JP5012700B2 - Iii族窒化物結晶接合基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
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図1(c)を参照して、本発明にかかるIII族窒化物結晶接合基板の一実施形態は、{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面10mを有するIII族窒化物結晶接合基板10であって、{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面11mを有する複数のIII族窒化物結晶片11p,11qを含み、III族窒化物結晶片11p,11qの[0001]方向が同一になるように、III族窒化物結晶片11p,11qは互いにそれぞれの主面11mの少なくとも一部で接合されている。
図1を参照して、本発明にかかるIII族窒化物結晶接合基板の製造方法の一実施形態は、III族窒化物母結晶1から、{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面11mを有する複数のIII族窒化物結晶片11p、11qを切り出す第1工程(図1(a))と、III族窒化物結晶片11p,11qの[0001]方向が同一になるように、III族窒化物結晶片11p,11qをそれぞれの主面11mの少なくとも一部で互いに接合してIII族窒化物結晶接合体11を得る第2工程(図1(b))と、III族窒化物結晶接合体11に{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面10mを形成してIII族窒化物結晶接合基板10を得る第3工程(図1(c))と、を備える。
まず、図1(a)を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶接合基板10の製造方法は、III族窒化物母結晶1から、{hk−(h+k)0}の主面11mを有する複数のIII族窒化物結晶片11p,11qを切り出す第1工程(図1(a))を備える。
次に、図1(b)を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶接合基板10の製造方法は、複数のIII族窒化物結晶片11p,11qの[0001]方向が同一になるように、それらのIII族窒化物結晶片11p,11qをそれぞれのIII族窒化物結晶片11p,11qの主面10mの少なくとも一部で互いに接合してIII族窒化物結晶接合体11を得る第2工程を備える。
tanθ=T/HD (1)
の関係を有する。ここで、傾き角θは、特に制限なく、0°≦θ≦90°の値をとり得る。{0001}面以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}の主面を有するIII族窒化物結晶接合基板を得やすい観点から、傾き角θは0°≦θ<90°であることが好ましい。
tanθ=T/HD (1)
の関係を有する。また、このIII族窒化物結晶接合体11は、III族窒化物結晶片11p,11qの{hk−(h+k)0}の主面11mの露出部面と{0001}の面11cとで形成される凹凸を有する表面を有する。
次に、図1(c)を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶接合基板10の製造方法は、III族窒化物結晶接合体11に{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}の主面10mを形成してIII族窒化物結晶接合基板10を得る第3工程を備える。
図1を参照して、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態は、III族窒化物母結晶1から、{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面11mを有する複数のIII族窒化物結晶片11p,11qを切り出す第1工程(図1(a))と、III族窒化物結晶片11p,11qの[0001]方向が同一になるように、III族窒化物結晶片11p,11qをそれぞれの主面11mの少なくとも一部で互いに接合してIII族窒化物結晶接合体11を得る第2工程と、III族窒化物結晶接合体11に{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面10mを形成してIII族窒化物結晶接合基板10を得る第3工程と、III族窒化物結晶接合基板10の主面10m上に、III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる第4工程と、を備える。
図1(d)を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶20の製造方法は、上記の第3工程で得られたIII族窒化物結晶接合基板10の{hk−(h+k)l}の主面10m上に、III族窒化物結晶20をエピタキシャル成長させる第4工程と、を備える。
III族窒化物母結晶1であるGaN母結晶を、以下のようにして作製した。まず、図2(a)および(b)を参照して、まず、下地基板90としての(111)A面の主面を有する直径2インチ(50.8mm)で厚さ0.8mmのGaAs基板上に、スパッタ法によりマスク層91として厚さ100nmのSiO2層を形成した。次いで、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより、直径Dが2μmの窓91wが4μmのピッチPで六方稠密に配置されたパターンを形成した。ここで、各窓91wには、GaAs基板(下地基板90)が露出している。
1.第1工程
図1(a)を参照して、ダイシング装置を用いて、GaN母結晶(III族窒化物母結晶1)を<10−10>方向に垂直な複数の面でスライスすることにより、幅Hが30mm、厚さTが1mmで種々の長さを有する複数のGaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出した。こうして得られたGaN結晶片は、いずれも(10−10)の主面11mおよび(0001)の面11cを有していた。これらのGaN結晶片の(10−10)の主面11mを、平均粗さRaが50nmになるようにダイヤモンド砥粒を用いて研磨して、平坦化した。
図1(b)を参照して、GaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)の(10−10)の主面11mにカーボン接着剤(日清紡績株式会社製ST−201)を塗布して、(10−10)の主面11mが水平面3nに対して46.8°の傾き角θを有するように、複数のGaN結晶片を接合した。
図1(b)および(c)を参照して、GaN結晶接合体(III族窒化物結晶接合体11)のGaN結晶片の主面11mの露出部面と(0001)の面11cとで形成される表面を、水平面3nと平行になるように、平均粗さRaが50nmになるようにダイヤモンド砥粒を用いて研磨して、平坦化した。こうして、GaN結晶片の(10−10)の主面11mに対して46.8°の傾き角θを有する主面10mを有するGaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)が得られた。ここで、GaN結晶接合基板の主面10mの面方位は、X線回折により測定したところ、(10−12)であった。さらに、図1(c)を参照して、GaN結晶接合体(III族窒化物結晶接合体11)のGaN結晶片の主面11mの露出部面と(000−1)の面11cとで形成される表面を、水平面3nと平行になるように、平均粗さRaが50nmになるようにダイヤモンド砥粒を用いて研磨することにより平坦化して、GaN結晶接合基板の他の主面10mを得た。
図1(d)を参照して、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)の主面10m上に、HVPE法により、GaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
水平面3nに対して傾き角θが28°の斜面3mと斜面3mに対して垂直な幅Tが1mmの斜面3cとを表面3sに有するステンレス製の接合台3を用いてGaN結晶片を接合したこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)を製造し、その主面10m上にGaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
水平面3nに対して傾き角θが65°の斜面3mと斜面3mに対して垂直な幅Tが1mmの斜面3cとを表面3sに有するステンレス製の接合台3を用いてGaN結晶片を接合したこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)を製造し、その主面10m上にGaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
GaN母結晶(III族窒化物母結晶1)を<11−20>方向に垂直な複数の面でスライスすることにより、幅Hが30mm、厚さTが1mmで種々の長さを有する複数のGaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出したこと、水平面3nに対して傾き角θが32°の斜面3mと斜面3mに対して垂直な幅Tが1mmの斜面3cとを表面3sに有するステンレス製の接合台3を用いてGaN結晶片を接合したこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)を製造し、その主面10m上にGaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
GaN母結晶(III族窒化物母結晶1)を<21−30>方向に垂直な複数の面でスライスすることにより、幅Hが30mm、厚さTが1mmで種々の長さを有する複数のGaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出したこと、水平面3nに対して傾き角θが48°の斜面3mと斜面3mに対して垂直な幅Tが1mmの斜面3cとを表面3sに有するステンレス製の接合台3を用いてGaN結晶片を接合したこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)を製造し、その主面10m上にGaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
1.第1工程
実施例1と同様にして、GaN母結晶(III族窒化物母結晶1)からGaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出し、(10−10)の主面11mを平坦化した。
GaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を、アルゴンイオン銃を備えた真空チャンバ内に配置した。1×10-6Paの真空雰囲気下において、GaN結晶片の(10−10)の両側の主面11mをアルゴンイオンで30分間エッチングした後、1200℃で10秒間熱処理した。この熱処理後、直ちに2つのGaN結晶片を、それぞれの「0001」方向が同一となるように、[0001]方向に0.96mmの幅HDをずらして圧着させた(圧力5kgf/cm2(490kPa))。この作業を繰り返して、(10−10)の主面11mが水平面3nに対して46.8°の傾き角θを有するように、複数のGaN結晶片を接合して、GaN結晶片の主面11mの露出部面と面11cとで形成される凹凸を表面に有するGaN結晶接合体(III族窒化物結晶接合体11)が得られた。
実施例1と同様にして、GaN結晶片の(10−10)の主面11mに対して46.8°の傾き角θを有する主面10mを有するGaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)が得られた。ここで、GaN結晶接合基板の主面10mの面方位は、X線回折により測定したところ、(10−12)であった。
実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)の主面10m上に、GaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
1.第1工程
実施例1と同様にして、GaN母結晶(III族窒化物母結晶1)からGaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出し、(10−10)の主面11mを平坦化した。
GaN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を、真空蒸着装置内に配置した。1×10-6Paの真空雰囲気下において、GaN結晶片の(10−10)の両側の主面11m上に、厚さ50nmのNi層を蒸着し、Ni層上に厚さ200nmのAu層を蒸着し。Ni層およびAu層が蒸着した2つのGaN結晶片を、それぞれの「0001」方向が同一となるように、[0001]方向に0.96mmの幅HDをずらして1kgf/cm2(98kPa)の圧力を加えながら、800℃に加熱することにより、Au層を融着させた。この作業を繰り返して、(10−10)の主面11mが水平面3nに対して46.8°の傾き角θを有するように、複数のGaN結晶片を接合して、GaN結晶片の主面11mの露出部面と面11cとで形成される凹凸を表面に有するGaN結晶接合体(III族窒化物結晶接合体11)が得られた。
実施例1と同様にして、GaN結晶片の(10−10)の主面11mに対して46.8°の傾き角θを有する主面10mを有するGaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)が得られた。ここで、GaN結晶接合基板の主面10mの面方位は、X線回折により測定したところ、(10−12)であった。
実施例1と同様にして、GaN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)の主面10m上に、GaN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
III族窒化物母結晶1であるAlN母結晶を、以下のようにして作製した。まず、下地基板としての直径2インチ(50.8mm)で厚さ0.5mmのSiC基板の(0001)面の主面上に、昇華法により、AlN母結晶を成長させた。AlN母結晶の成長の際、結晶が厚さ0.5mmに成長するまでは、成長温度を1700℃として、0.1質量%のCO2ガス(IV族元素含有ガス)を供給して、IV族元素原子であるC原子をドーピングした。その後、成長温度を1800℃に維持しつつ、IV族元素含有ガスの供給を止めて、厚さ5.5mm(上記炭素原子をドーピングした0.5mmの厚さの部分を含む)のAlN母結晶を成長させた。成長させたAlN母結晶の(0001)面には複数のファセットにより複数の六角錐状の凹部が形成されていた。
1.第1工程
AlN母結晶(III族窒化物母結晶1)から、実施例1と同様にして、幅Hが30mm、厚さTが1mmで種々の長さを有する複数のAlN結晶片(III族窒化物結晶片11p,11q)を切り出した。こうして得られたAlN結晶片は、いずれも(10−10)の主面11mおよび(0001)の面11cを有していた。これらのAlN結晶片の(10−10)の主面11mを、平均粗さRaが50nmになるようにダイヤモンド砥粒を用いて研磨して、平坦化した。
図1(b)を参照して、実施例1と同様にして、(10−10)の主面11mが水平面3nに対して46.8°の傾き角θを有するように、複数のAlN結晶片を接合した。
図1(b)および(c)を参照して、実施例1と同様にして、AlN結晶片(III族窒化物結晶片11p.11q)の主面11mの露出部面と面11cとで形成されるAlN結晶接合体(III族窒化物結晶接合体11)の表面を、水平面3nと平行になるように、平均粗さRaが50nmになるように平坦化した。こうして、AlN結晶片の(10−10)の主面11mに対して46.8°の傾き角θを有する主面10mを有するAlN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)が得られた。ここで、AlN結晶接合基板の主面10mの面方位は、X線回折により測定したところ、(10−12)であった。
図1(d)を参照して、AlN結晶接合基板(III族窒化物結晶接合基板10)の主面10m上に、AlN結晶(III族窒化物結晶20)をエピタキシャル成長させた。
Claims (6)
- {0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面を有するIII族窒化物結晶接合基板であって、
{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面を有する複数のIII族窒化物結晶片を含み、前記結晶片の[0001]方向が同一になるように、前記結晶片は互いにそれぞれの主面の少なくとも一部で接合されているIII族窒化物結晶接合基板。 - 前記特定される{hk−(h+k)l}は、{10−1m}(mは0以外の整数)および{11−2n}(nは0以外の整数)からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が5°以下である請求項1に記載のIII族窒化物結晶接合基板。
- III族窒化物母結晶から、{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面を有する複数のIII族窒化物結晶片を切り出す第1工程と、
前記結晶片の[0001]方向が同一になるように、前記結晶片をそれぞれの主面の少なくとも一部で互いに接合してIII族窒化物結晶接合体を得る第2工程と、
前記接合体に{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面を形成してIII族窒化物結晶接合基板を得る第3工程と、を備えるIII族窒化物結晶接合基板の製造方法。 - 前記特定される{hk−(h+k)l}は、{10−1m}(mは0以外の整数)および{11−2n}(nは0以外の整数)からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が5°以下である請求項3に記載のIII族窒化物結晶接合基板の製造方法。
- III族窒化物母結晶から、{hk−(h+k)0}(hおよびkは整数)の主面を有する複数のIII族窒化物結晶片を切り出す第1工程と、
前記結晶片の[0001]方向が同一になるように、前記結晶片をそれぞれの主面の少なくとも一部で互いに接合してIII族窒化物結晶接合体を得る第2工程と、
前記接合体に{0001}以外の任意に特定される{hk−(h+k)l}(h、kおよびlは整数)の主面を形成してIII族窒化物結晶接合基板を得る第3工程と、
前記接合基板の主面上に、III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる第4工程と、を備えるIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記特定される{hk−(h+k)l}は、{10−1m}(mは0以外の整数)および{11−2n}(nは0以外の整数)からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が5°以下である請求項5に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
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