JP2004281883A - Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 235
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 233
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 233
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 117
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 270
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 46
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000018734 Sambucus australis Nutrition 0.000 description 1
- 244000180577 Sambucus australis Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76243—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using silicon implanted buried insulating layers, e.g. oxide layers, i.e. SIMOX techniques
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Element Separation (AREA)
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Abstract
【課題】極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いＳＯＩウェーハを簡単かつ安価で提供する。
【解決手段】少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハ。
【選択図】 なし
【解決手段】少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハ。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハに関し、特に、電気的信頼性が極めて高いＳＯＩウェーハ、及びそのようなＳＯＩウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、デバイス用基板として、支持基板上にシリコン活性層（ＳＯＩ層）が形成されたＳＯＩウェーハが広く利用されている。このようなＳＯＩウェーハの製造方法としては、例えば、１枚のシリコンウェーハ内に酸素を注入して酸化膜で仕切られたシリコン活性層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙＩｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や２枚のウェーハ同士を酸化膜を介して又は直接貼り合わせる貼り合わせ法などが知られている。
【０００３】
ＳＩＭＯＸ法では、鏡面研磨等が施されたシリコンウェーハの一方の主表面からウェーハ内部に酸素イオンを注入し、酸素イオン注入層を形成する。その後、例えば不活性ガス雰囲気中で１３００℃以上の温度で熱処理し、ウェーハ内部に形成された酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層（絶縁膜層）に変える。これにより、一枚のウェーハ内で、絶縁膜層で仕切られたＳＯＩウェーハを得ることができる。
【０００４】
また、貼り合わせ法の一つであるイオン注入剥離法では、シリコン活性層となるシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）あるいは支持基板となるシリコンウェーハ（ベースウェーハ）の表面に例えば酸化膜といった絶縁膜（埋め込み絶縁膜、層間絶縁膜などとも呼ばれる）を形成し、ボンドウェーハの片側の表面から水素等のイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層（微小気泡層）を形成する。さらに、ボンドウェーハのイオン注入した側の面を、酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせた後、熱処理によりイオン注入層を境界としてボンドウェーハを剥離する。これによりベースウェーハ上に酸化膜を介して薄いシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハを得ることができる。
なお、絶縁性の支持基板を用い、これにボンドウェーハを直接、すなわち酸化膜を介さずに貼り合わせる場合もある。
また、イオン注入層を境界として剥離した後、シリコン活性層とベースウェーハとの結合力を高めるための熱処理（結合熱処理）や、表面の酸化膜を除去するためのフッ酸洗浄などを行う場合もある。
【０００５】
上記のようにＳＯＩウェーハを製造する場合、シリコンウェーハとして、これまでは通常、表面にサイズが５０ｎｍ以上の微小ピット欠陥が存在するシリコンウェーハを使用するのが一般的であった。しかし、近年、シリコン活性層や埋め込み酸化膜の薄膜化要求が増しており、これに適用できるシリコンウェーハの品質要求も厳しくなっている。
【０００６】
特に、上記イオン注入剥離法のようなＳＯＩウェーハの製造方法においては、表面の酸化膜を除去する弗酸洗浄を行う場合があるが、その際、シリコン活性層の表面に存在する微小ピット欠陥サイズがエッチングにより更に拡大したり、このピットを通して侵入した弗酸により埋め込み酸化膜がエッチングされ、シリコン活性層あるいは、埋め込み酸化膜をほぼ全面あるいは局部的に破壊するという不良が多く発生していた。
【０００７】
そこで、シリコン活性層の欠陥を低減させるものとして、エピタキシャル層やＩＧウェーハのＤＺ（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ）層を利用したものや、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれる単結晶成長起因の欠陥の無い、いわゆるニュートラルな領域（Ｎ領域）のシリコン単結晶を利用したものが提案されている。
【０００８】
例えば、シリコンウェーハ（ボンドウェーハ）上にエピタキシャル層を形成し、エピタキシャル層にボロンをイオン注入した後、支持基板に酸化膜を介して貼り合わせ、さらにボンドウェーハの裏面を研削研磨することによりＳＯＩウェーハを製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、このようにエピタキシャル層を形成したウェーハをボンドウェーハとして使用した場合、シリコン活性層の欠陥は改善されるが、エピタキシャル層を成長させる工程が増えるため、製造コストが著しく増加するという問題がある。
【０００９】
一方、ボンドウェーハとして、ＦＰＤやＣＯＰ等の微小欠陥が存在しないＮ領域で育成したシリコンウェーハを用いる場合には、シリコン単結晶の育成条件を精密に制御する必要はあるが、エピタキシャル層を形成させるような工程が不要であるという利点がある。
【００１０】
ここで、シリコン単結晶の製造方法について説明し、次いでグローンイン欠陥及びＮ領域について説明する。
シリコン単結晶の製造方法としては、主にチョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｍｅｔｈｏｄ、以下ＣＺ法と略称する）が用いられている。
【００１１】
ＣＺ法により単結晶を製造する際には、例えば図２に示すような単結晶製造装置１０を用いて製造される。この単結晶製造装置１０は、例えばシリコンのような原料多結晶を収容して溶融するための部材や、熱を遮断するための断熱部材などを有しており、これらは、メインチャンバー１１内に収容されている。メインチャンバー１１の天井部からは上に伸びる引上げチャンバー１２が連接されており、この上部に単結晶１３をワイヤー１４で引上げる機構（不図示）が設けられている。
【００１２】
メインチャンバー１１内には、溶融された原料融液１５を収容する石英ルツボ１６とその石英ルツボ１６を支持する黒鉛ルツボ１７が設けられ、これらのルツボ１６、１７は駆動機構（不図示）によって回転昇降自在にシャフト１８で支持されている。このルツボ１６、１７の駆動機構は、単結晶１３の引上げに伴う原料融液１５の液面低下を補償すべく、ルツボ１６、１７を液面低下分だけ上昇させるようにしている。
【００１３】
そして、ルツボ１６、１７を囲繞するように、原料を溶融させるための黒鉛ヒーター１９が配置されている。この黒鉛ヒーター１９の外側には、黒鉛ヒーター１９からの熱がメインチャンバー１１に直接輻射されるのを防止するために、断熱部材２０がその周囲を取り囲むように設けられている。
【００１４】
また、ルツボの上部には黒鉛筒２３を設け、その外側下端に原料融液１５と対向するように断熱材２４を設けて融液面からの輻射をカットするとともに原料融液表面を保温するようにしている。
【００１５】
以上のような単結晶製造装置内に配置された石英ルツボ１６に原料塊を収容し、このルツボ１６を、上記のような黒鉛ヒーター１９により加熱し、石英ルツボ１６内の原料塊を溶融させる。このように原料塊を溶融させたものである原料融液１５に、ワイヤー１４の下端に接続している種ホルダー２１で固定された種結晶２２を着液させ、その後、種結晶２２を回転させながら引上げることにより、種結晶２２の下方に所望の直径と品質を有する単結晶１３を育成する。この際、種結晶２２を原料融液１５に着液させた後に、直径を３ｍｍ程度に一旦細くして絞り部を形成するいわゆる種絞り（ネッキング）を行い、次いで、所望の口径になるまで太らせて、無転位の結晶を引上げている。
【００１６】
次に、グローンイン欠陥及びＮ領域について説明する。
シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇが大きい通常の炉内構造（ホットゾーン：ＨＺ）を使用したＣＺ引上げ機で結晶軸方向に成長速度Ｆを高速から低速に変化させた場合、図４に示したような欠陥分布図として得られることが知られている。
図４においてＶ領域とは、Ｖａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことである。そして、Ｖ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略記することがある）領域が存在し、また、Ｖ領域の境界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、ＯｘｉｄａｔｉｏｎＩｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）と呼ばれる欠陥が、結晶成長軸に対する垂直方向の断面で見た時に、リング状に分布（以下、ＯＳＦリングということがある）していることも確認されている。
【００１７】
そして、成長速度が比較的高速の場合には、空孔型の点欠陥が集合したボイド起因とされているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これらの欠陥が存在する領域はＶ領域となる。また、成長速度の低下に伴い、ＯＳＦリングが結晶の周辺から発生し、このリングの外側に格子間シリコンが集合した転位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥（巨大転位クラスタ）が低密度に存在し、これらの欠陥が存在する領域はＩ領域（Ｌ／Ｄ領域ということがある）となる。さらに、成長速度を低速にすると、ＯＳＦリングがウェーハの中心に収縮して消滅し、全面がＩ領域となる。
【００１８】
そして、Ｖ領域とＩ領域の中間でＯＳＦリングの外側のＮ領域は、空孔起因のＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰも、格子間シリコン起因のＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤも存在しない領域となる。なお、最近では、Ｎ領域をさらに分類すると、図４に示されているように、ＯＳＦリングの外側に隣接するＮｖ領域（空孔の多い領域）とＩ領域に隣接するＮｉ領域（格子間シリコンが多い領域）とがあり、Ｎｖ領域では、熱酸化処理した際に酸素析出量が多く、Ｎｉ領域では酸素析出が殆ど無いことがわかっている。
【００１９】
このようなＮ領域は、従来、ウェーハ面内では一部分にしか存在しなかったが、引上げ速度（Ｆ）とシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値（Ｇ）との比であるＦ／Ｇを制御することでＮ領域が横全面（ウェーハ全面）に広がった結晶が製造できるようになっている。
【００２０】
そこで、ＳＯＩウェーハの製造においても、前記したようにボンドウェーハとして全面Ｎ領域となるシリコン単結晶ウェーハを用いる方法が提案されている。
例えば、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりシリコン単結晶を引上げる際、引上げ速度Ｆとシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇとの比（Ｆ／Ｇ）を所定の範囲内に制御してシリコン単結晶を引上げ、ボンドウェーハとして、Ｎ領域のシリコンウェーハを使用したＳＯＩウェーハが提案されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照。）。
【００２１】
しかし、ＣＺ法により引上げ速度等を制御してＮ領域のシリコン単結晶を引上げる場合、このＮ領域のシリコン単結晶は比較的限られた引上げ速度で育成することになるため、その速度制御が難しく、結晶の生産性及び歩留まりが低いという問題があった。したがって、このようなＮ領域単結晶を利用したＳＯＩウェーハは、比較的高価になりがちであった。
【００２２】
一方、ベースウェーハについては、本来、絶縁膜を介したシリコン活性層を支持するために必要なものであり、その表面に直接素子形成が行われるわけではない。
【００２３】
そこで、ベースウェーハとしては、生産性の向上等を考慮し、図４に示されるように高速の引上げ速度で成長させたＶ領域、あるいはＯＳＦ領域やＮｖ領域を一部に含む程度のシリコン単結晶を育成し、このように高速成長させたシリコン単結晶から鏡面状に加工したシリコンウェーハ等が広く使用されていた。例えば、抵抗値などが製品規格から外れたダミーグレードのシリコンウェーハをベースウェーハとして使用することが提案されている（特許文献４参照。）。
【００２４】
しかし、最近では層間絶縁膜の薄膜化の要求が浮上しており、そのためベースウェーハとなるシリコンウェーハの品質向上が求められている。すなわち、層間絶縁膜の膜厚が充分厚い場合は、ベースウェーハ表面に例えボイド成長したＣＯＰのような空孔欠陥等が高密度に形成されていても絶縁破壊への影響を心配する必要はなかったが、例えば層間絶縁膜が膜厚１００ｎｍ以下のような薄膜である場合は、層間絶縁膜の膜質を損ない、その絶縁機能に支障を来たすことが懸念されている。
【００２５】
さらに、高価になりがちなＳＯＩウェーハをより安価で提供するための方法として、イオン注入剥離法によりシリコン活性層から剥離した剥離ウェーハを、ベースウェーハとして再利用する方法が提案されている（特許文献５参照。）。しかし、近年求められているように、ＳＯＩウェーハの層間絶縁膜が、例えば膜厚１００ｎｍ以下のような薄膜である場合は、ベースウェーハとして再利用する剥離ウェーハが、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰ、ＬＦＰＤ）領域等を含んだものであると、層間絶縁膜の膜質を損ない、その絶縁機能に支障を来たす。したがって、このような場合、ベースウェーハへの再利用を行うのが困難である。
【００２６】
【特許文献１】
特開平１０−７９４９８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１４６４９８号公報
【特許文献３】
特開２００１−４４３９８号公報
【特許文献４】
特開平１１−４０７８６号公報
【特許文献５】
特開平１１−２９７５８３号公報
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、例えば厚さが２００ｎｍ以下といった極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いＳＯＩウェーハを簡単かつ安価で提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハが提供される（請求項１）。
【００２９】
このように、少なくともシリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、エピウェーハ等を用いる場合のように工数を増やすことなく製造することができるし、シリコン活性層となる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
尚、この場合の支持基板として、シリコン、石英、ＳｉＣ、サファイア等を適宜選択することができる。
【００３０】
また、本発明によれば、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを、絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハも提供される（請求項２）。
【００３１】
このように、ボンドウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、ボンドウェーハを薄膜化することにより形成されるシリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、エピウェーハ等を用いる場合のように工数を増やすことなく製造することができるし、ボンドウェーハに用いる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
さらに、ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハの表面に微小欠陥が存在しないため、このベースウェーハ上に例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、ベースウェーハ表面の欠陥の影響を受けて絶縁破壊特性の劣化が生じることがなく、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いものとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハに用いる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
【００３２】
この場合、前記Ｐドープシリコン単結晶は、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものであるのが好ましい（請求項３）。
【００３３】
このように、Ｐドープシリコン単結晶は、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものであれば、十分なＮ型の導電性を有するものとなる。
【００３４】
この場合、前記シリコン活性層は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあるものとすることができる（請求項４）。
【００３５】
近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明に係るＳＯＩウェーハのシリコン活性層には極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されることがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００３６】
この場合、前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であって、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であるものとすることができる（請求項５）。
【００３７】
近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明のＳＯＩウェーハは、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００３８】
本発明の方法として、少なくとも、シリコンウェーハに酸素を注入後、熱処理することで絶縁膜層（酸化膜層）を形成し、前記ウェーハ内に前記絶縁膜層で仕切られたシリコン活性層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法において、少なくとも、前記シリコンウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項６）。
【００３９】
このようにＳＩＭＯＸ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、Ｎ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることによって、シリコン活性層が極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４０】
また、本発明の方法として、少なくとも、ベースウェーハとボンドウェーハとを直接貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ベースウェーハとして、絶縁性の基板を用い、前記ボンドウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項７）。
【００４１】
このように、ベースウェーハとして絶縁性の基板、例えば、石英、ＳｉＣ、サファイア等を用い、このベースウェーハとシリコン単結晶からなるボンドウェーハを直接貼り合わせる貼り合わせ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、ボンドウェーハとしてＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものを用いることによって、絶縁性基板上のシリコン活性層が極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるものであるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４２】
さらに、本発明の方法として、少なくとも、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項８）。
【００４３】
このように、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、Ｎ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものをボンドウェーハ、ベースウェーハとして用いることによって、シリコン活性層及び／又は支持基板が、極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるものであるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４４】
これらの貼り合わせ法においては、貼り合わせ工程の前に、ボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンの少なくとも１種のイオンを注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成するイオン注入工程を行い、前記貼り合わせ工程においては、該ボンドウェーハのイオン注入された側の表面と前記ベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせ、前記薄膜化工程においては、熱処理により前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離することでＳＯＩウェーハを製造することができる（請求項９）。
【００４５】
このような、イオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを製造すれば、シリコン活性層を極めて薄く厚さの均一なものとすることができる上、欠陥の無い極めて高品質のＳＯＩウェーハとなる。
【００４６】
この場合、前記Ｐドープシリコン単結晶として、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものを用いるのが好ましい（請求項１０）。
【００４７】
このように、Ｐドープシリコン単結晶として、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものとすれば、十分なＮ型の導電性を有するものとすることができる。
【００４８】
この場合、シリコン活性層の厚さを、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にすることができる（請求項１１）。
【００４９】
近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明の方法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、シリコン活性層には極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されることがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００５０】
この場合、絶縁膜を、シリコン酸化膜とし、該シリコン酸化膜の厚さを、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にすることができる（請求項１２）。
【００５１】
近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明の方法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明のＳＯＩウェーハは、少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるものである。
【００５３】
このように、シリコン活性層が、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないものになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、またピットを通して弗酸が埋め込み埋め込み酸化膜に侵入してエッチングしてしまうといった問題も発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
【００５４】
また、本発明のＳＯＩウェーハは、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを、絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるものでもある。
【００５５】
このように、シリコン活性層となるボンドウェーハが、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
また、支持基板となるベースウェーハが、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハの表面に微小欠陥が存在しないため、このベースウェーハ上に例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、ベースウェーハ表面の欠陥の影響を受けて絶縁破壊特性の劣化が生じることがなく、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いものとなる。
【００５６】
これら本発明のＳＯＩウェーハのシリコン活性層は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあるものとすることができる。近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明に係るＳＯＩウェーハのシリコン活性層には極めて微小な欠陥すら存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されたり、埋め込み酸化膜がエッチングされるようなことがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００５７】
また、絶縁膜は、シリコン酸化膜であって、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であるものとすることができる。近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明のＳＯＩウェーハは、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００５８】
本発明のＳＯＩウェーハで用いられる無欠陥のＰドープシリコン単結晶の製造方法について以下に説明する。
チョクラルスキー法によりＢドープシリコン単結晶を製造する際に、結晶肩から直胴尾部にかけて単結晶の成長速度を高速から低速へ漸減させると、ＯＳＦがある成長速度に達したときにシュリンクし、その後さらに低速領域でＮ領域（Ｎｖ、Ｎｉ領域）、Ｉ領域の順に各相が形成される。特にＮ領域より低速側のＩ領域は、サイズが約１０μｍ以上の大きさに及ぶ巨大転位クラスタが形成されることが判っており、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等の欠陥が存在する。尚、Ｂドープシリコン単結晶の場合、Ｎ領域が形成されるのは、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値が０．２０〜０．２２の範囲のときである。
【００５９】
一方、チョクラルスキー法によりＰドープシリコン単結晶を製造する際に、結晶肩から直胴尾部にかけて単結晶の成長速度を高速から低速へ漸減させると、ＯＳＦがある成長速度に達したときにシュリンクし、その後さらに低速領域でＮ領域（Ｎｖ、Ｎｉ領域）、Ｉ領域の順に各相が形成される。また、このＩ領域の巨大転位クラスタ群にはＬＦＰＤは含まれておらず、ＬＳＥＰＤのみであった。尚、Ｐドープシリコン単結晶の場合、Ｎ領域が形成されるのは、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値が０．１８〜０．２０の範囲のときである。
このように、Ｂドープシリコン単結晶とＰドープシリコン単結晶では、欠陥分布の挙動に違いがある。本発明者らは、特にＩ領域の結晶欠陥の発生状況の違いから、Ｐドープシリコン単結晶では、天然石英ルツボから溶出され、引上げ結晶内部に取り込まれるＡｌ元素が、本来Ｉ領域で確認される巨大転位クラスタの形成を抑制することを見出した。
【００６０】
Ｐドープシリコン単結晶を引上げる際、Ａｌ成分をほとんど含まない合成石英ルツボを使用した時は、Ｉ領域に巨大転位クラスタの存在が確認された。ところが、Ａｌ元素が５×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満の濃度範囲で引上げ結晶内部に取り込まれるような天然石英ルツボを使用した時は、Ｎｉ領域よりすぐ低速側のＩ領域では高密度のＬＳＥＰＤが確認されるものの、さらに低速領域ではＬＳＥＰＤの形成がなく、無欠陥のＩ領域であることがわかった。そこで本発明者らは、ＬＳＥＰＤが消滅した境界付近のＩ領域のＡｌ濃度を調査したところ、２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ程度であることが判明し、その際、その境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値は０．１７であった。
【００６１】
そして、本発明者らは以上のような事実を元に合成石英ルツボを使用し、多結晶シリコン原料充填の際、引上げ結晶内部に２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上のＡｌ元素が取り込まれるように純Ａｌ金属粒を添加した。そして結晶肩から直胴尾部にかけて高速から低速へ成長速度を漸減させると、Ｎｉ領域よりすぐ低速側のＩ領域でも巨大転位クラスタの形成はなく無欠陥であり、さらに低速でも同様に無欠陥領域であった。したがって、ＡｌをドープしたＰドープ結晶では、ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）である０．２０以下の領域ではＮ領域および無欠陥のＩ領域が形成されることが判った。
ここで、引上げ結晶のシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇ（℃／ｍｍ）の値であるが、これは総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧの計算により算出したものである。ＦＥＭＡＧは、文献（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ Ｍａｓｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０））に開示されている総合伝熱解析ソフトである。
【００６２】
尚、ＡｌはＰ型の導電型元素であるが故に高濃度ドープには注意が必要である。特にデバイス設計上支障を来たさないでドープをするためには、結晶内部に取り込まれるＡｌ濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃを超えないようコントロールすることが望ましい。
【００６３】
また、Ｐドープシリコン単結晶中のＰの濃度は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上となるようにＰをドープすることが好ましい。ドープするＰの濃度を、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上とすれば十分なＮ型の導電性を得ることができるからである。
【００６４】
本発明のＳＯＩウェーハは以上のように製造されたＡｌを適当量ドープした無欠陥のＰドープシリコン単結晶を用いて、例えば、イオン注入剥離法といった貼り合わせ法、ＳＩＭＯＸ法等により、以下のように製造することができる。
図５は、イオン注入剥離法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
まず、最初の工程（ａ）では、シリコン活性層となるボンドウェーハ３１と、支持基板となるベースウェーハ３２とを準備する。ここで、本発明では、ボンドウェーハ３１及び／又はベースウェーハ３２として、前述したようにチョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを使用する。
【００６５】
上記のようなＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコン単結晶は、例えば、図２に示されるような単結晶製造装置１０を使用し、Ｆ／Ｇ及びＡｌドープ量を制御しながら育成することができる。
【００６６】
次に図５の工程（ｂ）では、ボンドウェーハ３１とベースウェーハ３２のうちの少なくとも一方のウェーハの表面を酸化する。ここではボンドウェーハ３１を熱酸化し、その表面に酸化膜３３を形成している。このとき、酸化膜３３は、要求される絶縁性が保たれる厚さとするが、本発明では、厚さが１０〜１００ｎｍの範囲となる極めて薄い酸化膜を形成させることもできる。
【００６７】
ベースウェーハとして、従来使用されている例えば表面に５０ｎｍ以上の微小欠陥が多数存在するシリコンウェーハを使用し、埋め込み酸化膜の厚さを１００ｎｍ以下にしてＳＯＩウェーハを製造すると、酸化膜はベースウェーハの表面に存在する微小欠陥の影響を受け、後の結合熱処理やデバイス工程における熱処理によって劣化ないし破壊されるおそれがある。しかし、本発明で用いるベースウェーハ３２は、極めて微小な欠陥も存在しないので、酸化膜３３の厚さを１００ｎｍ以下としても絶縁破壊特性の劣化のような問題が生じることがない。
なお、酸化膜３３の厚さを１０ｎｍ未満とすると、酸化膜の形成時間が短縮されるものの絶縁性が保てなくなるおそれがあるので１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
【００６８】
工程（ｃ）では、表面に酸化膜３３を形成したボンドウェーハ３１の片側の表面から水素イオンをイオン注入する。なお、希ガスイオンあるいは水素イオンと希ガスイオンの混合ガスイオンをイオン注入してもよい。これにより、ウェーハ内部にイオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層３４を形成することができる。なお、この時のイオン注入層３４の深さは、最終的に形成されるシリコン活性層の厚さに反映される。従って、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、シリコン活性層の厚さを例えば５ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲に制御でき、特に２００ｎｍ以下の厚さのシリコン活性層とすることが可能である。
本発明で用いるボンドウェーハ３１は、グローイン欠陥がほとんど検出されないものであるので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
【００６９】
工程（ｄ）は、ボンドウェーハ３１のイオン注入された側の表面とベースウェーハ３２の表面とを酸化膜（絶縁膜）３３を介して貼り合わせる。例えば、常温の清浄な雰囲気下で２枚のウェーハ３１，３２の表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。
尚、ベースウェーハとしてＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性のウェーハを用いても良い。この場合。ボンドウェーハとベースウェーハは酸化膜を介さず直接結合することができる。
【００７０】
次に、工程（ｅ）では、熱処理によりボンドウェーハ３１の一部をイオン注入層３４で剥離する。例えば、ボンドウェーハ３１とベースウェーハ３２とを貼り合わせて接着したものに対し、不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウェーハ３５とＳＯＩウェーハ３６（シリコン活性層３７＋酸化膜３３＋ベースウェーハ３２）に分離される。
【００７１】
ここで、副生された剥離ウェーハ３５については、最近、剥離面に研磨等の再生処理を施し、ベースウェーハ、あるいはボンドウェーハとして再利用する方法が提案されている。前記したように、ボンドウェーハ３１として、ＡｌをドープしたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコンウェーハを使用している場合には、剥離ウェーハ３５を再生処理して得たシリコンウェーハはベースウェーハとボンドウェーハのいずれにも使用できるものとなる。従って、剥離ウェーハ３５を例えばベースウェーハ３２として再利用することで、同様の高品質のＳＯＩウェーハを製造することができることになる。すなわち、本発明に係るＳＯＩウェーハが、実質的に１枚のシリコンウェーハから製造されることになり、製造コストを一層低く抑えることができる。
【００７２】
工程（ｆ）では、ＳＯＩウェーハ３６に対して結合熱処理を加える。この工程（ｆ）は、前記工程（ｄ）、（ｅ）の貼り合わせ工程および剥離熱処理工程で密着させたウェーハ同士の結合力では、そのままデバイス作製工程で使用するには弱いので、結合熱処理としてＳＯＩウェーハ３６に高温の熱処理を施して結合強度を十分なものとする。例えば、この熱処理は不活性ガス雰囲気下、１０５０℃〜１２００℃で３０分から２時間の範囲で行うことができる。
このような高温での熱処理を施しても、ベースウェーハ３２のウェーハ全面が無欠陥となっているので、埋め込み酸化膜３３の絶縁破壊特性は劣化されず、高絶縁性を維持することができる。
【００７３】
工程（ｇ）では、ＳＯＩウェーハ３６表面に形成された酸化膜を弗酸洗浄により除去するものである。このとき、シリコン活性層３７に空孔型欠陥が存在すると欠陥を通してＨＦが埋め込み酸化膜に達することにより微小ピットが発生してしまうおそれがあるが、本発明では、シリコン活性層３７は、全面にわたってＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶から構成されているので、弗酸洗浄を行ってもピットが拡大してシリコン活性層３７及び酸化膜３３が破壊されることもない。
【００７４】
さらに工程（ｈ）では、必要に応じ、シリコン活性層３７の厚さを調整するための酸化を行い、次いで（Ｉ）工程では、弗酸洗浄により酸化膜３８を除去するいわゆる犠牲酸化を行う。
以上のような工程（ａ）〜（Ｉ）を経て製造されたＳＯＩウェーハは、ベースウェーハ３２、さらにシリコン活性層３７も、全面がＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶かつＡｌをドープしたＣＺシリコン単結晶からなり、埋め込み酸化膜３３が極めて薄いにもかかわらず、高絶縁性が維持され、電気的信頼性が極めて高いものとなる。
【００７５】
図６は、ＳＩＭＯＸ法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
まず、最初の工程（α）では、鏡面研磨されたシリコンウェーハ４１を準備する。本発明では、このシリコンウェーハ４１として、前述したようにチョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを使用する。
【００７６】
次に工程（β）では、５００℃程度に加熱したシリコンウェーハ４１の一方の表面から酸素イオン（Ｏ＋）を所定の深さにイオン注入して酸素イオン注入層４２を形成する。このとき、イオン注入条件は特に限定されるものではないが、例えば、注入エネルギーは一般的に広く用いられている１５０〜２００ｋｅＶ程度とし、またドーズ量はその後行う酸化膜形成熱処理において貫通転位の発生を防止するために約４．０×１０１７／ｃｍ２の低ドーズ量にしてイオン注入を行う。このとき、必要に応じて、酸素イオンの注入を分割して行うこともできる。
【００７７】
次に、工程（γ）において酸素イオン注入層４２を埋め込み酸化膜４３に変える酸化膜形成熱処理を行う。酸化膜形成熱処理の熱処理条件は、酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変えることができれば特に限定されるものではないが、例えば、酸素濃度が１％以下のアルゴンガス雰囲気中、１３００℃以上シリコン融点以下の温度で３〜６時間の熱処理を行うことによって、埋め込み酸化膜（絶縁膜）４３を形成することができる。このようにして、支持基板４５の上に絶縁膜４３を介してシリコン活性層４４が形成されたＳＯＩウェーハ４６を製造することができる。
【００７８】
このようにＳＩＭＯＸ法により製造されたＳＯＩウェーハは、シリコン活性層や埋め込み酸化膜の膜厚が酸素イオン注入を行う際のイオン注入エネルギーやドーズ量により決まるため、優れた膜厚均一性を容易に得ることができるという利点も有し、また上記の貼り合わせ法のように２枚のウェーハを必要とせずに１枚のシリコンウェーハからＳＯＩウェーハを製造することができるため、比較的低コストでの製造が可能である。
【００７９】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。
［引上げ条件の確認］
（引上げ条件１）
図２に示した単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造した。直径２４インチ（６００ｍｍ）の石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒４ｍｇをチャージし、直径２１０ｍｍ、方位＜１００＞のシリコン単結晶を引上げた。シリコン単結晶を引上げる際、成長速度を０．６０ｍｍ／ｍｉｎから０．２０ｍｍ／ｍｉｎの範囲で結晶頭部から尾部にかけて漸減させるよう制御した。また、Ｐ濃度が３×１０１４〜５．５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ、酸素濃度が２４〜２７ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）となるようにシリコン単結晶を製造した。
【００８０】
上記のように育成した各シリコン単結晶棒の直胴部を、図３（ａ）に示したように結晶成長軸方向に１０ｃｍ毎の長さでブロックに切断した後、各ブロックをさらに結晶軸方向に縦割り切断し、約２ｍｍ厚のサンプルを数枚作製した。
上記サンプルについてＷＬＴ測定器（ＳＥＭＩＬＡＢ ＷＴ−８５）及びセコエッチングにより、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎ領域、Ｉ領域の各領域の分布状況（図３（ｂ）参照）、すなわちＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤ等の分布状況、そしてＯＳＦの発生状況を調査し、各領域の境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値を確認した。
【００８１】
具体的には、先ず、ＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤの評価に関しては、サンプルのうち１枚を平面研削した後、ミラーエッチング、セコエッチング（３０分間）を施し、無攪拌のまま放置し、所定の処理後、各欠陥の密度測定を行った。また、ＯＳＦの評価に関しては、サンプルのうち１枚を１１５０℃、１００分間（ウェット酸素雰囲気）の熱処理後冷却し（８００℃で出し入れ）、薬液で酸化膜を除去した後、ＯＳＦリングパターンの確認および密度測定を行った。
【００８２】
さらに、結晶軸方向に縦割り加工したスラブサンプルを直径２００ｍｍの大きさにくり抜き加工し、ポリッシュにより鏡面状態に仕上げ、９００℃、パイロ酸化によりウェーハ表面に酸化薄膜形成後、熱硫酸で酸化膜中の重金属を回収し、その溶液中のＷＳＡ法による測定値から結晶バルク中に含まれていたＡｌ濃度を同定した。
【００８３】
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｄ）に示し、また各領域境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：４．１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８４】
（引上げ条件２）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒８ｍｇをチャージすること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｄ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：８．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８５】
（引上げ条件３）
石英ルツボに、Ａｌ金属粒を入れることなく原料多結晶シリコン１５０ｋｇをチャージしたこと以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｂ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：１×１０８ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８６】
（引上げ条件４）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒２ｍｇをチャージすること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｃ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｉ領域（巨大転位クラスタ形成）とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１７
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：１．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８７】
（引上げ条件５）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒４ｍｇをチャージし、Ｂ（ボロン）濃度が１×１０１５〜１．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｃとなるようにシリコン単結晶を製造すること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ａ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２２
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：３．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８８】
図１から明らかなように、Ｐドープシリコン単結晶の場合、Ａｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満の引上げ条件３、４では、Ｉ領域で巨大転移クラスタが形成されており、また、たとえ無欠陥のＩ領域が出現しても一部にとどまっている（図１（ｂ）、（ｃ））。しかし、Ａｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の引上げ条件１及び引上げ条件２では、図１（ｄ）に示すようにＩ領域が無欠陥となり、ＯＳＦとＮ領域の境界よりも低速側の全面が無欠陥領域となっている。
一方、Ｂドープシリコン単結晶の場合、引上げ条件５のように、たとえＡｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上であったとしても、図１（ａ）に示すようにＩ領域で巨大転移クラスタが形成されており、無欠陥のＩ領域は出現しなかった。
【００８９】
［ＳＯＩウェーハの製造］
（実施例１）
上述した引上げ条件１で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．１９〜０．１３となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＮ領域及び無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハとした。
次に、上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ベースウェーハとした。
【００９０】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、図５に示した工程に基づくイオン注入剥離法により、ボンドウェーハへのイオン注入、ベースウェーハとの貼り合わせ、剥離熱処理、結合熱処理（貼り合わせ酸化）、酸化膜除去、シリコン活性層調整酸化、酸化膜除去等を経て、厚さが２００ｎｍの絶縁膜と、５０ｎｍのシリコン活性層を有するＳＯＩウェーハを製造した。
【００９１】
このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンター（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ−１）により測定した。その結果、シリコン活性層調整酸化の後に弗酸洗浄を施して熱酸化膜を除去したにもかかわらず、シリコン活性層にはエッチピットが形成されず、シリコン活性層が破壊されなかったことを確認した。
【００９２】
（実施例２）
上述した引上げ条件１で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．１９〜０．１３となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＮ領域及び無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びべースウェーハとした。
【００９３】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例１と同様のイオン注入剥離法により、シリコン活性層の膜厚を５０ｎｍ、絶縁膜の膜厚を７０ｎｍとしてＳＯＩウェーハを作製した。そして、シリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層にはエッチピットが形成されず、シリコン活性層が破壊されなかったことを確認した。
【００９４】
さらに、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層を水酸化カリウム溶液で選択エッチングして除去した。次いで、残った絶縁膜を有するベースウェーハに対し、６ＭＶ／ｃｍの電解強度でＣｕデポジション法による評価を行った。その結果、絶縁膜は無欠陥であり、絶縁膜破壊は発生しなかったことを確認した。
【００９５】
（比較例１）
上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びベースウェーハとした。
【００９６】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例１と同様の方法で、厚さが２００ｎｍの絶縁膜と、５０ｎｍのシリコン活性層を有するＳＯＩウェーハを作製し、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層の破壊を示す高密度の輝点が確認された。
【００９７】
（比較例２）
上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びベースウェーハとした。
【００９８】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例２と同様の方法で、シリコン活性層の膜厚を５０ｎｍ、絶縁膜の膜厚を７０ｎｍとしてＳＯＩウェーハを作製し、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層の破壊を示す高密度の輝点が確認された。さらに、シリコン活性層を除去し、絶縁膜をＣｕデポジション法により評価したところ、絶縁膜の破壊を示す高密度の酸化膜欠陥が確認された。
【００９９】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、シリコン活性層及び／又は支持基板がＮ領域及び／又は無欠陥のＩ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハが提供される。このようなＳＯＩウェーハであれば、例えば厚さが２００ｎｍ以下といった極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、例えば絶縁膜の厚さが１００ｎｍ以下であっても優れた絶縁特性を保つため、これを使用してデバイスを作製すれば、電気特性に優れたデバイスを高歩留りで、しかも簡単かつ安価で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】各条件での、成長速度と結晶欠陥分布の関係を表す説明図である。
（ａ） 引上げ条件５、 （ｂ） 引上げ条件３、 （ｃ） 引上げ条件４、
（ｄ） 引上げ条件１、引上げ条件２。
【図２】単結晶製造装置の概略図である。
【図３】（ａ） シリコン単結晶の成長速度と結晶切断位置の関係を示す関係図である。
（ｂ） 成長速度と各欠陥領域を示す説明図である。
【図４】従来の技術による成長速度と結晶欠陥分布の関係を表す説明図である。
【図５】イオン注入剥離法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
【図６】ＳＩＭＯＸ法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
１０…単結晶製造装置、 １１…メインチャンバー、
１２…引上げチャンバー、 １３…単結晶、
１４…ワイヤー、 １５…原料融液、 １６…石英ルツボ、
１７…黒鉛ルツボ、 １８…シャフト、 １９…黒鉛ヒーター、
２０…断熱部材、 ２１…種ホルダー、 ２２…種結晶、
２３…黒鉛筒、 ２４…断熱材、
３１…ボンドウェーハ、 ３２…ベースウェーハ、
３３…酸化膜（絶縁膜）、 ３４…イオン注入層、 ３５…剥離ウェーハ、
３６…ＳＯＩウェーハ、 ３７…シリコン活性層、 ３８…酸化膜、
４１…シリコンウェーハ、 ４２…酸素イオン注入層、
４３…埋め込み酸化膜（絶縁膜）、 ４４…シリコン活性層、
４５…支持基板、 ４６…ＳＯＩウェーハ。
【発明の属する技術分野】
本発明はＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハに関し、特に、電気的信頼性が極めて高いＳＯＩウェーハ、及びそのようなＳＯＩウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、デバイス用基板として、支持基板上にシリコン活性層（ＳＯＩ層）が形成されたＳＯＩウェーハが広く利用されている。このようなＳＯＩウェーハの製造方法としては、例えば、１枚のシリコンウェーハ内に酸素を注入して酸化膜で仕切られたシリコン活性層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙＩｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や２枚のウェーハ同士を酸化膜を介して又は直接貼り合わせる貼り合わせ法などが知られている。
【０００３】
ＳＩＭＯＸ法では、鏡面研磨等が施されたシリコンウェーハの一方の主表面からウェーハ内部に酸素イオンを注入し、酸素イオン注入層を形成する。その後、例えば不活性ガス雰囲気中で１３００℃以上の温度で熱処理し、ウェーハ内部に形成された酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層（絶縁膜層）に変える。これにより、一枚のウェーハ内で、絶縁膜層で仕切られたＳＯＩウェーハを得ることができる。
【０００４】
また、貼り合わせ法の一つであるイオン注入剥離法では、シリコン活性層となるシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）あるいは支持基板となるシリコンウェーハ（ベースウェーハ）の表面に例えば酸化膜といった絶縁膜（埋め込み絶縁膜、層間絶縁膜などとも呼ばれる）を形成し、ボンドウェーハの片側の表面から水素等のイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層（微小気泡層）を形成する。さらに、ボンドウェーハのイオン注入した側の面を、酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせた後、熱処理によりイオン注入層を境界としてボンドウェーハを剥離する。これによりベースウェーハ上に酸化膜を介して薄いシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハを得ることができる。
なお、絶縁性の支持基板を用い、これにボンドウェーハを直接、すなわち酸化膜を介さずに貼り合わせる場合もある。
また、イオン注入層を境界として剥離した後、シリコン活性層とベースウェーハとの結合力を高めるための熱処理（結合熱処理）や、表面の酸化膜を除去するためのフッ酸洗浄などを行う場合もある。
【０００５】
上記のようにＳＯＩウェーハを製造する場合、シリコンウェーハとして、これまでは通常、表面にサイズが５０ｎｍ以上の微小ピット欠陥が存在するシリコンウェーハを使用するのが一般的であった。しかし、近年、シリコン活性層や埋め込み酸化膜の薄膜化要求が増しており、これに適用できるシリコンウェーハの品質要求も厳しくなっている。
【０００６】
特に、上記イオン注入剥離法のようなＳＯＩウェーハの製造方法においては、表面の酸化膜を除去する弗酸洗浄を行う場合があるが、その際、シリコン活性層の表面に存在する微小ピット欠陥サイズがエッチングにより更に拡大したり、このピットを通して侵入した弗酸により埋め込み酸化膜がエッチングされ、シリコン活性層あるいは、埋め込み酸化膜をほぼ全面あるいは局部的に破壊するという不良が多く発生していた。
【０００７】
そこで、シリコン活性層の欠陥を低減させるものとして、エピタキシャル層やＩＧウェーハのＤＺ（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ）層を利用したものや、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれる単結晶成長起因の欠陥の無い、いわゆるニュートラルな領域（Ｎ領域）のシリコン単結晶を利用したものが提案されている。
【０００８】
例えば、シリコンウェーハ（ボンドウェーハ）上にエピタキシャル層を形成し、エピタキシャル層にボロンをイオン注入した後、支持基板に酸化膜を介して貼り合わせ、さらにボンドウェーハの裏面を研削研磨することによりＳＯＩウェーハを製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、このようにエピタキシャル層を形成したウェーハをボンドウェーハとして使用した場合、シリコン活性層の欠陥は改善されるが、エピタキシャル層を成長させる工程が増えるため、製造コストが著しく増加するという問題がある。
【０００９】
一方、ボンドウェーハとして、ＦＰＤやＣＯＰ等の微小欠陥が存在しないＮ領域で育成したシリコンウェーハを用いる場合には、シリコン単結晶の育成条件を精密に制御する必要はあるが、エピタキシャル層を形成させるような工程が不要であるという利点がある。
【００１０】
ここで、シリコン単結晶の製造方法について説明し、次いでグローンイン欠陥及びＮ領域について説明する。
シリコン単結晶の製造方法としては、主にチョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｍｅｔｈｏｄ、以下ＣＺ法と略称する）が用いられている。
【００１１】
ＣＺ法により単結晶を製造する際には、例えば図２に示すような単結晶製造装置１０を用いて製造される。この単結晶製造装置１０は、例えばシリコンのような原料多結晶を収容して溶融するための部材や、熱を遮断するための断熱部材などを有しており、これらは、メインチャンバー１１内に収容されている。メインチャンバー１１の天井部からは上に伸びる引上げチャンバー１２が連接されており、この上部に単結晶１３をワイヤー１４で引上げる機構（不図示）が設けられている。
【００１２】
メインチャンバー１１内には、溶融された原料融液１５を収容する石英ルツボ１６とその石英ルツボ１６を支持する黒鉛ルツボ１７が設けられ、これらのルツボ１６、１７は駆動機構（不図示）によって回転昇降自在にシャフト１８で支持されている。このルツボ１６、１７の駆動機構は、単結晶１３の引上げに伴う原料融液１５の液面低下を補償すべく、ルツボ１６、１７を液面低下分だけ上昇させるようにしている。
【００１３】
そして、ルツボ１６、１７を囲繞するように、原料を溶融させるための黒鉛ヒーター１９が配置されている。この黒鉛ヒーター１９の外側には、黒鉛ヒーター１９からの熱がメインチャンバー１１に直接輻射されるのを防止するために、断熱部材２０がその周囲を取り囲むように設けられている。
【００１４】
また、ルツボの上部には黒鉛筒２３を設け、その外側下端に原料融液１５と対向するように断熱材２４を設けて融液面からの輻射をカットするとともに原料融液表面を保温するようにしている。
【００１５】
以上のような単結晶製造装置内に配置された石英ルツボ１６に原料塊を収容し、このルツボ１６を、上記のような黒鉛ヒーター１９により加熱し、石英ルツボ１６内の原料塊を溶融させる。このように原料塊を溶融させたものである原料融液１５に、ワイヤー１４の下端に接続している種ホルダー２１で固定された種結晶２２を着液させ、その後、種結晶２２を回転させながら引上げることにより、種結晶２２の下方に所望の直径と品質を有する単結晶１３を育成する。この際、種結晶２２を原料融液１５に着液させた後に、直径を３ｍｍ程度に一旦細くして絞り部を形成するいわゆる種絞り（ネッキング）を行い、次いで、所望の口径になるまで太らせて、無転位の結晶を引上げている。
【００１６】
次に、グローンイン欠陥及びＮ領域について説明する。
シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇが大きい通常の炉内構造（ホットゾーン：ＨＺ）を使用したＣＺ引上げ機で結晶軸方向に成長速度Ｆを高速から低速に変化させた場合、図４に示したような欠陥分布図として得られることが知られている。
図４においてＶ領域とは、Ｖａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことである。そして、Ｖ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略記することがある）領域が存在し、また、Ｖ領域の境界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、ＯｘｉｄａｔｉｏｎＩｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）と呼ばれる欠陥が、結晶成長軸に対する垂直方向の断面で見た時に、リング状に分布（以下、ＯＳＦリングということがある）していることも確認されている。
【００１７】
そして、成長速度が比較的高速の場合には、空孔型の点欠陥が集合したボイド起因とされているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これらの欠陥が存在する領域はＶ領域となる。また、成長速度の低下に伴い、ＯＳＦリングが結晶の周辺から発生し、このリングの外側に格子間シリコンが集合した転位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥（巨大転位クラスタ）が低密度に存在し、これらの欠陥が存在する領域はＩ領域（Ｌ／Ｄ領域ということがある）となる。さらに、成長速度を低速にすると、ＯＳＦリングがウェーハの中心に収縮して消滅し、全面がＩ領域となる。
【００１８】
そして、Ｖ領域とＩ領域の中間でＯＳＦリングの外側のＮ領域は、空孔起因のＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰも、格子間シリコン起因のＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤも存在しない領域となる。なお、最近では、Ｎ領域をさらに分類すると、図４に示されているように、ＯＳＦリングの外側に隣接するＮｖ領域（空孔の多い領域）とＩ領域に隣接するＮｉ領域（格子間シリコンが多い領域）とがあり、Ｎｖ領域では、熱酸化処理した際に酸素析出量が多く、Ｎｉ領域では酸素析出が殆ど無いことがわかっている。
【００１９】
このようなＮ領域は、従来、ウェーハ面内では一部分にしか存在しなかったが、引上げ速度（Ｆ）とシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値（Ｇ）との比であるＦ／Ｇを制御することでＮ領域が横全面（ウェーハ全面）に広がった結晶が製造できるようになっている。
【００２０】
そこで、ＳＯＩウェーハの製造においても、前記したようにボンドウェーハとして全面Ｎ領域となるシリコン単結晶ウェーハを用いる方法が提案されている。
例えば、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりシリコン単結晶を引上げる際、引上げ速度Ｆとシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇとの比（Ｆ／Ｇ）を所定の範囲内に制御してシリコン単結晶を引上げ、ボンドウェーハとして、Ｎ領域のシリコンウェーハを使用したＳＯＩウェーハが提案されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照。）。
【００２１】
しかし、ＣＺ法により引上げ速度等を制御してＮ領域のシリコン単結晶を引上げる場合、このＮ領域のシリコン単結晶は比較的限られた引上げ速度で育成することになるため、その速度制御が難しく、結晶の生産性及び歩留まりが低いという問題があった。したがって、このようなＮ領域単結晶を利用したＳＯＩウェーハは、比較的高価になりがちであった。
【００２２】
一方、ベースウェーハについては、本来、絶縁膜を介したシリコン活性層を支持するために必要なものであり、その表面に直接素子形成が行われるわけではない。
【００２３】
そこで、ベースウェーハとしては、生産性の向上等を考慮し、図４に示されるように高速の引上げ速度で成長させたＶ領域、あるいはＯＳＦ領域やＮｖ領域を一部に含む程度のシリコン単結晶を育成し、このように高速成長させたシリコン単結晶から鏡面状に加工したシリコンウェーハ等が広く使用されていた。例えば、抵抗値などが製品規格から外れたダミーグレードのシリコンウェーハをベースウェーハとして使用することが提案されている（特許文献４参照。）。
【００２４】
しかし、最近では層間絶縁膜の薄膜化の要求が浮上しており、そのためベースウェーハとなるシリコンウェーハの品質向上が求められている。すなわち、層間絶縁膜の膜厚が充分厚い場合は、ベースウェーハ表面に例えボイド成長したＣＯＰのような空孔欠陥等が高密度に形成されていても絶縁破壊への影響を心配する必要はなかったが、例えば層間絶縁膜が膜厚１００ｎｍ以下のような薄膜である場合は、層間絶縁膜の膜質を損ない、その絶縁機能に支障を来たすことが懸念されている。
【００２５】
さらに、高価になりがちなＳＯＩウェーハをより安価で提供するための方法として、イオン注入剥離法によりシリコン活性層から剥離した剥離ウェーハを、ベースウェーハとして再利用する方法が提案されている（特許文献５参照。）。しかし、近年求められているように、ＳＯＩウェーハの層間絶縁膜が、例えば膜厚１００ｎｍ以下のような薄膜である場合は、ベースウェーハとして再利用する剥離ウェーハが、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰ、ＬＦＰＤ）領域等を含んだものであると、層間絶縁膜の膜質を損ない、その絶縁機能に支障を来たす。したがって、このような場合、ベースウェーハへの再利用を行うのが困難である。
【００２６】
【特許文献１】
特開平１０−７９４９８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１４６４９８号公報
【特許文献３】
特開２００１−４４３９８号公報
【特許文献４】
特開平１１−４０７８６号公報
【特許文献５】
特開平１１−２９７５８３号公報
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、例えば厚さが２００ｎｍ以下といった極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いＳＯＩウェーハを簡単かつ安価で提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハが提供される（請求項１）。
【００２９】
このように、少なくともシリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、エピウェーハ等を用いる場合のように工数を増やすことなく製造することができるし、シリコン活性層となる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
尚、この場合の支持基板として、シリコン、石英、ＳｉＣ、サファイア等を適宜選択することができる。
【００３０】
また、本発明によれば、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを、絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハも提供される（請求項２）。
【００３１】
このように、ボンドウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、ボンドウェーハを薄膜化することにより形成されるシリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、エピウェーハ等を用いる場合のように工数を増やすことなく製造することができるし、ボンドウェーハに用いる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
さらに、ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハの表面に微小欠陥が存在しないため、このベースウェーハ上に例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、ベースウェーハ表面の欠陥の影響を受けて絶縁破壊特性の劣化が生じることがなく、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いものとなる。また、このようなＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハに用いる無欠陥のシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストが低く抑えられたものとなる。
【００３２】
この場合、前記Ｐドープシリコン単結晶は、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものであるのが好ましい（請求項３）。
【００３３】
このように、Ｐドープシリコン単結晶は、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものであれば、十分なＮ型の導電性を有するものとなる。
【００３４】
この場合、前記シリコン活性層は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあるものとすることができる（請求項４）。
【００３５】
近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明に係るＳＯＩウェーハのシリコン活性層には極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されることがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００３６】
この場合、前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であって、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であるものとすることができる（請求項５）。
【００３７】
近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明のＳＯＩウェーハは、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００３８】
本発明の方法として、少なくとも、シリコンウェーハに酸素を注入後、熱処理することで絶縁膜層（酸化膜層）を形成し、前記ウェーハ内に前記絶縁膜層で仕切られたシリコン活性層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法において、少なくとも、前記シリコンウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項６）。
【００３９】
このようにＳＩＭＯＸ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、Ｎ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることによって、シリコン活性層が極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４０】
また、本発明の方法として、少なくとも、ベースウェーハとボンドウェーハとを直接貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ベースウェーハとして、絶縁性の基板を用い、前記ボンドウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項７）。
【００４１】
このように、ベースウェーハとして絶縁性の基板、例えば、石英、ＳｉＣ、サファイア等を用い、このベースウェーハとシリコン単結晶からなるボンドウェーハを直接貼り合わせる貼り合わせ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、ボンドウェーハとしてＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものを用いることによって、絶縁性基板上のシリコン活性層が極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるものであるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４２】
さらに、本発明の方法として、少なくとも、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が提供される（請求項８）。
【００４３】
このように、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、Ｎ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものをボンドウェーハ、ベースウェーハとして用いることによって、シリコン活性層及び／又は支持基板が、極めて高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。また、工数が増えることもないし、用いる無欠陥のシリコン単結晶が簡単かつ安価で製造することができるものであるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００４４】
これらの貼り合わせ法においては、貼り合わせ工程の前に、ボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンの少なくとも１種のイオンを注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成するイオン注入工程を行い、前記貼り合わせ工程においては、該ボンドウェーハのイオン注入された側の表面と前記ベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせ、前記薄膜化工程においては、熱処理により前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離することでＳＯＩウェーハを製造することができる（請求項９）。
【００４５】
このような、イオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを製造すれば、シリコン活性層を極めて薄く厚さの均一なものとすることができる上、欠陥の無い極めて高品質のＳＯＩウェーハとなる。
【００４６】
この場合、前記Ｐドープシリコン単結晶として、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものを用いるのが好ましい（請求項１０）。
【００４７】
このように、Ｐドープシリコン単結晶として、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものとすれば、十分なＮ型の導電性を有するものとすることができる。
【００４８】
この場合、シリコン活性層の厚さを、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にすることができる（請求項１１）。
【００４９】
近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明の方法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、シリコン活性層には極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されることがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００５０】
この場合、絶縁膜を、シリコン酸化膜とし、該シリコン酸化膜の厚さを、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にすることができる（請求項１２）。
【００５１】
近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明の方法によりＳＯＩウェーハを製造する際に、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明のＳＯＩウェーハは、少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるものである。
【００５３】
このように、シリコン活性層が、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すらほとんど存在しないものになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、またピットを通して弗酸が埋め込み埋め込み酸化膜に侵入してエッチングしてしまうといった問題も発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
【００５４】
また、本発明のＳＯＩウェーハは、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを、絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるものでもある。
【００５５】
このように、シリコン活性層となるボンドウェーハが、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、シリコン活性層は極めて微小な欠陥すら存在しないことになるので、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
また、支持基板となるベースウェーハが、無欠陥のＰドープシリコン単結晶からなるＳＯＩウェーハであれば、ベースウェーハの表面に微小欠陥が存在しないため、このベースウェーハ上に例えば厚さが１００ｎｍ以下といった極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、ベースウェーハ表面の欠陥の影響を受けて絶縁破壊特性の劣化が生じることがなく、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いものとなる。
【００５６】
これら本発明のＳＯＩウェーハのシリコン活性層は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあるものとすることができる。近年、シリコン活性層の薄膜化が要求されているが、本発明に係るＳＯＩウェーハのシリコン活性層には極めて微小な欠陥すら存在しないので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、弗酸洗浄等により欠陥が拡大してシリコン活性層が破壊されたり、埋め込み酸化膜がエッチングされるようなことがなく、高品質のＳＯＩウェーハとすることができる。
【００５７】
また、絶縁膜は、シリコン酸化膜であって、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であるものとすることができる。近年、シリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ以下とすることが要求されているが、本発明のＳＯＩウェーハは、このような極めて薄い酸化膜を形成したものとしても、絶縁破壊特性が劣化されず、高絶縁性が保たれたものとなる。
【００５８】
本発明のＳＯＩウェーハで用いられる無欠陥のＰドープシリコン単結晶の製造方法について以下に説明する。
チョクラルスキー法によりＢドープシリコン単結晶を製造する際に、結晶肩から直胴尾部にかけて単結晶の成長速度を高速から低速へ漸減させると、ＯＳＦがある成長速度に達したときにシュリンクし、その後さらに低速領域でＮ領域（Ｎｖ、Ｎｉ領域）、Ｉ領域の順に各相が形成される。特にＮ領域より低速側のＩ領域は、サイズが約１０μｍ以上の大きさに及ぶ巨大転位クラスタが形成されることが判っており、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等の欠陥が存在する。尚、Ｂドープシリコン単結晶の場合、Ｎ領域が形成されるのは、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値が０．２０〜０．２２の範囲のときである。
【００５９】
一方、チョクラルスキー法によりＰドープシリコン単結晶を製造する際に、結晶肩から直胴尾部にかけて単結晶の成長速度を高速から低速へ漸減させると、ＯＳＦがある成長速度に達したときにシュリンクし、その後さらに低速領域でＮ領域（Ｎｖ、Ｎｉ領域）、Ｉ領域の順に各相が形成される。また、このＩ領域の巨大転位クラスタ群にはＬＦＰＤは含まれておらず、ＬＳＥＰＤのみであった。尚、Ｐドープシリコン単結晶の場合、Ｎ領域が形成されるのは、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値が０．１８〜０．２０の範囲のときである。
このように、Ｂドープシリコン単結晶とＰドープシリコン単結晶では、欠陥分布の挙動に違いがある。本発明者らは、特にＩ領域の結晶欠陥の発生状況の違いから、Ｐドープシリコン単結晶では、天然石英ルツボから溶出され、引上げ結晶内部に取り込まれるＡｌ元素が、本来Ｉ領域で確認される巨大転位クラスタの形成を抑制することを見出した。
【００６０】
Ｐドープシリコン単結晶を引上げる際、Ａｌ成分をほとんど含まない合成石英ルツボを使用した時は、Ｉ領域に巨大転位クラスタの存在が確認された。ところが、Ａｌ元素が５×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満の濃度範囲で引上げ結晶内部に取り込まれるような天然石英ルツボを使用した時は、Ｎｉ領域よりすぐ低速側のＩ領域では高密度のＬＳＥＰＤが確認されるものの、さらに低速領域ではＬＳＥＰＤの形成がなく、無欠陥のＩ領域であることがわかった。そこで本発明者らは、ＬＳＥＰＤが消滅した境界付近のＩ領域のＡｌ濃度を調査したところ、２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ程度であることが判明し、その際、その境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値は０．１７であった。
【００６１】
そして、本発明者らは以上のような事実を元に合成石英ルツボを使用し、多結晶シリコン原料充填の際、引上げ結晶内部に２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上のＡｌ元素が取り込まれるように純Ａｌ金属粒を添加した。そして結晶肩から直胴尾部にかけて高速から低速へ成長速度を漸減させると、Ｎｉ領域よりすぐ低速側のＩ領域でも巨大転位クラスタの形成はなく無欠陥であり、さらに低速でも同様に無欠陥領域であった。したがって、ＡｌをドープしたＰドープ結晶では、ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）である０．２０以下の領域ではＮ領域および無欠陥のＩ領域が形成されることが判った。
ここで、引上げ結晶のシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇ（℃／ｍｍ）の値であるが、これは総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧの計算により算出したものである。ＦＥＭＡＧは、文献（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ Ｍａｓｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０））に開示されている総合伝熱解析ソフトである。
【００６２】
尚、ＡｌはＰ型の導電型元素であるが故に高濃度ドープには注意が必要である。特にデバイス設計上支障を来たさないでドープをするためには、結晶内部に取り込まれるＡｌ濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃを超えないようコントロールすることが望ましい。
【００６３】
また、Ｐドープシリコン単結晶中のＰの濃度は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上となるようにＰをドープすることが好ましい。ドープするＰの濃度を、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上とすれば十分なＮ型の導電性を得ることができるからである。
【００６４】
本発明のＳＯＩウェーハは以上のように製造されたＡｌを適当量ドープした無欠陥のＰドープシリコン単結晶を用いて、例えば、イオン注入剥離法といった貼り合わせ法、ＳＩＭＯＸ法等により、以下のように製造することができる。
図５は、イオン注入剥離法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
まず、最初の工程（ａ）では、シリコン活性層となるボンドウェーハ３１と、支持基板となるベースウェーハ３２とを準備する。ここで、本発明では、ボンドウェーハ３１及び／又はベースウェーハ３２として、前述したようにチョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを使用する。
【００６５】
上記のようなＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコン単結晶は、例えば、図２に示されるような単結晶製造装置１０を使用し、Ｆ／Ｇ及びＡｌドープ量を制御しながら育成することができる。
【００６６】
次に図５の工程（ｂ）では、ボンドウェーハ３１とベースウェーハ３２のうちの少なくとも一方のウェーハの表面を酸化する。ここではボンドウェーハ３１を熱酸化し、その表面に酸化膜３３を形成している。このとき、酸化膜３３は、要求される絶縁性が保たれる厚さとするが、本発明では、厚さが１０〜１００ｎｍの範囲となる極めて薄い酸化膜を形成させることもできる。
【００６７】
ベースウェーハとして、従来使用されている例えば表面に５０ｎｍ以上の微小欠陥が多数存在するシリコンウェーハを使用し、埋め込み酸化膜の厚さを１００ｎｍ以下にしてＳＯＩウェーハを製造すると、酸化膜はベースウェーハの表面に存在する微小欠陥の影響を受け、後の結合熱処理やデバイス工程における熱処理によって劣化ないし破壊されるおそれがある。しかし、本発明で用いるベースウェーハ３２は、極めて微小な欠陥も存在しないので、酸化膜３３の厚さを１００ｎｍ以下としても絶縁破壊特性の劣化のような問題が生じることがない。
なお、酸化膜３３の厚さを１０ｎｍ未満とすると、酸化膜の形成時間が短縮されるものの絶縁性が保てなくなるおそれがあるので１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
【００６８】
工程（ｃ）では、表面に酸化膜３３を形成したボンドウェーハ３１の片側の表面から水素イオンをイオン注入する。なお、希ガスイオンあるいは水素イオンと希ガスイオンの混合ガスイオンをイオン注入してもよい。これにより、ウェーハ内部にイオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層３４を形成することができる。なお、この時のイオン注入層３４の深さは、最終的に形成されるシリコン活性層の厚さに反映される。従って、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、シリコン活性層の厚さを例えば５ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲に制御でき、特に２００ｎｍ以下の厚さのシリコン活性層とすることが可能である。
本発明で用いるボンドウェーハ３１は、グローイン欠陥がほとんど検出されないものであるので、シリコン活性層の厚さを２００ｎｍ以下としても、これを弗酸洗浄した場合でも微小ピットが発生せず、優れた電気特性を持つＳＯＩウェーハとなる。
【００６９】
工程（ｄ）は、ボンドウェーハ３１のイオン注入された側の表面とベースウェーハ３２の表面とを酸化膜（絶縁膜）３３を介して貼り合わせる。例えば、常温の清浄な雰囲気下で２枚のウェーハ３１，３２の表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。
尚、ベースウェーハとしてＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性のウェーハを用いても良い。この場合。ボンドウェーハとベースウェーハは酸化膜を介さず直接結合することができる。
【００７０】
次に、工程（ｅ）では、熱処理によりボンドウェーハ３１の一部をイオン注入層３４で剥離する。例えば、ボンドウェーハ３１とベースウェーハ３２とを貼り合わせて接着したものに対し、不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウェーハ３５とＳＯＩウェーハ３６（シリコン活性層３７＋酸化膜３３＋ベースウェーハ３２）に分離される。
【００７１】
ここで、副生された剥離ウェーハ３５については、最近、剥離面に研磨等の再生処理を施し、ベースウェーハ、あるいはボンドウェーハとして再利用する方法が提案されている。前記したように、ボンドウェーハ３１として、ＡｌをドープしたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコンウェーハを使用している場合には、剥離ウェーハ３５を再生処理して得たシリコンウェーハはベースウェーハとボンドウェーハのいずれにも使用できるものとなる。従って、剥離ウェーハ３５を例えばベースウェーハ３２として再利用することで、同様の高品質のＳＯＩウェーハを製造することができることになる。すなわち、本発明に係るＳＯＩウェーハが、実質的に１枚のシリコンウェーハから製造されることになり、製造コストを一層低く抑えることができる。
【００７２】
工程（ｆ）では、ＳＯＩウェーハ３６に対して結合熱処理を加える。この工程（ｆ）は、前記工程（ｄ）、（ｅ）の貼り合わせ工程および剥離熱処理工程で密着させたウェーハ同士の結合力では、そのままデバイス作製工程で使用するには弱いので、結合熱処理としてＳＯＩウェーハ３６に高温の熱処理を施して結合強度を十分なものとする。例えば、この熱処理は不活性ガス雰囲気下、１０５０℃〜１２００℃で３０分から２時間の範囲で行うことができる。
このような高温での熱処理を施しても、ベースウェーハ３２のウェーハ全面が無欠陥となっているので、埋め込み酸化膜３３の絶縁破壊特性は劣化されず、高絶縁性を維持することができる。
【００７３】
工程（ｇ）では、ＳＯＩウェーハ３６表面に形成された酸化膜を弗酸洗浄により除去するものである。このとき、シリコン活性層３７に空孔型欠陥が存在すると欠陥を通してＨＦが埋め込み酸化膜に達することにより微小ピットが発生してしまうおそれがあるが、本発明では、シリコン活性層３７は、全面にわたってＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶から構成されているので、弗酸洗浄を行ってもピットが拡大してシリコン活性層３７及び酸化膜３３が破壊されることもない。
【００７４】
さらに工程（ｈ）では、必要に応じ、シリコン活性層３７の厚さを調整するための酸化を行い、次いで（Ｉ）工程では、弗酸洗浄により酸化膜３８を除去するいわゆる犠牲酸化を行う。
以上のような工程（ａ）〜（Ｉ）を経て製造されたＳＯＩウェーハは、ベースウェーハ３２、さらにシリコン活性層３７も、全面がＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶かつＡｌをドープしたＣＺシリコン単結晶からなり、埋め込み酸化膜３３が極めて薄いにもかかわらず、高絶縁性が維持され、電気的信頼性が極めて高いものとなる。
【００７５】
図６は、ＳＩＭＯＸ法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
まず、最初の工程（α）では、鏡面研磨されたシリコンウェーハ４１を準備する。本発明では、このシリコンウェーハ４１として、前述したようにチョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを使用する。
【００７６】
次に工程（β）では、５００℃程度に加熱したシリコンウェーハ４１の一方の表面から酸素イオン（Ｏ＋）を所定の深さにイオン注入して酸素イオン注入層４２を形成する。このとき、イオン注入条件は特に限定されるものではないが、例えば、注入エネルギーは一般的に広く用いられている１５０〜２００ｋｅＶ程度とし、またドーズ量はその後行う酸化膜形成熱処理において貫通転位の発生を防止するために約４．０×１０１７／ｃｍ２の低ドーズ量にしてイオン注入を行う。このとき、必要に応じて、酸素イオンの注入を分割して行うこともできる。
【００７７】
次に、工程（γ）において酸素イオン注入層４２を埋め込み酸化膜４３に変える酸化膜形成熱処理を行う。酸化膜形成熱処理の熱処理条件は、酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変えることができれば特に限定されるものではないが、例えば、酸素濃度が１％以下のアルゴンガス雰囲気中、１３００℃以上シリコン融点以下の温度で３〜６時間の熱処理を行うことによって、埋め込み酸化膜（絶縁膜）４３を形成することができる。このようにして、支持基板４５の上に絶縁膜４３を介してシリコン活性層４４が形成されたＳＯＩウェーハ４６を製造することができる。
【００７８】
このようにＳＩＭＯＸ法により製造されたＳＯＩウェーハは、シリコン活性層や埋め込み酸化膜の膜厚が酸素イオン注入を行う際のイオン注入エネルギーやドーズ量により決まるため、優れた膜厚均一性を容易に得ることができるという利点も有し、また上記の貼り合わせ法のように２枚のウェーハを必要とせずに１枚のシリコンウェーハからＳＯＩウェーハを製造することができるため、比較的低コストでの製造が可能である。
【００７９】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。
［引上げ条件の確認］
（引上げ条件１）
図２に示した単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造した。直径２４インチ（６００ｍｍ）の石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒４ｍｇをチャージし、直径２１０ｍｍ、方位＜１００＞のシリコン単結晶を引上げた。シリコン単結晶を引上げる際、成長速度を０．６０ｍｍ／ｍｉｎから０．２０ｍｍ／ｍｉｎの範囲で結晶頭部から尾部にかけて漸減させるよう制御した。また、Ｐ濃度が３×１０１４〜５．５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ、酸素濃度が２４〜２７ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）となるようにシリコン単結晶を製造した。
【００８０】
上記のように育成した各シリコン単結晶棒の直胴部を、図３（ａ）に示したように結晶成長軸方向に１０ｃｍ毎の長さでブロックに切断した後、各ブロックをさらに結晶軸方向に縦割り切断し、約２ｍｍ厚のサンプルを数枚作製した。
上記サンプルについてＷＬＴ測定器（ＳＥＭＩＬＡＢ ＷＴ−８５）及びセコエッチングにより、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎ領域、Ｉ領域の各領域の分布状況（図３（ｂ）参照）、すなわちＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤ等の分布状況、そしてＯＳＦの発生状況を調査し、各領域の境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値を確認した。
【００８１】
具体的には、先ず、ＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤの評価に関しては、サンプルのうち１枚を平面研削した後、ミラーエッチング、セコエッチング（３０分間）を施し、無攪拌のまま放置し、所定の処理後、各欠陥の密度測定を行った。また、ＯＳＦの評価に関しては、サンプルのうち１枚を１１５０℃、１００分間（ウェット酸素雰囲気）の熱処理後冷却し（８００℃で出し入れ）、薬液で酸化膜を除去した後、ＯＳＦリングパターンの確認および密度測定を行った。
【００８２】
さらに、結晶軸方向に縦割り加工したスラブサンプルを直径２００ｍｍの大きさにくり抜き加工し、ポリッシュにより鏡面状態に仕上げ、９００℃、パイロ酸化によりウェーハ表面に酸化薄膜形成後、熱硫酸で酸化膜中の重金属を回収し、その溶液中のＷＳＡ法による測定値から結晶バルク中に含まれていたＡｌ濃度を同定した。
【００８３】
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｄ）に示し、また各領域境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：４．１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８４】
（引上げ条件２）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒８ｍｇをチャージすること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｄ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：８．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８５】
（引上げ条件３）
石英ルツボに、Ａｌ金属粒を入れることなく原料多結晶シリコン１５０ｋｇをチャージしたこと以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｂ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：１×１０８ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８６】
（引上げ条件４）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒２ｍｇをチャージすること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ｃ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１８
Ｉ領域（巨大転位クラスタ形成）とＩ領域（無欠陥）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．１７
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：１．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８７】
（引上げ条件５）
石英ルツボに、原料多結晶シリコン１５０ｋｇと純Ａｌ金属粒４ｍｇをチャージし、Ｂ（ボロン）濃度が１×１０１５〜１．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｃとなるようにシリコン単結晶を製造すること以外は実施例１と同様にシリコン単結晶を製造し、各測定を行った。
以上の測定で判明した、より詳細な各領域の分布状況を図１（ａ）に示し、また各領域の境界におけるＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）及びＡｌ濃度を以下に示す。
ＯＳＦとＮ領域境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２２
Ｎ領域とＩ領域（巨大転位クラスタ形成）境界のＦ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）：０．２０
Ｆ／Ｇ＝０．１７付近の結晶バルク中Ａｌ濃度：３．８×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ
【００８８】
図１から明らかなように、Ｐドープシリコン単結晶の場合、Ａｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満の引上げ条件３、４では、Ｉ領域で巨大転移クラスタが形成されており、また、たとえ無欠陥のＩ領域が出現しても一部にとどまっている（図１（ｂ）、（ｃ））。しかし、Ａｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の引上げ条件１及び引上げ条件２では、図１（ｄ）に示すようにＩ領域が無欠陥となり、ＯＳＦとＮ領域の境界よりも低速側の全面が無欠陥領域となっている。
一方、Ｂドープシリコン単結晶の場合、引上げ条件５のように、たとえＡｌ濃度が２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上であったとしても、図１（ａ）に示すようにＩ領域で巨大転移クラスタが形成されており、無欠陥のＩ領域は出現しなかった。
【００８９】
［ＳＯＩウェーハの製造］
（実施例１）
上述した引上げ条件１で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．１９〜０．１３となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＮ領域及び無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハとした。
次に、上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ベースウェーハとした。
【００９０】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、図５に示した工程に基づくイオン注入剥離法により、ボンドウェーハへのイオン注入、ベースウェーハとの貼り合わせ、剥離熱処理、結合熱処理（貼り合わせ酸化）、酸化膜除去、シリコン活性層調整酸化、酸化膜除去等を経て、厚さが２００ｎｍの絶縁膜と、５０ｎｍのシリコン活性層を有するＳＯＩウェーハを製造した。
【００９１】
このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンター（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ−１）により測定した。その結果、シリコン活性層調整酸化の後に弗酸洗浄を施して熱酸化膜を除去したにもかかわらず、シリコン活性層にはエッチピットが形成されず、シリコン活性層が破壊されなかったことを確認した。
【００９２】
（実施例２）
上述した引上げ条件１で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．１９〜０．１３となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＮ領域及び無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びべースウェーハとした。
【００９３】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例１と同様のイオン注入剥離法により、シリコン活性層の膜厚を５０ｎｍ、絶縁膜の膜厚を７０ｎｍとしてＳＯＩウェーハを作製した。そして、シリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層にはエッチピットが形成されず、シリコン活性層が破壊されなかったことを確認した。
【００９４】
さらに、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層を水酸化カリウム溶液で選択エッチングして除去した。次いで、残った絶縁膜を有するベースウェーハに対し、６ＭＶ／ｃｍの電解強度でＣｕデポジション法による評価を行った。その結果、絶縁膜は無欠陥であり、絶縁膜破壊は発生しなかったことを確認した。
【００９５】
（比較例１）
上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びベースウェーハとした。
【００９６】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例１と同様の方法で、厚さが２００ｎｍの絶縁膜と、５０ｎｍのシリコン活性層を有するＳＯＩウェーハを作製し、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層の破壊を示す高密度の輝点が確認された。
【００９７】
（比較例２）
上述した引上げ条件３で、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が０．２７〜０．２４となるように引上げ速度Ｆを制御して、全面がＶ領域のＰドープシリコン単結晶を製造した。このＰドープシリコン単結晶から鏡面ウェーハを作製し、ボンドウェーハ及びベースウェーハとした。
【００９８】
このようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを使用し、実施例２と同様の方法で、シリコン活性層の膜厚を５０ｎｍ、絶縁膜の膜厚を７０ｎｍとしてＳＯＩウェーハを作製し、このＳＯＩウェーハのシリコン活性層表面をパーティクルカウンターにより測定したところ、シリコン活性層の破壊を示す高密度の輝点が確認された。さらに、シリコン活性層を除去し、絶縁膜をＣｕデポジション法により評価したところ、絶縁膜の破壊を示す高密度の酸化膜欠陥が確認された。
【００９９】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、シリコン活性層及び／又は支持基板がＮ領域及び／又は無欠陥のＩ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなるＳＯＩウェーハが提供される。このようなＳＯＩウェーハであれば、例えば厚さが２００ｎｍ以下といった極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、例えば絶縁膜の厚さが１００ｎｍ以下であっても優れた絶縁特性を保つため、これを使用してデバイスを作製すれば、電気特性に優れたデバイスを高歩留りで、しかも簡単かつ安価で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】各条件での、成長速度と結晶欠陥分布の関係を表す説明図である。
（ａ） 引上げ条件５、 （ｂ） 引上げ条件３、 （ｃ） 引上げ条件４、
（ｄ） 引上げ条件１、引上げ条件２。
【図２】単結晶製造装置の概略図である。
【図３】（ａ） シリコン単結晶の成長速度と結晶切断位置の関係を示す関係図である。
（ｂ） 成長速度と各欠陥領域を示す説明図である。
【図４】従来の技術による成長速度と結晶欠陥分布の関係を表す説明図である。
【図５】イオン注入剥離法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
【図６】ＳＩＭＯＸ法により本発明に係るＳＯＩウェーハを製造する工程の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
１０…単結晶製造装置、 １１…メインチャンバー、
１２…引上げチャンバー、 １３…単結晶、
１４…ワイヤー、 １５…原料融液、 １６…石英ルツボ、
１７…黒鉛ルツボ、 １８…シャフト、 １９…黒鉛ヒーター、
２０…断熱部材、 ２１…種ホルダー、 ２２…種結晶、
２３…黒鉛筒、 ２４…断熱材、
３１…ボンドウェーハ、 ３２…ベースウェーハ、
３３…酸化膜（絶縁膜）、 ３４…イオン注入層、 ３５…剥離ウェーハ、
３６…ＳＯＩウェーハ、 ３７…シリコン活性層、 ３８…酸化膜、
４１…シリコンウェーハ、 ４２…酸素イオン注入層、
４３…埋め込み酸化膜（絶縁膜）、 ４４…シリコン活性層、
４５…支持基板、 ４６…ＳＯＩウェーハ。
Claims (12)
- 少なくとも支持基板上に絶縁膜を介して又は直接シリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、少なくとも前記シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰ（リン）ドープシリコン単結晶であり、且つＡｌ（アルミニウム）を２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハ。
- それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを、絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウェーハであって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハが、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものからなることを特徴とするＳＯＩウェーハ。
- 前記Ｐドープシリコン単結晶は、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含まれているものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウェーハ。
- 前記シリコン活性層は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハ。
- 前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であって、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハ。
- 少なくとも、シリコンウェーハに酸素を注入後、熱処理することで絶縁膜層（酸化膜層）を形成し、前記ウェーハ内に前記絶縁膜層で仕切られたシリコン活性層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法において、少なくとも、前記シリコンウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
- 少なくとも、ベースウェーハとボンドウェーハとを直接貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ベースウェーハとして、絶縁性の基板を用い、前記ボンドウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
- 少なくとも、それぞれシリコン単結晶からなるベースウェーハとボンドウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウェーハを薄膜化することによりシリコン活性層を形成する薄膜化工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記ボンドウェーハ及び／又は前記ベースウェーハとして、チョクラルスキー法により育成されたＮ領域及び／又は無欠陥Ｉ領域のＰドープシリコン単結晶であり、且つＡｌを２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むシリコンウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記貼り合わせ工程の前に、ボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンの少なくとも１種のイオンを注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成するイオン注入工程を行い、前記貼り合わせ工程においては、該ボンドウェーハのイオン注入された側の表面と前記ベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせ、前記薄膜化工程においては、熱処理により前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記Ｐドープシリコン単結晶として、Ｐが１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の濃度で含むものを用いることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン活性層の厚さを、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にすることを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記絶縁膜を、シリコン酸化膜とし、該シリコン酸化膜の厚さを、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にすることを特徴とする請求項６、請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003073768A JP4854917B2 (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
| CNB2004800058863A CN100452408C (zh) | 2003-03-18 | 2004-03-12 | Soi晶片及其制造方法 |
| EP04720203A EP1605510B1 (en) | 2003-03-18 | 2004-03-12 | Soi wafer and method for manufacturing same |
| US10/546,693 US7518187B2 (en) | 2003-03-18 | 2004-03-12 | Soi wafer and a method for producing the same |
| PCT/JP2004/003347 WO2004084308A1 (ja) | 2003-03-18 | 2004-03-12 | Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
| KR1020057017178A KR101007678B1 (ko) | 2003-03-18 | 2004-03-12 | Ｓｏｉ웨이퍼 및 그 제조방법 |
| TW093107120A TW200423378A (en) | 2003-03-18 | 2004-03-17 | SOI wafer and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003073768A JP4854917B2 (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004281883A true JP2004281883A (ja) | 2004-10-07 |
| JP4854917B2 JP4854917B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=33027796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003073768A Expired - Fee Related JP4854917B2 (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7518187B2 (ja) |
| EP (1) | EP1605510B1 (ja) |
| JP (1) | JP4854917B2 (ja) |
| KR (1) | KR101007678B1 (ja) |
| CN (1) | CN100452408C (ja) |
| TW (1) | TW200423378A (ja) |
| WO (1) | WO2004084308A1 (ja) |
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-
2003
- 2003-03-18 JP JP2003073768A patent/JP4854917B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-12 KR KR1020057017178A patent/KR101007678B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-12 EP EP04720203A patent/EP1605510B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-12 WO PCT/JP2004/003347 patent/WO2004084308A1/ja active Application Filing
- 2004-03-12 US US10/546,693 patent/US7518187B2/en active Active
- 2004-03-12 CN CNB2004800058863A patent/CN100452408C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 TW TW093107120A patent/TW200423378A/zh unknown
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200423378A (en) | 2004-11-01 |
| CN100452408C (zh) | 2009-01-14 |
| WO2004084308A1 (ja) | 2004-09-30 |
| KR20050109568A (ko) | 2005-11-21 |
| EP1605510A1 (en) | 2005-12-14 |
| TWI334217B (ja) | 2010-12-01 |
| EP1605510A4 (en) | 2009-09-16 |
| CN1757115A (zh) | 2006-04-05 |
| EP1605510B1 (en) | 2011-10-05 |
| US20060086313A1 (en) | 2006-04-27 |
| JP4854917B2 (ja) | 2012-01-18 |
| KR101007678B1 (ko) | 2011-01-13 |
| US7518187B2 (en) | 2009-04-14 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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