JP5232375B2 - 半導体発光素子の分離方法 - Google Patents
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Description
また、携帯電話の液晶画面のバックライト用途のように、矩形の発光面の短辺を250μm以下と、サファイア基板厚の2倍以下にする用途が増えている。このような発光素子においては、分割間隔が非常に狭いので、設計した分離予定面通りに分離面が基板面に垂直に形成される必要が有り、斜めにずれた割断は許容できるものではない。
偏光の方向を、分離面に垂直方向に直線偏光成分を有する様にして上記と同様に分離を行った。その断面図のSEM画像を図5.Bに示す。図5.Aは、図4の拡大写真である。分離面に垂直な方向の直線偏光成分を有する場合は、改質部の頭部が分離線方向に対して薄く、また、クラックが各改質部の分離線方向の両側には発生しなかった。このことから、分離面に平行な直線偏光成分を有する場合のほうが、より小さい外力で分離が容易であることが理解できる。
対物レンズの開口数を0.2、0.4として、レーザによりサファイア基板を切断した場合の断面図を図6.A及び図6.Bに示す。但し、改質部を1段のみ形成した実験である。対物レンズの開口数を0.2とした場合、改質部が基板の1/2以上の厚さに形成された(図6.A)。対物レンズの開口数を0.4とした場合、改質部が基板の1/3程度の厚さに形成された(図6.B)。対物レンズの開口数を0.2、0.4とした場合は、精度が悪いために断面の平滑度が悪く、切断の際の切り代が大きくなるので、小さなチップには適用できない。また、不本意なクラックも発生していた。図4の「縮小図」である図6.Cと比較すると、集光を十分に行うためには対物レンズの開口数が0.5以上であることが必要と言える。
30:III族窒化物系化合物半導体発光素子部
40:対物レンズ
41:フェムト秒パルスレーザ光
50:分離線方向に連続した溝部
51:分離線方向に連続した改質部
52、53、54:分離線方向に連続しない改質部
Claims (6)
- サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
パルス幅が10ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、
前記サファイア基板の表面の分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成し、
前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、前記パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し、
全ての前記内部改質部が形成された後に、外力を加えて、前記連続した溝部と前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離する
ことを特徴とする半導体発光素子の分離方法。 - 前記連続しない内部改質部は、前記パルスレーザを走査する処理を、前記パルスレーザを集光させる位置を変化させて、2回以上、繰り返すことにより、前記基板の深さ方向に2段以上形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の分離方法。
- 前記各半導体素子を分離する前に、さらに、前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記分離予定面上において、前記連続した溝部に接続して、前記分離予定線方向に連続した、前記頭部と前記足部とから成る他の内部改質部が形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子の分離方法。
- 前記レーザ照射は、電界成分が前記分離予定面に平行な直線偏光レーザ、又は電界成分の軌跡が前記分離予定面に平行な長軸の楕円を形成する楕円偏光レーザにより行われることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光素子の分離方法。
- 前記レーザ照射は、開口数が0.5以上の対物レンズを用いて行われることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体発光素子の分離方法。
- 前記改質部の前記頭部の前記基板面に平行な方向の直径は1.5μm以上であり、前記改質部の前記足部の前記基板面に平行な方向の直径は0.8μm以上である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体発光素子の分離方法。
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