JPWO2005098916A1 - レーザ加工方法及び半導体チップ - Google Patents
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Abstract
Description
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
HC改質領域73を形成する際のレーザ光Lのエネルギーは、下記の表2のデータから明らかなように、1μJ〜20μJであることが好ましい。より詳細には、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上の場合には1μJ〜10μJであることが好ましく、同透過率が15%以下の場合には2μJ〜20μJであることが好ましい。なお、透過率は、基板4の厚さが厚く、不純物の濃度が高い場合に著しく低下する。
分断改質領域72を形成する際のレーザ光Lのエネルギーは、下記の表3のデータから明らかなように、HC改質領域73を形成する際のレーザ光Lのエネルギーを1とした場合、1.6〜3.0であることが好ましい。より詳細には、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上の場合には1.6〜3.0であることが好ましく、同透過率が15%以下の場合には2.3〜3.0であることが好ましい。
品質改質領域71を形成する際のレーザ光Lのエネルギーは、下記の表5のデータから明らかなように、HC改質領域73を形成する際のレーザ光Lのエネルギーを1とした場合において、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上のときには1.4〜1.9であることが好ましく、同透過率が15%以下のときには2.3〜3.0であることが好ましい。
隣り合う分断改質領域72のそれぞれを形成する際にレーザ光Lの集光点Pを合わせる位置間の距離は24μm〜70μmであることが好ましい。より詳細には、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上の場合には30μm〜70μmであることが好ましく、同透過率が15%以下の場合には24μm〜50μmであることが好ましい。このような条件で分断改質領域72を形成すると、隣り合う分断改質領域72,72同士が基板4の厚さ方向において一続きとなる傾向があり、その結果、基板4が厚い場合であっても、基板4及び積層部16を容易に切断することが可能になるからである。
HC改質領域73を形成する際にレーザ光Lの集光点Pを合わせる位置の裏面21からの距離は20μm〜110μmであることが好ましい。このような条件でHC改質領域73を形成すると、HC改質領域73を起点とした割れ24が基板4の裏面21に確実に達する傾向があるからである。なお、裏面21からの距離が20μm未満になると、図22に示すように、基板4の裏面21に溶融等の損傷30が生じ易くなる。図22は、HC改質領域73を形成する際にレーザ光Lの集光点Pを合わせる位置の裏面21からの距離を15μm、レーザ光Lのエネルギーを10μJとした場合における基板4の裏面21の写真を表した図である。一方、裏面21からの距離が110μmを超えると、HC改質領域73を起点とした割れ24が基板4の裏面21に達し難くなる。なお、このとき、基板4の裏面21とHC改質領域73の裏面側端部との距離は10μm〜100μmとなる。
対向する分断改質領域72の裏面側端部とHC改質領域73の表面側端部との距離は15μm〜60μmであることが好ましく、15μm〜35μmであることがより好ましい。このような条件で分断改質領域72及びHC改質領域73を形成すると、基板4及び積層部26の切断時において、各改質領域72,73を起点とした割れが切断予定ライン5に沿って精度良く発生する傾向があり、半導体チップ25の基板4の切断面4aが高精度な切断面になるからである。なお、当該距離が15μm未満になると、基板4及び積層部16の切断時において各改質領域72,73を起点とした割れが切断予定ライン5から外れ易くなり、半導体チップ25の基板4の切断面4aが高精度な切断面になり難くなる。一方、当該距離が60μmを超えると、基板4及び積層部16の切断時において分断改質領域72とHC改質領域73との相互作用が小さくなり、半導体チップ25の基板4の切断面4aが高精度な切断面になり難くなる。
対向する品質改質領域71の裏面側端部と分断改質領域72の表面側端部との距離は0μm〜[(基板4の厚さ)−(基板4の厚さ)×0.6]μmであることが好ましい。このような条件で品質改質領域71及び分断改質領域72を形成すると、基板4及び積層部16の切断時において、各改質領域71,72を起点とした割れが切断予定ライン5に沿って精度良く発生する傾向があり、半導体チップ25の基板4の切断面4a及び積層部16の切断面16aが高精度な切断面になるからである。なお、当該距離が[(基板4の厚さ)−(基板4の厚さ)×0.6]μmを超えると、基板4及び積層部16の切断時において品質改質領域71と分断改質領域72と間で半導体チップ25の基板4の切断面4aが高精度な切断面になり難くなる。また、当該距離を0μmとするのは、レーザ光Lの照射のみにより基板4を完全に切断するような場合である。
基板4の表面3と品質改質領域71の表面側端部との距離が5μm〜15μmとなる位置に、或いは基板4の表面3と品質改質領域71の裏面側端部との距離が[(基板4の厚さ)×0.1]μm〜[20+(基板4の厚さ)×0.1]μmとなる位置に品質改質領域71を形成することが好ましい。このような条件で品質改質領域71を形成すると、図23に示すように、スカート幅Sを3μm以下に抑えることができ、基板4の表面3に形成された積層部16も切断予定ライン5に沿って精度良く切断することが可能だからである。
基板4の厚さ方向におけるHC改質領域73の幅(HC改質領域73を複数列形成する場合には幅の合計)は110μm以下であることが好ましい。このような条件でHC改質領域73を形成すると、HC改質領域73から基板4の裏面21に達する亀裂24が切断予定ライン5に沿って精度良く形成される傾向があるからである。なお、HC改質領域73の幅が110μmを超えると、HC改質領域73から基板4の裏面21達する亀裂24が切断予定ライン5から外れ易くなる。
HC改質領域73を複数列形成する場合、分断改質領域72を形成する際のレーザ光Lのエネルギーは、下記の表8のデータから明らかなように、基板4の裏面21に最も近いHC改質領域73を形成する際のレーザ光Lのエネルギーを1とすると、分断改質領域72を形成する際のレーザ光のエネルギーは1.3〜3.3であることが好ましい。より詳細には、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上の場合には1.3〜3.0であることが好ましく、同透過率が15%以下の場合には1.5〜3.3であることが好ましい。
品質改質領域71を形成する際のレーザ光Lのエネルギーは、下記の表9のデータから明らかなように、裏面21側のHC改質領域73を形成する際のレーザ光Lのエネルギーを1とした場合において、基板4におけるレーザ光Lの透過率が30%以上のときには0.6〜1.9であることが好ましく、同透過率が15%以下のときには0.6〜3.0であることが好ましい。
HC改質領域73を複数列形成する場合、基板4の裏面21に最も近いHC改質領域73を形成する際にレーザ光Lの集光点Pを合わせる位置の裏面21からの距離は20μm〜110μmであり、基板4の裏面21に二番目に近いHC改質領域73を形成する際にレーザ光Lの集光点Pを合わせる位置の裏面21からの距離は140μm以下であることが好ましい。
Claims (19)
- 複数の機能素子を含む積層部が表面に形成された基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、前記基板の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記切断予定ラインに沿った第1の改質領域を複数列形成する工程と、
前記基板の裏面に最も近い前記第1の改質領域と前記裏面との間の位置に、前記切断予定ラインに沿った第2の改質領域を少なくとも1列形成することで、前記切断予定ラインに沿った割れを前記第2の改質領域から前記裏面に生じさせる工程とを含むことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記基板は半導体基板であり、前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域は、前記裏面をレーザ光入射面として、前記裏面から遠い順に一列ずつ形成されることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは2μJ〜50μJであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは1μJ〜20μJであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは、前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーより大きいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーを1とした場合、前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは1.6〜3.0であることを特徴とする請求項6記載のレーザ加工方法。
- 隣り合う前記第1の改質領域のそれぞれを形成する際にレーザ光の集光点を合わせる位置間の距離は24μm〜70μmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際にレーザ光の集光点を合わせる位置の前記裏面からの距離は50μm〜[(前記基板の厚さ)×0.9]μmであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を形成する際にレーザ光の集光点を合わせる位置の前記裏面からの距離は20μm〜110μmであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を複数列形成する場合、前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは、前記基板の裏面に最も近い前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーより大きいことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を複数列形成する場合、前記基板の裏面に最も近い前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーを1とすると、前記基板の裏面から最も遠い前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは1.3〜3.3であることを特徴とする請求項11記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を複数列形成する場合、前記基板の裏面に最も近い前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーを1とすると、前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光のエネルギーは1.3〜3.3であることを特徴とする請求項11記載のレーザ加工方法。
- 前記第2の改質領域を複数列形成する場合、前記基板の裏面に最も近い前記第2の改質領域を形成する際にレーザ光の集光点を合わせる位置の前記裏面からの距離は20μm〜110μmであり、前記基板の裏面に二番目に近い前記第2の改質領域を形成する際にレーザ光の集光点を合わせる位置の前記裏面からの距離は140μm以下であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記基板及び前記積層部を前記切断予定ラインに沿って切断する工程を更に含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 基板と、機能素子を含んで前記基板の表面に形成された積層部とを備える半導体チップであって、
前記基板の側面には、前記基板の厚さ方向において一続きとなるように、前記裏面に沿った第1の改質領域が複数列形成されており、
前記側面において、前記裏面に最も近い前記第1の改質領域と前記裏面との間の位置には、前記裏面に沿った第2の改質領域が少なくとも1列形成されていることを特徴とする半導体チップ。 - 前記基板は半導体基板であり、前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項16記載の半導体チップ。
- 対向する前記第1の改質領域の裏面側端部と前記第2の改質領域の表面側端部との距離は15μm〜60μmであることを特徴とする請求項16又は17記載の半導体チップ。
- 前記基板の厚さ方向における前記第1の改質領域の幅の合計は40μm〜[(前記基板の厚さ)×0.9]μmであることを特徴とする請求項16〜18のいずれか一項記載の半導体チップ。
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