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- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaNエピタキシャル層を0.5μm〜10μmの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するGaN単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のGaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
- オフ角度を有する(0001)GaN自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するGaN単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工して、複数枚のGaN下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
- 下地基板である(111)GaAs基板のオフ角度は0.3゜〜20゜で、その上に作製されたGaN単結晶基板のオフ角度は0.3゜〜20゜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のGaN単結晶基板の製造方法。
- 下地基板である(111)GaAs基板のオフ角度は0.1゜〜25゜で、その上に作製されたGaN単結晶基板のオフ角度は0.1゜〜25゜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のGaN単結晶基板の製造方法。
- 下地基板であるGaAs基板は(111)面基板であり、オフの方向は、面方位[111]が<1−10>方向に傾斜しており、その上に成長したGaN基板は(0001)面基板であり、オフの方向は、面方位[0001]が<11−20>方向に傾斜していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のGaN単結晶基板の製造方法。
- 下地基板であるGaAs基板は(111)面基板であり、オフの方向は、面方位[111]が<11−2>方向に傾斜しており、その上に成長したGaN基板は(0001)面基板であり、オフの方向は、面方位[0001]が<1−100>方向に傾斜していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のGaN単結晶基板の製造方法。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製したことを特徴とするGaN単結晶基板。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製したことを特徴とするGaN単結晶基板。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaNエピタキシャル層を0.5μm〜10μmの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、GaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製したことを特徴とするGaN単結晶基板。
- オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するGaN単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のGaAs基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製したことを特徴とするGaN単結晶基板。
- 請求項10〜13の何れかに記載のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するGaN単結晶層を成長させた後、厚さ方向にスライス加工し、複数枚のGaN下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する(0001)GaN自立基板を作製したことを特徴とするGaN単結晶基板。
- GaN自立基板のオフ角度は0.3゜〜20゜であることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載のGaN単結晶基板。
- GaN自立基板のオフ角度は0.1゜〜25゜であることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載のGaN単結晶基板。
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