CN114076697A - 半导体失效分析样品的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列；以所述分裂点所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品，暴露出所述待分析样品的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。本发明在待分析样品表面形成分裂点，以所述分裂点为分裂起始处，进行分裂操作。采用本发明的制备方法能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。

Description

半导体失效分析样品的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体失效分析样品的制备方法。
背景技术
在半导体失效分析(Wafer Level FA)的物理结构分析中，截面分析(CrossSection)是一种常用和有效的物理分析方法。使用的失效分析工具主要有截面加工工具，如聚焦离子束分析仪(FIB)、研磨抛光装置，截面观察设备，如光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)等。
目前，截面样品制备的方法包括手工裂片及借助截面加工工具制备。其中，为了节约成本，对于一些分析结构尺寸大于或等于10μm的目标样品，甚至一些重复结构的晶圆样品来说，截面样品制备的难度不大，可以使用手工裂片的方法直接进行截面样品制备。但是，由于手工裂片的精度有限，不能准确获取分析所需要的目标样品，因此必须借助于一定的截面加工工具，如聚焦离子束分析仪及研磨抛光装置。而聚焦离子束分析仪及研磨抛光装置的成本高，且若晶圆表面存在光刻胶，则在制备样品时可能导致硬度较差的光刻胶变形，也会影响后续的失效分析。
因此，亟需一种新型的半导体失效分析样品的制备方法，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体失效分析样品的制备方法，其能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。
为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列；以所述分裂点所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品，暴露出所述待分析样品的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。
进一步，所述预设方向为垂直方向或者水平方向。
进一步，在所述预设方向上，所述选定区域自所述待分析样品的一端延伸至另一端。
进一步，在所述待分析样品的选定区域表面设置目标点，以所述目标点为参考，设置所述分裂点，所述目标点位于所述分裂点所在的直线上。
进一步，沿所述预设方向，在所述目标点的前后均设置所述分裂点。
进一步，所述分裂点等间距设置。
进一步，在所述预设方向上，所述分裂点具有一宽度，所述间距的范围是所述宽度的2～4倍。
进一步，在所述预设方向上，所述分裂点的宽度小于所述目标点的宽度。
进一步，所述分裂点的深度为所述待分析样品厚度的0.05～0.5倍。
进一步，采用自动硬度测试仪在所述待分析样品的选定区域表面敲击形成所述分裂点。
进一步，所述自动硬度测试仪在所述待分析样品的选定区域表面的敲击力度相同。
进一步，所述待分析样品为单晶半导体结构。
本发明的优点在于，在待分析样品表面形成分裂点，以所述分裂点为分裂起始处，进行分裂操作，能够制备出结构尺寸准确的目标样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。
附图说明
图1A是对目标样品采用手工裂片前的示意图；
图1B是对目标样品采用手工裂片后的一个实施例的示意图；
图2是本发明半导体失效分析样品的制备方法的一实施例的步骤示意图；
图3是本发明失效分析样品的制备方法中待分析样品的示意图；
图4是本发明失效分析样品的制备方法中待分析样品的另一实施例的示意图；
图5是本发明失效分析样品的制备方法中待分析样品的另一实施例的示意图；
图6是图3中选定区域D的放大示意图；
图7是沿图6所示F-F线的剖视图；
图8是本发明失效分析样品的制备方法中分裂后的待分析样品的俯视图。
具体实施方式
目前，对于一些分析结构尺寸为微米级的目标样品，例如尺寸大于或等于10μm的目标样品，由于手工裂片的精度有限，不能准确获取满足所需大小的目标样品。具体地说，请参阅图1A，其是对目标样品采用手工裂片前的示意图，假设目标点A的尺寸为10μm，而手工裂片的精度为毫米级，其可作用的范围如图中C所绘示，即在进行手工裂片时，分裂位置可位于C所指示的范围内的任意位置。请参阅图1B，其是对目标样品采用手工裂片后的一个实施例的示意图，裂片位置位于C所指示的范围内，但是，并未经过目标点A，也就是说，目标点A的侧面并未被暴露，该样品制备失败。而若是借助于一定的截面加工工具，如聚焦离子束分析仪及研磨抛光装置。而聚焦离子束分析仪及研磨抛光装置的成本高，且若晶圆表面存在光刻胶，则在制备样品时可能导致硬度较差的光刻胶变形，也会影响后续的失效分析。
鉴于上述原因，本发明提供了一种半导体失效分析样品的制备方法，其能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。
下面结合附图对本发明提供的半导体失效分析样品的制备方法的具体实施方式做详细说明。
图2是本发明半导体失效分析样品的制备方法的一实施例的步骤示意图。请参阅图2，所述半导体失效分析样品的制备方法包括如下步骤：
请参阅步骤S10，沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列。
其中，在本实施例中，所述待分析样品为晶圆级样品。如图3所示，其为待分析样品的示意图，所述待分析样品30为晶圆。在本发明其他实施例中，所述待分析样品也可为芯片级样品。
所述预设方向为后续需要分裂的方向，即在后续的分裂步骤中，所述待分析样品沿所述预设方向分裂。例如，在本实施例中，所述预设方向为水平方向X，则在后续的分裂步骤中，所述待分析样品30沿X方向分裂；在本发明其他实施例中，所述预设方向也可为垂直方向。
进一步，所述待分析样品30为单晶半导体结构，例如，单晶硅或单晶锗等构成的半导体结构，则由于单晶半导体结构的特性，待分析样品30在沿水平方向或者竖直方向分裂时，其会形成规则平整的分裂界面，而不会形成不规则不平整的分裂界面。例如，在本实施例中，所述待分析样品30为单晶硅晶圆，则由于单晶硅的特性，在预设方向分裂时，会形成规则平整的分裂界面，从而便于后续的失效分析。
所述选定区域D为目标区域，即需要进行失效分析的区域。
进一步，在该实施例中，在所述预设方向(X方向)上，所述选定区域D自所述待分析样品30的一端延伸至另一端，即所述选定区域D贯穿所述待分析样品30。在本发明其他实施例中，所述选定区域D可仅延伸至所述非分析样品30的一端，或者所述选定区域D两端均未延伸至所述待分析样品30的边缘。例如，如图4所示，其为待分析样品的另一实施例的示意图，在该实施例中，在所述预设方向(X方向)上，所述选定区域D的一端延伸至所述待分析样品30的边缘，另一端并未延伸至所述待分析样品30的边缘。再例如，如图5所示，其为待分析样品的另一实施例的示意图，在该实施例中，在所述预设方向(X方向)上，所述选定区域D的两端均未延伸至所述待分析样品30的边缘。
图6是图3中选定区域D的放大示意图。请参阅图3及图6，在所述选定区域D的表面，形成多个分裂点60，所述分裂点60呈一条直线排列。其中，所述分裂点60沿预设方向排列，例如，在本实施例中，所述分裂点60沿X方向排列。
图7是沿图6所示F-F线的剖视图，请参阅图7，所述分裂点60为朝向所述待分析样品30内部凹陷的缺陷，其破坏了待分析样品30表面的平整，能够在后续裂片时作为分裂起始处，从而避免待分析样品30在其他位置分裂。
进一步，所述制备方法还包括：在所述待分析样品的选定区域D表面设置目标点A，以所述目标点A为参考，设置所述分裂点60。
所述目标点A可为使用者标记的需要进行失效分析的点，进而以所述目标点A为参考，向外扩大若干距离，形成所述选定区域D。其中，所述目标点A位于所述分裂点60所在的直线上。所述目标点A的形状可为圆形、矩形等，所述目标点A具有一宽度，若所述目标点A为圆形，则所述宽度为圆形的直径，若所述目标点为矩形，则所述宽度为所述矩形沿预设方向的边长。在本发明一实施例中，所述目标点A的宽度为大于或等于10μm，本文对此不进行限定。
以所述目标点A为参考，设置所述分裂点60。在一实施例中，所述分裂点60的设置以所述目标点A的位置为参考。例如，在该实施例中，沿所述预设方向(X方向)，在所述目标点A的前后均设置所述分裂点60。而在本发明其他实施例中，也可仅在所述目标点A的一侧设置所述分裂点60。进一步，所述目标点A的中心点位于所述分裂点60的中心点所在的直线F-F上。
进一步，所述分裂点60等间距设置。具体地说，在本实施例中，所述分裂点60分设在目标点A的两侧，则位于同一侧的分裂点60等间距设置，而在本发明其他实施例中，所有的所述分裂点60等间距设置。
在一实施例中，在所述预设方向(X方向)上，所述分裂点60具有一宽度。若所述分裂点60为圆形，则所述宽度为圆形的直径，若所述分裂点60为矩形，则所述宽度为所述矩形沿预设方向的边长。所述分裂点60之间的间距E的范围是所述宽度的2～4倍，使得后续分裂步骤中获得的半导体失效分析样品的分裂界面平整，误差小。若所述分裂点60之间的间距太大，则会导致分裂点60之间的区域分裂界面不平整，若所述分裂点60之间的间距太小，则太浪费制程及时间，不利于节约物质成本及时间成本。进一步，所述分裂点60之间的间距指所述分裂点60的中心点之间的间距。
在另一实施例中，所述分裂点60具有一定的深度，所述深度为所述待分析样品30厚度的0.05～0.5倍。若所述分裂点60的深度过深，分裂点可能会破坏待分析样品的结构，从而导致失效分析样品制样失败，若所述分裂点60的深度过浅，可能会导致所述分裂点60不能够作为有效的初始分裂处，不能够实现本发明的目的。
进一步，所述分裂点60的宽度小于所述目标点A的宽度，以使得分裂线能够穿过所述目标点A，即所述目标点A正好被分裂，制备出符合要求的失效分析样品。
在一实施例中，采用自动硬度测试仪在所述待分析样品30的选定区域D表面敲击形成所述分裂点60。所述自动硬度测试仪(AHT)能够调整敲击力度，进而形成基本相同的分裂点，能够避免由于分裂点不同而引起的分裂后的界面的不平整。例如，在一实施例中，所述自动硬度测试仪的敲击力度相同，进而形成基本相同的分裂点，所述敲击力度可以设置为10g、25g、50g、100g、200g，形成的分裂点直径大小分别为4μm、7μm、10μm、15μm、20μm；而在另一实施例中，根据所述待分析样品表面硬度不同，所述自动硬度测试仪的敲击力度不同，以形成基本相同的分裂点。另外，所述自动硬度测试仪能够设置敲击的间隔距离，从而轻松实现分裂点的等间距设置，进一步保证了分裂后的界面的平整性。
在该实施例中，利用现有的自动硬度测试仪能够在带分析样品表面形成分裂点，工艺简单，且不会增加额外的成本。
请参阅步骤S11，以所述分裂点60所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品30，暴露出所述待分析样品30的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。
图8是分裂后的待分析样品的俯视图，请参阅图8，所述待分析样品30被分裂，其侧面截面暴露，形成半导体失效分析样品。由于所述分裂点60的存在，使得形成的分裂界面平整，且正好经过所述目标点A，能够满足需求。
在该步骤中，可采用手工分裂的方法分裂所述待分析样品30。在选定区域D，由于所述分裂点60的存在，使得分裂界面只能沿着所述分裂点60所在的直线延伸，进而避免了手工分裂所引起的分裂界面不平整的情况。进一步，由于所述待分析样品30为单晶半导体结构，则受到单晶半导体结构的特性的影响，在垂直所述待分析样品30表面的方向上，所述分裂界面也不会发生错乱，从而能够形成平整的分裂界面，制备出满足要求的失效分析样品。
对于图3所示的所述选定区域D自所述待分析样品30的一端延伸至另一端的情况，可自所述待分析样品的边缘手工分裂所述待分析样品30。对于图4及图5所示的所述选定区域D未贯穿所述待分析样品的情况，也可采用手工分裂的方法分裂所述待分析样品30，则在所述选定区域D，由于所述分裂点的存在，其可直接沿所述分裂点所在的直线分裂，而其他区域并非是失效分析的目标区域，其是否形成平整的分裂界面，并不影响失效分析样品的制备。
本发明半导体失效分析样品的制备方法可制备出满足要求的失效分析样品，且对于带分析样品表面具有光刻胶的结构而言，其不会造成硬度小的光刻胶变形。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列；
以所述分裂点所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品，暴露出所述待分析样品的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。
2.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述预设方向为垂直方向或者水平方向。
3.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，在所述预设方向上，所述选定区域自所述待分析样品的一端延伸至另一端。
4.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，在所述待分析样品的选定区域表面设置目标点，以所述目标点为参考，设置所述分裂点，所述目标点位于所述分裂点所在的直线上。
5.根据权利要求4所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，沿所述预设方向，在所述目标点的前后均设置所述分裂点。
6.根据权利要求5所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述分裂点等间距设置。
7.根据权利要求6所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，在所述预设方向上，所述分裂点具有一宽度，所述间距的范围是所述宽度的2～4倍。
8.根据权利要求7所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，在所述预设方向上，所述分裂点的宽度小于所述目标点的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述分裂点的深度为所述待分析样品厚度的0.05～0.5倍。
10.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，采用自动硬度测试仪在所述待分析样品的选定区域表面敲击形成所述分裂点。
11.根据权利要求10所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述自动硬度测试仪在所述待分析样品的选定区域表面的敲击力度相同。
12.根据权利要求1所述的半导体失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述待分析样品为单晶半导体结构。
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