JP2011135051A5 - - Google Patents

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  1. 絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
    成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスを希釈しないで用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、前記第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  2. 絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
    成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスのみを用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、前記第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  3. 絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
    成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスを希釈しないで用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させることにより、前記第１の単結晶半導体層及び前記非晶質半導体層から第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  4. 絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
    成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスのみを用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させることにより、前記第１の単結晶半導体層及び前記非晶質半導体層から第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  5. 請求項１又は３において、前記第２の単結晶半導体層を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  6. 請求項２又は４において、前記第２の単結晶半導体層のうち、固相エピタキシャル成長した部分を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  7. 請求項１又は２において、前記第１の単結晶半導体層は、前記熱処理により結晶性が向上することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  8. 請求項３又は４において、前記第２の単結晶半導体層は前記第１の単結晶半導体層よりも結晶性が向上していることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
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