CN102326232B - 半导体元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片(1)的基板(10)的内部会聚脉冲激光，将在所述基板(10)的内部间隔开的多个加工部(12)沿着分割预定线形成，并且使龟裂(13)发生，该龟裂(13)从加工部(12)至少蔓延至基板(10)的表面且将邻接的加工部(12)连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片(1)。

Description

半导体元件的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体元件的制造方法，特别是涉及具有分割包含基板在内的晶片的工序的半导体元件的制造方法。
背景技术
在半导体元件的制造中，包括将晶片分割成元件基片的工序，在该元件基片的分割中，所采用的是以切割机和划片机等形成分离槽而进行压切的方法。近年来，提出有取代切割机和划片机而通过照射激光来形成分离槽等进而进行切断的方法，但是，在通过激光的照射而使晶片加热熔融的方法中，熔融再凝固的地方会变色，发光元件的亮度降低，因此提出有使用短脉冲宽度的脉冲激光进行加工的方法。通过使用短脉冲宽度的脉冲激光，进行的是不会发生熔融、避免了多光子吸收造成的变色的加工，因此可以抑制发光元件的亮度降低。
作为使用了短脉冲宽度的脉冲激光的元件基片分割的方法，提出有一种切断的方法，其如图12所示，是在设有半导体层42的基板40内部的分割预定线所对应的区域中，形成由激光照射造成的变质区域41(参照特开2008-6492号公报)。
另外还提出有一种方法，如图13所示，是在设有半导体层52的基板50内部形成多级由激光照射造成的改质部51，再通过激光照射在基板50的表面形成连续的槽部53，由此从沿着多级的改质部51和槽部53的分离面分离各半导体发光元件(参照特开2008-98465号公报和特开2007-324326号公报)。
但是，只在基板的内部形成由脉冲激光造成的变质区域而进行晶片分割的方法中，通过施加外力，从内部的变质区域朝向基板的表面和背面使裂纹发生，由此进行割断，因此控制裂纹的走向会困难，会在不同于预期的分割区域的位置发生破裂。
另外，通过在基板表面照射激光而形成槽部的方法，是将历来由切割机和划片机形成的分离槽的形成手段变更成激光的方法，与利用切割机和划片机开分离槽的切断同样的是难以控制裂纹的走向。此外，若为了形成槽部而在基板表面会聚激光，则由于基板表面的凹凸和激光装置的聚光精度的问题，导致激光的焦点在基板的外侧合焦。如果在基板外的空气中合焦，则在这部分会发生等离子体，激光的能量的一部分被浪费。
发明内容
本发明者为了解决上述课题而进行了锐意研究，其结果发现，通过激光照射发生加工部和龟裂，该龟裂从加工部向基板表面蔓延且连接邻接的加工部间，由此能够解决上述课题。
本发明的半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。
本发明的半导体元件的制造方法中，能够组合以下的构成。
龟裂将在所述基板的内部邻接的所述加工部连接。
加工部具有头部和足部，所述龟裂将邻接的所述加工部的头部和足部连接。
脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离，是所述脉冲激光的加工点直径的二分之一以上、25μm以下。
脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离为5μm以上、25μm以下。
加工部间的距离是所述脉冲激光的加工点直径以上。
加工部和所述龟裂在所述基板的厚度10％以上、80％以下的范围内形成。
分割预定线是第一分割预定线，所述龟裂是第一龟裂，
在激光照射工序中，还沿着与所述第一分割预定线大体垂直的第二分割预定线，在所述基板的内部会聚脉冲激光，且将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使第二龟裂发生，该第二龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接，
在晶片分割工序中，还沿着所述第二分割预定线分割所述晶片。
第一龟裂在邻接的所述加工部间迂回蔓延，所述第二龟裂沿着所述第二分割预定线蔓延。
沿着所述第一分割预定线形成的所述加工部的间隔，比沿着所述第二分割预定线形成的所述加工部的间隔小。
所述基板具有第一主面和第二主面，在所述第一主面设有半导体层，在所述激光照射工序中，从所述第二主面侧照射所述脉冲激光。
所述脉冲激光的会聚位置和所述半导体层的距离比30μm大。
加工部是基于多光子吸收的加工部。
基板是蓝宝石基板。
第二主面是与A面不同的面，所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。
通过激光照射，使加工部和龟裂发生，该龟裂从加工部向基板表面蔓延且使邻接的加工部间连接，由此可以沿着加工部和龟裂高精度地进行分割。沿着分割预定线照射激光，首先沿着分割预定线的龟裂能够从加工部到达基板表面，且使从龟裂和加工部延伸的裂纹沿着分割预定线朝向基板的背面。由此，能够高精度地分割晶片。
附图说明
图1是说明实施方式的主要工序的平面模式图。
图2是说明实施方式的主要工序的平面模式图。
图3是图2的A-A线的剖面模式图。
图4是图2的B-B线的剖面模式图。
图5是说明实施方式的工序的一例的剖面模式图。
图6是说明实施方式的主要工序的剖面模式图。
图7是说明实施方式的发光元件的侧面的一部分的模式图。
图8是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。
图9是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。
图10是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。
图11是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。
图12是说明现有的制造方法的模式化的立体图。
图13是说明现有的制造方法的模式化的立体图。
具体实施方式
本实施方式的半导体元件的制造方法，具有沿着分割预定线照射激光的激光照射工序、和沿着分割预定线分割晶片的晶片分割工序。在激光照射工序中，照射脉冲激光而在基板内部形成多个加工部、并且产生龟裂，该龟裂从加工部至少蔓延至基板的表面、且使邻接的所述加工部连接。
以下，参照附图详细地说明本发明的方法的实施方式。还有，附图是模式化地表示，存在一部分被夸张，与实际有所差异的情况。另外，本发明并不受以下的实施方式和实施例限定，可以在不脱离本发明的技术思想的范围内进行各种变形。
(激光照射工序)
图1和图2是说明作为本实施方式的半导体元件的制造方法主要的工序的一部分的平面模式图。
对于具有基板10、且在分割后成为半导体元件的晶片1，首先，沿着图1所示的分割预定线11进行激光照射。在基板10的内部使脉冲激光会聚，如图2所示，能够形成多个互相间隔开的加工部12。另外，同时能够使龟裂13发生，该龟裂13从加工部12至少蔓延至基板10的表面、且使邻接的加工部12连接。还有，虽然未图示，但还存在的情况是，在基板表面，除了连接加工部间的龟裂以外，也会有向其他方向延伸的龟裂发生。通过至少使连接邻接的加工部的龟裂发生，能够高精度的分割晶片。在此，优选使从全部的加工部12向基板10的表面蔓延的龟裂发生，但是至少在多个加工部使蔓延至基板的表面的龟裂发生即可。另外，虽然优选连接全部邻接的加工部而使龟裂发生，但是至少在多个位置有连接邻接的加工部的龟裂发生即可。此外，优选针对于1个加工部，使蔓延至基板的表面的龟裂和到达邻接的加工部的龟裂发生，但蔓延至基板的表面的龟裂和连接邻接的加工部的龟裂也可以在不同的加工部形成。
图2中为了说明而示出加工部12的位置，实际的加工部12如图3所示，形成于基板10的内部。图3是从图2的A-A线观看的剖面模式图。在基板10的第一主面10a设有半导体层14。通过激光照射，在基板10的内部形成有加工部12，并且从加工部12到达基板第二主面10b的龟裂13发生。由这样的龟裂13连接邻接的加工部12，从而如图2所示，沿着分割预定线的线状的龟裂13在基板10的表面产生。龟裂从加工部发生。即，认为使脉冲激光会聚，在聚光位置附近形成加工部，并且在其周围有压缩应力产生，认为在该压缩应力作用下龟裂发生。
如此，在形成加工部时，如后述，通过严密控制用于形成加工部的手段(例如使用脉冲激光)、其能量、频率、脉冲宽度、加工部的点直径或形状、基板内部的加工部的位置(例如距基板或半导体层的加工部的深度、加工部间的间隔等)的1个以上，最优选全部进行严密控制，能够恰当地形成加工部和龟裂。
作为脉冲激光，能够从可以对基板的内部进行加工的脉冲激光中选择，具体来说，使每个脉冲的能量为0.8～5μJ为宜，优选为0.8～2.5μJ。频率为50～200kHz为宜，优选为50～100kHz。就脉冲宽度而言，为了形成不会产生因变色导致光吸收的加工部，以选择多光子吸收的加工可以进行的范围为宜。例如可列举300～50,000fs。通过成为该范围的脉冲宽度，能够防止因加工部在熔融后再凝固而造成的变色。这在分割后得到的半导体元素为发光元件时特别有效。
激光的会聚位置，以在加工部没有到达基板表面的区域选择为宜，优选至基板表面的深度至少是加工点直径的二分之一以上。若考虑激光装置的误差和基板的表面的凹凸，则更优选5μm以上的深度。在与基板表面的反对侧的面(以下记述为“背面”)具有半导体层的晶片的情况下，典型的是，若使聚光位置距半导体层为30μm以下的距离，则半导体层有可能损伤，因此优选使距半导体层的距离比30μm大。这时距基板表面的距离适合在50μm以下，优选为25μm以下，更优选为10μm以下。
沿着分割预定线照射的激光在基板表面的加工部间的距离，典型的是大体一定，至少选择在基板表面有连接加工部间的龟裂发生的范围。具体来说，优选使加工部间的距离是加工点直径的1～4倍。在此，虽然优选在全部的加工部12间使龟裂发生，但至少在多个加工部间使龟裂产生即可。若加工部间的距离过度减小，则在先前的激光照射使压缩应力产生的区域，也会产生由二次激光照射造成的压缩应力，在该区域应力互相抵消而消失，认为加工部间不会由龟裂连接。因此，为了在基板内部也由龟裂连接加工部，适当的是使加工部间的距离为与基板主面平行的面上的加工点直径以上，优选为加工点直径的1～4倍，更优选为1.5～3倍。考虑到由于压缩应力达到基板内部的深处，则使相对于基板表面大体垂直地沿着分割预定线进行分割会变得容易，因此如上述，优选在基板内部使加工部间也产生压缩应力。另外，如此使压缩应力到达基板的深处，能够只凭借图3所示的这样的一阶段加工，就能够高精度的分割晶片。
激光的点直径(φμm)能够由以下的算式计算。λ是激光的波长(μm)，D是激光射束直径(φμm)，f是物镜的焦距(μm)。优选加入因实际的加工状况造成的脱离理论点直径所产生的影响，调整加工的位置。具体来说，优选将基板上所形成的加工部的直径作为加工点直径进行调整。
点直径(φμm)＝(4·λ·f)/π·D
优选脉冲激光从要使连接加工部的龟裂蔓延的一方的基板主面侧进行照射。这是由于，在激光照射侧应力有容易集中的倾向，容易使从加工部到达基板表面的龟裂发生。典型的是从靠近激光的会聚位置的一方，即从形成加工部的位置所接近的一方的基板主面侧照射。例如，如图3所示的晶片1，在第二主面10b表面使龟裂蔓延时，优选从第二主面10b侧照射激光，而使加工部12靠近第二主面10b形成。
从图2的B-B线观看的剖面模式图示出在图4中。加工部12遵循激光照射的方向成为纵向长的形状，从基板正上方进行激光照射时，如图4所示，成为在基板的深度方向上长的形状。龟裂例如使之在图4所示的向右倾斜的斜线部的范围发生。在该斜线部发生的龟裂从加工部12到达第二主面10b，至少在基板表面连接加工部12之间。通常，加工部比激光的会聚位置更靠基板表面侧延伸，因此从加工部到基板表面的距离比从激光的会聚位置到基板表面的距离短。
龟裂优选使之在加工部的周围发生，连接在基板内部也邻接的加工部之间。通过如此使龟裂发生直到深处，推测可使激光照射造成的压缩应力至深处发生。由此认为，在沿着激光照射方向的方向上，基板容易被分割。另外，在基板内部，加工部间由龟裂连接时，优选从加工部至基板表面的距离至少在加工部间的距离以下，更优选是加工部间的距离的二分之一以下，由此认为能够使龟裂从加工部蔓延至基板表面。
龟裂的深度可以通过控制由激光照射所施加的压缩应力来进行调整。例如，如图5所示，能够比图4的情况形成得浅。这样的龟裂的深度，能够通过控制照射的激光的波长、频率、脉冲波形、脉冲宽度、聚光精度、加工进给速度、加工部的位置或形状的1个以上来进行调整。另外，作为向基板赋予压缩应力的方法，可列举如下等方法：在激光照射前磨削/研磨基板而赋予残留应力，在激光照射时使基板的激光照射侧的面变成凹陷，如此来加以保持。通过使压缩应力扩展到宽广范围，认为能够使龟裂形成得更深。
(晶片分割工序)
如图6所示，从加工部12和龟裂13使裂纹15向第一主面10a侧蔓延，沿着分割预定线分割晶片。分割例如能够利用沿着晶片的分割预定线压接在切断刀刃上，施加外力而压切等公知的方法进行。
图6是从图3同方向观看的剖面模式图，是说明作为本实施方式的半导体元件的制造方法主要的工序的一部分的图。龟裂13如上述，连接邻接的加工部12，即，龟裂13在基板10的第二主面10b沿着分割预定线连成线状。由此，裂纹15也与龟裂13一样，能够沿着分割预定线蔓延，能够沿着分割预定线高精度地分割晶片1。还有，分割时优选沿着龟裂的至少一部分进行分割，不需要使分割所得到的面成为完全沿着龟裂的面。也有在分割后的基板表面和内部留有龟裂的一部分的情况。
在分割晶片所得到的半导体元素的侧面，通常，能够确认到加工部和龟裂痕迹。具体来说，如上述的图4和图5所示，没有到达基板表面的加工部12典型的是以大致一定的间隔排列，从加工部12到基板表面的区域留有因龟裂发生的凹凸。这样的凹凸例如能够在图4和图5中向右上倾斜的斜线部确认。在分割所得到的侧面，加工部和凹凸例如从基板表面至5～30μm左右的范围可见。
图7是表示由分割得到的面的第二主面10b邻域的模式图。从基板10的第二主面10b分离所设置的加工部12，具有头部12a和足部12b，推测是由于龟裂而发生的微细的凹凸16的面，将邻接的加工部12的头部12a和足部12b连接。加工部12从基板10的第二主面10b间隔开，第二主面10b和加工部12的距离能够为1μm左右以上。具体来说，可列举为1～15μm左右。加工部12的长度具体来说能够为5～30μm左右。头部12a的长度能够为3～10μm左右。凹凸16有越离开第二主面越少、且自足部远处几乎看不到的倾向。凹凸16的高差具体来说为数μm以下，例如为2μm以下。还有，若在分割后观察侧面，则加工部的足部存在难以与龟裂造成的凹凸加以区别的情况，但从头部连接而向第一主面侧并大致呈线状延伸的凹凸区域能够视为足部。另外，由于激光的多光子吸收所形成的加工部的情况下，在加工部的特别是头部能够确认为光滑的面。
如图7所示加工部具有头部和足部时，优选龟裂至少连接邻接的头部，更优选也连接邻接的足部。越是处于与头部相反侧的足部前端侧，有龟裂越难以连接的倾向。在第二主面侧存在头部的加工部，例如能够从第二主面侧照射激光来形成。加工部和凹凸的大小能够根据基板的厚度变化，上述的数值范围在分割厚度为50～150μm左右的基板时特别优选。形成加工部和凹凸的范围在基板厚度的约10％以上为宜，优选为约80％以下，更优选为约40％以下。在这样的范围，能够高效率地分割基板，另外还能够防止半导体层的损伤。
(晶片)
所谓晶片，通常的意思是，使原料物质生长为被称为结晶块的柱状，作为薄的切片而制成的盘状的基体。在本申请中，可以只将这样的盘状的基体作为后述的“基板”，也可以将在该基板上层叠有半导体层、电介质层、绝缘体层、导电层等的一种以上的状态作为晶片。
[基板10]
基板的材料选择可以由脉冲激光进行加工的。具体来说能够使用蓝宝石、Si、SiC、GaAs、GaN、AlN等。典型的是，作为基板选择能够在其上使半导体层生长的材料。蓝宝石基板难以产生沿晶体取向的割断面，若施加外而压切，则有朝向与分割预定线不同的方向被割断的情况，因此通过使用本实施方式的方法，能够提高分割精度。基板的厚度没有特别限定，但例如能够为50～150μm。对于这种厚度的基板根据本实施方式的方法形成加工法，不需要多级的激光加工就能够分割晶片。
由于基板的材料和分割预定线的方向，如图8所示，存在连接加工部12间的龟裂13蛇行的情况。即，龟裂13在邻接的加工部12间迂回蔓延。龟裂对连结邻接的加工部的直线的角度，有依存于基板材料的结晶系的倾向，具体来说，能够从10～70度的范围选择。作为这样的龟裂容易发生的基板材料和分割预定线时，若要缩小加工部间的距离，则认为龟裂应接近连结加工部间的最短距离的直线，但从能量效率的观点出发，则如图8所示，优选迂回的龟裂13。因为这样的龟裂连接加工部间，所以即使说脱离连结加工部的直线，其距离也至多为0.5～10μm左右，由于这样的龟裂的发生，能够以相对于基板主面大致垂直的面分割晶片。例如，六方晶系的蓝宝石基板的情况下，龟裂蔓延的基板表面是与A面不同的面，分割预定线为与基板的a轴交叉的线时，存在产生在加工部间迂回蔓延的龟裂的倾向。特别是使用以C面为主面的蓝宝石基板时容易有这种倾向。在此所述的以C面为主面的蓝宝石基板，也可以是以从C面倾斜数度的面作为主面。
发光元件通常是大致正方形或大致长方形，作为分割预定线，设定为大致垂直交叉的两种直线。蓝宝石基板等六方晶系的基板的情况下，若使分割预定线之一设定为比较容易发生裂纹的方向，则与之大致垂直交叉另一条分割预定线设定为裂纹难以发生的方向。
例如，如图9所示，若在晶片2的基板20内部，形成有沿着第一分割预定线的第一加工部22a和沿着第二分割预定线的第二加工部22b，则连接第二加工部22b的第二龟裂23b沿着第二分割线大致呈直线状蔓延，但连接第一加工部22a的第一龟裂23a在邻接的第一加工部22a间迂回蔓延。作为基板使用以C面作为主面的蓝宝石基板时，若第一分割预定线为与基板的m轴大致平行的线，第二分割预定线为与基板的a轴大致平行的线，则第二龟裂容易呈大体直线状蔓延而优选。
第一龟裂蛇行，第二龟裂大致直线状蔓延时，认为第二分割预定线的方向与第一分割预定线的方向相比，是更容易发生裂纹的方向，因此如图10所示，在基板20的内部，使第二加工部22b间的距离比第一加工部22a间的距离大，从而能够高效率地分割晶片。
本实施方式的方法，也能够只用于第一分割预定线的分割，第二分割预定线能够由例如切割机、划片机进行分割
还有，在本实施方式的方法中，第一龟裂和第二龟裂，即，第一分割预定线和第二分割预定线可以先形成任意一条。
(半导体层14)
作为半导体层，能够选择由各种半导体材料构成的半导体层，例如氮化镓系化合物半导体层。具体来说，可列举由InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)代表的。半导体层通常是在蓝宝石基板上，将第一导电型层、发光层、第二导电型层从基板侧起按顺序层叠，作为第一或第二导电型，含有作为n型杂质的Si、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr、Cd等的IV族元素，或VI族元素等的任意一种以上；或者也可以含有作为p型杂质的Mg、Zn、Be、Mn、Ca、Sr等。
作为这些半导体层的生长方法，没有特别限定，能够适用的有MOVPE(有机金属气相沉积法)、MOCVD(有机金属化学气相沉积法)、HVPE(氢化物气相外延法)、MBE(分子束外延法)等作为半导体的生长方法已知的全部的方法。特别是因为MOCVD能够使结晶性良好地生长，所以优选。
半导体层通过是比基板薄的薄膜，所以如上述的图6所示，将半导体层14形成于基板10的第一主面10a而在第二主面10b侧形成加工部12时，不需要除去加工部12正下方的半导体层14，而是通过从基板10延伸的裂纹15，也能够将半导体层14一起分割。为了抑制半导体层的损伤，优选从第二主面侧照射激光。在设有半导体层的第一主面侧形成加工部时，也同样能够进行分割。
如图11所示，在具有基板30和在基板30的第一主面30a所设置的半导体层34的晶片3中，在第一主面30a侧的基板30内部形成加工部32时，在激光照射前，沿着分割预定线，除去加工部32的形成位置所对应的区域的半导体层34，其后，形成加工部32而使龟裂蔓延至第一主面30a，从而能够防止由激光照射造成的半导体层的损伤。这时，激光的照射优选从第一主面侧进行。
实施例1
准备在厚约85μm的蓝宝石基板的一方的主面形成有GaN系半导体层的晶片。就半导体层而言，在蓝宝石基板的(0001)面从蓝宝石基板侧顺序层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层。
其后，除去发光层和p型半导体层的一部分而使n型半导体层露出，分别在n型半导体层表面形成n电极，在p型半导体层表面形成p电极。
以能够得到1边约250μm的大体为正方形的元件的方式，将晶片的分割预定线在与蓝宝石基板的a轴大致平行的方向和大致垂直的方向这两个方向进行设定，以0.2W的输出功率使用近红外激光，沿着各分割预定线从蓝宝石基板的另一侧的主面侧照射脉冲激光。将激光的聚光位置设定在距基板表面约5μm的深度，从上一个聚光位置到下一个聚光位置的距离设定为大约3.5μm。
在激光照射后，在半导体层侧配置光源，若从蓝宝石基板的另一侧的主面侧用光学显微镜进行观察，则能够确认到大致为圆形的加工部和从加工部延伸的龟裂，能够确认到基板表面的龟裂的至少一部分以连接加工部和加工部的方式蔓延。若在两个方向的分割预定线中比较连接加工部的龟裂，则与a轴大致垂直的分割预定线的龟裂比与a轴大致平行的分割预定线的龟裂的蛇行大。
其次，沿着晶片的分割预定线压接切断刀刃，施加外加而压切，得到1边约250μm的大致正方形的半导体元件。若观察所得到的元件，则元件的侧面相对于蓝宝石基板大致垂直地被分割，能够在基板表面的邻域确认到朝向基板的深度方向呈线状延伸的加工部。加工部未见变色，推测由激光照射的多光子吸收所形成。从加工部至基板表面的距离为1～10μm左右，加工部的最大宽度为0.5～2μm左右，从加工部至基板表面能够确认为不规则的凹凸的面。
凹凸面推测由龟裂形成，加工部间的面也能够确认为同样的凹凸面。加工部和凹凸面从基板表面至15～20μm左右的深度被形成。比之更深的面，即半导体层侧的面，是平坦的面或平坦的面连成阶梯状的面，推测是在激光照射后被分割的面。
实施例2
在本实施例中，沿着与a轴大致平行的方向的分割预定线照射激光时，将激光的聚光位置间的距离设定为约5μm，除以上这一点以外均与实施例1同样地制造半导体元件。
激光照射后，若观察蓝宝石基板表面，能够确认到大致圆形的加工部和从加工部延伸的龟裂，基板表面的龟裂的至少一部分以连接加工部和加工部的方式蔓延。若在晶片分割后，观察所得到的半导体元件，则元件侧面相对于基板表面大致垂直地被分割。
产业上的可利用性
本发明的制造方法，能够适用于分割具有基板的晶片而使之元件化的元件。能够适用于在基板上设有半导体层的半导体元件，能够适用于还包含LED、LD等发光元件、光接收元件的光子元件，含有HEMT、FET等的晶体管的半导体元件。
符号的说明
1、2、3晶片
10、20、30基板
10a、30a第一主面，10b、30b第二主面
11分割预定线
12、32加工部
12a头部，12b足部
13、33龟裂
14、34半导体层
15裂纹
16凹凸
22a第一加工部，22b第二加工部
23a第一龟裂，23b第二龟裂
40、50基板
41变质区域，51改质部，53槽部
42、52半导体层

Claims (13)

1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有：
激光照射工序，在构成晶片的蓝宝石基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且将邻接的所述加工部连接，并且在所述基板的表面该龟裂连接；
晶片分割工序，在所述基板的表面所述龟裂连接后，通过对所述晶片施加外力而进行压切，由此沿着所述分割预定线分割所述晶片，
所述基板具有第一主面和第二主面，在所述第一主面设有半导体层，在所述激光照射工序中，从所述第二主面侧照射所述脉冲激光，
所述脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离为5μm以上、25μm以下，且所述脉冲激光的会聚位置和所述半导体层的距离比30μm大。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述龟裂将在所述基板的内部邻接的所述加工部连接。
3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述加工部具有头部和足部，所述龟裂将邻接的所述加工部的头部和足部连接。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离，是所述脉冲激光的加工点直径的二分之一以上、25μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述加工部间的距离是所述脉冲激光的加工点直径以上。
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述加工部和所述龟裂在所述基板的厚度10％以上、80％以下的范围内形成。
7.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述分割预定线是第一分割预定线，所述龟裂是第一龟裂，
在所述激光照射工序中，还沿着与所述第一分割预定线大体垂直的第二分割预定线，在所述基板的内部会聚脉冲激光，且将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使第二龟裂发生，该第二龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接，
在所述晶片分割工序中，还沿着所述第二分割预定线分割所述晶片。
8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述第一龟裂在邻接的所述加工部间迂回蔓延，所述第二龟裂沿着所述第二分割预定线蔓延。
9.根据权利要求7或8所述的半导体元件的制造方法，其中，
沿着所述第一分割预定线形成的所述加工部的间隔，比沿着所述第二分割预定线形成的所述加工部的间隔小。
10.根据权利要求1或7所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述脉冲激光的脉冲宽度是300～50,000fs，所述加工部是基于多光子吸收的加工部。
11.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述第二主面是与A面不同的面，
所述分割预定线是第一分割预定线，所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。
12.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中，
所述第二主面是与A面不同的面，
所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。
13.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
至少蔓延至所述基板的表面的所述龟裂被形成在所述基板的所述第二主面，
并且，在所述晶片分割工序中，所述晶片分割被裂纹来进行，所述裂纹从至少所述加工部和所述龟裂之一蔓延至所述第一主面。
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Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5620669B2 (ja) * 2009-10-26 2014-11-05 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP5981094B2 (ja) 2010-06-24 2016-08-31 東芝機械株式会社 ダイシング方法
JP5240267B2 (ja) * 2010-09-30 2013-07-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5333399B2 (ja) * 2010-09-30 2013-11-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
TWI469842B (zh) * 2010-09-30 2015-01-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 雷射加工裝置、被加工物之加工方法及被加工物之分割方法
JP5240272B2 (ja) * 2010-10-15 2013-07-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP2013042119A (ja) * 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
JP5140198B1 (ja) 2011-07-27 2013-02-06 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
JP2013027887A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP2013046924A (ja) * 2011-07-27 2013-03-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP5840215B2 (ja) * 2011-09-16 2016-01-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2013118277A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Ｌｅｄパターン付き基板の加工方法
JP5910075B2 (ja) * 2011-12-27 2016-04-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の加工方法
JP5967405B2 (ja) * 2012-01-17 2016-08-10 アイシン精機株式会社 レーザによる割断方法、及びレーザ割断装置
JP6128758B2 (ja) * 2012-06-07 2017-05-17 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子の製造方法
JP5882154B2 (ja) * 2012-07-19 2016-03-09 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法
JP2014041924A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP5360277B2 (ja) * 2012-09-27 2013-12-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物分割用のレーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5360278B2 (ja) * 2012-09-27 2013-12-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP6003496B2 (ja) * 2012-10-02 2016-10-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 パターン付き基板の加工方法
TWI471188B (zh) * 2012-10-19 2015-02-01 Metal Ind Res & Dev Ct 硬脆材料切割方法
JP6064519B2 (ja) * 2012-10-29 2017-01-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US8809166B2 (en) * 2012-12-20 2014-08-19 Nxp B.V. High die strength semiconductor wafer processing method and system
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
WO2015034052A1 (ja) 2013-09-05 2015-03-12 国立大学法人 宮崎大学 ヒトインテグリンａ６ｂ４と特異的に反応する抗体
JP2015074003A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
JP6531885B2 (ja) * 2013-10-07 2019-06-19 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
JP6336817B2 (ja) * 2014-05-12 2018-06-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP6318900B2 (ja) 2014-06-18 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9093518B1 (en) * 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
WO2016010991A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
EP3552753A3 (en) 2014-07-14 2019-12-11 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
CN208586209U (zh) 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
US11690148B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494334B2 (ja) * 2015-03-05 2019-04-03 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP7292006B2 (ja) 2015-03-24 2023-06-16 コーニング インコーポレイテッド ディスプレイガラス組成物のレーザ切断及び加工
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) * 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6265175B2 (ja) 2015-06-30 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
EP3319911B1 (en) 2015-07-10 2023-04-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
DE112016003761T5 (de) * 2015-08-18 2018-05-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
JP6594699B2 (ja) * 2015-08-18 2019-10-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置
JP6510933B2 (ja) * 2015-08-21 2019-05-08 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6245239B2 (ja) 2015-09-11 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP6529414B2 (ja) * 2015-10-15 2019-06-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2017078368A1 (ko) * 2015-11-05 2017-05-11 서울바이오시스주식회사 자외선 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
SG11201809797PA (en) 2016-05-06 2018-12-28 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
CN107398644A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 南京魔迪多维数码科技有限公司 一种切割脆性材料的方法
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
CN109314049A (zh) * 2016-06-13 2019-02-05 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
KR20190035805A (ko) 2016-07-29 2019-04-03 코닝 인코포레이티드 레이저 처리를 위한 장치 및 방법
CN110121398B (zh) 2016-08-30 2022-02-08 康宁股份有限公司 透明材料的激光加工
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6620825B2 (ja) * 2017-02-27 2019-12-18 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP6747353B2 (ja) * 2017-03-29 2020-08-26 豊田合成株式会社 半導体発光素子とその製造方法
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
DE102017212858A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6980444B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-15 浜松ホトニクス株式会社 積層型素子の製造方法
JP6579397B2 (ja) * 2017-08-30 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP6896344B2 (ja) * 2017-09-22 2021-06-30 株式会社ディスコ チップの製造方法
EP3718148B1 (en) * 2017-11-29 2022-11-16 Nichia Corporation Method for producing semiconductor light emitting element
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
JP7171353B2 (ja) * 2018-10-04 2022-11-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置
JP7200670B2 (ja) * 2018-12-27 2023-01-10 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光モジュール及びその製造方法
DE102019201438A1 (de) * 2019-02-05 2020-08-06 Disco Corporation Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats
JP6819897B2 (ja) * 2019-08-28 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
WO2021176526A1 (ja) * 2020-03-02 2021-09-10 株式会社信光社 レーザー割断方法
US11835492B2 (en) 2020-08-14 2023-12-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for preparing sample for wafer level failure analysis
CN114076697A (zh) * 2020-08-14 2022-02-22 长鑫存储技术有限公司 半导体失效分析样品的制备方法
JP2022099659A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 Ｄｇｓｈａｐｅ株式会社 歯冠補綴物の製造方法
KR20230145322A (ko) * 2021-06-02 2023-10-17 취안저우 산안 세미컨덕터 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 발광다이오드 및 그 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1938828A (zh) * 2004-03-30 2007-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
CN1983557A (zh) * 2002-03-12 2007-06-20 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
CN101057317A (zh) * 2004-11-12 2007-10-17 浜松光子学株式会社 激光加工方法和半导体芯片

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) * 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2003039186A (ja) * 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2003001473A (ja) * 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3626442B2 (ja) * 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4851060B2 (ja) * 2002-03-12 2012-01-11 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
DE60335538D1 (de) 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
JP2005268752A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
CN101434010B (zh) * 2004-08-06 2011-04-13 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体装置
JP4684717B2 (ja) * 2005-04-06 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP2007317935A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Canon Inc 半導体基板、基板割断方法、および素子チップ製造方法
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP5221007B2 (ja) 2006-05-31 2013-06-26 アイシン精機株式会社 発光ダイオードチップ及びウェハ分割加工方法
JP5232375B2 (ja) 2006-10-13 2013-07-10 アイシン精機株式会社 半導体発光素子の分離方法
JP4909657B2 (ja) 2006-06-30 2012-04-04 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1983557A (zh) * 2002-03-12 2007-06-20 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
CN1938828A (zh) * 2004-03-30 2007-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
CN101057317A (zh) * 2004-11-12 2007-10-17 浜松光子学株式会社 激光加工方法和半导体芯片

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