JP2008290919A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接していることを特徴とするIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面の全周縁に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接していることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面が円形であることを特徴とする請求項１または２に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第２結晶成長面が環状であり、円形の前記第１結晶成長面と同心であることを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第２結晶成長面の幅が０．５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記段差の高さが０．１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面と前記第２結晶成長面が連続している単一部材内に存在することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面を構成する部材と前記第２結晶成長面を構成する部材が異なっていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面を構成する材料と前記第２結晶成長面を構成する材料がいずれもIII族窒化物半導体の単結晶からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記第１結晶成長面と前記第２結晶成長面を構成する部材が基礎基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 前記基礎基板がサファイア単結晶基板またはＳｉＣ単結晶基板であることを特徴とする請求項１０に記載のIII族窒化物半導体成長用の下地基板。
- 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の下地基板上にIII族窒化物半導体形成用ガスを供給することにより前記下地基板上にIII族窒化物半導体を結晶成長させる工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体の成長方法。
- 前記下地基板が、結晶成長させるIII族窒化物半導体と同種の単結晶からなることを特徴とする請求項１２に記載のIII族窒化物半導体の成長方法。
- 前記III族窒化物半導体を厚み５ｍｍ以上で結晶成長させることを特徴とする請求項１２または１３に記載のIII族窒化物半導体の成長方法。
- 前記結晶成長をハイドライド気相成長法により行うことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体の成長方法。
- 前記下地基板から前記第２結晶成長面を分離する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体の成長方法。
- 下地基板上に成長させたIII族窒化物半導体結晶であって、前記III族窒化物半導体結晶の成長厚みが２ｍｍ以上であり、結晶成長後の表面が鏡面であることを特徴とするIII族窒化物半導体結晶。
- 前記表面の表面粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１７に記載のIII族窒化物半導体結晶。
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