18 | Denso Corporation | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
| US6322325B1 (en) * | 1999-01-15 | 2001-11-27 | Metropolitan Industries, Inc. | Processor based pump control systems |
| US6171965B1 (en) * | 1999-04-21 | 2001-01-09 | Silicon Genesis Corporation | Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates |
| JP4507395B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用素子基板の製造方法 |
| KR100424593B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-03-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화방법 |
| US7105048B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
| JP2003197523A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 結晶性半導体膜の製造方法および半導体装置 |
| US7192479B2 (en) * | 2002-04-17 | 2007-03-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Laser annealing mask and method for smoothing an annealed surface |
| JP2003347208A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | アモルファス材料の結晶化方法 |
| US7176528B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| KR100618184B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2006-08-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 결정화 방법 |
| KR100492352B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2005-05-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 방법 |
| US7084045B2 (en) * | 2003-12-12 | 2006-08-01 | Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100595455B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 마스크 및 이를 이용한 결정화방법 |
| JP4759919B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2011-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP5110772B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
| KR101016510B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화방법 및 결정화 장치 |
| US7645337B2 (en) * | 2004-11-18 | 2010-01-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films |
| JP5276792B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2013-08-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008270681A patent/JP2009135448A/ja not_active Withdrawn
- 2008-10-27 CN CNA2008101747469A patent/CN101425456A/zh active Pending
- 2008-10-29 TW TW097141664A patent/TW200943478A/zh unknown
- 2008-10-29 US US12/260,712 patent/US20090117707A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-31 KR KR1020080107887A patent/KR20090045123A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009135448A5 (ja) | ||
| TWI463550B (zh) | Laser processing method and laser processing device | |
| JP2009066851A5 (ja) | ||
| TW200607772A (en) | Vertical crack forming method and vertical crack forming device in substrate | |
| JP2015511572A5 (ja) | ||
| TW200943495A (en) | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2009135453A5 (ja) | ||
| CN105722798B (zh) | 将玻璃板与载体分离的方法 | |
| TW200927354A (en) | Laser processing method | |
| JP2008501228A5 (ja) | ||
| JP2015523296A5 (ja) | ||
| TWI637922B (zh) | 玻璃基板之倒角方法及雷射加工裝置 | |
| JP2007165848A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| WO2007004607A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| JP2009135437A5 (ja) | ||
| JP2009135434A5 (ja) | ||
| KR20140143836A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| WO2012096092A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2011111340A (ja) | ガラス溶着方法及びガラス層定着方法 | |
| JP2008068319A (ja) | レーザ加工方法及びチップ | |
| JP2009267095A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2011240644A (ja) | レーザ加工方法 | |
| TWI521601B (zh) | 多晶矽的製造方法 | |
| JP5560096B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2011200926A (ja) | レーザ加工方法及び脆性材料基板 |