JP2010215506A5 - 単結晶ｉｉｉ−ｖ族窒化物材料とその製造方法、物品およびウエハ - Google Patents

Claims (8)

1. 自身のフェースに２ｃｍ²を超える大面積を有し、かつ、表面をＣＭＰ仕上げした際に凹エリアが全体的な成長表面積の１０％未満となるような成長表面を有し、
   表面に沿って、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域を含み、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域は、成長表面積の少なくとも１００領域／ｃｍ²を含む、単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料。
2. 自身のフェースに２ｃｍ²を超える大面積を有し、かつ、表面をＣＭＰ仕上げした際に凹エリアが全体的な成長表面積の１０％未満となるような成長表面を有し、
   表面に沿って、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域を含み、より高い不純物濃度を有する各々の区別できる領域は、成長表面積の少なくとも５０％を含む、単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料。
3. ５０％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項１又は２に記載の材料。
4. ＧａＮである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の材料。
5. 少なくとも２インチの直径を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の材料を含む物品。
7. 大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に形成するための成長リアクタを利用する気相成長法であって、（ｉ）ピット化成長条件下で気相成長技術によって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を前記基板に成長させる１つまたは複数のステップを含む第１段階と、（ｉｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面においてピットのクロージャおよび欠陥の消滅を達成するピット充填条件下で、前記気相成長技術によって前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる１つまたは複数のステップを含む第２段階と、を含む方法であって、
   前記第１段階の成長および前記第２段階の成長のいずれもが、前記成長リアクタへのアンモニアおよび塩化水素のいずれものフローを含み、前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長よりも、塩化水素に対して低いアンモニアフロー比を含む、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の製造方法。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の材料を成長後処理ステップにさらして得られるウエハであって、該ウエハ表面の凹エリアが全体的なウエハ表面積の１０％未満であるウエハ。