JP6327136B2 - 継ぎ合せGaN結晶の製造方法およびGaN結晶の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、主として、継ぎ合せGaN結晶の製造方法およびGaN結晶の製造方法に関する。
GaN基板は、GaN(窒化ガリウム)結晶のみで構成された自立基板である。
GaN基板は、主に、窒化物半導体デバイス用の基板として使用される。窒化物半導体は、窒化物系III−V族化合物半導体、III族窒化物系化合物半導体、GaN系半導体、などとも呼ばれ、GaN(窒化ガリウム)を含む他に、GaNのGaの一部または全部が、他の周期表13族元素(B、Al、In)に置換された化合物を含む。例えば、AlN、InN、AlGaN、AlInN、GaInN、AlGaInN等である。
主表面が極性面であるGaN(0001)基板(C面GaN基板)を用いた、LD(レーザーダイオード)やLED(発光ダイオード)のような半導体発光デバイスが、既に実用化されている。
一方、非極性または半極性GaN基板を使用することにより、特性の改善された窒化物半導体デバイスが得られるとの期待がある。
大面積の半極性GaN基板の製造方法が、特開2010−13298号公報(特許文献1)で提案されている。この特許文献で提案された方法によれば、円盤形のシード基板上にGaNをc軸成長させて得た円盤形のバルクGaN結晶から、複数のGaN結晶片が切り出され、その複数のGaN結晶片から継ぎ合せGaN結晶が形成される。そして、その継ぎ合せGaN結晶を研磨して得た、半極性面を主表面とするシードGaN基板上に、バルクGaN結晶が気相成長される。そのバルクGaN結晶が半極性GaN基板に加工される。
特開2010−13298号公報に開示された継ぎ合せGaN結晶は、複数のGaN結晶片が一方向に並んだ構造を有している。
特開2010−13298号公報
継ぎ合せGaN結晶を用いて、より大きな面積を有するGaNシード基板を作製するには、継ぎ合せGaN結晶を構成する複数のGaN単結晶を2つの方向に並べることが有効である。
本発明の主たる目的は、複数のGaN単結晶が2つの方向に並んだ構成を有する継ぎ合せGaN結晶の製造に用いられる製造方法であって、特に、その複数のGaN単結晶間の結晶方位を一致させるうえで有利な製造方法を、提供することである。
本発明は、更に、かかる方法で製造される継ぎ合せGaN結晶をシードに使用する、GaN結晶の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態には、以下に挙げる継ぎ合せGaN結晶の製造方法およびGaN結晶の製造方法が含まれる。
〔1〕(i)原結晶を準備するステップであって、該原結晶が、第1GaN単結晶と、第2GaN単結晶と、該第1GaN単結晶と該第2GaN単結晶の間の接合面とを含むGaN結晶である、結晶準備ステップと;(ii)原結晶を、第1部分結晶および第2部分結晶を含む複数の部分結晶に分割するステップであって、該第1部分結晶および該第2部分結晶が、それぞれ、前記第1GaN単結晶の一部と、前記第2GaN単結晶の一部と、前記接合面の一部とを含む、結晶分割ステップと;(iii)前記第1部分結晶と前記第2部分結晶とを継ぎ合せて二次結晶を得るステップであって、前記第1部分結晶に含まれる前記第1GaN単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第1GaN単結晶の一部とが接合され、かつ、前記第1部分結晶に含まれる前記第2GaN単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第2GaN単結晶の一部とが接合される、結晶継ぎ合せステップと;を含む継ぎ合せGaN結晶の製造方法。
〔2〕〔1〕に記載の製造方法を用いて継ぎ合せGaN結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いてGaN結晶を成長させるステップと、を有するGaN結晶の製造方法。
〔3〕〔1〕に記載の製造方法を用いて継ぎ合せGaN結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いてGaN結晶を成長させるステップと、該成長させるステップで得たGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いて更なるGaN結晶を成長させるステップと、を有するGaN結晶の製造方法。
本発明の実施形態には、更に、以下が含まれる。
〔1a〕(i)原結晶を準備するステップであって、該原結晶が、第1単結晶と、第2単結晶と、該第1単結晶と該第2単結晶の間の接合面とを含む結晶である、結晶準備ステップと;(ii)原結晶を、第1部分結晶および第2部分結晶を含む複数の部分結晶に分割するステップであって、該第1部分結晶および該第2部分結晶が、それぞれ、前記第1単結晶の一部と、前記第2単結晶の一部と、前記接合面の一部とを含む、結晶分割ステップと;(iii)前記第1部分結晶と前記第2部分結晶とを継ぎ合せて二次結晶を得るステップであって、前記第1部分結晶に含まれる前記第1単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第1単結晶の一部とが接合され、かつ、前記第1部分結晶に含まれる前記第2単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第2単結晶の一部とが接合される、結晶継ぎ合せステップと;を含む継ぎ合せ結晶の製造方法。
〔2a〕前記原結晶が窒化物半導体結晶である、〔1a〕に記載の製造方法。
〔3a〕〔2a〕に記載の製造方法を用いて継ぎ合せ結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せ結晶の少なくとも一部をシードに用いて窒化物半導体結晶を成長させるステップと、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
〔4a〕〔2a〕に記載の製造方法を用いて継ぎ合せ結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せ結晶の少なくとも一部をシードに用いて窒化物半導体結晶を成長させるステップと、該成長させるステップで得た窒化物半導体結晶の少なくとも一部をシードに用いて更なる窒化物半導体結晶を成長させるステップと、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
好ましい実施形態によれば、複数のGaN単結晶が2つの方向に並んだ構成を有する継ぎ合せGaN結晶の製造に用いられる製造方法であって、特に、その複数のGaN単結晶間の結晶方位を一致させるうえで有利な、継ぎ合せGaN結晶の製造方法が提供される。
更に、かかる方法で製造される継ぎ合せGaN結晶をシードに使用する、GaN結晶の製造方法が提供される。
結晶準備ステップで準備する原結晶の構造例を示す斜視図である。 結晶準備ステップで準備する原結晶の構造例を示す斜視図である。 結晶分割ステップを説明する斜視図であり、原結晶を、2つの部分結晶に分割したところを示す。 結晶分割ステップを説明する斜視図であり、原結晶を、N個の部分結晶に分割したところを示す。 図5(a)は、結晶継ぎ合せステップを説明する平面図であり、図5(b)は、二次結晶の構造例を示す斜視図である。 図6(a)は、結晶継ぎ合せステップを説明する平面図であり、図6(b)は、二次結晶の構造例を示す平面図である。 結晶分割ステップを説明する斜視図であり、二次結晶を、2つの部分結晶に分割したところを示す。 図8(a)は、結晶継ぎ合せステップを説明する平面図であり、図8(b)は、三次結晶の構造例を示す斜視図である。 二次結晶から作製されたシード基板上にバルクGaN結晶が成長した様子を示す斜視図である。
1.継ぎ合せGaN結晶の製造方法
(1)第1実施形態
第1実施形態に係る継ぎ合せGaN結晶の製造方法は、大きく分けて次の(i)〜(iii)の3つのステップを含む。
(i)継ぎ合せGaN結晶である原結晶を準備する結晶準備ステップ。
(ii)原結晶を分割する結晶分割ステップ。
(iii)原結晶を分割して得た部分結晶同士を継ぎ合せる結晶継ぎ合せステップ。
各ステップの詳細を以下に説明する。
(i)結晶準備ステップ
結晶準備ステップで準備する原結晶は、2つのGaN単結晶(それぞれ「第1GaN単結晶」、「第2GaN単結晶」と称する)と、その2つのGaN単結晶の接合面とを、少なくとも含む、継ぎ合せGaN結晶である。
原結晶は、第1GaN単結晶と第2GaN単結晶を含む複数のGaN単結晶を、結晶接合技法を用いて互いに継ぎ合せることにより作製される。
原結晶を構成するGaN単結晶は、その製造方法により限定されるものではないが、好ましくは、アモノサーマル法あるいは液相成長法(例えば、フラックス法)で成長された、格子歪みの小さなGaN結晶である。
結晶接合技法の一例が、前述の特許文献1に開示されている。この例では、2つのGaN結晶表面を、真空チャンバ内でアルゴンイオンエッチングして清浄化し、更に熱処理を行った後、圧着することにより接合させている。
国際公開WO2014/084217号公報には、GaNを含む各種の無機材料同士を、常温接合させる技法が開示されている。簡単に説明すると、真空中に配置した接合対象の材料の表面に、イオンビームや原子ビームに代表される不活性元素の高速粒子ビームを照射する。その高速粒子ビームの粒子の衝突に応じて、材料の表面から酸化膜層や不純物層がスパッタされて除去される。これにより材料の表面は活性化し、ダングリングボンドと呼ばれる表面原子の結合手が現れる。この状態となった材料の表面同士を接触させることにより、接合が形成される。
図1に、結晶準備ステップで準備する原結晶の構造例を示す。
図1を参照すると、原結晶10は、第1GaN単結晶11と第2GaN単結晶12とが継ぎ合された構造を有しており、第1GaN単結晶11と第2GaN単結晶の間には接合面13がある。
接合面13における、第1GaN単結晶11と第2GaN単結晶12の間の方位ズレは、可能な限り小さいことが望ましい。
原結晶10は、第1GaN単結晶11および第2GaN単結晶12のみから構成されていてもよいが、限定されるものではない。図2に示すように、原結晶10は、3個以上のGaN単結晶が一列に継ぎ合された構成を有していてもよく、第1GaN単結晶11および第2GaN単結晶12は、その中に含まれる2個の隣接したGaN単結晶であり得る。
(ii)結晶分割ステップ
結晶分割ステップでは、(i)結晶準備ステップで準備した原結晶を分割する。
ここで、分割により得られる複数の部分結晶には、各々次の条件を充たす第1部分結晶および第2部分結晶が含まれるようにする。
その条件とは、第1GaN単結晶の一部、第2GaN単結晶の一部、および、第1GaN単結晶と第2GaN単結晶の間の接合面の一部を含むことである。
この条件から理解されるように、第1部分単結晶と第2部分単結晶は、いずれも、継ぎ合せGaN結晶である。
原結晶の分割は、GaN結晶の切断/スライスに通常使用される技法を用いて行うことができる。切断ツールとしては、ワイヤソー、内周刃ソー、外周刃ソー等を使用することができる。
一例では、図1に示す原結晶10を、紙面内における上下方向に二等分して、図3に示す第1部分結晶10aと第2部分結晶10bを得ることができる。
図3を参照すると、第1部分結晶10aは、第1GaN単結晶部分11a、第2GaN単結晶部分12a、および、これら2つの部分の間の接合面13aを含んでおり、第2部分結晶10bも、第1GaN単結晶部分11b、第2GaN単結晶部分12b、および、これら2つの部分の間の接合面13bを含んでいる。
第1部分結晶の第1GaN単結晶部分11aと、第2部分結晶の第1GaN単結晶部分11bは、それぞれ、原結晶に含まれていた第1GaN単結晶11の上半分と下半分である。同様に、第1部分結晶の第2GaN単結晶部分12aと、第2部分結晶の第2GaN単結晶部分12bは、それぞれ、原結晶に含まれていた第2GaN単結晶12の上半分と下半分である。
結晶分割ステップにおける原結晶の分割の仕方は、二等分に限定されるものではない。
結晶分割ステップにおいて、原結晶10を、図4に示すように、N個(Nは3以上の整数)の部分結晶10‐1〜10‐Nに分割してもよい。図4の例では、部分結晶10‐1〜10‐Nの全てが、第1部分結晶および第2部分結晶に要求される前述の条件を充たしている。
(iii)結晶継ぎ合せステップ
結晶継ぎ合せステップでは、(ii)結晶分割ステップで得た第1部分結晶および第2部分結晶を継ぎ合せて、新たな継ぎ合せGaN結晶(「二次結晶」と称する)を得る。
ここでの条件は、第1GaN単結晶部分同士および第2GaN単結晶部分同士を接合することによって、第1部分結晶と第2部分結晶を継ぎ合せることである。
図3に示す第1部分結晶10aと第2部分結晶10bを継ぎ合せる場合には、図5(a)に示すように、第1部分結晶に含まれる第1GaN単結晶部分11aと、第2部分結晶に含まれる第1GaN単結晶部分11bとを接合し、かつ、第1部分結晶に含まれる第2GaN単結晶部分12aと、第2部分結晶に含まれる第2GaN単結晶部分12bとを接合する。
図5(b)に、第1部分結晶10aと第2部分結晶10bを継ぎ合せて得られる二次結晶20の構造を示す。図示されるように、二次結晶20を構成する4つのGaN単結晶部分11a、11b、12a、12bは、2つの方向に並んでいる。
2つの方向の一方は、第1GaN単結晶部分11aと第2GaN単結晶部分12aとの接合面に直交する方向Aである(第1GaN単結晶部分11bと第2GaN単結晶部分12bとの接合面に直交する方向でもある)。2つの方向の他の一方は、第1部分結晶10aの第1GaN単結晶部分11aと第2部分結晶10bの第1GaN単結晶部分11bとの接合面に直交する方向Bである(第1部分結晶10aの第2GaN単結晶部分12aと第2部分結晶10bの第2GaN単結晶部分12bとの接合面に直交する方向でもある)。
結晶継ぎ合せステップでは、(i)結晶準備ステップと同じ結晶接合技法を用いることができる。すなわち、前述の特許文献1に開示された方法のように、第1部分結晶と第2部分結晶の表面を、真空チャンバ内でアルゴンイオンエッチングして清浄化し、更に熱処理を行った後、圧着して接合させる。あるいは、国際公開WO2014/084217号公報に開示された方法を用いて、常温で接合させる。
接合に先立って、互いに接合させるべき第1部分結晶と第2部分結晶の表面は、グラインディングおよび/またはラッピングにより平坦化したうえ、更に、CMP処理をして、ダメージ層の除去と、原子レベルの平滑化を行う。
以上に説明した第1実施形態に係る継ぎ合せGaN結晶の製造方法の利点を説明すると、次の通りである。
前述の通り、(i)結晶準備ステップで準備する原結晶10において、接合面13における第1GaN単結晶11と第2GaN単結晶12の間の方位ズレは可能な限り小さいことが望ましい。しかし、この方位ズレを完全に解消することは簡単ではない。通常、第1GaN単結晶11と第2GaN単結晶12との間には、たとえ僅かであっても、必ず結晶ズレが存在する。
一方、(iii)結晶継ぎ合せステップでも、接合面における第1部分結晶10aと第2部分結晶10bの間の方位ズレは、可能な限り小さくすることが望まれる。
ここで、第1部分結晶10aと第2部分結晶10bは、どちらも原結晶10から切り出されたものであるから、第1部分結晶10aにおける2つの単結晶部分11aと12aの間の方位ズレと、第2部分結晶10bにおける2つの単結晶部分11bと12bの間の方位ズレとでは、ズレの方向と量が実質的に等しい。
従って、(iii)結晶継ぎ合せステップにおいて、第1部分結晶10aの第1GaN単結晶部分11aと、第2部分結晶10bの第1GaN単結晶部分11bの間の方位ズレを小さくすれば、第1部分結晶10aの第2GaN単結晶部分12aと、第2部分結晶10bの第2GaN単結晶部分12bの間の方位ズレも、自動的に小さくなる。
(2)第1実施形態の変形例
第1実施形態の一変形例においては、(ii)結晶分割ステップにおいて、図4に示すように、原結晶10をN個(Nは3以上の整数)の部分結晶10‐1〜10‐Nに分割する。そして、(iii)結晶継ぎ合せステップにおいては、m個(mは3以上N以下の整数)の部分結晶を、図6(a)に示すように継ぎ合せる。すなわち、隣接する部分結晶間で、互いの第1GaN結晶部分同士、第2GaN結晶部分同士が接合されるようにする。
図6(b)は、こうして得られる二次結晶(継ぎ合せGaN結晶)の平面図である。
(3)第2実施形態
第2実施形態に係る継ぎ合せGaN結晶の製造方法は、第1実施形態に係る継ぎ合せGaN結晶の製造方法における3つのステップ(i)〜(iii)を備えるとともに、加えて、次の(iv)および(v)のステップを有する。
(iv)(iii)結晶継ぎ合せステップで得た二次結晶を分割する、第二の結晶分割ステップ。
(v)二次結晶を分割して得た部分結晶同士を継ぎ合せる、第二の結晶継ぎ合せステップ。
第2実施形態における(iv)第二の結晶分割ステップでは、例えば、図5(b)に示す二次結晶20を、図7に示すように、紙面内における上下方向に二等分する。
図7を参照すると、二次結晶20は、第3部分結晶20cと第4部分結晶20dに分割されている。
第3部分結晶20cは、第1GaN単結晶部分11acおよび11bc、第2GaN単結晶部分12acおよび12bcを含んでいる。
第4部分結晶20dは、第1GaN単結晶部分11adおよび11bd、第2GaN単結晶部分12adおよび12bdを含んでいる。
図7に示す第3部分結晶20cと第4部分結晶20dが、(v)第二の結晶継ぎ合せステップでは、図8(a)に示すように継ぎ合される。すなわち、第1GaN単結晶部分同士および第2GaN単結晶部分同士の接合によって、第3部分結晶と第4部分結晶とが継ぎ合される。
かかる継ぎ合せの結果、図8(b)に示す、新たな継ぎ合せGaN結晶である三次結晶30が形成される。
この第2実施形態においても、(v)第二の結晶継ぎ合せステップにおいて、第3部分結晶20cの第1GaN単結晶部分11bcと、第4部分結晶20dの第1GaN単結晶部分11adの間の方位ズレを小さくすれば、第3部分結晶20cの第2GaN単結晶部分12bcと、第4部分結晶20dの第2GaN単結晶部分12adの間の方位ズレが、自動的に小さくなる。
これは、第3部分結晶20cにおける第1GaN単結晶部分11bcと第2GaN単結晶部分12bcの間の方位ズレと、第4部分結晶20dにおける第1GaN単結晶部分11adと第2GaN単結晶部分12adの間の方位ズレとは、ズレの方向と量が実質的に同じであることによる。
2.GaN結晶の製造方法
実施形態に係るGaN結晶の製造方法では、前記1.で説明した方法を用いて製造される継ぎ合せGaN結晶(二次結晶および三次結晶)の、少なくとも一部をシードに用いる。
例えば、図5(b)に示す二次結晶20の表面を、グラインディング、ラッピング、ポリシング、CMP等の平坦化技法を用いて、GaNのエピタキシャル成長に適した平坦面に加工し、シード基板とすることができる。そのようにして得られるシード基板20S上に、図9に示すように、バルクGaN結晶100を成長させることができる。バルクGaN結晶100の成長方法は、好ましくはHVPE法である。
継ぎ合せ結晶が厚い場合には、これをスライスして厚さ300μm〜2mmの板を切り出し、その板の表面をGaNのエピタキシャル成長に適した平坦面に加工することにより、シード基板を得ることができる。
一例においては、前記1.で説明した方法を用いて製造される継ぎ合せGaN結晶同士を更に継ぎ合せて、より大きなサイズの継ぎ合せGaN結晶を取得し、それをシード基板に加工してもよい。
シード基板を1枚ずつ使用することは必須ではない。複数のシード基板を、各々の主表面が同一平面上となるように密に並べて、集合シードを構成してもよい。かかる集合シード上にHVPE法でGaNを成長させると、各シード基板の表面から成長する結晶が合体して、集合シード全体を覆うひとつながりのバルクGaN結晶が得られる。
シード基板の主表面は、継ぎ合せGaN結晶の表面を研磨して平坦化する際、あるいは、継ぎ合せGaN結晶をスライスする際に、所望する結晶面と平行となるようにすることができる。
シード基板上に成長させたバルクGaN結晶は、加工してGaN基板にすることができる。また、そのGaN基板をシードに用いて、更なるバルクGaN結晶を成長させ、そのバルクGaN結晶を加工してGaN基板を得ることもできる。
GaN基板の面方位に限定はなく、(0001)基板、(000−1)基板、(10−10)基板、(11−20)基板、(30−31)基板、(30−3−1)基板、(20−21)基板、(20−2−1)基板、(30−32)基板、(30−3−2)基板、(10−11)基板、(10−1−1)基板、(11−21)基板、(11−2−1)基板等、様々なGaN基板を作製することができる。
GaN基板の直径は、限定するものではないが、2インチ(約5cm)、4インチ(約10cm)、6インチ(約15cm)等とすることができる。
3.その他の実施形態
上記1.に説明した、継ぎ合せGaN結晶の製造方法は、GaN以外の様々な窒化物半導体からなる継ぎ合せ結晶、更には、窒化物半導体以外の様々な無機材料からなる継ぎ合せ結晶の製造に応用することができる。窒化物半導体以外の無機材料には、限定するものではないが、II−VI族半導体、IV族半導体、酸化物等が含まれる。
以上、本発明を実施形態に即して具体的に説明したが、各実施形態は例として提示されたものであり、発明の範囲を限定するものではない。本明細書に記載された各実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、様々に変形することができ、かつ、実施可能な範囲内で、他の実施形態により説明された特徴と組み合わせることができる。
10 原結晶
11 第1GaN単結晶
12 第2GaN単結晶
13 接合面
20 二次結晶
20S シード基板
30 三次結晶

Claims (7)

  1. (i)原結晶を準備するステップであって、該原結晶が、第1GaN単結晶と、第2GaN単結晶と、該第1GaN単結晶と該第2GaN単結晶の間の接合面とを含むGaN結晶である、結晶準備ステップと;(ii)原結晶を、第1部分結晶および第2部分結晶を含む複数の部分結晶に分割するステップであって、該第1部分結晶および該第2部分結晶が、それぞれ、前記第1GaN単結晶の一部と、前記第2GaN単結晶の一部と、前記接合面の一部とを含む、結晶分割ステップと;(iii)前記第1部分結晶と前記第2部分結晶とを継ぎ合せて二次結晶を得るステップであって、前記第1部分結晶に含まれる前記第1GaN単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第1GaN単結晶の一部とが接合され、かつ、前記第1部分結晶に含まれる前記第2GaN単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第2GaN単結晶の一部とが接合される、結晶継ぎ合せステップと;を含む継ぎ合せGaN結晶の製造方法。
  2. 請求項1に記載の製造方法を用いて継ぎ合せGaN結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いてGaN結晶を成長させるステップと、を有するGaN結晶の製造方法。
  3. 請求項1に記載の製造方法を用いて継ぎ合せGaN結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いてGaN結晶を成長させるステップと、該成長させるステップで得たGaN結晶の少なくとも一部をシードに用いて更なるGaN結晶を成長させるステップと、を有するGaN結晶の製造方法。
  4. (i)原結晶を準備するステップであって、該原結晶が、第1単結晶と、第2単結晶と、該第1単結晶と該第2単結晶の間の接合面とを含む結晶である、結晶準備ステップと;(ii)原結晶を、第1部分結晶および第2部分結晶を含む複数の部分結晶に分割するステップであって、該第1部分結晶および該第2部分結晶が、それぞれ、前記第1単結晶の一部と、前記第2単結晶の一部と、前記接合面の一部とを含む、結晶分割ステップと;(iii)前記第1部分結晶と前記第2部分結晶とを継ぎ合せて二次結晶を得るステップであって、前記第1部分結晶に含まれる前記第1単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第1単結晶の一部とが接合され、かつ、前記第1部分結晶に含まれる前記第2単結晶の一部と、前記第2部分結晶に含まれる前記第2単結晶の一部とが接合される、結晶継ぎ合せステップと;を含む継ぎ合せ結晶の製造方法。
  5. 前記原結晶が窒化物半導体結晶である、請求項4に記載の製造方法。
  6. 請求項5に記載の製造方法を用いて継ぎ合せ結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せ結晶の少なくとも一部をシードに用いて窒化物半導体結晶を成長させるステップと、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
  7. 請求項5に記載の製造方法を用いて継ぎ合せ結晶を製造するステップと、該製造するステップで得た継ぎ合せ結晶の少なくとも一部をシードに用いて窒化物半導体結晶を成長させるステップと、該成長させるステップで得た窒化物半導体結晶の少なくとも一部をシードに用いて更なる窒化物半導体結晶を成長させるステップと、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
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