JP2006294737A - Ｓｏｉ基板の製造方法及びその製造における剥離ウェーハの再生処理方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】剥離ウェーハを再利用したＳＯＩ基板にＣＯＰが発生することを抑制する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の製造方法は、第１シリコン基板１４の表面に酸化膜２１を形成する工程と、第１シリコン基板の表面から水素イオンを注入してイオン注入領域１６を形成する工程と、第１シリコン基板に第２シリコン基板１２を重ね合せて積層体１５を形成する工程と、積層体１５を所定の温度で熱処理することにより第１シリコン基板１４をイオン注入領域１６で分離して第２シリコン基板１２上に酸化膜２１を介して薄膜のＳＯＩ層１３が形成されたＳＯＩ基板１１を得る工程とを含む。第１シリコン基板１４は、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成される。ＳＯＩ層１３から分離された剥離ウェーハ１７は再び第１シリコン基板１４として用いられる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、水素イオン注入技術を用いて作製される酸化膜上にＳＯＩ層を設けたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を製造する方法及びその製造における剥離ウェーハの再生処理方法に関するものである。

従来、ＳＯＩ基板の製造方法として、第１シリコン基板の表面に酸化膜を形成した後、その内部に高濃度の水素イオンを注入し、高温でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深さにイオン注入領域を形成し、その後この第１シリコン基板に第２シリコン基板を重ね合せて両者が接合した積層体を形成し、この積層体を５００℃を越える温度に昇温して上記第１シリコン基板を上記水素イオン注入領域で第２シリコン基板から分離し、第２シリコン基板の表面に半導体ＳＯＩ層を形成する製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法では、第２シリコン基板とこの基板上に形成されて埋込み酸化膜として作用する酸化膜とこの酸化膜上に形成された半導体ＳＯＩ層とを有するＳＯＩ基板を製造することができるようになっている。
また、このような方法でＳＯＩ基板を製造すると、第１シリコン基板を上記水素イオン注入領域で分離して第２シリコン基板の表面に半導体ＳＯＩ層を形成するので、必然的に第１シリコン基板を分離してＳＯＩ層を形成しない側の剥離ウェーハが副生されることになる。そしてこのＳＯＩ基板の製造方法においては、この副生した剥離ウェーハを再生して再び第１シリコン基板として用いることにより複数枚のＳＯＩ基板を得ることができるので、コストを大幅に下げることができるとしている（例えば、特許文献２参照。）。

ここで、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層におけるＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬ／ＤなどのＳＯＩ層の結晶欠陥はデバイス特性を劣化させるものであるため、それらを低減させる必要がある。従って、イオン注入後に分離することによりＳＯＩ層を形成する第１シリコン基板は、そのような結晶欠陥のないウェーハであることが望まれる。ここで、ＯＳＦとは、酸化誘起積層欠陥（Oxidation Induced Stacking Fault）を示し、ＣＯＰとは、結晶に起因したパーティクル（Crystal Originated Particle）を示し、Ｌ／Ｄは侵入型転位（Interstitial-type Large Dislocation）を示すものである。具体的にこのＯＳＦは、結晶成長時にその核となる微小欠陥が導入され、半導体デバイスを製造する際の熱酸化工程等で顕在化し、作製したデバイスのリーク電流の増加等の不良原因になる。またＣＯＰは、鏡面研磨後のシリコンウェーハをアンモニアと過酸化水素の混合液で洗浄したときにウェーハ表面に出現する結晶に起因したピットである。このウェーハをパーティクルカウンタで測定すると、このピットも本来のパーティクルとともに光散乱欠陥として検出される。このＣＯＰは電気的特性、例えば酸化膜の経時絶縁破壊特性（Time Dependent Dielectric Breakdown、ＴＤＤＢ）、酸化膜耐圧特性（Time Zero Dielectric Breakdown、ＴＺＤＢ）等を劣化させる原因となる。またＣＯＰがウェーハ表面に存在するとデバイスの配線工程において段差を生じ、断線の原因となり得る。そして素子分離部分においてもリーク等の原因となり、製品の歩留りを低くする。更にＬ／Ｄは、転位クラスタとも呼ばれたり、或いはこの欠陥を生じたシリコンウェーハをフッ酸を主成分とする選択エッチング液に浸漬するとピットを生じることから転位ピットとも呼ばれる。このＬ／Ｄも、電気的特性、例えばリーク特性、アイソレーション特性等を劣化させる原因となる。

一方、このようなＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬ／Ｄを有しない無欠陥のシリコンウェーハが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この無欠陥のシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないパーフェクト領域を［Ｐ］とするとき、パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハである。パーフェクト領域［Ｐ］は、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域［Ｉ］と、シリコン単結晶インゴット内で空孔型点欠陥が支配的に存在する領域［Ｖ］との間に介在する。このパーフェクト領域［Ｐ］からなるシリコンウェーハは、インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）とし、シリコン融液とインゴットとの界面近傍におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦがウェーハ中心部で消滅するように、Ｖ／Ｇ（ｍｍ²／分・℃）の値を決めて作られる。従ってこのような無欠陥のシリコンウェーハを第１シリコン基板としてＳＯＩ基板を製造し、その製造時に副生した剥離ウェーハを再生して再び第１シリコン基板として用いることにより、ＳＯＩ層にＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬ／Ｄが生じないＳＯＩ基板を複数枚繰り返して得ることができると考えられる。
特開平５−２１１１２８号公報（特許請求の範囲） 特開２００１−１５５９７８号公報（特許請求の範囲） 特開平１１−１３９３号公報（特許請求の範囲）

しかし、水素ドープされていないインゴットからスライスされた結晶欠陥の存在しないウェーハを第１シリコン基板として使用した場合、その第１シリコン基板に固溶している酸素が、製造過程における複数回の熱処理で酸素析出物となる危険性があった。このため、水素ドープされていないインゴットからスライスされた結晶欠陥の存在しないウェーハを第１シリコン基板として使用してＳＯＩ基板を製造したとしても、その製造時に副生した剥離ウェーハに酸素析出物が生じることがあり、その剥離ウェーハを第１シリコン基板として再利用して得られたＳＯＩ基板に酸素析出物が存在し得るという未だ解決すべき課題が残存していた。
本発明の目的は、剥離ウェーハを再利用して得られたＳＯＩ基板に酸素析出物が発生することを抑制し得るＳＯＩ基板の製造方法及びその製造における剥離ウェーハの再生処理方法を提供することにある。

請求項１に係る発明は、図１に示すように、第１シリコン基板１４の少なくとも表面に酸化膜２１を形成する工程と、第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを注入して第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成する工程と、酸化膜２１を介して第１シリコン基板１４に第２シリコン基板１２を重ね合せて第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合した積層体１５を形成する工程と、積層体１５を所定の温度で熱処理することにより第１シリコン基板１４をイオン注入領域１６で分離して第２シリコン基板１２上に酸化膜２１を介して薄膜のＳＯＩ層１３が形成されたＳＯＩ基板１１を得る工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法の改良である。
その特徴ある点は、第１シリコン基板１４は、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成されたところにある。

この請求項１に記載されたＳＯＩ基板の製造方法では、第１シリコン基板１４を製作するためのインゴットは水素を含む不活性雰囲気中で育成することにより、そのパーフェクト領域［Ｐ］は拡大するため、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しない第１シリコン基板１４を比較的容易に得ることができ、得られるＳＯＩ基板１１の単価を低下させることができる。
また、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないものを第１シリコン基板１４として用いるので、ＳＯＩ層１３の結晶欠陥の原因となる固溶酸素が熱処理により酸素析出物になりにくい。また、水素がドープされたインゴットでは、ＣＯＰが存在する領域においてもそのＣＯＰサイズが小さくなり、ＳＯＩ基板の製造工程に存在する還元雰囲気の熱処理においてそのＣＯＰが消滅しやすい。更に水素ドープにより、酸素析出物発生・成長に必要となる空孔型欠陥が水素と結びつき実質的な空孔濃度が低下するため、通常結晶と比較して、酸素析出物の発生確率が更に小さくなる。従って、この製造方法により得られたＳＯＩ基板１１におけるＳＯＩ層１３及びこの製造方法により副生された剥離ウェーハを第１シリコン基板１４として用いたＳＯＩ基板１１におけるＳＯＩ層１３に酸素析出物やＣＯＰが発生することは抑制され、それらのＳＯＩ層１３における欠陥密度は従来より減少し、それらのＳＯＩ基板１１におけるＳＯＩ層１３の結晶品質を更に向上させることができる。

請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、第１シリコン基板１４を形成するインゴットは酸素濃度が５×１０¹⁷〜１４×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（Old−ＡＳＴＭ，以下同じ。）の範囲内になるように育成されたことを特徴とする。
この請求項２に記載されたＳＯＩ基板の製造方法では、この方法により副生される剥離ウェーハ１７の必要な機械的強度を維持した状態でその剥離ウェーハ１７に酸素析出物が発生することを十分に抑制することができる。ここで第１シリコン基板１４の酸素濃度が５×１０¹⁷atoms/cm³未満では、格子間酸素が少ないためウェーハの機械的強度が低下し、熱処理により容易にスリップが発生し、ＳＯＩ基板１１の製品時の結晶欠陥となりデバイス特性を劣化させることになる。また第１シリコン基板１４の酸素濃度が１４×１０¹⁷atoms/cm³越えると熱処理による酸素析出物の発生を抑制することが困難になる。機械的強度および酸素析出物の抑制の観点から、第１シリコン基板１４のより好ましい酸素濃度は７×１０¹⁷〜１２×１０¹⁷atoms/cm³の範囲内である。

請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載されたＳＯＩ基板の製造方法においてイオン注入領域１６で分離することによりＳＯＩ層１３から分離された剥離ウェーハ１７を第１シリコン基板１４として用いるＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法である。
この請求項３に記載されたＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法では、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成された第１シリコン基板１４を分離することにより剥離ウェーハ１７を得ることになる。このため、得られた剥離ウェーハ１７にあっても、通常結晶と比較して、酸素析出物の発生確率が小さくなる。また水素を含む雰囲気下によって引上げた結晶により、酸素析出物発生・成長に必要となる空孔型欠陥が水素と結びつき実質的な空孔濃度が低下するため、通常結晶と比較して、酸素析出物の発生確率が更に小さくなる。従って、この剥離ウェーハ１７を第１シリコン基板１４として用い、再びＳＯＩ基板を製造したとしても、得られたＳＯＩ基板１１におけるＳＯＩ層に結晶欠陥が生じることは抑制され、得られるＳＯＩ層１３の結晶品質を劣化させることなく通常結晶よりも再生加工回数を多くすることができる。

本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして第１シリコン基板を形成するので、インゴットのパーフェクト領域［Ｐ］は拡大するため、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しない第１シリコン基板を比較的容易に得ることができ、得られるＳＯＩ基板１１の単価を低下させることができる。また、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないものを第１シリコン基板として用いることになるので、また水素がドープされることにより、酸素析出物発生・成長に必要となる空孔型欠陥が水素と結びつき実質的な空孔濃度が低下するため、通常結晶と比較して、酸素析出物の発生確率が更に小さくなる。よってＳＯＩ層の結晶欠陥の原因となる固溶酸素が熱処理により酸素析出物になりにくく、ＣＯＰが存在する領域においてもそのＣＯＰサイズが小さくなり、この製造方法により得られたＳＯＩ基板１１におけるＳＯＩ層及びこの製造方法により副生された剥離ウェーハを第１シリコン基板として用いたＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層にＣＯＰが発生することは抑制され、それらのＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層の結晶品質を更に向上させることができる。

また、ＳＯＩ基板の製造方法においてイオン注入領域で分離することによりＳＯＩ層から分離された剥離ウェーハを第１シリコン基板として用いるＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法では、得られた剥離ウェーハにあっても、通常結晶と比較して、酸素析出物発生確率が小さくなる。従って、この剥離ウェーハを第１シリコン基板として用い、再びＳＯＩ基板を製造したとしても、得られたＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層に結晶欠陥が生じることは抑制され、得られるＳＯＩ層の結晶品質を劣化させることなく通常結晶よりも再生加工回数を多くすることができる。

次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１（ｊ）に示すように、ＳＯＩ基板１１は、シリコン単結晶からなる第２シリコン基板１２と、第２シリコン基板１２上に第１酸化膜２１を介して接合させられるシリコン単結晶からなるＳＯＩ層１３とを備える。上記第１酸化膜２１は電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）であり、第２シリコン基板１２に上記酸化膜を形成しない場合を示すが、図示しないが第２シリコン基板１２にも酸化膜を別に形成してもよい。

このようなＳＯＩ基板１１の本発明における製造方法を説明する。
先ずシリコン単結晶からなる第１シリコン基板１４を準備し、その第１シリコン基板１４の表面のみならず裏面及び側面（図示せず）を含む全面に熱酸化により電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）からなる第１酸化膜２１を形成する（図１（ａ））。この第１酸化膜２１は５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍの厚さになるように形成される。ここで、第１酸化膜２１の厚さを５０〜３００ｎｍの範囲に限定したのは、５０ｎｍ未満では後述する第２シリコン基板１２との接合において高温時の酸化膜の流動性を使ったボイド消滅という効果が小さくなりその結果ボイドが発生し易くなり、３００ｎｍを越えると埋込み酸化膜の均一性がデバイス要求より劣化するからである。なお、上記第１酸化膜（ＳｉＯ₂膜）を熱酸化ではなくＣＶＤ法により第１シリコン基板の表面にのみ形成してもよい。

次いで上記第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを４×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ²〜１０×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ²のドーズ量及び２０〜２００ｋｅＶの加速エネルギでイオン注入する。これにより第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成する（図１（ｂ））。ここで、水素イオンのドーズ量を４×１０¹⁶／ｃｍ²〜１０×１０¹⁶／ｃｍ²の範囲に限定したのは、４×１０¹⁶／ｃｍ²未満では第１熱処理で劈開できず、１０×１０¹⁶／ｃｍ²を越えると水素イオン注入時に第１シリコン基板１４表面の自己剥離が発生しパーティクルが発生し易くなるからである。また加速エネルギを２０〜２００ｋｅＶの範囲に限定したのは、２０ｋｅＶ未満ではＳＯＩ層１３が薄くなり過ぎ、２００ｋｅＶを越えると特殊なイオン注入装置が必要になるからである。

一方、上記第１シリコン基板１４と同一表面積を有するシリコン単結晶からなる第２シリコン基板１２を用意する（図１（ｃ））。この第２シリコン基板１２には上記酸化膜を形成してもしなくても良い。上記第１シリコン基板１４を第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に重ね合せて積層体１５を形成する（図１（ｄ））。この積層体１５の形成は、第１シリコン基板１４を第２シリコン基板１２に重ね合せてその位置合せを行うとともに、その第１シリコン基板１４に重ね合せた第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重を加えることにより行われる。

その後この積層体１５を窒素雰囲気中で４００〜８００℃、好ましくは４５０〜６００℃に、１〜３０分間、好ましくは１０〜３０分間保持して第１熱処理を行う。これにより第１シリコン基板１４が水素イオンの注入ピーク位置に相当するイオン注入領域１６のところで割れて、上部の厚肉部１７と下部の薄いＳＯＩ層１３に分離する（図１（ｅ））。そして下部のＳＯＩ層１３は第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に密着し、こ貼合せ基板１８となる。

次に貼合せ基板１８を一般的な手法で、最終的な膜厚になるまで平坦化及び薄膜化処理を行う。例えば、分離の際に生じたダメージの存在する領域をＣＭＰ加工や酸化処理等により除去した後、貼合せ強度を向上させる熱処理を行う。更にＣＭＰ加工、水素やアルゴンガス等の雰囲気による高温熱処理によって平坦化を行い（図１（ｆ）及び（ｈ））、次いで所定のＳＯＩ層１３の膜厚になるまで、ＣＭＰ加工や酸化処理による薄膜化を行い、ＳＯＩ基板１１を得る（図１（ｊ））。

本発明のＳＯＩ基板１１の製造方法における特徴ある点は、第１シリコン基板１４が、水素を含む不活性雰囲気中でインゴットの酸素濃度が５×１０¹⁷〜１４×１０¹⁷atoms/cm³の範囲内にはいるようにＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成されたところにある。即ち、インゴットは、ＣＺ法によりホットゾーン炉内のシリコン融液からボロンコフ（Voronkov）の理論に基づいた所定の引上げ速度プロファイルで引上げられる。ボロンコフの理論は、欠陥の数が少ない高純度インゴットを成長させるために、インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）、インゴットとシリコン融液の界面近傍のインゴット中の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするときに、Ｖ／Ｇ（ｍｍ²／分・℃）を制御することである。

図２に示すように、ボロンコフの理論では、Ｖ／Ｇをよこ軸にとり、空孔型点欠陥濃度と格子間シリコン型点欠陥濃度を同一のたて軸にとって、Ｖ／Ｇと点欠陥濃度との関係を図式的に表現し、空孔領域と格子間シリコン領域の境界がＶ／Ｇによって決定されることを説明している。より詳しくは、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔型点欠陥濃度が優勢なインゴットが形成される反面、Ｖ／Ｇ比が臨界点以下では格子間シリコン型点欠陥濃度が優勢なインゴットが形成される。図２において、［Ｉ］は格子間シリコン型点欠陥が支配的であって、格子間シリコン型点欠陥が存在する領域（(Ｖ／Ｇ)₁以下）を示し、［Ｖ］はインゴット内での空孔型点欠陥が支配的であって、空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域（(Ｖ／Ｇ)₂以上）を示し、［Ｐ］は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域（(Ｖ／Ｇ)₁〜(Ｖ／Ｇ)₂）を示す。領域［Ｐ］に隣接する領域［Ｖ］にはＯＳＦ核を形成する領域［ＯＳＦ］（(Ｖ／Ｇ)₂〜(Ｖ／Ｇ)₃）が存在する。

このパーフェクト領域［Ｐ］は更に領域［Ｐ_I］と領域［Ｐ_V］に分類される。［Ｐ_I］はＶ／Ｇ比が上記(Ｖ／Ｇ)₁から臨界点までの領域であり、［Ｐ_V］はＶ／Ｇ比が臨界点から上記(Ｖ／Ｇ)₂までの領域である。即ち、［Ｐ_I］は領域［Ｉ］に隣接し、かつ侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン型点欠陥濃度未満の格子間シリコン型点欠陥濃度を有する領域であり、［Ｐ_V］は領域［Ｖ］に隣接し、かつＯＳＦを形成し得る最低の空孔型点欠陥濃度未満の空孔型点欠陥濃度を有する領域である。
一方、窒素雰囲気中で引上げ速度を徐々に低下させてＶ／Ｇを連続的に低下させたときのインゴットの断面図を描いてみると、図３に示される事実が分かる。図３には、インゴット内での空孔型点欠陥が支配的に存在する領域が［Ｖ］、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域が［Ｉ］、及び空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域が［Ｐ］としてそれぞれ示される。前述したようにパーフェクト領域［Ｐ］は更に領域［Ｐ_I］と領域［Ｐ_V］に分類される。領域［Ｐ_V］はパーフェクト領域［Ｐ］の中でも凝集体にならない空孔型点欠陥が存在する領域であり、領域［Ｐ_I］はパーフェクト領域［Ｐ］の中でも凝集体にならない格子間シリコン型点欠陥が存在する領域である。

図３に示すように、インゴットの軸方向位置Ｐ₁は、中央に空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を含む。位置Ｐ₃は格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在するリング領域及び中央のパーフェクト領域を含む。また位置Ｐ₂は、中央に空孔型点欠陥の凝集体もなく、縁部分に格子間シリコン型点欠陥の凝集体もないので全てパーフェクト領域である。従って、この図３から明らかなように、位置Ｐ₁に対応したウェーハＷ₁は、中央に空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を含む。位置Ｐ₃に対応したウェーハＷ₃は、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在するリング及び中央のパーフェクト領域を含む。また位置Ｐ₂に対応したウェーハＷ₂は、中央に空孔型点欠陥の凝集体もないし、縁部分に格子間シリコン型点欠陥の凝集体もないので全てパーフェクト領域であって、領域［Ｐ_V］と領域［Ｐ_I］とが混在する領域である。

一方、図４に、水素を含む不活性雰囲気中で引上げ速度を徐々に低下させてＶ／Ｇを連続的に低下させたときのインゴットの断面図を示す。図４におけるインゴットは、引上げ装置において、原料のポリシリコンが融解を始めてから、インゴットの引上か完了するまでの間、アルゴンガスの導入口からアルゴンガスに対し水素ガスが６％の体積比となるように混入して引上げ装置内へ導入した場合のものを示す。そして、本発明の製造方法に用いる第１シリコン基板１４を切り出すためのインゴットは、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成されたものに限定される。水素を含む不活性雰囲気中で育成されたインゴットには水素がドープされ、図４に示すようにパーフェクト領域［Ｐ］、特に凝集体にならない格子間シリコン型点欠陥が存在する領域［Ｐ_I］が拡大する。これは、ドープされた水素が空孔型欠陥と結びつきやすく、同じ引上げ条件であっても、実効的な空孔濃度が下がるためと考えられている。そして、本発明の製造方法に用いる第１シリコン基板１４を切り出すためのインゴットは、パーフェクト領域［Ｐ］のものが使用される。ここで、水素の不活性雰囲気中における割合は、１〜１０体積％であることが好ましく、３〜１０体積％であることが更に好ましい。水素の不活性雰囲気中における割合が１体積％未満であると無欠陥領域のマージン拡大及び酸素析出物抑制効果が見られないという不具合があり、その割合が１０体積％を越えるとシリコン単結晶引上げ時に一般的に用いられる炭素部材と水素が反応、結晶欠陥フリーの結晶引上げが困難になるという不具合がある。

本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成しパーフェクト領域［Ｐ］が拡大されたインゴットをスライスしたものを第１シリコン基板１４として用いることを特徴とする。即ち、第１シリコン基板１４を製作するためのインゴットを得るための所定の引上げ速度プロファイルは、インゴットがホットゾーン炉内のシリコン溶融物から引上げられる時、図２に示す温度勾配に対する引上げ速度の比（Ｖ／Ｇ）が格子間シリコン型点欠陥の凝集体の発生を防止する第１臨界比（(Ｖ／Ｇ)₁）以上であって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にある空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第２臨界比（(Ｖ／Ｇ)₂）以下に維持されるように決められる。そして、そのインゴットから切り出される本発明の製造方法に用いる第１シリコン基板１４は、図４に示すように、位置Ｐ₄に対応した領域［Ｐ_V］が支配的に存在するウェーハＷ₄と、位置Ｐ₆に対応した領域［Ｐ_I］が支配的に存在するウェーハＷ₆と、位置Ｐ₅に対応した領域［Ｐ_V］と領域［Ｐ_I］とが混在するウェーハＷ₅のいずれかのものが用いられる。

即ち、本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、第１シリコン基板１４を製作するためのイをンゴットは水素を含む不活性雰囲気中で育成することにより、そのパーフェクト領域［Ｐ］は拡大するため、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しない第１シリコン基板１４を比較的容易に得ることができ、得られるＳＯＩ基板１１の単価を低下させることができる。特に、その領域［Ｐ_I］が拡大するので、第１シリコン基板１４は、パーフェクト領域であっても、領域［Ｐ_I］のものを使用することにより、得られるＳＯＩ基板１１の単価を確実に低下させることができる。

また、本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないものを第１シリコン基板１４として用いるので、ＳＯＩ層の結晶欠陥の原因となる固溶酸素が熱処理により酸素析出物になりにくい。また、水素がドープされたインゴットでは、ＣＯＰが存在する領域においてもそのＣＯＰサイズが小さくなり、ＳＯＩ基板の製造工程に存在する還元雰囲気の熱処理においてそのＣＯＰが消滅しやすく、かつ、酸素析出物発生・成長に必要となる空孔型欠陥が水素と結びつき実質的な空孔濃度が低下するため、通常結晶と比較して、酸素析出物の発生確率が更に小さくなる。従って、ＳＯＩ層の欠陥密度を従来より低減して、ＳＯＩ層の結晶品質を更に向上させることができる。そして、第１シリコン基板１４として、領域［Ｐ_I］のものを使用すれば、空孔濃度をより下げることによりその品質をより向上させることができる。

次に本発明のＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法を説明する。
図１に示すように、この再生処理方法は、上述したＳＯＩ基板の製造方法においてイオン注入領域１６で分離することによりＳＯＩ層１３から分離された剥離ウェーハ１７を第１シリコン基板１４として再び用いる方法である。具体的には、この剥離ウェーハ１７は、ＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した後（図１(ｇ)及び(ｉ)）、第１シリコン基板１４として再び用いられる。ここで、剥離ウェーハ１７の分離面における研磨は、通常の少なくとも鏡面研磨又は基板周辺のエッジ研磨と鏡面研磨の組み合わせが好ましい。鏡面研磨の研磨代は０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。０．５μｍ以下では、分離面の凹凸を完全に鏡面まで平らにすることが困難であり、１０μｍ以上では基板全体の平坦性を損ねるためである。

このようなＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法では、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成された第１シリコン基板１４を分離することにより剥離ウェーハ１７を得る。ここで第１シリコン基板１４は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しない領域からなるものであり、それが［Ｐ_I］領域からなるものであれば、格子間シリコンが多いため、ＳＯＩ層の結晶欠陥の原因となる固溶酸素が熱処理により酸素析出物になりにくい。これにより剥離ウェーハ１７も、通常結晶と比較して、酸素析出物発生確率が小さくなるため、ＳＯＩ層の結晶品質を劣化させることなく通常結晶よりも再生加工回数を多くできる。また、酸素析出に必要な空孔が、上記水素ドープ効果により、より析出抑制され、コストの低減が可能となる。
一方、第１シリコン基板１４が［Ｐ_V］領域からなるものである場合であっても、通常結晶と比較して水素ドープの効果により、析出が抑制され、繰り返し回数を増加させ、コスト低減が可能となる。

特に、第１シリコン基板１４の酸素濃度が５×１０¹⁷〜１４×１０¹⁷atoms/cm³の範囲内であるので、剥離ウェーハ１７の必要な機械的強度を維持した状態で酸素析出物の発生を十分に抑制することができる。ここで第１シリコン基板１４の酸素濃度が５×１０¹⁷atoms/cm³未満では、格子間酸素が少ないためウェーハの機械的強度が低下し、熱処理により容易にスリップが発生し、ＳＯＩ基板１１の製品時の結晶欠陥となりデバイス特性を劣化させることになる。また第１シリコン基板１４の酸素濃度が１４×１０¹⁷atoms/cm³越えても熱処理による酸素析出物発生は抑制できないからである。

次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。
＜実施例１＞
シリコン単結晶引上げ装置を用いて水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により直径８インチのボロン（Ｂ）がドープされたｐ型のシリコンインゴットを引上げた。引上げ装置内にはアルゴンガスを４０Ｌ／分の流量で、原料の加熱時から冷却時まで流した。水素ガスは原料のポリシリコンが融解を始めてから、インゴットの引上か完了するまでの間、アルゴンガスの導入口からアルゴンガスに対し６％の体積比となるように混入して引上げ装置内へ導入した。引上げるインゴットは、抵抗率が約１０Ωｃｍ、酸素濃度が５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。インゴットは、引上げ時のＶ／Ｇを０．２４ｍｍ²／分℃から０．１８ｍｍ²／分℃まで連続的に減少させながら、同一条件で２本育成した。そのうちの１本のインゴットは図４に示すように引上げ方向にインゴット中心を切断し、各領域の位置を調べ、別の１本から図４のＰ₄に対応する位置のシリコンウェーハＷ₄を切出し、外径及び厚さが２００ｍｍ及び７２５μｍである第１シリコン基板１４を得た。即ち、この例における第１シリコン基板１４は、領域［Ｐ_V］が支配的に存在するウェーハＷ₄である。

次に、シリコン単結晶引上げ装置を用いて水素を含まない不活性雰囲気中でＣＺ法により直径８インチのボロン（Ｂ）がドープされたｐ型のシリコンインゴットを引上げた。引上げ装置内にはアルゴンガスを４０Ｌ／分の流量で、原料の加熱時からインゴットの引上か完了するまで導入した。引上げるインゴットは直胴部の長さが１２００ｍｍ、抵抗率が約１０Ωｃｍ、酸素濃度が５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。インゴットの引上げにおけるＶ／Ｇは０．２４ｍｍ²／分℃とした。そのインゴットを切断してシリコンウェーハを切出し、外径及び厚さが２００ｍｍ及び７２５μｍである第２シリコン基板１２を得た。
図１に示すように、先に得られた第１シリコン基板１４を酸素雰囲気中で１０００℃に５時間保持する熱処理を行って、第１シリコン基板１４の表面のみならず裏面及び側面に第１酸化膜２１を形成した（図１（ａ））。次いで上記第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを６×１０¹⁶／ｃｍ²のドーズ量及び５０ｋｅＶの加速エネルギで注入して第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成した（図１（ｂ））。次に別に準備した第２シリコン基板１２（図１（ｃ））を上記第１シリコン基板１４に第１酸化膜２１を介して重ね合せて積層体１５を得た（図１（ｄ））。

次にこの積層体１５を窒素雰囲気中で５００℃に３０分間保持して熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って上部のＳＯＩ層１３が第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に密着した貼合せ基板１８を得た（図１（ｆ））。この貼合せ基板１８を酸化処理により剥離時のダメージ層を除去した後、更に貼合せ界面の結合力を完全させるたにアルゴンガス雰囲気中での高温熱処理を行った。その後表面の平坦化を行い。次いで酸化性雰囲気による熱処理で、所定のＳＯＩ層の膜厚になるまで、薄膜化処理を行った（図１（ｊ））。こうして得られたＳＯＩ基板１１を実施例１とした。

＜実施例２＞
実施例１において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例１と同一の条件及び手順により再びＳＯＩ基板１１を得た。この再び得られたＳＯＩ基板１１を実施例２とした。

＜実施例３＞
実施例２において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例１と同一の条件及び手順により３度目のＳＯＩ基板１１を得た。この３度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例３とした。

＜実施例４＞
実施例３において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例１と同一の条件及び手順により４度目のＳＯＩ基板１１を得た。この４度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例４とした。

＜実施例５＞
この実施例５における第１シリコン基板１４は、実施例１のシリコン単結晶引上げ装置を用いて水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により引上げられたうちの１本であって、図４のＰ₆に対応する位置のシリコンウェーハＷ₆を切出した、外径及び厚さが２００ｍｍ及び７２５μｍであるウェーハである。即ち、この例における第１シリコン基板１４は、領域［Ｐ_I］が支配的に存在するウェーハＷ₆を用いるものである。そして、この領域［Ｐ_I］が支配的に存在するウェーハＷ₆を第１シリコン基板１４として用いたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順によりＳＯＩ基板１１を得た。このＳＯＩ基板１１を実施例５とした。

＜実施例６＞
実施例５において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例５と同一の条件及び手順により再びＳＯＩ基板１１を得た。この再び得られたＳＯＩ基板１１を実施例６とした。

＜実施例７＞
実施例６において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例５と同一の条件及び手順により３度目のＳＯＩ基板１１を得た。この３度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例７とした。

＜実施例８＞
実施例７において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例５と同一の条件及び手順により４度目のＳＯＩ基板１１を得た。この４度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例８とした。

＜実施例９＞
この実施例９における第１シリコン基板１４は、実施例１のシリコン単結晶引上げ装置を用いて水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により引上げられたうちの１本であって、図４のＰ₅に対応する位置のシリコンウェーハＷ₅を切出した、外径及び厚さが２００ｍｍ及び７２５μｍであるウェーハである。即ち、この例における第１シリコン基板１４は、領域［Ｐ_I］と領域［Ｐ_V］が混在するウェーハＷ₅を用いるものである。そして、この領域［Ｐ_I］と領域［Ｐ_V］が混在するウェーハＷ₅を第１シリコン基板１４として用いたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順によりＳＯＩ基板１１を得た。このＳＯＩ基板１１を実施例９とした。

＜実施例１０＞
実施例９において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例９と同一の条件及び手順により再びＳＯＩ基板１１を得た。この再び得られたＳＯＩ基板１１を実施例１０とした。

＜実施例１１＞
実施例１０において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例９と同一の条件及び手順により３度目のＳＯＩ基板１１を得た。この３度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例１１とした。

＜実施例１２＞
実施例１１において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、実施例９と同一の条件及び手順により４度目のＳＯＩ基板１１を得た。この４度目に得られたＳＯＩ基板１１を実施例１２とした。

＜比較例１＞
シリコン単結晶引上げ装置を用いて水素を含まない不活性雰囲気中でＣＺ法により直径８インチのボロン（Ｂ）がドープされたｐ型のシリコンインゴットを引上げた。引上げ装置内にはアルゴンガスを４０Ｌ／分の流量で、原料の加熱時からインゴットの引上か完了するまでの間導入した。引上げるインゴットは直胴部の長さが１２００ｍｍ、抵抗率が約１０Ωｃｍ、酸素濃度が５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。インゴットは、引上げ時のＶ／Ｇを０．２４ｍｍ²／分℃から０．１８ｍｍ²／分℃まで連続的に減少させながら、同一条件で２本育成した。そのうちの１本のインゴットは図３に示すように引上げ方向にインゴット中心を切断し、各領域の位置を調べ、別の１本から図３のＰ₂に対応する位置のシリコンウェーハＷ₂を切出し、外径及び厚さが２００ｍｍ及び７２５μｍである第１シリコン基板１４を得た。即ち、この例における第１シリコン基板１４は、中心部に領域［Ｐ_V］を有し、その周囲に領域［Ｐ_I］を有し、更にその周囲に領域［Ｐ_V］を有するウェーハＷ₂である。
このように第１シリコン基板１４として、水素を含まない不活性雰囲気中でＣＺ法により育成されたインゴットをスライスして生成され、領域［Ｐ_V］と領域［Ｐ_I］が混在するウェーハを第１シリコン基板１４として用いたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順によりＳＯＩ基板１１を得た。このＳＯＩ基板１１を比較例１とした。

＜比較例２＞
比較例１において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、比較例１と同一の条件及び手順により再びＳＯＩ基板１１を得た。この再び得られたＳＯＩ基板１１を比較例２とした。

＜比較例３＞
比較例２において、積層体１５に熱処理を行い、イオン注入領域１６のところで割って得られた剥離ウェーハ１７（図１（ｇ））を、そのＳＯＩ層１３からの分離面を研磨した（図１(ｉ)）。この分離面が研磨された剥離ウェーハ１７を、第１シリコン基板１４として再び用い、比較例１と同一の条件及び手順により３度目のＳＯＩ基板１１を得た。この３度目に得られたＳＯＩ基板１１を比較例３とした。
尚、空孔型点欠陥の凝集体（ＣＯＰ）及び格子間シリコン型点欠陥領域（転移クラスター）及びその有無の確認には、各々ＤＳＯＤ（Direct Surface Oxide Defect）法及びＣｕデコレーション法を用いて確認した。本文中に表現している空孔型点欠陥の凝集体（ＣＯＰ）及び格子間シリコン型点欠陥領域（転移クラスター）が無い基板とは、上記評価方法により、観察される欠陥が円盤状やリング状などの特異の形状を有する集合体領域が観察されないことをいう。

＜比較試験及び評価＞
実施例１〜１２並びに比較例１〜３におけるＳＯＩ基板のそれぞれのＳＯＩ層におけるＨＦ欠陥の密度を測定した。ＨＦ欠陥評価とは、ＳＯＩ層の結晶欠陥（ＣＯＰ、析出）を評価する一般的な方法であり、ＳＯＩ基板をＨＦ濃度５０％溶液に３０分漬けてた後、光学顕微鏡で基板外周部を５ｍｍ除いた領域での欠陥数をカウントすることで評価した。この結果を表１に示す。

表１の結果から明らかなように、第１シリコン基板１４を製作するためのインゴットを水素を含む不活性雰囲気中で育成した実施例１〜１２におけるＳＯＩ基板ではそのＳＯＩ層におけるＨＦ欠陥密度はいずれも低い値であることが判る。一方、第１シリコン基板１４を製作するためのインゴットを水素を含まない不活性雰囲気中で育成した比較例１は、そのＳＯＩ層におけるＨＦ欠陥密度が低い値を示したが、その製造過程で副生される剥離ウェーハを第１シリコン基板１４として再利用した比較例２及び３におけるＳＯＩ基板では、そのＳＯＩ層におけるＨＦ欠陥密度が著しく高い値を示している。これは、比較例における第１シリコン基板１４が水素を含まない不活性雰囲気中で育成されたインゴットからなることに起因して、その第１シリコン基板に含有された固溶酸素が、製造過程における複数回の熱処理で析出物となってしまったことに起因するものと考えられる。このため、水素を含む不活性雰囲気中で育成されたインゴットをスライスして第１シリコン基板を形成することにより、剥離ウェーハに酸素析出物が形成されることを防止してその剥離ウェーハを複数回有効利用しようとする本発明が有効に成立することが判る。

本発明実施形態のＳＯＩ基板の製造方法を工程順に示す図である。 ボロンコフの理論を基づいた、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔豊富インゴットが形成され、Ｖ／Ｇ比が臨界点以下では格子間シリコン豊富インゴットが形成されることを示す図。 水素を含まない不活性ガス中において引き上げられたインゴットの空孔が支配的に存在する領域、格子間シリコンが支配的に存在する領域及びパーフェクト領域を示すＸ線トポグラフィの概略図。 水素を含む不活性ガス中において引き上げられたインゴットの空孔が支配的に存在する領域、格子間シリコンが支配的に存在する領域及びパーフェクト領域を示す図３に対応するＸ線トポグラフィの概略図。

符号の説明

１１ ＳＯＩ基板
１２ 第２シリコン基板
１３ ＳＯＩ層
１４ 第１シリコン基板
１５ 積層体
１６ イオン注入領域
１７ 剥離ウェーハ
２１ 酸化膜

Claims (3)

1. 第１シリコン基板(14)の少なくとも表面に酸化膜(21)を形成する工程と、前記第１シリコン基板(14)の表面から水素イオンを注入して前記第１シリコン基板(14)内部にイオン注入領域(16)を形成する工程と、前記酸化膜(21)を介して前記第１シリコン基板(14)に第２シリコン基板(12)を重ね合せて前記第１シリコン基板(14)と前記第２シリコン基板(12)が接合した積層体(15)を形成する工程と、前記積層体(15)を所定の温度で熱処理することにより前記第１シリコン基板(14)を前記イオン注入領域(16)で分離して前記第２シリコン基板(12)上に前記酸化膜(21)を介して薄膜のＳＯＩ層(13)が形成されたＳＯＩ基板(11)を得る工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法において、
   前記第１シリコン基板(14)は、
   水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成された
   ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
2. 第１シリコン基板(14)を形成するインゴットは酸素濃度が５×１０¹⁷〜１４×１０¹⁷atoms/cm³(Old-ASTM)の範囲内になるように育成された請求項１記載のＳＯＩ基板の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載されたＳＯＩ基板の製造方法においてイオン注入領域(16)で分離することによりＳＯＩ層(13)から分離された剥離ウェーハ(17)を第１シリコン基板(14)として用いるＳＯＩ基板の製造における剥離ウェーハの再生処理方法。
   

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