JP2008127252A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 窒化物半導体で形成されて２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まないインゴット（但し、インゴット外周が研削されたものは除く）であることを特徴とする窒化物半導体インゴット。
2. 前記窒化物半導体は、転位密度の最小値が１．５×１０⁶ｃｍ^-2以下である請求項１に記載の窒化物半導体インゴット。
3. 窒化物半導体で形成されて２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周が研削されたものは除く）をスライスすることにより得られ、２５．４ｍｍ以上の直径と０．２ｍｍ以上の厚さを有することを特徴とする窒化物半導体基板。
4. 窒化物半導体で形成されて２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周が研削されたものは除く）をスライスすることにより得られ、２５．４ｍｍ以上の直径と０．２ｍｍ以上の厚さを有し、表面と、前記表面との平行度が最も高い低指数面とのなす角度の、基板面内における最大値と最小値との差が０．０５度以下であることを特徴とする窒化物半導体基板。
5. 前記窒化物半導体基板の転位密度が１．５×１０⁶ｃｍ^-2以下である請求項３または４に記載の窒化物半導体基板。
6. 成長炉内に厚さが１００μｍ以上２５０μｍ以下である種基板を配置する工程と、
   前記種基板上に窒化物半導体を析出させることによって２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周を研削するものは除く）を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体インゴットの製造方法。
7. 成長炉内に格子面の反りの曲率半径が２０ｍ以上である種基板を配置する工程と、
   前記種基板上に窒化物半導体を析出させることによって２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周を研削するものは除く）を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体インゴットの製造方法。
8. 成長炉内に転位密度が２×１０⁶ｃｍ^-2以下である種基板を配置する工程と、
   前記種基板上に窒化物半導体を析出させることによって２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周を研削するものは除く）を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体インゴットの製造方法。
9. 成長炉内に種基板を配置する工程と、
   前記成長炉内にＧａを配置し、ＨＣｌガスを導入する工程と、
   前記成長炉内にＮＨ₃を導入する工程と、
   前記ＨＣｌと前記ＧａからＧａＣｌを発生させるＧａＣｌ発生部の温度と前記成長炉内でＧａＮを析出させる成長部の温度とが等しくなるように温度条件を制御する工程と、
   前記温度条件下で前記種基板上に２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周を研削するものは除く）を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体インゴットの製造方法。
10. 成長炉内に種基板を配置する工程と、
    前記成長炉内にＧａＣｌを導入する工程と、
    前記成長炉内にＮＨ₃を導入する工程と、
    前記成長炉内で前記ＧａＣｌと前記ＮＨ₃の供給に基づいて成長させるインゴットの成長速度変動を５％以下に制御する工程と、
    前記成長速度変動条件下で前記種基板上に２０ｍｍを超える長さ及び５０．８ｍｍ以上の直径を有し、最外部から３ｍｍを除く部分にクラックを含まない窒化物半導体インゴット（但し、インゴット外周を研削するものは除く）を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体インゴットの製造方法。
11. 成長させた前記窒化物半導体インゴットの転位密度の最小値が１．５×１０⁶ｃｍ^-2である請求項６，７，８，９，または１０に記載の窒化物半導体インゴットの製造方法。