JP2014107357A

JP2014107357A - Ｓｏｉウェーハの製造方法

Info

Publication number: JP2014107357A
Application number: JP2012257905A
Authority: JP
Inventors: Takemine Magari; 偉峰曲; Fumio Tawara; 史夫田原; Hiroyoshi Oi; 裕喜大井
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2012-11-26
Filing date: 2012-11-26
Publication date: 2014-06-09
Also published as: WO2014080565A1

Abstract

【課題】ＳＯＩウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないＳＯＩウェーハを製造することができ、また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩウェーハを製造する方法であって、前記シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が７ｐｐｍａ以下の窒素ドープシリコンウェーハを準備し、前記酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で１１７０℃〜１３００℃の温度で３０分〜１２０分間の熱処理を施す工程を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、イオン注入したウェーハを貼り合わせ後に剥離してＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハを製造する、いわゆるイオン注入剥離法（スマートカット（登録商標）法とも呼ばれている）によるＳＯＩウェーハの製造方法に関する。

ＳＯＩウェーハの製造方法としては、代表的なものにイオン注入剥離法がある。
このイオン注入剥離法を簡単に説明すると、まず、ボンドウェーハ及びベースウェーハとして、２枚のシリコンウェーハを準備し、少なくとも一方のシリコンウェーハ、例えばボンドウェーハにＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜となる酸化膜を形成した後に、該酸化膜を形成したシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面から前記酸化膜を通してイオン注入を行って、前記シリコンウェーハ中にイオン注入層を形成し、該イオン注入層を形成したシリコンウェーハとベースウェーハを貼り合わせて熱処理することによって、前記シリコンウェーハを前記イオン注入層で剥離して剥離ウェーハとＳＯＩウェーハとに分離させ、その後更に必要に応じて、結合熱処理を加えて強固に結合して、ＳＯＩウェーハを製造する方法である。

デバイスプロセスの微細化に伴い、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を形成するボンドウェーハは無欠陥化を要求されてきており、現状ではＳＯＩ層形成用のボンドウェーハとして低酸素、低欠陥のＮ領域（ＮＰＣ（ＮｅａｒｌｙＰｅｒｆｅｃｔＣｒｙｓｔａｌ））ウェーハを使用している（特許文献１）。

しかし、このようなＣＯＰ（ＣｒｙｓｔａｌＯｒｉｇｉｎａｔｅｄＰａｒｔｉｃｌｅ）フリーのＮＰＣウェーハを使用しても、ＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜となる酸化膜を形成するため例えば９００℃で６時間の熱処理や、最大９５０℃で１時間の熱処理を４回以上繰り返して行うと、ＳＯＩ層となる表層に酸素析出核や酸素析出物（ＢｕｌｋＭｉｃｒｏＤｅｆｅｃｔ：ＢＭＤ）等の酸素析出関連欠陥であるＨＦ欠陥が発生する場合がある。特に、剥離ウェーハをボンドウェーハとして再利用し続ける場合に、上記熱処理を４回以上行うことになるので、このような欠陥の発生が顕著となる。

このような欠陥を発生させないようにするため、剥離したＮ領域ウェーハにＲＴＡ処理を行い、表層の欠陥を消滅させてからボンドウェーハとして再利用する方法が行われている（特許文献２〜４）。
しかし、このようなＲＴＡ処理はその都度行わなければならず、また何度もＲＴＡ処理を繰り返すとボンドウェーハが破損しやすくなるという問題がある。

このような再生処理におけるボンドウェーハの熱処理回数を減らすため、ＳＯＩウェーハを作製する前に、非酸化性雰囲気下等でボンドウェーハを熱処理する方法も行われている（特許文献５）。
しかし、このような方法であっても、再利用する前の検査で欠陥が確認された場合には、再度熱処理を行う必要がある。

特開２００６−２９４７３７号公報特開２０１１−２３８７５８号公報特開２００８−０２１８９２号公報特開２００７−１４９９０７号公報特開２０１１−１７６２９３号公報

これらの問題を解決するためには、ＬＳＴ（ＬａｓｅｒＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ（赤外散乱トモグラフィー））で検出されるＢＭＤ密度が例えば１×１０^７／ｃｍ^３未満のウェーハをボンドウェーハとして使用する必要がある。
また、ＳＯＩウェーハのコスト低減を実現するため、ボンドウェーハの再利用を考えると、バルクまで完全に無欠陥となるウェーハの作製技術の開発が必要である。

本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、ＳＯＩウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないＳＯＩウェーハを製造することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明によれば、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハをボンドウェーハとして準備する工程と、該準備したシリコンウェーハに酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を形成したシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面から前記酸化膜を通してイオン注入を行って、前記シリコンウェーハ中にイオン注入層を形成する工程と、該イオン注入層を形成したシリコンウェーハとベースウェーハを貼り合わせて、前記シリコンウェーハを前記イオン注入層で剥離して剥離ウェーハとＳＯＩウェーハとに分離させる工程とを含むＳＯＩウェーハを製造する方法であって、前記シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が７ｐｐｍａ以下の窒素ドープシリコンウェーハを準備し、前記酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で１１７０℃〜１３００℃の温度で３０分〜１２０分間の熱処理を施す工程を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される。

このような本発明のＳＯＩウェーハの製造方法によれば、ＳＯＩウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないＳＯＩウェーハを製造することができる。また、ＳＯＩウェーハの製造工程の酸化熱処理（ＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜となる酸化膜を形成するための熱処理）を繰り返し行っても、ＨＦ欠陥が殆ど形成されることがないので、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができる。

このように、剥離ウェーハをＳＯＩウェーハの製造の際にボンドウェーハとして再利用すれば、生産性良く、低コストで高品質のＳＯＩウェーハを製造することができる。

更に、前記窒素ドープシリコンウェーハとして、窒素濃度が１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素ドープシリコンウェーハを用いることが好ましい。

このような窒素濃度の窒素ドープシリコンウェーハを用いれば、本発明におけるアルゴン雰囲気下での熱処理により、バルク中までＨＦ欠陥の原因となる酸素析出核や酸素析出物等を完全に消滅させることができる。

以上説明したように、本発明によれば、ボンドウェーハの酸素析出関連欠陥を十分に消滅させることができるため、ＨＦ欠陥の発生を抑制することができる。そのため、ＳＯＩウェーハの製造工程中の熱処理（ＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜となる酸化膜を形成するための熱処理）を行っても、ＨＦ欠陥が発生、成長しないボンドウェーハとすることができ、ＳＯＩ層に欠陥等の不良がほとんどなく、電気特性に優れた高品質のＳＯＩウェーハを効率的に製造することができる。また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができるため、コストを削減でき経済的である。

本発明のＳＯＩウェーハの製造方法の実施態様の一例を示すフロー図である。本発明のＳＯＩウェーハの製造方法で用いることができるボンドウェーハに本発明の熱処理を施した場合のＨＦ欠陥を測定した結果の一例を示す図である。本発明のボンドウェーハの酸素濃度、窒素ドープの有無の条件又は熱処理温度の条件を満たさない場合のＨＦ欠陥を測定した結果の一例を示す図である。実施例、比較例１、２におけるＨＦ欠陥密度を示すグラフである。

以下、本発明についてより詳細に説明する。
前述のように、従来ＳＯＩウェーハの製造においては、ＳＯＩウェーハ製造工程の酸化熱処理により中心部にＨＦ欠陥が検出されることがあった。また、剥離したウェーハをボンドウェーハとして再利用する際には、その都度、又は少なくとも欠陥が確認された場合には熱処理を行い、表層の欠陥を消滅させる必要があった。

そこで、本発明者らは、欠陥等の不良のほとんどないＳＯＩウェーハを製造することができ、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして再利用する際に、剥離ウェーハの表層の結晶欠陥を消滅させる熱処理を頻繁に行わなくとも、ＨＦ欠陥が形成されない条件を検討した。尚、ＨＦ欠陥とは、ＳＯＩウェーハをＨＦ溶液に浸漬することで検出されるＳＯＩ層中の結晶欠陥の総称であり、ＳＯＩ層を貫通する欠陥部分を通してＨＦ溶液が埋め込み酸化膜層をエッチングしてできた空洞を検出するものである。このエッチングによりウェーハ表面に形成されたＨＦ欠陥はパーティクルカウンタ（例えば、ＫＬＡテンコール社製ＳＰ１）で検出することができる。

その結果、埋め込み酸化膜となる酸化膜の形成工程前に、ボンドウェーハとして準備した初期酸素濃度が７ｐｐｍａ以下の窒素ドープシリコンウェーハに対し、前処理としてアルゴン雰囲気下、１１７０℃〜１３００℃の温度で３０分〜１２０分間熱処理を施すと、この最初の１回の熱処理（以下、便宜上「本発明の熱処理」ということもある）のみでＳＯＩウェーハの製造工程の酸化熱処理を繰り返し行ってもＨＦ欠陥が形成されないことを知見し、本発明を完成させた。

以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法の実施態様の一例を示すフロー図である。
まず、本発明の製造方法では、ボンドウェーハ１として、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハを準備する（図１（ａ））。

この準備するシリコンウェーハ（ボンドウェーハ１）としては、少なくとも一方の表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ等を挙げることができ、本発明においては、Ｖ領域又はＮ領域の初期酸素濃度が７ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下の窒素ドープシリコンウェーハを用いる。

このように、窒素ドープすると低酸素濃度のウェーハでは欠陥サイズが小さくなり、Ｎ領域のウェーハでなくＶ領域のウェーハであっても上記本発明の熱処理によりバルク中までＨＦ欠陥の原因となる酸素析出核や酸素析出物等を完全に消滅させることができる。更に、上記本発明の熱処理をすることで、ＳＯＩウェーハの製造工程の酸化熱処理を繰り返し行っても、ＨＦ欠陥が形成されることが殆どない。
ここで、窒素ドープシリコンウェーハとして、窒素濃度が１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素ドープシリコンウェーハを用いることが好ましい。

次に、前記準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で１１７０℃〜１３００℃の温度で３０分〜１２０分間の熱処理を施す（図１（ｂ））。
このようにアルゴン雰囲気下で熱処理を施してウェーハ中の酸素析出物を確実に消滅させるためには、酸素固溶度＞基板酸素濃度を満足する熱処理温度が必要である。１１７０℃の酸素固溶度は約７ｐｐｍａなので、１１７０℃以上の熱処理であれば、酸素濃度７ｐｐｍａ以下のウェーハ中の酸素析出物を確実に消滅させることができる。尚、１２００℃の酸素固溶度は１０ｐｐｍａなので、１０ｐｐｍａより低酸素のウェーハであれば酸素析出物の消滅が可能となる。
この熱処理は、例えば抵抗加熱熱処理炉で行うことができる。

図２は本発明の熱処理を施した直径２００ｍｍ、窒素ドープ（窒素濃度１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）Ｎ領域シリコンウェーハの（ｉ）熱処理直後の、（ｉｉ）熱処理後に５０μｍ研磨した後の、（ｉｉｉ）熱処理後に１００μｍ研磨した後のＨＦ欠陥をそれぞれ測定した結果を示す図である。図２の（Ａ）は、初期酸素濃度５ｐｐｍａ、熱処理温度１１７０℃、熱処理時間６０分間の条件の場合、図２の（Ｂ）は、初期酸素濃度７ｐｐｍａ、熱処理温度１２００℃、熱処理時間６０分間の条件の場合の結果である。図２の（Ａ）（Ｂ）ともにバルク中まで完全にＨＺ欠陥が消滅しているのが確認できる。

一方、図３の（Ａ）は、窒素ドープなし、Ｎ領域のシリコンウェーハ（直径２００ｍｍ、初期酸素濃度５ｐｐｍａ）に、（ｉ）アルゴン雰囲気下で１１５０℃の温度で６０分間の熱処理を施した後、（ｉｉ）実際にボンドウェーハとして３回再生利用した後のＨＦ欠陥を示す図である。尚、このときのウェーハの厚さは再生利用前のウェーハを２０μｍ程度研磨した厚さに相当する。図３の（Ａ）に示すように、バルク中にＨＦ欠陥が多数検出されている。これは、窒素をドープせず、１１７０℃未満の熱処理では酸素濃度が５ｐｐｍａと低酸素であってもバルク領域の欠陥を消滅させることができないことを示している。

また、図３の（Ｂ）は、初期酸素濃度８ｐｐｍａ、Ｎ領域の窒素ドープ（直径２００ｍｍ、窒素濃度１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）シリコンウェーハに、（ｉ）アルゴン雰囲気下で１２００℃の温度で６０分間の熱処理を施した後、（ｉｉ）表面を５０μｍ研磨した後のＨＦ欠陥を示す図である。図３の（Ｂ）に示すように、バルク中にＨＦ欠陥が多数検出され、酸素濃度が７ｐｐｍａより高いと、窒素ドープシリコンウェーハを用い１１７０℃以上の熱処理をしても、バルク中の結晶欠陥を消滅させることができないことを示している。

図２、図３の結果からも分かるように、本発明で規定したシリコンウェーハに上記本発明の熱処理を３０分以上行えば、一度の熱処理でバルク中の酸素析出核及び酸素析出物等を完全に消滅させることができる。更に、その後の剥離ウェーハをボンドウェーハとして再利用する工程において、表層の欠陥を消滅させるための熱処理をその都度行う必要はないので、工程の簡略化を実現することができる。

尚、熱処理温度が１３００℃を超える熱処理はボンドウェーハに負担となり、スリップ転位の発生や不純物汚染の問題が生じる。また、１２０分程度熱処理を行えばバルク中の欠陥まで消滅させることができるため、熱処理による効果や効率等の観点から、熱処理は１３００℃以下で１２０分以下とする。

次に、シリコンウェーハ（ボンドウェーハ１）にＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜７となる酸化膜２を形成する（図１（ｃ））。酸化膜２は、例えば９００〜１２００℃程度の温度で５〜６時間熱処理を行うことにより、形成することができる。図１（ｃ）の場合は、シリコンウェーハ（ボンドウェーハ１）の表面全体に酸化膜２が形成されているが、貼り合わせ面のみに酸化膜２を形成しても良い。

次に、該酸化膜２を形成したシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面から前記酸化膜２を通してイオン注入を行って、前記シリコンウェーハ中にイオン注入層３を形成する（図１（ｄ））。
イオン注入層３の深さは、イオン注入エネルギーにより決定される。従って、深く注入するためには大きな注入エネルギーが必要とされるが、通常の場合、酸化膜２表面から深くても２μｍ程度であり、１μｍ以下の深さに注入することが多い。

次に、該イオン注入層３を形成したシリコンウェーハ（ボンドウェーハ１）とベースウェーハ４（ベースウェーハ４としては、特に限定されず、例えばシリコン単結晶ウェーハ等を準備することができる）を、酸化膜２を介して、前記イオン注入層３側を貼り合わせる（図１（ｅ））。その後、剥離のための熱処理を行うことによって、前記シリコンウェーハ（ボンドウェーハ１）を前記イオン注入層３で剥離して剥離ウェーハ５とＳＯＩウェーハ６とに分離させる（図１（ｆ））。また、ボンドウェーハ１とベースウェーハ４とを貼り合わせる前に、どちらか一方又は両方のウェーハの貼り合わせ面にプラズマ処理を施して結合強度を高めることによって、剥離熱処理を省略し、機械的に剥離させることもできる。

そして、必要に応じて、結合強度を高めるための結合熱処理や、分離したＳＯＩウェーハ６の表面を研磨等することで、欠陥のないＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることができる（図１（ｈ））。
また、上記のように本発明の製造方法で副生された剥離ウェーハ５を、他のＳＯＩウェーハの製造において、ボンドウェーハとして再利用することが好ましい。

前述したように、本発明の熱処理を行ったボンドウェーハは、酸素析出核や酸素析出物等が殆ど存在しておらず、即ち、１μｍ程度のＳＯＩ層が剥離された後の剥離ウェーハであっても、酸素析出核、酸素析出物等が殆ど存在していない。従って、剥離ウェーハ５を少ない研磨代で研磨する（図１（ｇ））だけで、再びボンドウェーハとして使用することができるため、生産性良く低コストでＳＯＩウェーハを製造できる。

剥離面を研磨するに際し、剥離面の研磨代は特に限定されないが、剥離面周辺部に形成されている段差とイオン注入層の歪を確実に除去し、結合不良の発生を十分に抑制するため、研磨代としては３μｍ以上、好ましくは５μｍより多く研磨することが望ましい。

上記のように再生処理としての剥離面の研磨を行った剥離ウェーハ５をボンドウェーハとして、再度、図１（ｃ）〜（ｅ）の工程を行う。このように、本発明によれば、剥離ウェーハ５をボンドウェーハとして再利用する際に再度熱処理工程（ｂ）を行わなくとも、ＨＦ欠陥が生じることのないＳＯＩウェーハを製造することができる。これにより、このＳＯＩウェーハ製造後の剥離ウェーハを再度上記の再生処理（研磨処理）を施して複数回（例えば４回以上）再利用することができるため、低コストで高品質のＳＯＩウェーハを製造することができる。

以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例）
ボンドウェーハとして、直径２００ｍｍ、窒素ドープ（窒素濃度１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）、欠陥領域がＶ領域、初期酸素濃度３〜７ｐｐｍａの鏡面研磨されたシリコンウェーハを準備し、ボンドウェーハの欠陥消滅のための熱処理を、アルゴン雰囲気下で１２００℃、６０分行った。そして、（ｉ）９００℃／６ｈｒｓの酸化熱処理を行って酸化膜を形成した後、（ｉｉ）この酸化膜を通して水素イオンを注入（注入条件は、加速エネルギー７０ｋｅＶ、注入量６×１０^１６／ｃｍ^２である）し、（ｉｉｉ）イオン注入したボンドウェーハを、ベースウェーハ（シリコンウェーハ）と室温で貼り合わせた後、５００℃、３０分の剥離熱処理を加えることにより、イオン注入層で剥離し、ＳＯＩウェーハを作製した。

この際、ＳＯＩウェーハから分離した剥離ウェーハが副生された。この剥離ウェーハを用いて、上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を繰り返した。
再生回数６回目のボンドウェーハの表面の６５ｎｍ以上のＨＦ欠陥をＫＬＡテンコール社製ＳＰ１で測定した。その結果を図４に示す。図４に示すように、ボンドウェーハの再生回数を増やしても、ＨＦ欠陥は殆ど検出されず、低いままの状態を保っていた。
また、得られたＳＯＩウェーハも、ＳＯＩ層に欠陥等の不良がなく、電気特性に優れた高品質のものであった。

（比較例１）
ボンドウェーハとして、直径２００ｍｍ、窒素ドープなし、欠陥領域がＶ領域、初期酸素濃度３〜７ｐｐｍａの鏡面研磨されたシリコンウェーハ準備した以外、実施例と同様な条件でＳＯＩウェーハを作製し、実施例と同様にＨＦ欠陥を評価した。その結果を図４に示す。図４に示すように、窒素ドープなしのシリコンウェーハは実施例と同様の酸素濃度であっても、酸素濃度の増加に伴い、ＨＦ欠陥密度が著しく増加した。

（比較例２）
ボンドウェーハとして、直径２００ｍｍ、窒素ドープ（窒素濃度１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）、欠陥領域がＶ領域、初期酸素濃度８〜１１ｐｐｍａの鏡面研磨されたシリコンウェーハ準備した以外、実施例と同様な条件でＳＯＩウェーハを作製し、実施例と同様にＨＦ欠陥を評価した。その結果を図４に示す。図４に示すように、初期酸素濃度が７ｐｐｍａを超えるシリコンウェーハは、酸素濃度の増加に伴い、ＨＦ欠陥密度が著しく増加した。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…ボンドウェーハ、２…酸化膜、３…イオン注入層、
４…ベースウェーハ、５…剥離ウェーハ、６…ＳＯＩウェーハ、
７…埋め込み酸化膜。

Claims

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハをボンドウェーハとして準備する工程と、該準備したシリコンウェーハに酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を形成したシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面から前記酸化膜を通してイオン注入を行って、前記シリコンウェーハ中にイオン注入層を形成する工程と、該イオン注入層を形成したシリコンウェーハとベースウェーハを貼り合わせて、前記シリコンウェーハを前記イオン注入層で剥離して剥離ウェーハとＳＯＩウェーハとに分離させる工程とを含むＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
前記シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が７ｐｐｍａ以下の窒素ドープシリコンウェーハを準備し、
前記酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で１１７０℃〜１３００℃の温度で３０分〜１２０分間の熱処理を施す工程を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
前記剥離ウェーハを、ＳＯＩウェーハの製造の際にボンドウェーハとして再利用することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
前記窒素ドープシリコンウェーハとして、窒素濃度が１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素ドープシリコンウェーハを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。