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特願平９−２９８３００ 特願平１０−９００８ 特願平１０−１０２５４６ 特開平２−２３９１８８ 特開昭６４−３２６８６ 特開昭６４−２２０７２ 特開平６４−１５９１４ 特開平１−２７０５９９ 特許第３１２９１１２ 特開平７−２０１７４５ 特開平１１−７４５６２ 再公表特許ＷＯ９９／２３６９３

Claims (16)

  1. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  2. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  3. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮエピタキシャル層を０．５μｍ〜１０μｍの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  4. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  5. オフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工して、複数枚のＧａＮ下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  6. 下地基板である（１１１）ＧａＡｓ基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜で、その上に作製されたＧａＮ単結晶基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  7. 下地基板である（１１１）ＧａＡｓ基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜で、その上に作製されたＧａＮ単結晶基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  8. 下地基板であるＧａＡｓ基板は（１１１）面基板であり、オフの方向は、面方位［１１１］が＜１−１０＞方向に傾斜しており、その上に成長したＧａＮ基板は（０００１）面基板であり、オフの方向は、面方位［０００１］が＜１１−２０＞方向に傾斜していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  9. 下地基板であるＧａＡｓ基板は（１１１）面基板であり、オフの方向は、面方位［１１１］が＜１１−２＞方向に傾斜しており、その上に成長したＧａＮ基板は（０００１）面基板であり、オフの方向は、面方位［０００１］が＜１−１００＞方向に傾斜していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。
  10. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
  11. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
  12. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮエピタキシャル層を０．５μｍ〜１０μｍの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
  13. オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
  14. 請求項１０〜１３の何れかに記載のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長させた後、厚さ方向にスライス加工し、複数枚のＧａＮ下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
  15. ＧａＮ自立基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜であることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板。
  16. ＧａＮ自立基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜であることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板。
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